TWI527918B - 鈷基合金濺鍍靶材及磁記錄媒體用之鈷基合金材料 - Google Patents

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鈷基合金濺鍍靶材及磁記錄媒體用之鈷基合金材料
本發明係關於一種鈷基合金濺鍍靶材(Co-based alloy sputtering target)及磁記錄媒體用之鈷基合金材料(Co-based alloy material)，尤指一種含有非磁性三元化合物之鈷基合金濺鍍靶材及鈷基合金材料。
隨著科技日益進步，系統自動儲存資料與大量備份重要檔案的使用需求，使得人們對於磁記錄媒體(magnetic recording media)的依賴越來越高。如何提升磁記錄媒體之磁記錄品質成為現今記錄媒體產業中極力發展的目標。
磁記錄媒體依照磁化的方向係水平或垂直於磁碟片的表面，可分為水平式磁記錄媒體(longitudinal magnetic recording media)與垂直式磁記錄媒體(perpendicular magnetic recording media)。於垂直式磁記錄媒體中，影響記錄密度的關鍵在於記錄層(recording layer)的材料與特性。
目前常用於垂直式磁記錄媒體中記錄層的材料為鈷基合金材料(Co-based alloy material)，其係藉由鈷元素提供磁記錄媒體產生磁化作用所需之磁力。然而，由於鈷基合金材料中具有磁性的相鄰鈷基晶粒間會產生磁交換耦合作用(magnetic exchange coupling effect)，導致磁記錄媒體之訊號雜訊比(signal-to-noise ratio;SNR)降低，進而劣化磁記錄媒體的讀寫可信度。
為了確保磁記錄媒體的讀寫可信度，如何有效阻絕磁性晶粒間的磁交換耦合作用成為一門重要的課題。如文獻報告IEEE Trans. Magn.,38(2002) 1976中所述，在記錄層中添加非磁性氧化物，可使非磁性氧化物偏析(segregation)在磁性晶粒的晶界(grain boundary)處，利用非磁性氧化物阻絕磁性晶粒間的磁交換耦合作用，提升磁性晶粒間耦合-去耦合的效應(couple-decouple effct)，藉以降低磁性晶粒間產生之雜訊訊號，以進一步提升磁記錄媒體之記錄效能。
於現有技術中，用以阻絕磁性晶粒間磁交換耦合作用的非磁性氧化物例如：二氧化矽(SiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、一氧化鎂(MgO)、二氧化釷(ThO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈰(CeO2)、三氧化二釔(Y2O3)或其組合物。
當使用一種含有前述非磁性氧化物之鈷基合金濺鍍靶材濺鍍形成磁記錄媒體之記錄層時，所述之非磁性氧化物(例如：SiO2或TiO2)的矽成份或鈦成份會部分固溶於鈷基晶粒中，且非磁性氧化物會偏析在鈷基晶粒之晶界處，而形成如Co2SiO4之鈷矽氧化合物或Co2TiO4之鈷鈦氧化合物。
據此，當非磁性氧化物與鈷基晶粒固溶時，鈷基晶粒中的鈷含量降低會影響磁記錄媒體中記錄層產生磁化作用所需之磁力，且非磁性氧化物與鈷基晶粒在其晶界處固溶，將使得晶界處的鈷含量提高，導致非磁性氧化物無法有效地隔絕鈷基晶粒間的磁交換耦合作用而降低磁記錄媒體之訊號雜訊比。
為了有效阻絕磁性鈷基晶粒間磁交換耦合作用的目的，必需將非磁性氧化物晶界層的厚度提高，然而此種解決辦法卻會降低磁記錄媒體的磁記錄密度，並無法具體改善及提升磁記錄媒體的記錄效能。
有鑒於現有技術中使用單一氧化物或其組合物(mono-oxide or its combinations)之非磁性氧化物阻絕磁性鈷基晶粒間磁交換耦合作用時，其單一氧化物會偏析在磁性晶粒之晶界處並與磁性晶粒固溶，而劣化磁記錄媒體中記錄層的磁力與訊號雜訊比等問題；本發明之主要目的在於發展一種具備良好穩定性的非磁性三元化合物，利用該非磁性三元化合物有效阻絕磁性晶粒間的磁交換耦合作用，提升磁性晶粒間耦合-去耦合的效應，又能避免非磁性三元化合物發生與磁性晶粒固溶的現象，藉以確保磁記錄媒體中記錄層的磁力，並且提升磁記錄媒體的訊號雜訊比。
為達成上述目的，本發明係提供一種鈷基合金濺鍍靶材(CoCrPt-based alloy sputtering target)，其包含：一鈷基合金基相；以及一非磁性三元化合物相，其中該非磁性三元化合物相包含至少一非磁性三元化合物，該非磁性三元化合物之結構係選自於由下列所構成的群組：AB2O4(尖晶石結構(Spinel structure))、AB2O6(鈮鐵礦結構(Columbite structure))、ABO3(鈣鈦礦結構(Perovskite structure))、AB2O5(板鈦鎂礦結構(Karrooite structure))或A4B2O9(金剛石結構(Corundum structure))，其中A與B係獨立為相互不同之元素或具有不同價態之同一元素，且O係為氧元素。
較佳的，於本發明之鈷基合金濺鍍靶材中，鈷基合金基相係由至少一鈷基合金所組成，且該鈷基合金係選自於由下列所組成之群組：鈷鉑合金、鈷鉻合金、及鈷鉻鉑合金。
較佳的，於本發明之鈷基合金濺鍍靶材中，非磁性三元化合物係佔整體鈷基合金濺鍍靶材之6至20原子百分比(percentage of atomic ratio,at%)。
此外，本發明亦提供一種磁記錄媒體用之鈷基合金材料(CoCrPt-based alloy material)，其包含：一鈷基合金；以及一非磁性三元化合物，其中該非磁性三元化合物之結構係選自於由下列所構成的群組：AB2O4、AB2O6、ABO3、AB2O5或A4B2O9，其中A與B係獨立為相互不同之元素或具有不同價態之同一元素，且O係為氧元素。
較佳的，鈷基合金可為鈷鉑合金、鈷鉻合金、或鈷鉻鉑合金。
由於本發明之鈷基合金濺鍍靶材中係含有具備良好的穩定性的非磁性三元化合物，其經過濺鍍製程後所形成的磁記錄媒體用之鈷基合金材料，在其鈷基合金的晶粒間可形成含有非磁性三元化合物之晶界層，透過非磁性三元化合物有效阻絕鈷基晶粒間的磁交換耦合作用，可提升鈷基合金晶粒間耦合-去耦合的效應，進而降低鈷基合金晶粒間產生的雜訊訊號，達到提升磁記錄媒體之訊號雜訊比與讀寫可信度之目的，以製作出兼具高訊號雜訊比的磁記錄媒體用之鈷基合金材料。
所述之非磁性三元化合物係形成於鈷基合金晶粒之晶界處，其厚度可低於10埃以下，較佳僅需6至8埃的厚度，即可達到阻絕磁性鈷基晶粒間的磁交換耦合作用之目的。
於本說明書中，所述之「非磁性三元化合物」係為一種由A、B與氧元素所組成的化合物，其中A與B可獨立代表相互不同的元素，或可獨立代表具有不同價態之同一元素，且A與B係以適當的原子比組成具有良好穩定性的非磁性三元化合物。
本發明磁記錄媒體用之鈷基合金材料，可使用如前述之鈷基合金濺鍍靶材經由此技術領域中已知的濺鍍方法所製得，可選用之濺鍍方法例如：磁控濺鍍法、電子電漿法、離子束濺鍍法，但並非僅限於此。
較佳的，以AB2O4所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鐵、鎳、鋅、鎘、銅、鎢、鍶、鈦、矽、鉛或鋇，且B係為鋁、鈦、矽、鉻、鎵、鎂或鐵。其中，A選用之鐵較佳係為二價鐵(Fe2+)，B選用之鐵較佳係為三價鐵(Fe3+)。較佳的，以AB2O6所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、鐵、鋅、錳、鎳、銅、鎢或鋇，且B係為鉭、鈮、鉻或鈦。
較佳的，以ABO3所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鈣、鈰、鈉、鋇、鍶、鉛或鋅，且B係為鈦、矽、鐵或鋯。
較佳的，以AB2O5所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、鐵、鈦、矽、鉻或鋇，且B係為鈦、釤、鈧、釩、鉛或矽。
較佳的，以A4B2O9所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鋅、鎳或鈦，且B係為鉭、銻、釩、鈮或鋇。
綜上所述，相較於現有技術使用含有單一氧化物或其組合物之濺鍍靶材製作磁記錄媒體用之材料難以克服之問題，使用本發明之鈷基合金濺鍍靶材製作磁記錄媒體用之鈷基合金材料可具備下列幾項優點：
(1)　降低阻絕鈷基合金晶粒間磁交換耦合作用所需之晶界層厚度：
由於各成份的溶解度及濃度不同，於濺鍍過程或薄膜沉積過程中大部分的鈷基元素會固溶形成一磁性鈷基合金晶粒，而少部分的鈷、氧、A、B或A與B的氧化物分子(A-O或B-O)等成份則會偏析至鈷基合金晶粒之晶界處，藉以阻絕鈷基合金晶粒間的磁交換耦合作用；且由於穩定的非磁性三元化合物(nonmagnetic A-B-O compound)之吉布士自由能(Gibbs free energy)係遠小於A或B與鈷基合金晶粒固溶後形成的氧化物分子的吉布士自由能，亦即G(A-B-O)>G(Co-A-O)或者G(A-B-O)>G(Co-B-O)。因此，在特定的比例下，於濺鍍過程或薄膜沉積過程中會先形成穩定的非磁性三元化合物，因而能夠降低記錄層中非磁性三元化合物相對於鈷基合金晶粒所需要的容積比；且由於非磁性三元化合物能夠穩定的偏析於鈷基合金晶粒之晶界處，所以晶界處不易發生鈷基合金晶粒與A或B固溶的現象，因而能夠僅以厚度約6至8埃的非磁性三元化合物晶界層達到隔絕磁性顆粒間的磁交換耦合作用之目的。
相較於現有技術使用單一氧化物阻絕鈷基合金晶粒間的磁交換耦合作用，需要厚度達10埃以上的非磁性氧化物晶界層才能達到阻絕磁交換耦合作用，本發明可以大幅降低記錄層中阻絕鈷基合金晶粒間磁交換耦合作用所需之晶界層厚度。
(2)　提升磁記錄媒體的訊號雜訊比與讀寫可信度：
由於鈷基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物，當其濺鍍形成鈷基合金材料時，非磁性三元化合物會偏析至鈷基合金晶粒的晶界處，利用該非磁性三元化合物可阻絕鈷基合金晶粒間的磁交換耦合作用，藉以提升磁記錄媒體的訊號雜訊比與讀寫可信度。
以下，將藉由下列具體實施例詳細說明本發明的實施方式，熟習此技藝者可經由本說明書之內容輕易地了解本發明所能達成之優點與功效，並且於不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更，以施行或應用本發明之內容。
實施例1：含有Mg 2 TiO 4 之非磁性三元化合物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，以MgO：TiO2之莫耳比為2：1之條件下，準備12.7公克之TiO2粉末與12.8公克之MgO粉末。將前述兩種粉末均勻球磨後，以1200℃之燒結溫度下持續燒結3小時，獲得Mg2TiO4之非磁性三元化合物。於本實施例中，係使用Mg2TiO4作為非磁性三元化合物，所述之Mg2TiO4係具有如AB2O4所示之尖晶石結構。
之後，將非磁性三元化合物均勻球磨後，加入104.8公克之鈷粉末、11.0公克之鉻粉末及36.3公克之鉑粉末，於高速研磨機中進行研磨2小時後，均勻填充於一石墨模具中。
接著，以壓力約為300磅/平方英寸之油壓機進行預成型，以形成一初胚。再將該初胚與石墨模具一同置入熱壓爐中進行燒結，以大約1000℃之熱壓溫度及400 bar之壓力下，持續熱壓180分鐘，待燒結完成後製得本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。
於本實施例中，所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-6Mg2TiO4。
請參閱圖1所示，利用掃描式電子顯微鏡(型號為Hitachi N-3400 SEM)分析熱壓燒結後所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的金相微結構，可觀察到本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中主要含有兩相，其白色相係為鈷鉻鉑基合金基相，黑色相係為非磁性三元化合物相。於鈷鉻鉑基合金基相中並未發現有其他金屬原子與鈷晶粒產生固溶，且於非磁性三元化合物相中亦未發現有非磁性三元化合物與鈷晶粒產生固溶的現象。
如下表1所示，經由能量分散元素分析光譜儀(Energy dispersive x-ray spectroscopy(EDX))(機型型號為Hitachi N-3400 EDS)結果證實，於本實施例之非磁性三元化合物相中，所述之非磁性三元化合物係為Mg2TiO4。於鈷鉻鉑基合金基相並未檢測到其他金屬原子，且於非磁性三元化合物相中並未檢測到鈷的訊號，證實本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物，且該非磁性三元化合物並不會與鈷鉻鉑基合金相之鈷產生固溶的現象。
表1：實施例1之鈷鉻鉑基合金基相與非磁性三元化合物相的成份與含量。
實施例2：含有MgTiO 3 之非磁性三元化合物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，以MgO：TiO2之莫耳比為1：1之條件下，準備18.6公克之TiO2粉末與9.4公克之MgO粉末。將前述兩種粉末均勻球磨後，以1200℃之燒結溫度下持續燒結3小時，獲得MgTiO3之非磁性三元化合物。於本實施例中，係使用MgTiO3作為非磁性三元化合物，所述之MgTiO3係具有如ABO3所示之鈣鈦礦結構。
之後，將非磁性三元化合物均勻球磨後，加入101.8公克之鈷粉末、10.7公克之鉻粉末及35.2公克之鉑粉末，經過如同實施例1所述之後續製程步驟，燒結完成後製得本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。
於本實施例中，所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-9MgTiO3。
請參閱圖2所示，本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中主要含有兩相。圖中所示之白色相係為鈷鉻鉑基合金基相，黑色相係為非磁性三元化合物相。於鈷鉻鉑基合金基相中並未發現有其他金屬原子與鈷晶粒產生固溶，且於非磁性三元化合物相中亦未發現有非磁性三元化合物與鈷基晶粒產生固溶的現象。
如下表2所示，經由能量分散元素分析光譜儀分析結果證實，於本實施例之非磁性三元化合物相中，所述之非磁性三元化合物係為MgTiO3。於鈷鉻鉑基合金基相並未檢測到其他金屬原子，且於非磁性三元化合物相中並未檢測到鈷的訊號，證實本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物，且該非磁性三元化合物並不會與鈷鉻鉑基合金相之鈷產生固溶的現象。
表2：實施例2之鈷鉻鉑基合金基相與非磁性三元化合物相的成份與含量。
實施例3：含有MgTi 2 O 5 之非磁性三元化合物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，以MgO：TiO2之莫耳比為1：2之條件下，準備24.1公克之TiO2粉末與6.1公克之MgO粉末。將前述兩種粉末均勻球磨後，以1200℃之燒結溫度下持續燒結3小時，獲得MgTi2O5之非磁性三元化合物。於本實施例中，係使用MgTi2O5作為非磁性三元化合物，所述之MgTi2O5係具有如AB2O5所示之板鈦鎂礦結構。
之後，將非磁性三元化合物均勻球磨後，加入99.1公克之鈷粉末、10.4公克之鉻粉末及34.3公克之鉑粉末，經過如同實施例1所述之後續製程步驟，燒結完成後製得本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。於本實施例中，所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-6MgTi2O5。
請參閱圖3所示，本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中主要含有兩相。圖中所示之白色相係為鈷鉻鉑基合金基相，黑色相係為非磁性三元化合物相。於鈷鉻鉑基合金基相中並未發現有其他金屬原子與鈷晶粒產生固溶，且於非磁性三元化合物相中亦未發現有非磁性三元化合物與鈷基晶粒產生固溶的現象。
如下表3所示，經由能量分散元素分析光譜儀分析結果證實，於本實施例之非磁性三元化合物相中，所述之非磁性三元化合物係為MgTi2O5。於鈷鉻鉑基合金基相中並未檢測到其他金屬原子，且於非磁性三元化合物相中並未檢測到鈷的訊號，證實本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物。
表3：實施例3之鈷鉻鉑基合金基相與非磁性三元化合物相的成份與含量。
實施例4：含有Mg 4 Ta 2 O 9 之非磁性三元化合物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，以MgO：Ta2O5之莫耳比為4：1之條件下，準備39.8公克之Ta2O5粉末與14.5公克之MgO粉末。將前述兩種粉末均勻球磨後，以1250℃之燒結溫度下持續燒結3小時，獲得Mg4Ta2O9之非磁性三元化合物。於本實施例中，係使用Mg4Ta2O9作為非磁性三元化合物，所述之Mg4Ta2O9係具有如A4B2O9所示之金剛石結構。
之後，將非磁性三元化合物均勻球磨後，加入86.4公克之鈷粉末、9.4公克之鉻粉末及30.8公克之鉑粉末，經過如同實施例1所述之後續製程步驟，燒結完成後製得本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。
於本實施例中，所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-4Mg4Ta2O9。
請參閱圖4所示，本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中主要含有兩相。圖中所示之灰色相係為鈷鉻鉑基合金基相，白色相係為非磁性三元化合物相。於鈷鉻鉑基合金基相中並未發現有其他金屬原子與鈷基晶粒產生固溶，且於非磁性三元化合物相中亦未發現有非磁性三元化合物與鈷基晶粒產生固溶的現象。
如下表4所示，經由能量分散元素分析光譜儀分析結果證實，於本實施例之非磁性三元化合物相中，所述之非磁性三元化合物係為Mg4Ta2O9，且於非磁性三元化合物相中並未檢測到鈷的訊號，證實本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物。
表4：實施例4之鈷鉻鉑基合金基相與非磁性三元化合物相的成份與含量。
實施例5：含有MgTa 2 O 6 之非磁性三元化合物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，以MgO：Ta2O5之莫耳比為1：1之條件下，準備69.6公克之Ta2O5粉末與6.4公克之MgO粉末。將前述兩種粉末均勻球磨後，以1200℃之燒結溫度下持續燒結3小時，獲得MgTa2O6之非磁性三元化合物。於本實施例中，係使用MgTa2O6作為非磁性三元化合物，所述之MgTa2O6係具有如AB2O6所示之鈮鐵礦結構。
之後，將非磁性三元化合物均勻球磨後，加入80.0公克之鈷粉末、8.2公克之鉻粉末、26.9公克之鉑粉末，經過如同實施例1所述之後續製程步驟，燒結完成後製得本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。
於本實施例中所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-8MgTa2O6
請參閱圖5所示，本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中主要含有兩相。圖中所示之灰色相係為鈷鉻鉑基合金基相，白色相係為非磁性三元化合物相。於鈷鉻鉑基合金基相中並未發現有其他金屬原子與鈷基晶粒產生固溶，且於非磁性三元化合物相中亦未發現有非磁性三元化合物與鈷基晶粒產生固溶的現象。
如下表5所示，經由能量分散元素分析光譜分析結果證實，於本實施例之非磁性三元化合物相中，所述之非磁性三元化合物係為MgTa2O6，且於非磁性三元化合物相中並未檢測到鈷的訊號，證實本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材係含有具備良好穩定性的非磁性三元化合物。
表5：實施例5之鈷鉻鉑基合金基相與非磁性三元化合物相的成份與含量。
比較例：含有TiO 2 之單一氧化物的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材
首先，準備93.9公克之鈷粉末、9.9公克之鉻粉末、32.5公克之鉑粉末與34.2公克之TiO2粉末。將前述四種粉末均勻球磨2小時後，均勻填充於一石墨模具中。
之後，以壓力約為300磅/平方英寸之油壓機進行預成型，以形成一初胚。再將該初胚與石墨模具一同置入熱壓爐中進行燒結，以大約1000℃之熱壓溫度及400 bar之壓力下，持續熱壓180分鐘，待燒結完成後製得該鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材。
於此比較例中，所製得之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材的原子百分比係為Co-8Cr-7Pt-18 TiO2。
請參閱圖6所示，比較例之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中含有兩相，白色相係為鈷鉻鉑基合金基相，黑色相係為TiO2相。其中，TiO2相中的鈦元素會固溶於鈷晶粒中，且部分的鈷成份會固溶於TiO2中，或與TiO2在晶界處形成鈷鈦氧化物(Co-Ti-O compound)。
如下表6所示，經由能量分散元素分析光譜分析結果證實，比較例中的鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材，會發生二氧化鈦固溶於鈷晶粒中以及鈷與二氧化鈦反應形成鈷鈦氧化物之情況，因而能夠在鈷鉻鉑基合金基相檢測到鈦元素的存在，並且於TiO2相檢測到鈷元素的存在。
表6：比較例之鈷鉻鉑基合金基相與TiO2相的成份與含量。
經由實驗結果證實，本發明之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材中非磁性三元化合物確實具備良好的穩定性，使得非磁性三元化合物相中的非磁性三元化合物不會固溶於鈷原子中，且鈷鉻鉑基合金基相中的鈷原子也不會與非磁性三元化合物固溶。
據此，使用本發明之鈷基合金濺鍍靶材濺鍍而成之磁記錄媒體用之鈷基合金材料，包含其之非磁性三元化合物能夠有效阻絕磁性鈷基合金晶粒間的磁交換耦合作用，提升磁性鈷基合金晶粒間耦合-去耦合的效應，又能避免非磁性三元化合物發生與磁性鈷基合金晶粒固溶的現象，藉以提升磁記錄媒體的訊號雜訊比。
圖1係為本發明實施例1中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。
圖2係為本發明實施例2中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。
圖3係為本發明實施例3中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。
圖4係為本發明實施例4中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。
圖5係為本發明實施例5中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。
圖6係為比較例中鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材之微結構金相圖。

Claims (14)

  1. 一種鈷基合金濺鍍靶材(Co-based alloy sputtering target)，其包含：一鈷基合金基相；以及一非磁性三元化合物相，其中該非磁性三元化合物相包含至少一非磁性三元化合物，該非磁性三元化合物之結構係選自於由下列所構成的群組：AB2O4、AB2O6、ABO3、AB2O5及A4B2O9，其中A與B係獨立為相互不同之元素或具有不同價態之同一元素，且O係為氧元素。
  2. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中該鈷基合金基相係由至少一鈷基合金所組成，且該鈷基合金係選自於由下列所組成之群組：鈷鉑合金、鈷鉻合金、及鈷鉻鉑合金。
  3. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中非磁性三元化合物係佔整體鈷基合金濺鍍靶材之6至20原子百分比。
  4. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以AB2O4所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鐵、鎳、鋅、鎘、銅、鎢、鍶、鈦、矽、鉛或鋇，且B係為鋁、鈦、矽、鉻、鎵、鎂或鐵。
  5. 如請求項3所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以AB2O4所示之非磁性三元化合物中，A係為二價鐵，B係為三價鐵。
  6. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以AB2O6所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、鐵、鋅、錳、 鎳、銅、鎢或鋇，且B係為鉭、鈮、鉻或鈦。
  7. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以ABO3所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鈣、鈰、鈉、鋇、鍶、鉛或鋅，且B係為鈦、矽、鐵或鋯。
  8. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以AB2O5所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、鐵、鈦、矽、鉻或鋇，且B係為鈦、釤、鈧、釩、鉛或矽。
  9. 如請求項1所述之鈷基合金濺鍍靶材，其中以A4B2O9所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鋅、鎳或鈦，且B係為鉭、銻、釩、鈮或鋇。
  10. 一種磁記錄媒體用之鈷基合金材料(CoCrPt-based alloy material)，其包含：一鈷基合金；以及一非磁性三元化合物，其中該非磁性三元化合物之結構係選自於由下列所構成的群組：AB2O4、AB2O6、ABO3、AB2O5及A4B2O9，其中A與B係獨立為相互不同之元素或具有不同價態之同一元素，且O係為氧元素。
  11. 如請求項10所述之磁記錄媒體用之鈷基合金材料，其中以AB2O4所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鐵、鎳、鋅、鎘、銅、鎢、鍶、鈦、矽、鉛或鋇，且B係為鋁、鈦、矽、鉻、鎵、鎂或鐵；以AB2O6所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、鐵、鋅、錳、鎳、銅、鎢或鋇，且B係為鉭、鈮、鉻或鈦；以ABO3所示之非磁性三元化合物中，A係為鎂、錳、鈣、鈰、鈉、鋇、鍶、鉛或鋅，且B係為鈦、矽、鐵或鋯；以AB2O5所示之非磁性三元化合物 中，A係為鎂、鐵、鈦、矽、鉻或鋇，且B元素係為鈦、釤、鈧、釩、鉛或矽；以A4B2O9所示之非磁性三元化合物中，A元素係為鎂、錳、鋅、鎳或鈦，且B元素係為鉭、銻、釩、鈮或鋇。
  12. 如請求項11所述之磁記錄媒體用之鈷基合金材料，其中以AB2O4所示之非磁性三元化合物中，A係為二價鐵，B係為三價鐵。
  13. 如請求項10所述之磁記錄媒體用之鈷基合金材料，其中該鈷基合金材料係使用如請求項1至9中任一項所述之鈷基合金濺鍍靶材所濺鍍而成。
  14. 如請求項10所述之磁記錄媒體用之鈷基合金材料，其中該鈷基合金材料係用於垂直式磁記錄媒體。
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