TWI534204B - 改質聚合物及包含其之組合物 - Google Patents

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蔡正國
陳威宏
劉仕賢
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財團法人工業技術研究院
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Description

改質聚合物及包含其之組合物
本發明有關於一改質聚合物及包含其之組合物。
聚醯亞胺(polyimide，PI)為一種高性能高分子材料，其具有優異的耐熱性、耐化學藥品、良好的機械強度、以及電氣絕緣性等性能，廣泛被應用於航空、微機電子等高科技領域。然而，由於聚醯亞胺具有芳香環和亞胺基等極性基團的存在，導致聚醯亞胺分子鏈間的作用力較強，使PI分子鏈堆積較緊密，而難以加工，限制了其在某些領域的應用。基於上述，發展出一種新穎的改質聚醯亞胺聚合物，係為目前高分子材料技術的重要課題。
根據本發明之實施例，本發明提供一種改質聚合物，該改質聚合物包含以下步驟所得之產物：將一第一單體、一第二單體、及一第三單體進行聚合，得到一聚合物；以及，將該聚合物依序與一第一化合物及一第二化合物反應，得到該改質聚合物，其中該第一單體具有式(I)所示結構、該第二單體具有式(II)所示結構、該第三單體具有式(III)所示結構、該第 一化合物具有式(IV)所示結構、以及該第二化合物具有式(V)所示結構：
其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及，n係1-15。
根據本發明另一實施例，本發明所述之改質聚合物，可具有一第一重複單元、以及一第二重複單元，其中該第一重複單元具有式(VI)所示結構、及該第二重複單元具有式(VII)所示結構： 式(VI)
其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及，n係1-15。
根據本發明其他實施例，本發明提供一種光阻組合物，包含：一溶劑；上述改質聚合物；以及，一起始劑。
本發明係揭露一種改質聚合物以及包含其之光阻組合物。本發明所述的改質聚合物係為一感光性聚醯亞胺材料，對利用二胺單體與二酸酐單體所形成的聚醯亞胺聚合物進行改質，導入烷基丙酸酯基團(alkylacrylic group)，並利用亞烷基基團連結該烷基丙酸酯基團與聚合物主鏈結構(調整聚合物之柔軟性)，提昇改質後聚醯亞胺材料的感光性、耐熱性、及安定性。根據本發明實施例，本發明所述之改質聚合物可應 用於一光阻組合物中。
根據本發明實施例，本發明所述之改質聚合物，可包含以下步驟所得之產物。首先，將一第一單體、一第二單體、及一第三單體進行聚合，得到一聚合物。接著，將該聚合物先與一第一化合物反應，然後與一第二化合物反應，得到該改質聚合物。其中，該第一單體具有式(I)所示結構、該第二單體具有式(II)所示結構、該第三單體具有式(III)所示結構、該第一化合物具有式(IV)所示結構、以及該第二化合物具有式(V)所示結構：
其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及， n係1-15，例如為1-9、或1-10。
根據本發明實施例，R1可各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)；R2可各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)；以及，R3可各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
根據本發明實施例，該第一單體可為 ；該第二單體係為 ；該第三單體可為 ；該第一化 合物可為、、或； 以及，該第二化合物係為、或。
根據本發明一實施例，本發明所述之改質聚合物，可具有一第一重複單元、以及一第二重複單元，其中該第一重複單元具有式(VI)所示結構、及該第二重複單元具有式(VII)所示結構：
其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及，n係1-15。
根據本發明一實施例，具有式(VI)所示結構之第一重複單元、及具有式(VII)所示結構之第二重複單元之當量比約為1：1至1：3。
根據本發明實施例，本發明亦提供一種光阻組合物，包含：一溶劑；上述改質聚合物；以及，一起始劑。此外， 根據本發明其他實施例，該光阻組合物可更包含一交聯劑、以及一偶合劑。在本發明所述之光阻組合物中，該改質聚合物可具有一重量份介於10-40；該起始劑可具有一重量份介於1-10；該交聯劑可具有一重量份介於0.5-6；該偶合劑可具有一重量份介於0.5-6；以及，該溶劑可具有一重量份介於50-88。若該改質聚合物之重量份過低，則導致粘度低，造成聚醯亞胺交聯強度低及機械性質不足，不易形成堅固的聚醯亞胺膜。若該改質聚合物之重量份過高，則易導致粘度提高，造成聚醯亞胺較易析出，不利後續塗佈。
根據本發明實施例，該起始劑可為自由基起始劑、或光起始劑。該自由基起始劑可為二乙氧基苯乙酮(diethoxyacetophenone)、二苯基甲酮(benzophenone)、苯基安息香異丁醚(benzyl benzoin isobutyl ether)、苯二甲基醇縮酮(benzyl dimethyl ketal)、1-羥環己基苯基丙酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)、二乙基塞吨酮(diethyl thioxanthone)、2-乙基蒽醌(2-ethyl anthraquinone)、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-one)、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮(1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one)、2-甲基-[4-(甲基硫)苯基]-2-嗎啉基-1-丙烷(2-methyl-[4-(meyhylthio)phenyl]-2-morpholino-1-propane)、芳香重偶氮鹽(aromatic diazonium salts)、三烯丙基銃鹽(triallysulfonium salts)、二烯丙基碘鹽(diallyl iodonium salts)、路易士酸與金烯觸媒化合物之三烯丙基硒鹽(triallyl selenium salts of Lewis acid as well as metallocene compounds)、或上述之組合。該光起始劑可為2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮(2-hydroxy-2-methylpropiophenone)、4-二甲氨基-苯甲酸乙酯(ethyl 4-dimethylaminobenzoate)、安息香雙甲醚(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine)、2,4,6-三甲基苯甲醯基膦酸乙酯(ethyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphinat)、2-甲基-1-[4-甲硫基苯基]-2-嗎啉(morpholino-1-propanone(2-Methyl-4'-(methylthio)-2-morpholi nopropiophenone)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基 氧化膦(phenyl bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide)、4-氯二苯甲酮(4-chlorobenzophenone)、4-苯甲醯基-4’-甲基-二苯硫醚(4-(4-methylphenylthio)benzophenone)、二苯甲酮(benzophenone)、4-二甲氨基苯甲酸異辛酯(2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate)、2,4-二乙基噸酮(2,4-diethyl-9H-thioxanthen-9-one)、1-羥基-環已基-苯基甲酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)、或上述之組合。該交聯劑可為環氧樹脂、聚氨酯、聚酯、壓克力樹脂、聚醯胺、聚矽氧烷樹脂、或上述之組合。該偶合劑可為二環己基甲烷二異氰酸酯(bis-1,4-cyclohexyl diisocyanate,H12MDI)、環己烷二異氰酸鹽(diisocyanatohexane,HDI)、二異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯(5-Isocyanato-1-(isocyanatomethyl)-1,3,3-trimethylcyclohexan e,IPDI)、四甲基苯二甲基二異氰酸酯(tetramethyl-m-xylylene diisocyanate,TMXDI)、或其混合。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例，來說明本發明所述之改質聚合物及包含其之組合物。
改質聚合物製備
實施例1
首先，取20g(0.1mole)4,4'-二氨基二苯醚(4,4'-Oxydianiline、ODA、結構為)、36.6g(0.1mole)2，2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane、APAF、 結構為)、以及104.1g(0.2mole)4,4'-(4,4'-異丙基聯苯氧基)雙鄰苯二甲酸酐(4,4'-(4,4'-isopropylbiphenoxy)biphthalic anhydride、BPADA、 結構為)加入一反應瓶中，並加入400mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，均勻混合後，將反應瓶加熱至60℃並反應5小時。將反應瓶降 溫後，對所得產物進行純化，得到聚合物(1)，產率為85%。聚合物(1)具有以下重複單元 、以及 ，以無規方式排列。
接著，將1g聚合物(1)、以及1g碳酸鉀(K2CO3)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，加熱該反應瓶至迴流，並緩慢加入1g 3-溴丙醇(3-bromo-1-propanol)於反應瓶中，並反應2小時。待完全反應後，純化所得產物，得到聚合物(2)產率為83%。聚合物(2)具有以下重複單元、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析聚合物(2)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.93(m),7.47(m),7.38(m),7.21(m),7.13(m),4.46(s,-OH),4.09(s,-CH2),1.70(s,-CH3)。
接著，將1g聚合物(2)、以及1g三乙胺(triethylamine、Et3N)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，將1g甲基丙烯醯氯(methacryloyl chloride)加入反應瓶中後，加熱該反應瓶至迴流。反應8小時後，純化所得產物，得到改質聚合物(I)，產率為80%。改質聚合物(I)具有以下重複單元 、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析改質聚合物(I)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.93(m),7.47(m),7.37(m),7.21(m),7.12(m),5.93(s,C=C)：5.57(s,C=C),4.14(s,-CH2),4.02(s,-CH2),1.79(s,-CH2),1.70(s,-CH3)。
實施例2
將1g聚合物(1)、以及1g碳酸鉀(K2CO3)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，加熱該反應瓶至迴流，並緩慢加入1g 6-溴己醇(6-bromo-1-hexanol)於反應瓶中，並反應2小時。待完全反應後，純化所得產物，得到聚合物(3)產率為81%。聚合物(3)具有以下重複單元 、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析聚合物(3)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.95(m),7.51(m),7.38(m),7.21(m),7.13(m),4.47(s,-OH),4.09(s,-CH2), 1.75(t,-CH2),1.70(s,-CH3),1.35(t,-CH2),1.29(t,-CH2)。
接著，將1g聚合物(3)、以及1g三乙胺(triethylamine、Et3N)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，將1g甲基丙烯醯氯(methacryloyl chloride)加入反應瓶中後，加熱該反應瓶至迴流。反應8小時後，純化所得產物，得到改質聚合物(II)，產率為83%。改質聚合物(II)具有以下重複單元 、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析改質聚合物(II)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.93(m),7.47(m),7.37(m),7.21(m),7.12(m),5.93(s,C=C)：5.57(s,C=C),4.17(s,-CH2),4.09(s,-CH2),1.82(m,-CH2),1.70(s,-CH3),1.38(t,-CH2),1.26(t,-CH2)。
實施例3
將1g聚合物(1)、以及1g碳酸鉀(K2CO3)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，加熱該反應瓶至迴流，並緩慢加入1g 9-溴己醇(9-bromo-1-nonanol)於反應瓶中，並反應2小時。待完全反應後，純化所得產物，得到聚合物(4)產率為84%。聚合物(4)具有以下重複單元 、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析聚合物(3)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.95(m),7.46(m),7.39(m),7.25(m),7.15(m),4.47(s,-OH),4.03(s,-CH2),1.77(t,-CH2),1.70(s,-CH3),1.39(m,-CH2),1.33(m,-CH2)。
接著，將1g聚合物(4)、以及1g三乙胺(triethylamine、Et3N)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，將1g甲基丙烯醯氯(methacryloyl chloride)加入反應瓶中後，加熱該反應瓶至迴流。反應2小時後，純化所得產物，得 到改質聚合物(III)，產率為85%。改質聚合物(III)具有以下重複單元、以及 ，以無規方式排列。
利用核磁共振光譜分析改質聚合物(III)，所得之光譜資訊如下：1H NMR(D-DMSO,400MHz,ppm)：7.93(m),7.49(m),7.39(m),7.26(m),7.15(m),5.91(s,C=C)：5.57(s,C=C),4.14(s,-CH2),4.02(s,-CH2),1.79(s,-CH2),1.70(s,-CH3),1.36(t,-CH2),1.29(t,-CH2)。
實施例4
將1g聚合物(1)、以及1g三乙胺(triethylamine、Et3N)加入一反應瓶中，並加入10mL N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone、NMP)於反應瓶中作為溶劑。接著，將1g甲基丙烯醯氯(methacryloyl chloride)加入反應瓶中後，加熱該反應瓶至迴流。反應8小時後，純化所得產物，得到改質聚合物(IV)，產率為82%。改質聚合物(IV)具有以下重複單 元、以及 ，以無規方式排列。
光阻組合物之製備
實施例5
將18重量份之改質聚合物(I)、4重量份之市售3022(作為光起始劑)、1.5重量份之二甲基丙烯酸二甘醇酯(diethylene glycol dimethacrylate)(作為交聯劑)、1.5重量份之OFS-6030 silane(作為偶合劑)、以及75重量份之NMP(作為溶劑)均勻混合，得到光阻組合物(I)，固含量為25wt%。
實施例6-8
如實施例5所述的方式進行，除了將改質聚合物(I)分別以改質聚合物(II)、改質聚合物(II)、以及改質聚合物(IV)取代，得到光阻組合物(II)-(IV)。
熱穩定性量測
實施例9
將光阻組合物(I)及(II)塗佈於一玻璃基板上，形成 塗層。接著，以紫外光(波長介於250~400nm)照射該等塗層(曝光能量為500MJ/cm2)，然後加熱至250℃，維持三小時，得到硬化膜層。利用熱重量分析儀(thermogravimetric analyzer、TGA)量測該等硬化膜層的熱裂解溫度(thermal degradation temperature、Td)，結果如表1所示。
由表1可知，本發明所述之改質聚合物雖然具有長鏈的亞烷基，不過其在進行交聯後可具有高的交聯度，因此所得之硬化膜層的熱裂解溫度(℃)可高於370℃。
光阻解析度
實施例10
首先，將光阻組合物(I)及(IV)塗佈於銅箔上，形成塗層。接著，利用不同解析度的光罩並以紫外光照射該等塗層(曝光能量為500MJ/cm2)，進並行曝後烤(post-exposure bake，PEB)，曝後烤之條件為在250℃下進行3小時。接著，利用2.38%氫氧化四甲基銨水溶液於超音波振盪槽中顯影，顯影時間控制為300秒。接著，觀察所得光阻圖形在不同線寬(pitch)下的辨識度，結果如表2所示。
實施例11
如實施例10所述的方式進行，除了將紫外光照射曝光能量由500MJ/cm2調整至1000MJ/cm2。觀察所得光阻圖形 在不同線寬(pitch)下的辨識度，結果如表2所示。
由表2可知，由於光阻組合物(I)其所使用的改質聚合物係具有長鏈的亞烷基基團連接甲基丙烯酸酯基團，因此使得本申請案所述的改質聚合物具有高的UV感光度，可提高光阻組合物整體的解析度。因此，與光阻組合物(IV)相比(所使用的改質聚合物係不具有長鏈的亞烷基基團連接甲基丙烯酸酯基團)，光阻組合物(I)不但可在較低曝光能量完成圖形化，且具有較高的光阻解析度。
綜合上述，本發明所述的改質聚合物係為一感光性聚醯亞胺材料，對利用二胺單體與二酸酐單體所形成的聚醯亞胺聚合物進行改質，導入烷基丙酸酯基團(alkylacrylic group)，並利用亞烷基基團連結該烷基丙酸酯基團與聚合物主鏈結構(調整聚合物之柔軟性)，提昇改質後聚醯亞胺材料的感光性、耐熱性、及安定性。此外，本發明所述之光阻組合物，由於具有本發明所述的改質聚合物，可在較低曝光能量完成圖形化，並具有較高的光阻解析度。
雖然本發明的實施例及其優點已揭露如上，但應該 瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本發明之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本發明揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本發明使用。因此，本發明之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本發明之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

Claims (21)

  1. 一種改質聚合物，包含以下步驟所得之產物：將一第一單體、一第二單體、及一第三單體進行聚合，得到一聚合物；以及將該聚合物依序與一第一化合物及一第二化合物反應，得到該改質聚合物，其中該第一單體具有式(I)所示結構、該第二單體具有式(H)所示結構、該第三單體具有式(III)所示結構、該第一化合物具有式(IV)所示結構、以及該第二化合物具有式(V)所示結構： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及，n係3-9。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中R1係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中R2係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中R3係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中該第一單體係為
  6. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中該第二單體係為
  7. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中該第三單體係為
  8. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中該第 一化合物係為、或
  9. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中該第 二化合物係為、或
  10. 如申請專利範圍第1項所述之改質聚合物，其中n係1-10。
  11. 一種改質聚合物，係具有一第一重複單元、以及一第二重複單元，其中該第一重複單元具有式(VI)所示結構、及該第二重複單元具有式(VII)所示結構： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；以及，n係3-9。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之改質聚合物，其中R1 係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之改質聚合物，其中R2係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之改質聚合物，其中R3係各自獨立為氫、氟、甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、異丙基(isopropyl)、正丁基(n-butyl)、叔丁基(t-butyl)、仲丁基(sec-butyl)、異丁基(isobutyl)、戊基(pentyl)、或己基(hexyl)。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之改質聚合物，其中n係1-10。
  16. 一種光阻組合物，包含：一溶劑；申請專利範圍第1項所述之改質聚合物；以及一起始劑。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之光阻組合物，其中該起始劑包含二乙氧基苯乙酮(diethoxy acetophenone)、二苯甲酮(benzophenone)、苯基安息香異丁醚(benzyl benzoin isobutyl ether)、苯二甲基醇縮酮(benzyl dimethyl ketal)、1-羥環己基苯基丙酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)、二乙基塞吨酮(diethyl thioxanthone)、2-乙基蒽醌(2-ethyl anthraquinone)、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-one)、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮(1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one)、2-甲基-[4-(甲基硫)苯基]-2-嗎啉基-1-丙烷(2-methyl-[4-(meyhylthio)phenyl]-2-morpholino-l-propane)、芳香重偶氮鹽(aromatic diazonium salts)、三烯丙基銃鹽(triallysulfonium salts)、二烯丙基碘鹽(diallyl iodonium salts)、路易士酸與金烯觸媒化合物之三烯丙基硒鹽(triallyl selenium salts of Lewis acid as well as metallocene compounds)、2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮(2-hydroxy-2-methylpropiophenone)、4-二甲氨基-苯甲酸乙酯(ethyl 4-dimethylaminobenzoate)、安息香雙甲醚(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine)、2,4,6-三甲基苯甲醯基膦酸乙酯(ethyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphinat)、2-甲基-1-[4-甲硫基苯基]-2-嗎啉(morpholino-1-propanone(2-Methyl-4'-(methylthio)-2-morpholi nopropiophenone)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基 氧化膦(phenyl bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide)、4-氯二苯甲酮(4-chlorobenzophenone)、4-苯甲醯基-4’-甲基-二苯硫醚(4-(4-methylphenylthio)benzophenone)、二苯甲酮(benzophenone)、4-二甲氨基苯甲酸異辛酯(2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate)、2,4-二乙基噸酮(2,4-diethyl-9H-thioxanthen-9-one)、1-羥基-環已基-苯基甲酮 (l-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)、或上述之組合。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之光阻組合物，更包含一交聯劑。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之光阻組合物，其中該交聯劑包含包含環氧樹脂、聚氨酯、聚酯、壓克力樹脂、聚醯胺、聚矽氧烷樹脂、或上述之組合。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之光阻組合物，更包含一偶合劑。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之光阻組合物，其中該偶合劑包含二環己基甲烷二異氰酸酯(bis-1,4-cyclohexyl diisocyanate、H12MDI)、環己烷二異氰酸鹽(diisocyanatohexane,HDI)、二異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯(5-Isocyanato-1-(isocyanatomethyl)-1,3,3-trimethylcyclohexane,IPDI)、四甲基苯二甲基二異氰酸酯(tetramethyl-m-xylylene diisocyanate,TMXDI)、或上述之組合。
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