TWI533061B - 光源模組 - Google Patents

Description

光源模組

本發明係關於一種光源模組；具體而言，本發明係關於一種能夠調變光線並增加色彩飽和度之光源模組。

習知顯示器係使用光源模組產生光線，其中光源模組包含發光二極體光源模組。舉例而論，發光二極體光源通常使用藍光晶片及紅綠螢光粉，飽和度僅達84.6%。儘管傳統上光源模組可藉由調配紅綠螢光粉來改善此一問題，但得到最佳的飽和度仍只能到91.7%，離100%飽和度仍有一段差距。

此外，部分廠商調整晶片及螢光粉，嘗試使用藍光/紅光晶片及綠光螢光粉調整光線的飽和度，其飽和度或可達96%，但成本過高。除此之外，將紅光、綠光及藍光晶片封裝成白色發光二極體時，光電轉換效率非常差，且同樣有過高成本的問題。

有鑑於上述先前技術的問題，本發明提出一種能夠調變光線並增加色彩飽和度的光源模組。

於一方面，本發明提供一種能夠具有濾波模組之光源模組，以調變光線。

於另一方面，本發明提供一種產生光線共振之光源模組，能夠選擇性輸出特定光線。

本發明之一方面在於提供一種光源模組，包含光 源以及第一濾波模組，其中光源射出光線。在一實施例中，第一濾波模組具有第一出光面並包含第一共振層、第一反射介面及第二反射介面。第一共振層包含第一入射面及第一出射面並具有第一厚度，其中第一厚度取決於預設中心波長。此外，光線經由第一入射面進入第一共振層，當部分波長之光線產生共振時，則部分波長之光線穿透第一出射面並自第一出光面射出。值得注意的是，第二反射介面與第一反射介面共同夾合第一共振層，其中第一反射介面與第二反射介面共同反射光線以增強光線之共振。

相較於先前技術，根據本發明之光源模組係使用第一反射介面及第二反射介面所夾合之第一共振層共振光線，使得特定波長之光線被增強，並輸出該光線。值得注意的是，本發明可調整第一共振層之第一厚度以決定預設中心波長，輸出特定波長光線，進而提高飽和度。進一步而論，本發明使用薄膜干涉的共振效果以選擇性產生預設波長的光線，進而增加色彩飽和度。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

[本發明]

1、1A、1B、1C、1D‧‧‧光源模組

9‧‧‧基板

10、10A、10B‧‧‧第一濾波模組

11‧‧‧光源

11A‧‧‧光線

20、20A‧‧‧第二濾波模組

30A‧‧‧第一濾波模組

30B‧‧‧第二濾波模組

30C‧‧‧第三濾波模組

40A‧‧‧光譜曲線

40B‧‧‧光譜曲線

80‧‧‧光學層

90、90A、90B‧‧‧耦合層

100‧‧‧第一出光面

110‧‧‧第一共振層

111‧‧‧第一入射面

112‧‧‧第一出射面

121‧‧‧第一反射介面

122‧‧‧第二反射介面

130、130A、130B、130C、130D、130E、130F‧‧‧高反射層

140、140A‧‧‧低反射層

141‧‧‧外表面

200‧‧‧第二出光面

210‧‧‧第二共振層

211‧‧‧第二入射面

212‧‧‧第二出射面

221‧‧‧第三反射介面

222‧‧‧第四反射介面

901‧‧‧耦合面

D1‧‧‧第一厚度

D2‧‧‧第二厚度

圖1係為本發明之光源模組之實施例示意圖。

圖2係為本發明之預設中心波長之光譜圖。

圖3係為本發明之共振光之穿透光譜示意圖。

圖4係為本發明之光源模組之另一實施例示意圖。

圖5係為本發明之光源模組之另一實施例之示意圖。

圖6係為本發明之光源模組之另一實施例之示意圖。

圖7係為本發明之光源模組之另一實施例之示意圖。

根據本發明之一具體實施例，提供一種能夠共振光線之光源模組；具體而論，本發明之光源模組可以為顯示面板之背光模組提供光線，其可應用於平板電腦、行動電話、筆記型電腦或其他電子裝置，並無特定之限制。

請參照圖1，圖1係為本發明之光源模組之實施例示意圖。如圖1所示，光源模組1包含光源11、基板9以及第一濾波模組10。在此實施例中，第一濾波模組10設置於基板9上，其中基板9較佳可為玻璃基板或其他透明基板。較佳而言，第一濾波模組10係為光學膜片並具有第一出光面100，且光源11射出光線11A至基板9，其中光線11A穿透基板9並於第一濾波模組10之第一出光面100出光。在此實施例中，光源11係為發光二極體晶片，且第一濾波模組10覆蓋於發光二極體晶片上以過濾光線11A。然而在不同實施例中，第一濾波模組10亦可製成為膜片狀，以覆蓋於多個光源或片狀光源上方。

第一濾波模組10較佳包含第一共振層110、第一反射介面121及第二反射介面122。如圖1所示，第一共振層110包含第一入射面111及第一出射面112並具有第一厚度D1，其中第一厚度D1取決於預設中心波長λ₁。此外，第二反射介面122與第一反射介面121共同夾合第一共振層110。在此實施例中，第一反射介面121係由第一入射面111(作為第一共振層110與空氣間之介面)所形成，第二反射介面122則由第一出光面100(作為第一共振層110與空氣間之介面)所形成，但不以此例為限。在其他實施例中，本發明能夠將反射層元件分別設置於第一反射介面121及第二反射介面122上，使得光線係分別於反射層靠近外側的表面入光及出光，故反射介面分別與入光面及出光面係為不同表面。

值得注意的是，預設中心波長λ₁係指欲輸出之光波段的基頻波長。請參照圖2，圖2係為本發明之預設中心波長之光譜圖。在此實施例中，預設中心波長λ₁介於520nm至560nm之間，並不以此為限。在其他實施例中，預設中心波長λ₁可介於590nm至680nm之間，或是440nm至460nm之間。換句話說，本發明先行設定預設中心波長λ₁落於綠光、紅光或藍光的波長，混合光線以輸出飽和度較高的光線。具體而論，圖2所示之預設中心波長λ₁係為522nm。

在此實施例中，光線11A經由第一入射面111進入第一共振層110，當部分波長之光線11A產生共振時，則部分波長之光線11A穿透第一出射面112並自第一出光面100射出。第一反射介面121與第二反射介面122共同反射光線以增強光線之共振。

值得注意的是，第一共振層110具有第一共振折射率n₁。此外，本發明藉由關係式(A)說明上述參數之間的關係：

於關係式(A)中，第一厚度D1正比於預設中心波長λ₁與第一共振常數m₁之乘積，反比於第一共振折射率n₁之4倍。需說明的是，第一共振常數m₁為正偶數，可以係為2、4、6、8、10、12、14、16或其他正偶數數值。在此實施例中，第一共振常數m₁為12，但不以此例為限。進一步而論，第一共振層所輸出的共振光為週期性波長光，且本例設計第一共振常數m₁為12，使得自第一出光面100所輸出之光線能夠落於紅光、綠光、藍光皆能夠通過的光波段。

請參照圖3，圖3係為本發明之共振光之穿透光譜示意圖，圖3係為本發明之共振光之另一穿透光譜示意圖，此實施例分別說明光譜曲線40A及光譜曲線40B之穿透率。需說明的是，圖3之實施例係分別使用兩個共振腔之結構共 振光線。此外，這兩個實施例所使用的預設中心波長皆為522nm，但不以此為限。需說明的是，光譜曲線40A之共振光譜所使用的共振常數為12，且光譜曲線40B之共振光譜所使用的共振常數為16。該些共振光譜皆以預設中心波長522nm產生週期性波長光，分別於短波段及長波段產生週期性的光波峰值。

具體而論，第一共振常數m₁越大，輸出光的相鄰波峰間隔越小。本發明可控制第一共振常數之大小，使得共振光之週期性皆能夠相符於紅光、綠光及藍光對應的波長頻段。此外，本發明係設計上述參數，使得落於綠光/紅光/藍光波長之光線產生共振，進而增加色彩飽和度。

本發明調整關係式(A)中之第一共振常數m₁、預設中心波長λ₁以及第一共振折射率n₁以決定第一厚度D1，使得第一濾波模組10形成一組共振腔，藉由共振特定波長之光線，進而產生飽和度高的光線，以達到濾波光線之功效。換句話說，光源模組1可根據第一共振常數m₁、預設中心波長λ₁以及第一共振折射率n₁決定共振頻率，進而控制輸出光之波長。一旦光線11A符合共振頻率，則自第一共振層110離開，故達到控制輸出光的波長頻段。在此實施例中，第一共振折射率n₁係為4並大於1，但不以此為限。具體而論，當光線11A的頻率符合共振頻率時，光線11A產生建設性干涉並離開第一共振層110。此外，當光線11A的頻率不符合共振頻率，則會持續於第一共振層110內來回反射，以達到過濾光線之功效。在實際情況中，本發明藉由過濾光線，使得落於綠光波長之光線產生共振，進而增加色彩飽和度。

此外，在本實施例中，第一濾波模組10並未具有任何反射元件，但由於空氣的折射率為1，且第一共振折射率n₁大於1，故第一共振層110於出光側形成第二反射介面122。在此實施例中，第一濾波模組10僅具有一個共振層(第一共振層110)。然而，在其他實施例中，第一濾波模組10可 以包含複數個共振層，且該些共振層相互疊合以形成複合共振層。換言之，第一濾波模組10中之共振層的數量並無特定之限制，可依實際需求調整。

請參照圖4，圖4係為本發明之光源模組之另一實施例示意圖。如圖4所示，光源模組1A包含第一濾波模組10A，其中第一濾波模組10A進一步包含複數個高反射層130及複數個低反射層140。在實際情況中，該些高反射層130及該些低反射層140能夠使光線於第一共振層110能夠於第一反射介面121與第二反射介面122之間來回反射，提高第一共振層110之共振功效，直到特定波長之光線能夠符合共振頻率，進而輸出特定波長之光線，以增加輸出光線之色彩飽和度。

在此實施例中，部分該些高反射層130分別貼合於第一入射面111及第一出射面112以形成第一反射介面121及第二反射介面122。如圖4所示，高反射層130A貼合於第一入射面111以形成第一反射介面121，且高反射層130B貼合於第一出射面112以形成第二反射介面122。需說明的是，高反射層130A、130B與高反射層130具有相同的反射層性質，在此僅以不同元件符號表示。此外，該些低反射層140之低反射層140A之外表面141係為第一出光面100，且其餘該些低反射層140交疊設置於該些高反射層130之間。

換言之，該些高反射層130與該些低反射層140相互交疊於第一共振層110之兩側。值得注意的是，貼合於第一共振層110之反射層係為高反射層130A、130B，並非低反射層140。此外，高反射層及低反射層分別具有高折射率及低折射率，高反射層具有高折射厚度，低反射層具有低折射厚度，其中反射層之厚度與折射率之關係可藉由關係式(B)及(C)表示：

於關係式(B)中，高折射厚度DH正比於預設中心波長λ₁並反比於高折射率n_H之4倍。於關係式(C)中，低折射厚度正比於預設中心波長λ₁並反比於低折射率n_L之4倍。此外，高折射率n_H之範圍較佳為2至2.6之間，低折射率n_L之範圍較佳為1.4至1.6之間。在此實施例中，高折射率n_H係為2.2，低折射率n_L係為1.46。當高折射率n_H與低折射率n_L之差異較小時，可堆疊較多層的高反射層及低反射層提高反射效果。換言之，若使用較大差異的高折射率n_H及低折射率n_L，可減少高反射層130及低反射層140的數量。

換句話說，本實施例係根據預設中心波長與折射率之間的關係以決定高反射層130及低反射層140之厚度，且高反射層及低反射層使得特定波長之光線能夠於第一共振層110來回反射。具體而論，本實施例係使用薄膜干涉的原理，控制反射層的厚度正比於光線波長的四分之一，故能夠產生反射。相較於光源模組1，光源模組1A使用多層反射層以增強反射，有效提高共振效率。此外，一旦提高共振效率，光源模組較能夠輸出較多飽和度高的光線，進而增加光線飽和度。

請參照圖5，圖5係為本發明之光源模組之另一實施例之示意圖。如圖5所示，光源模組1B包含第一濾波模組10、耦合層90及第二濾波模組20，其中第二濾波模組20具有耦合面901及第二出光面200，且耦合層90設置於第一出光面100與耦合面901之間。

在此實施例中，第二濾波模組20包含第二共振層210、第三反射介面221及第四反射介面222。第四反射介面222與第三反射介面221共同夾合第二共振層210，其中第三反射介面221與第四反射介面222共同反射光線11A以增強光線11A之共振。

在實際情況中，光線11A係分別於第一反射介面121與第二反射介面122之間以及第三反射介面221與第四反射介面222之間來回反射，以達到光線共振的功效。換句話說，相較於光源模組1使用一個共振腔(第一共振層110)，光源模組1B使用第一共振層110及第二共振層210形成兩個共振腔，能夠改變光線共振的效果。需說明的是，共振腔的數量越多，輸出光的頻寬會變寬，可依照實際需求控制輸出光的飽和度。

此外，第二共振層210包含第二入射面211及第二出射面212並具有第二厚度D2，其中第二厚度D2取決於預設中心波長λ₂，且光線11A經由第二入射面211進入第二共振層210，當部分波長之光線11A產生共振時，部分波長之光線11A穿透第二出射面212並自第二出光面200射出。在此實施例中，第三反射介面221與第二入射面211係為相同表面，第四反射介面222與第二出光面200係為相同表面，但不以此例為限。

需說明的是，第一共振層110具有預設中心波長λ₁，第二共振層210具有預設中心波長λ₂，其中預設中心波長λ₁及λ₂可以設計為相同波長。如前文所提及之圖3實施例，其係使用兩個共振腔共振光線，其中兩個共振腔的預設中心波長皆為522nm。在此實施例中，預設中心波長λ₁及λ₂同樣介於520nm至560nm之間，並不以此為限。在其他實施例中，預設中心波長λ₁介於520nm至560nm之間，而預設中心波長λ₂可介於590nm至680nm之間或是440nm至460nm之間。

在此實施例中，第二共振層210具有第二共振折射率n₂。以下藉由關係式(D)說明上述參數之間的關係：

於關係式(D)中，第二厚度D2正比於預設中心波 長λ₂與第二共振常數m₂之乘積，反比於第二共振折射率n₂之4倍。第二共振常數m₂為正偶數，可以係為2、4、6、8、10、12、14、16或其他正偶數數值。在此實施例中，第二共振常數m₂為12，但不以此例為限。

此外，耦合層90具有耦合折射率n_C，以下藉由關係式(E)說明耦合層90之參數關係：

其中，耦合層90之厚度DC正比於預設中心波長λ並反比於耦合折射率n_C之4倍。

在此實施例中，第一共振折射率n₁及第二共振折射率n₂係為4，且耦合層90之耦合折射率n_C係為1.46。換句話說，耦合折射率n_C小於第一共振折射率n₁及第二共振折射率n₂，光線11A能夠於第二反射介面122及第三反射介面221反射。此外，第二共振層210之第二出光面直接接觸空氣，且空氣的折射率為1。在實際情況中，空氣折射率小於第二共振折射率，光線11A能夠於第四反射介面222反射。進一步而論，光線能夠分別在第一反射介面121、第二反射介面122、第三反射介面221及第四反射介面222，使得光線能夠在第一共振層110及第二共振層210產生共振。

請參照圖6，圖6係為本發明之光源模組之另一實施例示意圖。如圖6所示，光源模組1C包含第一濾波模組10B、第二濾波模組20A、耦合層90及光學層80。在此實施例中，耦合層90係設置於第一濾波模組10B與第二濾波模組20A之間。

此外，第一濾波模組10B包含第一共振層110、該些高反射層130、130A、130B及130C以及該些低反射層140。需說明的是，高反射層130A直接設置於第一共振層110之第一入射面111上，且低反射層140及高反射層130相繼堆疊於高反射層130A上。值得注意的是，光線11A係先從高反 射層130進入第一濾波模組10B，並分別經由低反射層140及高反射層130A進入第一共振層110。此外，於第一共振層110的另一側，亦即第二反射介面122，高反射層130B直接設置於第二反射介面122上，且其餘該些低反射層140及該些高反射層130、130C相互堆疊於高反射層130B上。

值得注意的是，設置於第二反射介面122上之該些低反射層140及該些高反射層130、130B、130C之層數為奇數；在此實施例中，反射層的層數為5層，但不以此為限。此外，設置於第一反射介面121上之低反射層及高反射層之層數亦為奇數；在此實施例中，反射層的層數為3層，但不以此為限。在實際情況中，反射層的數量越多，反射效果越好，光線共振的效果亦較佳。

此外，耦合層90設置於高反射層130C上，其中耦合層90之折射率係小於高反射層130C之折射率。在此實施例中，耦合層90及該些高反射層之折射率分別為1.46及1.88。換言之，由於耦合層90之折射率小於高反射層130C之折射率，故光線11A能夠在第一出光面100反射，並於第一共振層110中產生共振。

具體而論，光線11A除了能夠在第一濾波模組10B產生共振，亦能夠在第二濾波模組20產生共振。換言之，光源模組1C具有兩個共振腔，可有效達到過濾光線之功效。

如圖6所示，第二濾波模組20A設置於耦合層90上，包含第二共振層210、複數個高反射層130、130D、130E、130F及該些低反射層140。值得注意的是，第二濾波模組20A之第二共振層210、該些高反射層及該些低反射層之堆疊結構與第一濾波模組10B相同，但不以此例為限。

此外，該些高反射層130、130D、130E、130F具有高折射率，其中高反射層130D及130E分別貼合於第二入射面211及第二出射面212以形成第三反射介面221及第四反射介面222。需說明的是，高反射層130、130D、130E及130F 具有相同的反射層性質，在此僅以不同元件符號表示。

於第二濾波模組20A之堆疊結構中，設置於第三反射介面221之高反射層及低反射層之總層數為奇數；在此實施例中，總層數係為3層，但不以此例為限。此外，光線係自高反射層130進入第二濾波模組20A，並經由高反射層130D進入第二共振層210。設置於第四反射介面221之高反射層及低反射層之總層數為奇數；在此實施例中，總層數係為5層，但不以此例為限。在實際情況中，光線11A係經由高反射層130E離開第四反射介面，並透過高反射層130F穿透第二出光面200以進入光學層80。

在此實施例中，該些高反射層具有高折射厚度，且高折射厚度正比於預設中心波長並反比於高折射率之4倍。在此實施例中，高折射率的範圍為1.7至2.6之間，較佳為1.88。此外，該些低反射層具有低折射率，其中該些低反射層之低反射層具有低折射厚度，且低折射厚度正比於預設中心波長並反比於低折射率之4倍。在此實施例中，低折射率的範圍為1.4至1.69之間，較佳為1.64。

此外，光學層80設置於第二出光面200並具有光學厚度及光學折射率，其中光學厚度正比於預設中心波長並反比於光學折射率。在實際情況中，光學層80能夠使輸出光譜柔和化。

請參照圖7，圖7係為本發明之光源模組之另一實施例之示意圖。如圖7所示，光源模組1D包含第一濾波模組30A、第二濾波模組30B、第三濾波模組30C、耦合層90A、耦合層90B以及光學層80。

在此實施例中，第一濾波模組30A包含第一共振層110、高反射層130以及低反射層140。需說明的是，光線11A係經由高反射層130進入第一濾波模組30A，亦經由高反射層130進入第一共振層110。光線11A離開第一共振層110後，係首先進入高反射層130，並於高反射層130離開第一濾 波模組30A。此外，耦合層90A設置於第一濾波模組30A與第二濾波模組30B之間。需說明的是，耦合層90A之折射率必須小於高反射層130之折射率，使得光線11A離開第一濾波模組時，不會產生損耗(loss)。

此外，第二濾波模組30B及第三濾波模組30C之結構與第一濾波模組30A相同，皆為該些高反射層與該些低反射層相互疊合並夾合共振層。值得注意的是，無論是第一濾波模組30A、第二濾波模組30B或第三濾波模組30C，共振層兩側的該些高反射層與該些低反射層之總層數皆分別為奇數層。以第一濾波模組30A為例，第一共振層110之入光側具有5層反射層，第一共振層之出光側具有5層反射層，但不以此例為限。在實際情況中，反射層的總層數越多，反射的效果越好，進而提高共振效率。此外，光源模組1D具有3個共振腔，共振腔的數量越多，可以增加輸出光波峰的頻寬。

在此實施例中，若調整共振係數m為2，具有3個共振腔之光源模組1D之飽和度係為94.96%。若要減少材料成本並減少膜片厚度，將各共振腔之入光反射介面及出光反射介面分別移除1個高反射層及1個低反射層，可得到飽和度為93.59%。

相較於先前技術，根據本發明之光源模組1係使用第一反射介面121及第二反射介面122所夾合之第一共振層110共振光線11A，使得特定波長之光線11A被增強，並輸出光線。值得注意的是，本發明可調整第一共振層110之第一厚度D1以決定預設中心波長，輸出特定波長光線，進而提高飽和度。進一步而論，本發明使用薄膜干涉的共振效果以選擇性產生預設波長的光線，進而增加色彩飽和度。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之 專利範圍的範疇內。

1‧‧‧光源模組

9‧‧‧基板

10‧‧‧第一濾波模組

11‧‧‧光源

11A‧‧‧光線

100‧‧‧第一出光面

110‧‧‧第一共振層

111‧‧‧第一入射面

112‧‧‧第一出射面

121‧‧‧第一反射介面

122‧‧‧第二反射介面

211‧‧‧第二入射面

212‧‧‧第二出射面

D1‧‧‧第一厚度

Claims (14)

1. 一種光源模組，包含：一光源，射出一光線；一第一濾波模組，具有一第一出光面並包含：一第一共振層，包含一第一入射面及一第一出射面並具有一第一厚度，其中該第一厚度取決於一預設中心波長；該光線經由該第一入射面進入該第一共振層，當部分波長之該光線產生共振時，則該部分波長之該光線穿透該第一出射面並自該第一出光面射出；一第一反射介面；以及一第二反射介面，與該第一反射介面共同夾合該第一共振層，其中該第一反射介面與該第二反射介面共同反射該光線以增強該光線之共振；以及一光學層，設置於該第一出光面並具有一光學厚度及一光學折射率，其中該光學厚度正比於該預設中心波長並反比於該光學折射率。
2. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一共振層具有一第一共振折射率；該第一厚度正比於該預設中心波長與一第一共振常數之乘積，反比於該第一共振折射率之4倍，且該第一共振常數為正偶數。
3. 如請求項1所述之光源模組，其中該第一濾波模組進一步包含： 複數個高反射層，具有一高折射率，其中部分該些高反射層分別貼合於該第一入射面及該第一出射面以形成該第一反射介面及該第二反射介面；以及複數個低反射層，具有一低折射率，其中該些低反射層之一之一外表面係為該第一出光面，且其餘該些低反射層交疊設置於該些高反射層之間。
4. 如請求項3所述之光源模組，其中該些高反射層之該高反射層具有一高折射厚度，且該高折射厚度正比於該預設中心波長並反比於該高折射率之4倍。
5. 如請求項3所述之光源模組，其中該些低反射層之該低反射層具有一低折射厚度，且該低折射厚度正比於該預設中心波長並反比於該低折射率之4倍。
6. 如請求項3所述之光源模組，其中該高折射率之範圍為2至2.6之間；該低折射率之範圍為1.4至1.6之間。
7. 如請求項1所述之光源模組，進一步包含：一耦合層；以及一第二濾波模組，具有一耦合面及一第二出光面並包含：一第二共振層，包含一第二入射面及一第二出射面並具有一第二厚度，其中該第二厚度取決於該預設中心波長，該耦合層設置於該第一出光面與該耦合面之間，且該光線經由該第二入射面進入該第二共振層，當該部分波長之該光線產生共振時，該部分波長之該光線穿透該第二出射面並自該第二出光面射出； 一第三反射介面；以及一第四反射介面，與該第三反射介面共同夾合該第二共振層，其中該第三反射介面與該第四反射介面共同反射該光線以增強該光線之共振。
8. 如請求項7所述之光源模組，其中該第二共振層具有一第二共振折射率；該第二厚度正比於該預設中心波長與一第二共振常數之乘積，反比於該第二共振折射率之4倍，且該第二共振常數為正偶數。
9. 如請求項7所述之光源模組，其中該耦合層具有一耦合折射率，且該耦合層之一厚度正比於該預設中心波長並反比於該耦合折射率之4倍。
10. 如請求項7所述之光源模組，其中該第二濾波模組進一步包含：複數個高反射層，具有一高折射率，其中部分該些高反射層分別貼合於該第二入射面及該第二出射面以形成該第三反射介面及該第四反射介面；該些高反射層之該高反射層具有一高折射厚度，且該高折射厚度正比於該預設中心波長並反比於該高折射率之4倍；以及複數個低反射層，具有一低折射率，其中該些低反射層交疊設置於該些高反射層之間；該些低反射層之該低反射層具有一低折射厚度，且該低折射厚度正比於該預設中心波長並反比於該低折射率之4倍。
11. 如請求項1所述之光源模組，其中該預設中心波長介於520nm至560nm之間。
12. 如請求項1所述之光源模組，其中該預設中心波長介於590nm至680nm之間。
13. 如請求項1所述之光源模組，其中該預設中心波長介於440nm至460nm之間。
14. 如請求項1所述之光源模組，其中該光源係為一發光二極體晶片，且該第一濾波模組覆蓋於該發光二極體晶片上以過濾該光線。