TWI527764B

TWI527764B - 水處理裝置及方法

Info

Publication number: TWI527764B
Application number: TW099125178A
Authority: TW
Inventors: 熊日華; 蔡巍; 安卓瓊恩札斯克
Original assignee: 奇異電器公司
Priority date: 2010-07-29
Filing date: 2010-07-29
Publication date: 2016-04-01
Also published as: TW201204641A

Description

水處理裝置及方法

本發明大體上係關於液體處理裝置及方法。更特定言之，本發明係關於水處理裝置及方法。

由於產品水品質之可靠性，故薄膜脫鹽裝置(例如奈米過濾薄膜裝置或逆滲透薄膜裝置)係用於飲料工廠中以獲得產品水。然而，由於薄膜脫鹽裝置具有於薄膜上之結垢趨勢之問題，故一般薄膜脫鹽裝置之產品水回收率係在約50%至約90%之範圍內。進水之剩餘10~50%通常係以廢水排出。每天全世界的飲料工廠消耗大量可用水，由此需要大量水源由薄膜脫鹽裝置處理並排出大量廢水，其導致高成本及大量廢物且並非所期望的。

此外，人類及幾乎全世界之每一工葉亦需求愈來愈多的可用水且無法負擔排出更多廢水。

因此，需要開發一種新穎水處理裝置及方法。

在一態樣中，提供一種水處理裝置，其包括：一薄膜脫鹽單元；一第一導管，其與該薄膜脫鹽單元相連及經組態以將第一進水流運輸至該薄膜脫鹽單元；一第二導管，其與該薄膜脫鹽單元相連且經組態以將較該第一進水流鹽度低的第一產品水流從該薄膜脫鹽單元運輸出；一電分離單元；一第三導管，其與該薄膜脫鹽單元及該電分離單元相連且經組態以將較該第一進水流鹽度高的第一廢水流自該薄膜脫鹽單元運輸至該電分離單元；一第四導管，其與該電分離單元相連且經組態以將較該第一廢水流鹽度低的第二產品水流從該電分離單元運輸出；一沉澱單元；一第五導管，其與該沉澱單元及該電分離單元相連且經組態以將較該第一廢水流鹽度高之第二廢水流自該電分離單元運輸至該沉澱單元；一第六導管，其與該沉澱單元及該電分離單元相連且經組態以將較該第二廢水流鹽度低的第二進水流自該沉澱單元運輸至該電分離單元；一第七導管，其與該沉澱單元相連且經組態以釋放出一排放水流；及一化學注入單元，其與該電分離單元及該沉澱單元中之至少一者相連。

在另一態樣中，本發明提供一種方法。該方法包括：提供一薄膜脫鹽單元；提供與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將第一進水流運輸至該薄膜脫鹽單元的一第一導管；提供與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度低的第一產品水流從該薄膜脫鹽單元運輸出的一第二導管；提供一電分離單元；提供與該薄膜脫鹽單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度高的第一廢水流自該薄膜脫鹽單元運輸至該電分離單元的一第三導管；提供與該電分離單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度低的第二產品水流從該電分離單元運輸出的一第四導管；提供一沉澱單元；提供與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度高之第二廢水流自該電分離單元運輸至該沉澱單元的一第五導管；提供與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第二廢水流鹽度低的第二進水流自該沉澱單元運輸至該電分離單元的一第六導管；提供與該沉澱單元相連並經組態以釋放出一排放水流的一第七導管；及提供與該電分離單元及該沉澱單元中之至少一者相連的一化學注入單元。

連同附圖，自本發明較佳實施例的以下詳細描述可更佳地理解此等及其他優點及特徵。

以下參照附圖將描述本發明之較佳實施例。在以下描述中，不詳細描述已知功能或結構以避免於不必要細節處混淆本發明。

如遍及技術說明書與申請專利範圍使用的近似片語可用於修飾允許改變而不導致與此相關的基本功能的變化的任何數量表示。因此，由一術語或諸術語(諸如「約」或「大體上」)修飾之數值不限於指定之精確數值。在一些實例中，近似片語可對應於用於量測數值的儀器之精確度。此外，如本文使用之後綴「(s)」通常意指包括其修飾之術語的單數及複數兩者，由此包括一或多個彼術語。

圖1係根據本發明之一實施例的一水處理裝置100的概要圖。該水處理裝置100包括：一薄膜脫鹽單元102；與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將第一進水流106運輸至該薄膜脫鹽單元之一第一導管104；與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度低的第一產品水流110從該薄膜脫鹽單元運輸出的一第二導管108；一電分離單元112；與該薄膜脫鹽單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度高的第一廢水流116自該薄膜脫鹽單元運輸至該電分離單元的一第三導管114；與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度低的第二產品水流120從該電分離單元運輸出的一第四導管118；一沉澱單元122；與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度高之第二廢水流126自該電分離單元運輸至該沉澱單元的一第五導管124；與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第二廢水流鹽度低的第二進水流130自該沉澱單元運輸至該電分離單元的一第六導管128；與該沉澱單元相連並經組態以釋放出一排放水流134的一第七導管132；及與該電分離單元及該沉澱單元中之至少一者相連的一化學注入單元136。

在所述之實施例中，第四導管118係與第一導管104相連並經組態以運輸第二產品水流120以與第一進水流106混合。薄膜脫鹽單元102可包括一奈米過濾薄膜裝置，一逆滲透薄膜裝置或其組合。一般薄膜脫鹽裝置之產品水回收率係在約50%至約90%之範圍內。電分離單元112可包括一倒極式電透析(EDR)脫鹽裝置，一超電容器脫鹽(SCD)裝置或其組合。EDR或SCD另加沉澱單元之水回收率一般係在約80%至約99%之範圍內。因此，水處理裝置100之總水回收率係在約90%至約99.9%的範圍內且第一產品水流110之體積流率係在第一進水流106體積流率之約90%至約99.9%的範圍內。就如需要高品質水的飲料工廠之應用而言，水處理裝置100產生更多可用產品水及排放少量廢水。

在一些實施例中，第四導管118可不與第一導管104相連且經組態以將第二產品水流120運輸至另一水處理裝置(未顯示)中或直接運出。以此方式，水處理裝置100之產品水係以兩分離流110、120之形式。總水回收率仍很高。

在一些實例中，由於藉由電分離單元與沉澱單元處理的水之高濃縮，故一些所溶解之鹼(諸如重碳酸鹽)將變為不可溶解或很難溶解的鹽(例如碳酸鈣(CaCO₃))以在電分離單元中積聚/積垢。在一些實施例中，化學注入單元136包括提供鹽酸或硫酸的一酸注入單元以藉由令鹽酸或硫酸與重碳酸鹽反應而降低鹼度。

化學注入單元136可與電分離單元及/或沉澱單元直接相連，或經由第三導管114及/或第五導管124相連。

在所述之實例中，水處理裝置100包括與第六導管128相連的一過濾裝置138以防止顆粒(未顯示，若有)進入電分離單元112。過濾裝置138可包括一筒式過濾器。

在另一態樣中，提供一種方法。該方法包括：提供一薄膜脫鹽單元102；提供與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將第一進水流106運輸至該薄膜脫鹽單元的一第一導管104；提供與該薄膜脫鹽單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度低的第一產品水流110從該薄膜脫鹽單元輸送離開的一第二導管108；提供一電分離單元112；提供與該薄膜脫鹽單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一進水流鹽度高的第一廢水流116自該薄膜脫鹽單元運輸至該電分離單元的一第三導管114；提供與該電分離單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度低的第二產品水流120從該電分離單元輸送出的一第四導管118；提供一沉澱單元122；提供與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第一廢水流鹽度高之第二廢水流126自該電分離單元運輸至該沉澱單元的一第五導管124；提供與該沉澱單元及該電分離單元相連並經組態以將較該第二廢水流鹽度低的第二進水流130自該沉澱單元運輸至該電分離單元的一第六導管128；提供與該沉澱單元相連並經組態以釋放出一排放水流134的一第七導管132；及提供與該電分離單元及該沉澱單元中之至少一者相連的一化學注入單元136。

就某些配置而言，電分離單元可係SCD裝置。術語「SCD裝置」通常可指用於海水淡化或其他微咸水去離子化以將鹽或其他離子化雜質之量降至家用及工業用途的可容許含量的超電容器。在某些應用中，超電容器脫鹽裝置可包括一或多個超電容器脫鹽單元(未顯示)。如所知，在非限制實例中，每一超電容器脫鹽單元可至少包括一對電極、一間隔物及附接於各自電極的一對集電器。當使用多於一個堆疊在一起的超電容器脫鹽單元時，複數個絕緣分離器可置於每一對相鄰SCD單元之間。

在本發明之實施例中，集電器可分別連接於一電源(未顯示)的正終端及負終端。由於電極係與各自集電器接觸，故電極可分別用作陽極與陰極。

在超電容器脫鹽裝置112之充電狀態期間，自薄膜脫鹽裝置102之輸入流116流經一閥(未顯示)並進入用於脫鹽之SCD裝置中。在此狀態中，一輸入流130至SCD裝置112的流動路徑係藉由閥(未顯示)閉合。來自電源之正電荷與負電荷分別堆積在陽極(s)與陰極(s)表面上並吸引來自離子化輸入流116的陰離子與陽離子，此導致其等分別地吸附於陽極與陰極之表面上。由於電荷在陽極(s)與陰極(s)上積累，故一排出流(諸如自SCD裝置112流經閥(未顯示)之輸出流120)可具有相較輸入流116更低之鹽度(鹽或其他離子雜質之濃度)。

在超電容器脫鹽裝置112之放電狀態期間，經吸附之陰離子與陽離子分別自陽極(s)與陰極(s)表面解離。輸入流130係藉由泵(未顯示)自沉澱單元122泵送，並流經過濾器(未顯示)及閥(未顯示)以進入SCD裝置112以自此攜載離子(陰離子與陽離子)。自SCD裝置112流出並流經閥(未顯示)的排出流126具有較輸入流130更高之鹽度(鹽或其他離子雜質的濃度)。在此狀態中，輸入流116至SCD裝置112的流動路徑係藉由閥(未顯示)閉合。在某些應用中，可不提供過濾器。

SCD裝置放電完全後，將SCD裝置置於充電狀態一段時間以籌備隨後之放電。亦即，SCD裝置之充電及放電係交替進行以分別處理輸入流116與130。

當水於放電狀態之SCD單元及沉澱單元中循環時，水中鹽或其他離子雜質的濃度會增加以在沉澱單元122中產生沉澱。直徑大於指定直徑的沉澱顆粒(固體)可藉由重力沉降於沉澱單元122之下部。直徑小於指定直徑的其他沉澱顆粒可分散於水中。

當流134之沉澱率加上排料率等於自輸入流116之帶電物移除率時，其中該等速率係一或多次充電-放電循環期間的平均數，在SCD單元與沉澱單元間循環之流的飽和度及過飽和度可穩定且可建立動態平衡。

在某些實例中，可利用以放電狀態釋放的能量來驅動電裝置(未顯示)，諸如電燈泡或可利用諸如雙向DC-DC轉換器之能量回收單元而予以回收。

在與堆疊在一起之SCD單元相似的其他非限制實例中，超電容器脫鹽裝置可包括一對電極、附接於各自電極之一對集電器、置於該對電極間的一或多個雙極電極、及置於每一對相鄰電極間的複數個間隔物用於以充電狀態處理第一廢水流116及以放電狀態處理第二進水流130。每一雙極電極具有由離子不可滲透層分隔之正面及負面。

在一些實施例中，集電器可組態為一平板、一篩網、一箔或一薄片且由金屬或金屬合金形成。金屬可例如包括鈦、鉑、銥或銠。金屬合金可例如包括不鏽鋼。在其他實施例中，集電器可包括石墨或塑膠材料，諸如可包括聚乙烯之聚烯烴。在某些應用中，塑膠集電器可與導電性碳黑或金屬顆粒混合以達到特定導電級別。

電極及/或雙極電極可包括可導熱或不可導熱的導電材料，且可具有尺寸小及表面積大的顆粒。在一些實例中，導電材料可包括一或多種碳材料。碳材料之非限制實例包括活性碳顆粒、多孔碳顆粒、碳纖維、碳氣凝膠、多孔介穩相碳微珠或其組合。在其他實例中，導電材料可包括傳導性複合物，諸如錳或鐵或兩者之氧化物或鈦、鋯、釩、鎢之碳化物或其組合。

另外，間隔物可包括用以分隔電極對之任何離子可滲透、不導電材料，包含薄膜及多孔及無孔材料。在非限制實例中，間隔物可具有或自身可經分隔以形成流動通道，電極對間用於處理之液體流經該流動通道。

在某些實例中，電極、集電器及/或雙極電極可呈彼此平行放置以形成堆疊結構的平板之形式。在其他實例中，電極、集電器及/或雙極電極可具有各種形狀，諸如一薄片、一塊體或一圓柱體。此外，電極、集電器及/或雙極電極可以變化組態佈置。例如，電極、集電器及/或雙極電極可以其間之螺旋及連續間隔共心放置。

就某些配置而言，電分離單元可係倒極式電透析(EDR)裝置。術語「EDR」可指示利用離子交換薄膜以自水或其他流體移除離子或帶電物之電化學分離方法。

如所知，在一些非限制實例中，EDR裝置包括經組態以分別用作一陽極與一陰極之一對電極。複數個交替陰離子可滲透薄膜與陽離子可滲透薄膜係置於陽極與陰極之間以於其間形成複數個交替之稀釋通道及濃縮通道。陰離子可滲透薄膜(s)係經組態以可通過陰離子。陽離子可滲透薄膜(s)係經組態以可通過陽離子。此外，EDR裝置可進一步包括置於每一對薄膜間及置於電極與相鄰薄膜間的複數個間隔物。

因此，當將電流施加於EDR裝置112時，諸如流116與130(如圖1所示)之水分別流經各自交替之稀釋及濃縮通道。在稀釋通道中，離子化第一流116。第一流116中之陽離子朝陰極移動通過陽離子可滲透薄膜以進入相鄰通道中。陰離子朝陽極移動通過陰離子可滲透薄膜以進入其他相鄰通道中。在置於一稀釋通道之每一側的相鄰通道(濃縮通道)中，儘管電場施加力於離子以朝向各自電極(例如陰離子被拉向陽極)，但陽離子不能移動通過陰離子可滲透薄膜，且陰離子不能移動通過陽離子可滲透薄膜。因此，陰離子與陽離子保留並濃縮於濃縮通道中。

結果，第二進水流130流經濃縮通道以將濃縮之陰離子與陽離子自EDR單元112協載出以使排出流126可具有較輸入流130更高的鹽度。液體在EDR單元112中之循環後，鹽或其他雜質可沉澱於沉澱單元122中。

在一些實例中，例如每隔15至50分鐘，可顛倒EDR裝置112電極之極性以降低陰離子與陽離子在濃縮通道中的積垢趨勢。因此，以反極性狀態，自正常極性狀態之稀釋通道可用作第二流130之濃縮通道，而自正常極性狀態的濃縮通道可用作輸入流116之稀釋通道。

在一些EDR應用中，電極可包括可導熱或不可導熱之導電材料，且可具有尺寸小及表面積大的顆粒。間隔物可包括任何離子可滲透、不導電材料，包含薄膜及多孔及無孔材料。在非限制實例中，陰離子可滲透薄膜可包括四級胺基團。陽離子可滲透薄膜可包括磺酸基或羧酸基。

在一些實施例中，鹽或其他雜質之飽和度或過飽和度極高時才會極快地沉澱。例如，硫酸鈣(CaSO₄)經常達到約400%之過飽和度，約5分鐘內出現沉澱，此不利於沉澱系統。因此，在某些實例中，可將晶種顆粒(未顯示)加入沉澱單元中以於鹽或其他離子雜質之較低過飽和度下快速沉澱於其表面上。另外，可提供攪拌裝置及/或泵用以促進晶種顆粒於沉澱單元中之懸浮。

在非限制實例中，晶種顆粒可具有約1至約500微米範圍內的平均直徑，且可在沉澱單元之沉澱區域內具有水重量的約0.1重量%(wt%)至約30 wt%的濃度範圍。在一些實例中，晶種顆粒可具有約5至約100微米範圍內之平均直徑，且在沉澱區域中可具有液體重量之約0.1 wt%至約20 wt%之濃度範圍。在某些應用中，晶種顆粒可包括引起沉澱的固體顆粒，包括(但不限於)CaSO₄顆粒及其等水合物。CaSO₄顆粒可具有約10微米至約200微米範圍內的平均直徑。在一些實例中，CaSO₄晶種顆粒濃度在沉澱區域中可為液體重量之約0.1 wt%至約2.0 wt%，以使離開沉澱單元122的溶液中的CaSO₄濃度可受控於約100%至約150%飽和範圍內。

應注意晶種顆粒不限於任何特定晶種顆粒且可基於指定應用而選擇。

實例

以下實例於實施所申請之專利時提供一般技術者額外指導。因此，此實例不如隨附申請專利範圍所界定限制本發明。

利用奈米過濾(NF)薄膜或逆滲透(RO)薄膜之實驗不予進行且以實例之形式於下表1中顯示工業NF單元之進料流、產品流及廢棄流中之主要離子物及溶解總固體(TDS)。在工業NF薄膜裝置之進料流、產品流及廢棄流中無或幾乎無懸浮固體。

圖2顯示於試驗性實例中所用且包括一倒極式電透析(EDR)單元11及一沉澱單元12的水處理裝置之部分概要圖。

於實驗室中製備水以具有與表1之廢棄流相同的組成，模擬為NF廢棄流54。將NF廢棄流54注入一進料罐50中並與酸注入流64混合以至少部份中和其鹼度。經由一酸注入泵62自一酸罐(酸注入單元)60泵送酸注入流64。酸注入流64包括如以下式所示與鹼進行反應之鹽酸(濃度約37重量%)：HCl+HCO₃ ^-→H₂O+CO₂+Cl^-。自進料罐50釋放所得的二氧化碳氣體。於進料罐中使用攪拌裝置(未顯示)以加強混合及反應。氣體備用裝置或其他脫氣裝置(未顯示)亦可用於進料罐中或單獨位置處以加強二氧化碳氣體自水之移除。可加入進料罐50中的酸添加劑包括(但不限於)鹽酸及硫酸。

進料罐50中之鹼度減小後，在回流閥31之引導下，經由進料泵52沿著如實線33所示之第一輸入管將水流13泵入EDR單元11的稀釋通道中。同時，在回流閥32之引導下，經由濃縮再循環泵18沿著如實線34所示之第一輸入管將自沉澱單元12之固液分離區域24之濃縮流17引入EDR單元11之濃縮通道中。在濃縮再循環泵18與EDR單元11之間使用筒式過濾器19以防止顆粒進入EDR單元11中。

當經由一電源(未顯示)將電流施加於EDR單元11時，稀釋通道中之陽離子朝著陰極移動通過陽離子交換薄膜以進入相鄰濃縮通道中。陰離子朝著陽極移動通過陰離子交換薄膜以進入其他相鄰濃縮通道中。在置於一稀釋通道之每一側的相鄰濃縮通道中，儘管電場施力於朝向各電極之離子(例如陰離子被拉向陽極)，但陽離子不可移動通過陰離子可滲透薄膜，且陰離子不可移動通過陽離子交換薄膜。因此，陰離子與陽離子保留並濃縮於濃縮通道中。

結果，流經EDR單元11之稀釋通道的進料流13可經部份脫鹽化以使相應之排出流14具有較輸入流13更低之鹽度。濃縮流17流經濃縮通道以自EDR裝置11擕載出濃縮之陰離子與陽離子以使相應之排出流16具有較輸入流17更高的鹽度。分別經由回流閥35與36之控制，產品流14與鹽水輸出流16流出並進入如實線37與38所示之各自第一輸出管中。將鹽水流16注入沉澱單元12之沉澱區域28中。

為減少濃縮通道中之陰離子交換薄膜與陽離子交換薄膜的積垢趨勢，故可每隔1000秒顛倒EDR單元11之電極極性。因此，在反極性狀態中，自正常極性狀態之稀釋通道用作濃縮通道以接受濃縮流17，而自正常極性狀態的濃縮通道用作稀釋通道以接受進料流13。流13與17沿著如由虛線39與40所示之各自第二輸入管進入EDR裝置11。稀釋流14與排出流16沿如虛線41與42所示之各自第二輸出管流動。

沉澱單元12之外部容器20包括直徑為250 mm及高度為500 mm之圓柱形上部及圓錐角為90度之圓錐形下部。沉澱單元12之總操作體積係約20升。在開始實驗之前，添加石膏顆粒(200 g)作為晶種顆粒於沉澱元件21及限定元件22中之沉澱區域28內並藉由攪拌裝置23之攪拌維持懸浮以增強於沉澱單元12中之沉澱。

將進料流13與濃縮流17兩者之流率設為0.5升/分(lpm)。在沉澱單元12中出現沉澱。為維持晶種顆粒於沉澱單元12中之穩定量，在每一循環(2000秒)中，藉由泵25以排放流30自沉澱單元12之圓柱形下部排放約300 ml之漿液。泵25協助再循環流43返回沉澱單元12中或協助排放流30用於排放漿液。閥26控制排放流30及再循環流43。同時，為保持沉澱單元12中之恒定水體積，為安全起見，將溢出流29設計成自沉澱單元12之固液分離區域24中之溢出水。排放流30與溢出流29合併形成流27。泵25之流速係約6升/分。閥204係置於容器20下部以便於排空容器20。

在每一循環中，藉由溢出流29排放約400 ml之水。因此，排出水之總體積為約700 ml/循環，而總進水體積為約16.7升。然後計算EDR單元11與沉澱單元12之水回收率為約95.8%。表2顯示進入及離開EDR單元11及沉澱單元12之每一流的主要組成。由於於進料罐50中添加鹽酸及其與重碳酸鹽之反應，故流13較表1中之廢棄流具有更高之氯化物濃度及更低之重碳酸鹽濃度。

以上結果亦顯示EDR單元11之產品流14中溶解總固體(TDS)係處於使產品流14可以NF單元之進料流送回的範圍內。

就舉具有約85%之水回收率的工業NF單元之實例並請返回參照圖1，但經由第一導管104將體積流率為1296.4 lpm之第一進水流106運輸至薄膜脫鹽單元102中時，經由與薄膜脫鹽單元(工業NF單元)及電分離單元112相連的第三導管114將體積流率為227.1 lpm且具有較第一進水進料流106鹽度高的第一廢水流116自薄膜脫鹽單元102運輸至電分離單元112。第四導管118連接電分離單元112且經組態以將較第一廢水流鹽度低之第二產品水流120(體積流率為217.6 lpm)自電分離單元112運輸出以與第一進水流106混合。因此，至薄膜脫鹽單元102(NF單元)之總進料流的體積流率為1514.0 lpm。以85%之水回收率，薄膜單元之第一產品水流110具有1286.9 lpm之體積流率。

第五導管124與沉澱單元122及電分離單元112連接且經組態以將較第一廢水流116鹽度高之第二廢水流126自電分離單元112運輸至沉澱單元122。與沉澱單元122及電分離單元112相連的第六導管128係經組態以將較第二廢水流126鹽度低的第二進水流130自沉澱單元運輸至電分離單元。與沉澱單元相連之第七導管132係經組態以釋放一排放水流134。以上實驗結果顯示電分離單元112與沉澱單元122具有95.8%之水回收率，因此排放水流134之平均體積流率係9.5 lpm。

因此，總裝置100(即NF 102+EDR 112+沉澱單元122)具有體積流率為1296.4 lpm之進料流，體積流率為1286.9 lpm之產品流及體積流率為9.5 lpm之廢棄流。因此，總裝置100之水回收率係99.3%。可有效移除重碳酸鹽且在裝置100中無積垢。

雖然已於典型實施例中闡述及描述本發明，但不應限於所示細節，此因可不脫離本發明主旨以任何方式進行修飾及替代之故。如此，熟習此項技術者僅利用常規實驗可想起文中揭示之本發明的其他修飾及對等物，且咸信所有此等修飾及對等物係在如由以下申請專利範圍所界定之本發明的主旨及範圍中。

11．．．倒極式電透析(EDR)單元

12．．．沉澱單元

13．．．水流

14,16．．．排出流

17．．．濃縮流

18．．．泵

19．．．筒式過濾器

20．．．容器

21．．．沉澱元件

22．．．限定元件

23．．．攪拌裝置

24．．．固液分離區域

25．．．泵

27．．．流

28．．．沉澱區域

29．．．溢出流

30．．．排放流

31,32,35,36,204．．．閥

33,34,37,38．．．實缐

39,40,41,42．．．虛線

43．．．再循環流

50．．．進料罐

52．．．進料泵

54．．．NF廢棄流

60．．．酸罐(酸注入單元)

62．．．酸注入泵

64．．．酸注入流

100．．．水處理裝置

102．．．薄膜脫鹽單元

104．．．第一導管

106．．．第一進水流

108．．．第二導管

110．．．第一產品水流

112．．．電分離單元

114．．．第三導管

116．．．第一廢水流

118．．．第四導管

120．．．第二產品水流

122．．．沉澱單元

124．．．第五導管

126．．．第二廢水流

128．．．第六導管

130．．．第二進水流

132．．．第七導管

134．．．排放水流

136．．．化學注入單元

138．．．過濾裝置

圖1係根據本發明之一實施例的一水處理裝置的概要圖；及

圖2係試驗性實例中所用的包括一倒極式電透析(EDR)單元及一沉澱單元的一水處理裝置的部分概要圖。