TWI525414B - 用於升壓轉換器的軟關閉 - Google Patents

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Description

用於升壓轉換器的軟關閉
本案係關於用於升壓轉換器電路系統的控制方案。
升壓轉換器是被設計成高效地將電源電壓(例如，系統的電池電壓)從第一位準推升到第二更高位準的一類的開關模式電源。升壓轉換器通常包括被配置成交替地將電感器耦合至輸出電壓或耦合至接地的高側開關和低側開關。高側和低側開關可被配置成使用本領域已知的多種方案中的任一種方案(例如，脈寬調制(PWM))將輸出電壓驅至預定目標輸出電壓。當升壓轉換器被啟用或者處於開啟狀態時，則輸出電壓可被驅至高於電源電壓的目標輸出電壓。當升壓轉換器被禁用或者處於關閉狀態時，則輸出電壓可被耦合至電源電壓。
具體地，在從開啟狀態到關閉狀態的轉變期間，升壓轉換器的高側開關可被導通，從而在電感器與耦合至輸出電壓的負載之間引入低電阻路徑(亦即，穿過高側開關)。該低電阻與因導通高側開關而導致的暫態電壓階躍相組合隨著電壓和電流在關閉狀態期間穩定至電壓和電流瞬變後的最終 值可能引起輸出電壓上的獵振(ringing)及/或大峰值電流。
提供用於在升壓轉換器開啟和關閉狀態之間的轉變期間減小獵振及/或峰值電流的技術將是期望的。
本案的實施例包括一種裝置，該裝置包括控制邏輯區塊，控制邏輯區塊被配置成產生用於升壓轉換器的高側開關的電阻調整信號。高側開關在升壓轉換器的關閉狀態期間將電感器耦合至負載，及電阻調整信號被配置成在關閉狀態期間減小高側開關的電阻。另一實施例包括一種方法，該方法包含以下步驟：在升壓轉換器的關閉狀態期間產生用於升壓轉換器的高側開關的控制信號。高側開關具有可調整大小。產生控制信號的步驟包括以下步驟：在關閉狀態期間增大高側開關的大小。
100‧‧‧升壓轉換器
110‧‧‧控制邏輯區塊
300‧‧‧升壓轉換器
310‧‧‧控制邏輯區塊
400‧‧‧方法
410‧‧‧方塊
420‧‧‧方塊
430‧‧‧方塊
600‧‧‧實施例
610‧‧‧控制邏輯區塊
700‧‧‧方法
710‧‧‧方塊
720‧‧‧方塊
730‧‧‧方塊
900‧‧‧架構
1000‧‧‧方法
1010‧‧‧方塊
1010A‧‧‧方塊
圖1圖示了升壓轉換器的先前技術實現。
圖2圖示了輸出電壓Vout的示例性實例，該實例圖示了本案的原理。
圖3圖示了根據本案的升壓轉換器的示例性實施例。
圖4圖示了根據本案的方法的示例性實施例。
圖5圖示了本案的示例性實施例中呈現的示例性信號波形，其中P_adj的大小是根據圖4中的方法來調整的。
圖6圖示了本案的示例性實施例，其中P_adj的可變大小是使用多個並聯耦合的PMOS電晶體來實現的。
圖7圖示了利用圖6中的電路系統來增大P_adj的大 小的方法的示例性實施例。
圖8圖示了本案的示例性實施例中呈現的示例性信號波形，其中P_adj的大小是根據圖7中的方法來調整的。
圖9圖示了本案的替換示例性實施例900，其中提供任意數目的並聯耦合的PMOS電晶體以實現P_adj。
圖10圖示了根據本案的方法的示例性實施例。
以下參照附圖更全面地描述本案的各個態樣。然而，本案可用許多不同形式來實施並且不應解釋為被限定於本案通篇提供的任何具體結構或功能。確切而言，提供該等態樣是為了使得本案將是透徹和完整的，並且該等態樣將向本領域技藝人士完全傳達本案的範圍。基於本文中的教導，本領域技藝人士應領會，本案的範圍意欲覆蓋本文中所揭示的本案的任何態樣，不論態樣是與本案的任何其他態樣相獨立地還是組合地實現的。例如，可以使用本文所闡述的任何數目的態樣來實現裝置或實踐方法。另外，本案的範圍意欲覆蓋使用作為本文中所闡述的本案的各種態樣的補充或者與之不同的其他結構、功能性或者結構及功能性來實踐的此類裝置或方法。應當理解，本文中所揭示的本案的任何態樣可由請求項的一或多個元素來實施。
下文結合附圖闡述的詳細描述意欲作為對本發明的示例性態樣的描述，而非意欲代表可在其中實踐本發明的僅有示例性態樣。貫穿本描述使用的術語「示例性」意指「用作示例、實例或說明」，並且不應當一定要解釋成優於或勝過 其他示例性態樣。本詳細描述包括具體細節以用於提供對本發明的示例性態樣的透徹理解。對於本領域技藝人士將顯而易見的是，沒有該等具體細節亦可實踐本發明的示例性態樣。在一些實例中，公知的結構和裝置以方塊圖形式圖示以免湮沒本文中提供的示例性態樣的新穎性。在本說明書以及申請專利範圍中，術語「模組」和「塊」可以可互換地使用以表示被配置成執行所描述操作的實體。
圖1圖示了升壓轉換器100的現有技術實現。注意，圖1僅是為說明目的而圖示的，而不意圖將本案的範圍限定於所示的特定升壓轉換器拓撲結構。
在圖1中，升壓轉換器100包括開關電晶體PFET(亦記為「高側開關」)和NFET(亦記為「低側開關」)。PFET選擇性地將電感器與輸出電壓Vout相耦合或解耦合，而輸出電壓Vout進而耦合至負載(Load)ZL和電容器Cout。NFET選擇性地將電感器與接地相耦合或解耦合。控制邏輯區塊110接收輸出電壓Vout以及亦有指示要啟用還是禁用該升壓轉換器的信號(例如，圖1中記為啟用/禁用)作為輸入信號。區塊110產生控制信號PCTRL和NCTRL以控制開關電晶體PFET、NFET的操作。
當升壓轉換器被啟用或者處於開啟狀態時，則控制邏輯區塊110可以控制該等開關以將輸出電壓Vout驅至高於電源電壓Vdd的目標輸出電壓。例如，在一個循環(例如，歷時T)的開啟狀態的充電階段(例如，歷時Ton)期間，NFET導通而PFET關斷，並且開關節點101a將電感器L經由NFET耦合 至接地。在開啟狀態的放電階段(例如，歷時Toff)期間，PFET導通而NFET關斷，則開關節點101a由此將電感器L耦合至Vout。當期望在開啟狀態期間降低輸出電壓Vout時，可以減小Ton(並且可以增大Toff)，從而降低由電感器L至Vout的充電電流IL。將領會，區塊110可採用本領域已知的各種各樣的方案中的任一種方案來產生PCTRL和NCTRL以設置Vout，例如，採用脈寬調制(PWM)、脈衝頻率調制(PFM)等的技術。
當升壓轉換器被禁用或者處於關閉狀態時，則控制邏輯區塊110導通PFET並且關斷NFET以將輸出電壓Vout經由PFET耦合至電源電壓Vdd。例如，當無需將輸出電壓Vout驅至高於Vdd的位準時，可以禁用升壓轉換器。
當升壓轉換器100從開啟狀態轉變到關閉狀態時會產生一些要考量的問題。具體地，在此種轉變期間，PFET可從關斷切換成導通，以將源電壓Vdd耦合至輸出電壓Vout。在該轉變期間緊接在PFET被導通之後，將跨PFET的漏極和源極(亦即在節點101a與支援輸出電壓Vout的節點之間)出現對應於PFET的漏-源導通電阻(或即「RDSon」)的低電阻。注意，在圖1中，PFET的漏極和源極被分別標記為帶圈的「D」和帶圈的「S」，但是將領會，對漏極和源極的指定亦可與所示情況相反。為了提高升壓轉換器100的效率，RDSon應當保持為低，以使得來自電感器L的電流IL可以被高效地傳輸至負載ZL和儲存電容器Cout而不會藉由RDSon被耗散。然而，RDSon的低值亦增大了由電感器L和電容器Cout的串聯組合所形成的LC電路的品質因數(或即Q)，此可能會在升壓轉換器100 最初從開啟狀態轉變至關閉狀態時不期望地引起獵振及/或其他擾亂現象。
圖2圖示了輸出電壓Vout的示例性實例，該實例圖示了本案的原理。注意，圖2僅僅是出於說明目的而圖示的，且不意在以任何方式限定本案的範圍，例如，圖2不意在將本案的範圍限定於所圖示的或暗示的升壓轉換器的任何特定電壓位準、範例品質因數(Q)或工作態相。
在圖2中，在時間T1，升壓轉換器100從開啟狀態轉變至關閉狀態，亦即，升壓轉換器100被關閉，而PFET被導通。回應於PFET被導通，注意到輸出電壓Vout從時間T1開始自V1位準(例如，高於Vdd的經推升的Vout值)下降，至時間T3附近降至V2位準(例如，Vdd)。然而，由於該系統因PFET的相對較低的RDSon導致的高Q，故而在輸出電壓Vout中可能出現顯著的「獵振」，正如在電壓Vout在T3附近穩定在V2左右之前的下沖V2並在時間T2降到低至Vmin<V2上可以看到的。將領會，對應於Vout中的獵振，在經由電感器L的電流IL中將存在類似的獵振。
鑒於上述討論，提供用於改善升壓轉換器的關閉特性同時維持整體功率效率的技術將是期望的。
圖3圖示了根據本案的升壓轉換器的示例性實施例300。注意，圖3僅是為說明目的而圖示的，並且並不意欲限定本案的範圍。
在圖3中，高側開關被實現為具有可調整或可變大小KP的電晶體P_adj。在示例性實施例中，當P_adj在關閉狀態期 間由柵極控制電壓PCTRL*導通時，P_adj大小KP隨著時間推移從第一大小Size1調整為第二大小Size2，其中Size1<Size2。KP隨著時間推移的調整可以使用對本領域一般技藝人士已知的技術來容易地完成，例如，藉由使用諸如下文將參考圖6進一步描述的大小控制電壓(未在圖3中圖示)。藉由在P_adj被導通時隨著時間推移增大P_adj的大小，預期P_adj的漏-源導通電阻將相應地在關閉狀態期間隨著時間推移而減小。如下文進一步描述的，由於當P_adj最初被導通時有較高的RDSon，此有利地減少了LC電路中的獵振。
在圖3中，提供控制邏輯區塊310以在給定了例如輸出電壓Vout以及來自啟用/禁用信號的開啟和關閉狀態的定時的知識的情況下產生柵極控制電壓PCTRL*和NCTRL。在示例性實施例中，PCTRL*不僅指定P_adj何時要被導通或關斷，亦指定當P_adj被導通時P_adj的大小。例如，PCTRL*可包括兩個或更多個柵極控制電壓，用於控制兩個或更多個並聯耦合的PMOS電晶體(未在圖3中圖示)以實現P_adj。替換地，在某些示例性實施例(未圖示)中，P_adj可以使用例如開關和連續可變電阻元件的串聯組合來實現，在該情形中，PCTRL*可以是控制可變電阻以在關閉狀態期間隨著時間推移連續地減小該可變電阻的類比電壓。在又一示例性實施例中，PCTRL*可以是簡單的導通/關斷電壓，並且大小調整可以由與開關P_adj相關聯的電路系統(未在圖3中圖示)來分開地作出。在又一些替換示例性實施例中，將領會，RDSon的調整亦可使用其他技術來完成，例如，隨著時間推移對施加於P_adj的 柵極過激勵電壓PCTRL*的幅度的調整。此類替換示例性實施例被構想為落在本案的範圍之內。
圖4圖示根據本案的方法400的示例性實施例。注意，方法400僅是為說明目的而圖示的，並且並不意欲限定本案的範圍。
在圖4中，在方塊410，在開啟狀態期間，NFET和P_adj基於由控制邏輯區塊310產生的控制信號PCTRL*和NCTRL被交替地導通或關斷，從而在充電階段和放電階段之間切換。
從方塊410至方塊420，開啟狀態轉變至關閉狀態。具體地，在關閉狀態中，P_adj導通，NFET關斷，電感器電流被放電，而Vout返回至位準V2，其中V2等於推升輸入Vdd減去跨P_adj的I-R(亦即，電流乘以電阻)降落。具體地，NFET被關斷，而P_adj以第一大小Size1被導通。在示例性實施例中，Size1被選取成使得P_adj的漏-源導通電阻RDSon具有足夠大的值以阻止輸出電壓Vout中有顯著獵振。換言之，藉由在關閉狀態開始時最初為P_adj提供相對較大的RDSon，該電路的品質因數(Q)可以最初保持為低。在示例性實施例中，P_adj的大小可以維持在Size1長達預定時間區間△t。
在方塊430，將P_adj的大小KP從Size1增大到Size2，其中Size1<Size2。在示例性實施例中，Size2被選取成使得P_adj的RDSon具有相對小的值，從而在關閉狀態期間使輸入與負載ZL之間的串聯電阻最小化並且減小從輸入到輸出的壓降。
圖5圖示了本案的示例性實施例中呈現的示例性信號波形，其中P_adj的大小是根據圖4中的方法400來調整的。注意，圖5僅是為說明目的而圖示的，而不意欲將本案的範圍限定於所示的任何示例性信號波形。此外亦注意，圖5中的波形並非必然是按比例繪製的。在圖5圖示的示例性實施例中，PCTRL*對應於控制P_adj是導通還是關斷的簡單導通/關斷邏輯信號，而並不額外地指示P_adj在被導通時的大小。然而將領會，鑒於圖5中圖示的示例性信號波形，本領域一般技藝人士可以容易地推導出替換示例性實施例，其中PCTRL*包括例如不僅僅控制P_adj的導通/關斷狀態亦控制P_adj在被導通時的大小的複數個信號。此類替換示例性實施例被構想為落在本案的範圍之內。
在圖5中，在時間t1，注意到PCTRL*從高電壓轉變至低電壓，從而在t1處P_adj被導通。將領會，此與如圖4中的方塊410與420之間所圖示的從開啟狀態至關閉狀態的轉變相對應。在時間t1，P_adj的大小KP被設置為第一值Size1。在所示的示例性實施例中，KP可以從t1至t2(例如，持續具有歷時△t的區間)被維持在第一值Size1。亦將在圖5中看到，P_adj的漏-源電阻(RDS)從t1至t2等於值R2，此與當P_adj的大小KP等於Size1時P_adj的有效導通電阻相對應。
隨後，在t2處，P_adj的大小KP從第一值Size1被增大到第二值Size2(大於Size1)。相應地，注意到在t2處，由於P_adj的增大了的大小，P_adj的RDS從R2減小至較低的值R1。將領會，在t2處降低RDS有利地降低了跨P_adj的壓降。在 示例性實施例中，△t可以被選取成允許Vout有足夠的時間穩定至接近Vout最終值。注意，在t2之前，Vout=Vdd-ILoad*R2，而在t2之後，Vout=Vdd-ILoad*R1。相應地，回應於RDS從R2降低至R1，Vout在t2處上升。
在從t1到t2的區間期間，由於RDS相對較高，因此由L和Cout形成的L-C電路的Q將會相對較低。因此，Vout將迫近並且穩定在其最終值而不會有顯著的獵振。
圖6圖示了本案的示例性實施例600，其中P_adj的可變大小是使用多個並聯耦合的PMOS電晶體來實現的。注意，圖6僅是為說明目的而圖示的，且不意欲將本案的範圍限定於採用例如兩個並聯耦合的PMOS電晶體的特定示例性實施例。將領會，為P_adj提供可變大小可以容易地使用兩個以上並聯耦合的電晶體或者未圖示的替換技術來實現，並且此類替換示例性實施例被構想為落入本案的範圍內。
在圖6中，P_adj包括分別耦合至控制電壓PCTRL.1和PCTRL.2的具有大小KP.1的第一電晶體PFET.1以及具有大小KP.2的第二電晶體PFET.2。在示例性實施例中，KP.1小於KP.2，在該情形中，P_adj的大小可以根據本案的技術藉由例如首先導通PFET.1並且保持PFET.2關斷以達成第一大小(例如，Size1)、隨後除了PFET.1以外亦導通PFET.2以達成第二大小(例如，Size2)而逐漸增大。在替換示例性實施例中，將領會，可代替地在導通PFET.2時關斷PFET.1，因為只要Size2>Size1，則在此情形中關斷PFET.1將仍然能夠增大P_adj的總大小。
提供控制邏輯區塊610以在給定了例如輸出電壓Vout以及來自啟用/禁用信號的開啟和關閉狀態的定時的知識的情況下產生柵極控制電壓NCTRL、PCTRL.1和PCTRL.2。△t的歷時可被程式設計到例如控制邏輯區塊610中的暫存器(未在圖6中圖示)中，以幫助區塊610隨著時間推移合適地設置控制電壓PCTRL.1和PCTRL.2。
圖7圖示了用於利用圖6中的電路系統來增大PFET的大小的方法的示例性實施例700。注意，圖7僅是為說明目的而圖示的，並且並不意欲限定本案的範圍。
在圖7中，在方塊710，在開啟狀態期間，NFET可以導通或關斷，並且包括PFET.1和PFET.2的P_adj可以導通或關斷。將領會，NFET和P_adj的導通/關斷狀態可例如藉由升壓轉換器是處於開啟還是關閉狀態來決定。
在方塊720，開啟狀態轉變至關閉狀態。具體地，NFET被關斷，而PFET.1被導通。在PFET.1導通而PFET.2關斷的情況下，P_adj具有有效第一大小Size1。P_adj可以被維持在大小Size1長達預定時間區間△t。
在方塊730，PFET.2被額外地導通。在PFET.1和PFET.2兩者均導通的情況下，P_adj具有有效第二大小Size2>Size1。
注意，儘管在圖6和7中P_adj使用兩個並聯耦合的電晶體PFET.1和PFET.2來實現，但本領域一般技藝人士將領會，本文的技術可容易地應用於其中使用兩個以上並聯耦合的電晶體的實現。此外，儘管在方塊730處PFET.1和PFET.2被示 為兩者均導通，但在其中PFET.2的大小大於PFET.1的大小的替換示例性實施例中，當PFET.2被導通時PFET.1可被關斷。此類替換示例性實施例被構想為落在本案的範圍之內。
圖8圖示了本案的示例性實施例中呈現的示例性信號波形，其中P_adj的大小是根據圖7中的方法700來調整的。注意，圖8僅是為說明目的而圖示的，而不意欲將本案的範圍限定於所示的任何示例性信號波形。
在圖8中，在時間t1之前，NFET導通，而PFET.1和PFET.2關斷。在時間t1，注意到NCTRL從高電壓轉變至低電壓，從而在t1處NFET被關斷。此外，由於PCTRL.1從高轉變至低，PFET.1被導通。將領會，此與如圖7中的方塊710與720之間所圖示的從開啟狀態至關閉狀態的轉變相對應。在時間t2，PCTRL.2從高轉變至低，並且因而PFET.1和PFET.2兩者均被導通。相應地，注意到(P_adj的)RDS從t1之前的開路轉變至t1與t2之間的R2以及繼t2之後轉變至R1。
圖9圖示了本案的替換示例性實施例900，其中提供任意數目的並聯耦合的PMOS電晶體以實現P_adj。具體地，在圖9中，P_adj包括分別具有對應的控制電壓PCTRL.1到PCTRL.N的任意複數個(N個)並聯耦合的PMOS電晶體PFET.1到PFET.N。電晶體PFET.1到PFET.N具有相關聯的大小KP.1到KP.N。鑒於本案的技術，將領會，增大P_adj的大小可以藉由相繼地一個接著一個地導通電晶體PFET.1到PFET.N來實現。然而，本領域一般技藝人士將領會，動態地調整P_adj的大小亦可以按其他方式使用架構900來實現，並且此類替換示例性 實施例被構想為落入本案的範圍內。在某些示例性實施例中，KP.1到KP.N的大小可以全部等於相同的值KP，而在替換示例性實施例中，KP.1<KP.2<...<KP.N。將領會，用於PCTRL.1到PCTRL.N的特定控制訊號傳遞方案將取決於電晶體PFET.1到PFET.N的相對大小，並且本領域一般技藝人士鑒於上文公開的原理可以容易地匯出所必需的控制訊號傳遞方案。
圖10圖示根據本案的方法的示例性實施例1000。注意，圖10僅是為說明目的而圖示的，並且並不意欲限定本案的範圍。
在圖10中，在方塊1010，產生在關閉狀態期間用於升壓轉換器的高側開關的控制信號，該高側開關具有可調整大小。在方塊1010A，產生控制信號被示為包括在關閉狀態期間增大高側開關的大小。
在本說明書中並且在申請專利範圍中，將理解，當元件被稱為「連接至」或「耦合至」另一元件時，該元件可以直接連接或耦合至該另一元件或者可存在居間元件。相反，當元件被稱為「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件時，不存在居間元件。此外，當元件被稱為「電耦合」到另一元件時，其指示在此類元件之間存在低電阻路徑，而當元件被稱為僅是「耦合」到另一元件時，在此類元件之間可能有亦可能沒有低電阻路徑。
本領域技藝人士將理解，可使用各種各樣的不同技術和技藝中的任何技術和技藝來表示資訊和信號。例如，以上描述通篇可能引述的資料、指令、命令、資訊、信號、位 元、符號和碼片可由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光學粒子或其任何組合來表示。
本領域技藝人士將可進一步領會，結合本文中揭示的示例性態樣描述的各種說明性邏輯區塊、模組、電路和演算法步驟可被實現為電子硬體、電腦軟體或兩者的組合。為清楚地圖示硬體與軟體的此可互換性，各種說明性元件、方塊、模組、電路和步驟在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此類功能性是被實現為硬體還是軟體取決於具體應用和施加於整體系統的設計約束。技藝人士可針對每種特定應用以不同方式來實現所描述的功能性，但此類實現決策不應被解讀為致使脫離本發明的示例性態樣的範圍。
結合本文中揭示的示例性態樣描述的各種說明性邏輯區塊、模組以及電路可用通用處理器、數位訊號處理器(DSP)、特殊應用積體電路(ASIC)、現場可程式設計閘陣列(FPGA)或其他可程式設計邏輯裝置、個別閘門或電晶體邏輯、個別的硬體元件或其設計成執行本文中描述的功能的任何組合來實現或執行。通用處理器可以是微處理器，但在替換方案中，該處理器可以是任何一般的處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器亦可以被實現為計算設備的組合，例如DSP與微處理器的組合、複數個微處理器、與DSP核心協同的一或多個微處理器或任何其他此類配置。
結合本文中所揭示的示例性態樣所描述的方法或演算法的步驟可以直接在硬體中、在由處理器執行的軟體模組中或在此兩者的組合中實施。軟體模組可常駐在隨機存取記 憶體(RAM)、快閃記憶體、唯讀記憶體(ROM)、電可程式設計ROM(EPROM)、電可抹除可程式設計ROM(EEPROM)、暫存器、硬碟、可移除磁碟、CD-ROM或本領域中所知的任何其他形式的儲存媒體中。示例性儲存媒體被耦合到處理器以使得該處理器能從/向該儲存媒體讀和寫資訊。替換地，儲存媒體可以被整合到處理器。處理器和儲存媒體可常駐在ASIC中。ASIC可常駐在使用者終端中。替換地，處理器和儲存媒體可作為個別元件常駐在使用者終端中。
在一或多個示例性態樣中，所描述的功能可在硬體、軟體、韌體或所述者的任何組合中實現。若在軟體中實現，則各功能可以作為一或多數指令或代碼儲存在電腦可讀取媒體上或藉電腦可讀取媒體進行傳送。電腦可讀取媒體包括電腦儲存媒體和通訊媒體兩者，包括促成電腦程式從一地向另一地轉移的任何媒體。儲存媒體可以是能被電腦存取的任何可用媒體。作為示例而非限定，此種電腦可讀取媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光碟儲存、磁碟儲存或其他磁儲存裝置或能被用來攜帶或儲存指令或資料結構形式的期望程式碼且能被電腦存取的任何其他媒體。任何連接亦被正當地稱為電腦可讀取媒體。例如，若軟體是使用同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數位用戶線(DSL)或諸如紅外、無線電以及微波之類的無線技術從web網站、伺服器或其他遠端源傳送而來，則該同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、DSL或諸如紅外、無線電以及微波之類的無線技術就被包括在媒體的定義之中。如本文中所使用的盤(disk)和碟(disc)包 括壓縮光碟(CD)、鐳射光碟、光碟、數位多功能光碟(DVD)、軟碟和藍光光碟，其中盤常常磁性地再現資料而碟用鐳射光學地再現資料。以上的組合亦應被包括在電腦可讀取媒體的範圍內。
提供了以上對所揭示的示例性態樣的描述是為了使得本領域任何技藝人士皆能夠製作或使用本發明。對該等示例性態樣的各種修改對於本領域技藝人士而言將是顯而易見的，並且本文中定義的普適原理可被應用於其他示例性態樣而不會脫離本發明的精神或範圍。由此，本案並非意欲被限定於本文中圖示的示例性態樣，而是應被授予與本文中揭示的原理和新穎特徵一致的最廣範圍。
900‧‧‧架構

Claims (20)

  1. 一種用於升壓轉換器的裝置，包含：一控制邏輯區塊，該控制邏輯區塊被配置成產生用於一升壓轉換器的一高側開關的一電阻調整信號，該高側開關在該升壓轉換器的一關閉狀態期間將一電感器耦合至一負載，其中該電阻調整信號被配置成在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻，其中在一第一時間，一輸出電壓係位於一第一電壓位準，其中在接著該第一時間之後，該輸出電壓位準減小至一第二電壓位準，其中在接著該第一時間之後的一第二時間，該輸出電壓開始從該第二電壓位準增大，其中在接著該第二時間之後的一第三時間，該輸出電壓係位於一第三電壓位準，該第三電壓位準比該第二電壓位準大並且比該第一電壓位準小，且其中該第一時間對應於該高側開關進入該關閉狀態，且其中該第二時間對應於該電阻調整信號在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻。
  2. 如請求項1述及之裝置，其中該電阻調整信號包含：一大小調整信號，且該大小調整信號被配置成在該關閉狀態期間增大該高側開關的該大小。
  3. 如請求項2述及之裝置，其中該大小調整信號被配置成在該關閉狀態期間為該高側開關設置一第一大小，接著設置大於該第一大小的一第二大小。
  4. 如請求項3述及之裝置，其中該第二大小在該第一大小被設置之後間隔一預定時間區間處被設置。
  5. 如請求項2述及之裝置，其中該高側開關包含：兩個並聯耦合的電晶體，該大小調整信號包含：用於該等兩個並聯耦合的電晶體中的每一個電晶體的一柵極控制電壓。
  6. 如請求項5述及之裝置，其中該柵極控制電壓被配置成導通該等並聯耦合的電晶體中的一第一電晶體，接著導通該等並聯耦合的電晶體中的一第二電晶體。
  7. 如請求項6述及之裝置，其中該柵極控制電壓被配置成當該等並聯耦合的電晶體中的該第二電晶體被導通時，關斷該等並聯耦合的電晶體中的該第一電晶體。
  8. 如請求項1述及之裝置，其中該電阻調整信號被配置成在該關閉狀態期間連續地減小該高側開關的該電阻。
  9. 如請求項1述及之裝置，進一步包含：耦合至該控制邏輯區塊的該升壓轉換器，該升壓轉換器被配置成產生經一推升 的輸出電壓，該裝置進一步包含：一音訊放大器，該音訊放大器具有從該經推升的輸出電壓匯出的一電源電壓。
  10. 如請求項1述及之裝置，進一步包含：該升壓轉換器，該升壓轉換器包含：該電感器；選擇性地將該電感器耦合至該負載的該高側開關；選擇性地將該電感器耦合至接地的一低側開關；其中該控制邏輯區塊被進一步配置成產生用於該低側開關的一控制信號，以致使該低側開關在該升壓轉換器的一開啟狀態期間將該電感器耦合至接地。
  11. 一種用於升壓轉換器的方法，該方法包含以下步驟：在一關閉狀態期間產生用於一升壓轉換器的一高側開關的一控制信號，該高側開關具有一可調整大小，該控制信號包括：一電阻調整信號，該電阻調整信號被配置成在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻，該產生該控制信號的步驟包含以下步驟：在該關閉狀態期間增大該高側開關的該大小，包括以下步驟：在一第一時間進入該關閉狀態，其中在該第一時間一輸出電壓係位於一第一電壓位準，在接著該第一時間之後，將該輸出電壓位準減小至 一第二電壓位準，在接著該第一時間之後的一第二時間，在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻，其中在該第二時間，該輸出電壓開始從該第二電壓位準增大，及在接著該第二時間之後的一第三時間，將該輸出電壓增大至一第三電壓位準，該第三電壓位準比該第二電壓位準大並且比該第一電壓位準小。
  12. 如請求項11述及之方法，其中該增大該大小的步驟包含以下步驟：為該高側開關設置一第一大小；及在設置該第一大小之後，為該高側開關設置大於該第一大小的一第二大小。
  13. 如請求項12述及之方法，其中在設置該第一大小之後間隔一預定時間區間設置該第二大小。
  14. 如請求項11述及之方法，其中該高側開關包含：複數個並聯耦合的電晶體，該設置該第一大小的步驟包含以下步驟：導通該等複數個並聯耦合的電晶體中的一第一電晶體，該設置該第二大小的步驟包含以下步驟：導通該等複數個並聯耦合的電晶體中的一第二電晶體。
  15. 如請求項11述及之方法，其中該增大該大小的步驟進一 步包含以下步驟：在設置該第二大小之後，為該高側開關設置大於該第二大小的一第三大小。
  16. 一種用於升壓轉換器的設備，包含：用於在一關閉狀態期間產生用於一升壓轉換器的一高側開關的一控制信號的手段，該高側開關具有一可調整大小，該控制信號包括：一電阻調整信號，該電阻調整信號被配置成在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻，該產生該控制信號的手段包含：用於在該關閉狀態期間增大該高側開關的該大小的手段，包括：用於在一第一時間進入該關閉狀態的手段，其中在該第一時間一輸出電壓係位於一第一電壓位準，用於在接著該第一時間之後，將該輸出電壓位準減小至一第二電壓位準的手段，用於在接著該第一時間之後的一第二時間，在該關閉狀態期間減小該高側開關的該電阻的手段，其中在該第二時間，該輸出電壓開始從該第二電壓位準增大，及用於在接著該第二時間之後的一第三時間，將該輸出電壓增大至一第三電壓位準的手段，該第三電壓位準比該第二電壓位準大並且比該第一電壓位準小。
  17. 如請求項16述及之設備，其中該用於增大該大小的手段 包含：用於為該高側開關設置一第一大小的手段；及用於在設置該第一大小之後，為該高側開關設置大於該第一大小的一第二大小的手段。
  18. 如請求項17述及之設備，其中在設置該第一大小之後間隔一預定時間區間設置該第二大小。
  19. 如請求項16述及之設備，其中該高側開關包含：複數個並聯耦合的電晶體，該用於設置該第一大小的手段包含：用於導通該等複數個並聯耦合的電晶體中的一第一電晶體的手段，該用於設置該第二大小的手段包含：用於導通該等複數個並聯耦合的電晶體中的一第二電晶體的手段。
  20. 如請求項16述及之設備，其中該用於增大該大小的手段進一步包含：用於在設置該第二大小之後，為該高側開關設置大於該第二大小的一第三大小的手段。
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