TWI516913B - 晶粒上電宇宙射線檢測器 - Google Patents

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TWI516913B
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Description

晶粒上電宇宙射線檢測器
本發明係有關晶粒上電宇宙射線檢測器。
地球表面上的正常背景輻射環境具有游離成分,其有時影響半導體積體電路晶片的可靠性,諸如使用於電腦中的記憶體晶片。如果入侵粒子係接近晶片中的p-n接面,它可能引起軟錯誤,或單一事件翻轉,其可導致改變電壓的信號以及,因此,改變電壓值的資料位元。過多的電子電洞對可能產生於穿透微粒的尾流中。p-n接面附近的電場,如果是足夠強,使這些電子及電洞在再結合之前分開,且將適當正負物號的過多載子掃至附近裝置接點。如果所收集電荷超過關鍵臨界值,隨機信號可被記錄。
中子或質子的形式之宇宙微粒可能與晶片中的矽核隨機地碰撞且使其中幾個分裂,產生α粒子及其它次級粒子,包括反衝核。這些α粒子及其它次級粒子可移 動於具有可以是相當高的能量之所有方向(雖然當然小於進來的核粒能量)。如此產生的α粒子路徑有時可延伸一百微米穿過矽。游離粒子的路徑可延伸一微米的一小部份至許多微米穿過重要的晶片容積,在每3.6-eV(電子伏特)能量損失一對的速率,於其尾流中產生電子電洞對。典型路徑可能表示一百萬對的電洞及電子。
為免於宇宙射線,裝置的屏敝可能是不切實際,因為它可能需要數十米的混凝土以移除宇宙射線。此外,對軟錯誤之主要因素係宇宙射線中子。宇宙射線引起的電腦當機已發生且預期隨著頻率而增加,因為裝置(例如,電晶體)在晶片中尺寸減小。這問題被推斷變成下個十年中之電腦可靠性的主要限制者。
處理器中之隨機邏輯的貢獻正變得優勢,且無緩和成本效益的方法。快取記憶體已經以EEC(錯誤修正碼)來保護,以及邏輯陣列係相對地容易以同位性來保護。保護邏輯鎖存器係非常昂貴,因為大部份方法使用邏輯的複製以獲得備份。甚至可靠性的量級改善可能需要顯著損失於性能、功率、區域及成本。
各種方法已被建議以消除或減少由於晶片中的宇宙射線互制作用之軟錯誤的數量。這些方法沒有一個係完全成功,特別在裝置尺寸繼續減小時。另一方法接受有些軟錯誤將發生,以及設計包括所有計算中的冗餘之記憶體及邏輯電路。這方法涉及更多閘極及足夠空間分離於貢獻的冗餘元件之間,以避免來自相同宇宙射線的共同軟 錯誤。這方法對於許多晶片係不切實際。
100‧‧‧晶片、處理器
101‧‧‧基板
102‧‧‧宇宙射線檢測器
103‧‧‧主動區
104‧‧‧接點
105‧‧‧放大器
106‧‧‧邏輯單元
200‧‧‧曲線圖
201‧‧‧電流/電荷
300‧‧‧頂視圖
400‧‧‧還原系統
401‧‧‧宇宙射線檢測器
402‧‧‧操作系統
403‧‧‧分析單元
404‧‧‧處理器邏輯單元
405‧‧‧信號
406‧‧‧輸出
407‧‧‧信號
408‧‧‧信號
409‧‧‧信號
1600‧‧‧計算裝置
1610‧‧‧第一處理器
1690‧‧‧第二處理器
1620‧‧‧聲頻子系統
1630‧‧‧顯示子系統
1632‧‧‧顯示介面
1640‧‧‧I/O控制器
1650‧‧‧電力管理
1660‧‧‧記憶子系統
1670‧‧‧連接性
1672‧‧‧蜂巢式連接性
1674‧‧‧無線連接性
1680‧‧‧周邊連接
1682‧‧‧至
1684‧‧‧自
從以下所給的詳細說明以及從揭露的不同實施例的附圖,將更完全瞭解本揭露的實施例,然而,其不應被用來將揭露限制於特定實施例,而只是用於解釋及瞭解。
圖1係依據本揭露的一實施例之具有嵌入式宇宙射線檢測器及補償宇宙射線事件的其它邏輯之基板的功能圖。
圖2係解說依據本揭露的一實施例,由宇宙射線檢測器所檢測的電流/電荷曲線圖。
圖3係依據本揭露的一實施例之設有具有嵌入式宇宙射線檢測器的陣列的基板及補償宇宙射線事件的其它邏輯之處理器的頂視圖。
圖4係依據本揭露的一實施例之具有補償宇宙射線事件的邏輯單元之系統的功能圖。
圖5係依據本揭露的一實施例之包含具有宇宙射線檢測器的處理器之智慧型裝置的系統位準圖。
【發明內容及實施方式】
宇宙射線誘導的軟錯誤可能引起電子不可靠性。實施例論述檢測此種宇宙射線事件的方法。於一實施例中,該方法包含監視用於來自宇宙射線誘導的游離路徑 的直接信號的固態狀態環境之硬體設備,諸如10微微秒(ps)聲脈波、重組光發射及直接電檢測。
美國能源部門已記載,在他們的一個高速運算叢集每星期發生多達15次宇宙射線誘導的當機。此種當機不只是超級電腦的問題;FPGA's(場可程式化邏輯閘陣列)及汽車引擎控制器的製造廠可能必須盡力克服這對可靠電子的宇宙限制。因為摩爾(Moore's)定理繼續下推裝置尺寸,對宇宙射線干擾的敏感性將成長。這問題被推斷於將來幾年會成為電腦可靠性的限制。
組件及平台的軟錯誤率隨著技術比例換算幾何地更差成長。術語“比例換算(scaling)”通常指的是將設計(概略及佈置)自一程序技術轉換至另一程序技術。術語“軟錯誤”通常指的是錯誤信號或資料中的誤差。例如,於記憶體的本文中,軟錯誤可能改變程式中的指令或讀取自記憶體的資料值。軟錯誤可能倒裝記憶體格的狀態而沒有實際損壞記憶體格。通常,軟錯誤不會損壞硬體,但損壞與硬體相關的資料。
當技術的等級達到分子位準時,軟錯誤將伴隨硬錯誤。術語“硬錯誤”通常指的是輻射誘導的損壞,諸如原子的位移,其永久地產生電路中的錯誤。游離輻射破壞化學鍵且損壞精密奈米級機械。實施例揭示用於檢測且定位輻射撞擊之機構(包含宇宙射線檢測器及關聯邏輯)。於一實施例中,文中所述之該機構能夠使裝配器的複雜系統將自我修復導引至嵌入的位置。於一實施例中, 文中所述的宇宙射線檢測器可被使用於已加有奈米技術劑的生物系統。
實施例說明實用性晶片上(晶粒上)宇宙射線檢測器,其檢測歸因於晶片的導帶之高流動性電子/電洞。物理考量顯示,核碰撞將導致熱化的聲子、電子及電洞的膨脹式冷卻管,其在短時間(例如,10ps)成長至微米級容積。
於一實施例中,在室溫的晶片上之宇宙射線檢測器包含細線陣列,其檢測歸因於晶片的導帶之高流動性電子/電洞。於一實施例中,該等線係定位足夠接近以自宇宙射線取樣次級電子/電洞。於一實施例中,實質上30微米(μm)的間距上之線陣列或基板接點檢測一帶電粒子雲,其代表來自宇宙射線事件之電荷的典型輪廓。於此種實施例中,線陣列或基板接點提供放大器足夠信號雜訊比(signal to noise(SNR)),以檢測提供表示宇宙射線事件的電信號之信號。
自宇宙射線事件之電荷的輪廓或宇宙射線帶電粒子雲的信號形狀係相當獨特。於一實施例中,包含匹配濾波器在放大器的輸出上之附加信號檢測方法係使用來檢測宇宙射線事件。
雖然文中的實施例說明用於檢測宇宙射線事件的線陣列接著有單一放大器以產生表示宇宙射線事件的信號,其它修改亦在實施例的範圍內。於一實施例中,多個放大器係成對且具有用於檢測宇宙射線事件的許多檢測 器線之線組。例如,單一電晶體可被使用來覆蓋具有數個線組,不只一個1000平方微米的晶片面積,而於其它實施例中許多電晶體可被使用來更佳地定位晶片上的宇宙射線擊中區。
文中所述的實施例有許多技術功效。一些非限制性技術功效包括修正宇宙射線事件所造成之晶片中的軟錯誤而不必處理損壞資料(亦即,宇宙射線事件所損壞的資料)。例如,於一實施例中,藉由辨識接受宇宙射線之晶片的區,易於錯誤的該區中之電路可被重設以使電路的輸出係確定性的。於另一實施例中,所有該區中之電路可被重設以使電路的輸出係確定性的。於另一實施例中,在宇宙射線事件被辨識後,執行單元可再起動(或轉返)指令的執行。於一實施例中,中斷可能產生以停止執行中指令。於一實施例中,在放大器表示宇宙射線事件已發生之後,由快取或記憶體所保持的資料可被更新。
實施例允許晶片藉由分佈宇宙射線檢測器(線陣列)遍及晶片以邏輯(包括放大器)連接至宇宙射線檢測器而智慧管理宇宙射線事件,以修正損壞的資料或警告作業系統(及/或其它電路)採取適當步驟以回應宇宙射線事件已發生的認知。適當步驟的實例包括更新快取、重設時序邏輯單元、再起動指令等。
於以下說明中,許多細節被論述以提供本揭露的實施例的更徹底解釋。然而,對於熟悉此項技術者將是顯而易知的是,本揭露的實施例可被實施無需這些特定 細節。於其它例子中,熟悉的結構及裝置係以方塊圖形式顯示,而不是細節,以避免混淆本揭露的實施例。
注意實施例的對應圖式中,信號係以線表示。一些線可能是較粗,以表示更多組成信號路徑,及/或具有箭頭在一或數端,表示主要資訊流向。此種表示不預期用於限制。更確切的是,該等線係用於有關一或數個示範性實施例,以便於電路或邏輯單元更易瞭解。任何所示信號,如設計需要或喜好所述,可實際上包含一或多個信號,其可移動於任一方向且以任何適合型式的信號模式予以實施。
遍及說明書,及於請求項,術語“連接(connected)”意指所連接的物件之間的直接電連接,而無任何中間裝置。術語“耦接”意指所連接的物件之間直接電連接,或通過一或多個被動或主動中間裝置之間接連接。術語“電路”意指一或多個被動及/或主動組件,其係配置成相互合作以提供期望功能。術語“信號”意指至少一電流信號、電壓信號或資料/時鐘信號。“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”的意義包括多個參考。“中(in)”的意義包括“中”及“上”。術語“實質上(substantially)”、“接近(close)”及“大約(approximately)”文中指的是在目標值的+/- 20%內。
如文中所使用,除非另有指定,說明共同物件之序數形容詞“第一”、“第二”及“第三”等的用 法,僅表示指的是相似物件的不同例子,且不是想要隱含著如此所述的物件必須是以時間上或空間上、以等級或以任何其它方式之指定順序。
為達所述實施例的目的,電晶體係金屬氧化半導體(MOS)電晶體,其包括汲極、源極、閘極及大量端子。源極及汲極端子可以是相同端子且係在此可交換地使用。熟悉此項技術者將理解到,其它電晶體例如,雙極接面電晶體-BJT PNP/NPN,BiCMOS,CMOS,eFET等,可被使用而不會背離本揭露的範圍。文中的術語“MN”表示n型電晶體(例如,NMOS,NPN BJT等)及術語“MP”表示p型電晶體(例如,PMOS,PNP BJT等)。
圖1係依據本揭露的一實施例,具有嵌入式宇宙射線檢測器及補償宇宙射線事件之基板的晶片(或處理器)100。於一實施例中,晶片100包含基板101、一或多個宇宙射線檢測器102、放大器105、邏輯單元106及主動區103。晶片100可包括由任何晶片製造者所製作的晶片,例如,Intel®,Samsung®,Apple®,Texas Instruments®,Google®等。
於一實施例中,一或多個宇宙射線檢測器例如,102,係嵌入於基板101且相互定位以檢測擊中區中的宇宙射線,擊中區係宇宙射線射擊中的區。於一實施例中,宇宙射線檢測器係定位在或在相互的1μm2內。於一實施例中,宇宙射線檢測器係實質上於3μm長度及0.1μm寬度或直徑內,且定位低於電路位準(例如,103)約 3μm。於其它實施例中,其它尺寸及定位可被使用來分佈晶片100內的宇宙射線檢測器。
於一實施例中,宇宙射線檢測器102包含接點104,以提供對其它邏輯單元的介面給宇宙射線檢測器102。於一實施例中,接點104係矽的高度掺雜區以適當地產生與基板的PN接面。於一實施例中,接點104係產生肖特基(Schottky)二極體的金屬接點。於一實施例中,接點104係適當地產生對主體矽的低電阻導電接點之矽化物化合物。於一實施例中,放大器105係耦接至宇宙射線檢測器102以監視宇宙射線檢測器102中的電流/電荷活動性。於一實施例中,放大器105係單一電晶體,其閘端子耦接至接點104,以及其源極/汲極端子由其它邏輯所接收。於一實施例中,放大器105係耦接至在其輸入端子的一者之接點104及在其輸入端子的另一者之參考信號之比較器。於其它實施例中,放大器105之其它形式及架構可被使用來監視宇宙射線檢測器102的輸出。
於一實施例中,放大器105的輸出表示宇宙射線事件是否已發生。於一實施例中,放大器105的輸出係由邏輯單元106所接收。於一實施例中,邏輯單元106與作業系統(OS)通訊以通知OS宇宙射線事件,以使OS可採取適當步驟以處理宇宙射線事件。
適當步驟的例子包括通知處理器的使用者宇宙射線事件已發生以及關於處理器中該事件發生的位置之資訊、再起動取決於來自接近宇宙射線檢測器102的邏輯 單元(主動區)的資料之指令、轉返指令、起動停止指令的中斷、更新快取記憶體或其它記憶體等。於一實施例中,邏輯單元106通知一或多個其它電晶體103依據放大器105的輸出接通/關閉。
來自宇宙射線事件之電荷的輪廓或宇宙射線帶電粒子雲的信號形狀係相當獨特。於一實例中,匹配濾波器(未顯示)係耦接至放大器105的輸出以檢測宇宙射線事件。於此種實施例中,匹配濾波器的輸出係由邏輯單元106所接收。
於一實例中,邏輯單元106可能已發現它足以記錄晶片100的某個部份係受制於來自宇宙射線事件的錯誤之事實。於一實例中,邏輯單元106起動推理執行,其中該推理是無軟錯誤發生。於一實例中,位元值係由記錄邏輯處理單元的附近之宇宙射線事件的邏輯單元106所儲存。於一實例中,所儲存位元的值可起動還原。於一實例中,還原雲包括再起動來自先前設定點的計算、只使用來自未受干擾的處理核心的結果(例如,於多核心處理器中,其中每一核心係如同獨立的處理器)、或可能運轉詳細記憶診斷以擷取且修復受損位元。於此種實例中,冗餘邏輯及記憶體中的大費用可被避免而無可靠性的損失。
於一實施例中,處理器或晶片100進一步包含計數器(未顯示)以計數晶片100的區已接收宇宙射線的次數。於一實施例中,當計數器的計數值達到預界定(或預定)或可程式值(例如,1000)時,則邏輯單元 106(或任何其它邏輯單元)可對使用者、作業系統或任何適當邏輯單元表示,晶片100的一特定區已接收宇宙射線的臨界數量。於一實施例中,當宇宙射線衝擊的次數等於預定(或可程式)臨界或以上時,則接收宇宙射線的那些數量之晶片100的區被宣告為允久受損區域,且因此其它邏輯單元避免(或完全不使用)該區的邏輯,因為電路的區不能被視為可靠。
於一實施例中,當計數器達到預界定或可程式計數值時,晶片100起動自我測試操作,其涉及接收宇宙射線事件的臨界數之區的邏輯。自我測試操作的實例包括:透過相關邏輯運轉或執行一系列指令且比較該邏輯的輸出與已知良好圖型;透過相關邏輯運轉或執行一系列指令且產生循環冗餘檢查(CRC)總數並比較該CRC總數與該已知良好總數等。於另一實例中,用於產生高涵蓋測試向量的其它方法,特別是用於小邏輯單元,可被使用於自我測試。
圖2解說依據本揭露的一實施例,將由宇宙射線檢測器102所檢測的電流/電荷曲線圖200。指出的是,具有如任何其它圖式的元件之相同參考數碼(或名稱)之圖2的那些元件可以類似於所述的但不限於這樣之任何方式而操作或作用。
該曲線圖的x軸係以秒為單位的時間以及y軸係以微安培(μA)為單位的電流。曲線圖200解說三個區(a),(b),及(c)。區(a)表示在宇宙射線事件的開始之幾 乎零電流,亦即,宇宙射線衝擊基板101。區(b)(亦稱為201)解說在宇宙射線事件之時由電荷收集所造成之電流/電荷曲線圖。區(c)解說如由擴散電荷收集所示之電荷的衰減。如文中所述,宇宙射線檢測器102可設計成檢測曲線圖300內的電流/電荷201。
造成軟錯誤的宇宙射線產生具有數微米長的路徑的游離碎屑。所釋放的淨能量係數百萬電子伏特(eV)。這瞬間能量釋放產生可被使用於軟錯誤事件的檢測之物理信號。這些信號包括:1)聲脈波、2)電荷通量的直接電檢測與3)來自電子電洞重組的IR光子。
矽係間接能隙半導體,因此電子電洞對的最小激發(Eg=1.1eV)需要聲子作為三體碰撞的一部份以保存動量。在非常快速且強的庫倫激發,電子電洞對接收足夠能量以移動超出最低能帶間隙至沒有額外動量要求的能帶間隙位置。這是其能量之直接能帶間隙EΓ1在273K為3.6eV。在直接能帶間隙的電洞及電子接著放射聲子,失去能量且獲得動量以移向最低能帶間隙狀態。一個參數係碳核的軌道周圍之電子電洞雲的半徑。游離功率的源極係移動核的時間變換庫倫場-電場的傅立葉分量充當虛擬光子。觀測者坐得向外更遠離核的軌道,庫倫場改變方向更慢,以及虛擬光子的頻率更低。
例如,頻率上至於93°A半徑沒有3.6eV以上之電場的時間相依性之分量。於一實施例中,整個軌道可模型化為100°A半徑及3微米長的管,充滿3.6eV能量的 電子電洞對-產生於一微微秒(ps)內。一旦電子電洞離子體被產生,個別粒子將自初始軌道向外快速擴散。
於一實施例中,宇宙射線檢測器(例如,102及與其鄰接的檢測器)包含薄線的陣列,其檢測流動於晶片(或基板101)的導帶中之高流動性電子。於一實施例中,該等線係定位足夠接近來自宇宙射線的樣本次級電子以產生實作檢測器。
於一實施例中,與半導體接觸的金屬線(檢測器102的一部份)產生肖特基能障(Schottky barrier)。於一實施例中,區102係耗盡流動載流子的區且充當用於柱形電容器的間隔層。於一實施例中,0.1μm半徑線將其8×10-16法拉/μm的電容。於一實施例中,矽體積中的(宇宙射線檢測器102的)嵌入線係由其肖特基能障所屏蔽且捕獲穿過該屏障的電子。完全穿過矽體積的嵌入線可具有等於其肖特基能障剖面乘以其長度的有效捕獲體積。於一實施例中,(宇宙射線檢測器102的)線陣列具有的Rcapture=πx2 b/wire_spacing2(線間隔平方)的捕獲比,其中Rcapture係將由線陣列所捕獲之宇宙射線電荷的部份,以及其中xb係肖特基能障寬度。
來自初始火球的次級電子繼續擴散離開宇宙射線軌道而無顯著的重組損失。於一實施例中,線陣列捕獲Qpulse=Rcapture 1×106e[庫倫],其中Qpulse係捕獲入線陣列的總宇宙射線電荷。
例如,至於30μm線間隔,5×10-17庫倫的捕 獲電荷被檢測於肖特基能障中。於一實施例中,總線長的100μm係一起連接以形成宇宙射線檢測器102。於此種實施例中,捕獲電荷將灌注8×10-14法拉的淨電容,產生信號的600μV在具有10ps的典型時標之接點102。於一實施例中,宇宙射線檢測器102具有連接一起且帶至高速放大器105的輸入之檢取元件(未顯示)的線。於一實施例中,放大器105係差動放大器。於一實施例中,放大器105的一或多個電晶體具有1nV/sqrt(赫)的等效輸入雜訊電壓。於其它實施例中,放大器105的電晶體可具有不同輸入雜訊電壓。
於一實施例中,在不只一個1000平方微米上連接至單一電子電路(例如,放大器105)之陣列垂線檢測可能的軟錯誤事件。於一實施例中,放大器105係設計成檢測(宇宙射線檢測器102的)線檢測器所接收到的電壓脈衝預期形狀。例如,10ps上升時間誤差函數的前緣係使用來模型化電荷管的初始膨脹。這是步級函數的軟形式且適當地模型化擴散及弛緩的期待高斯統計。隨著時間推移,電荷的擴散導致電荷雲的體積之增加以及檢測器線附近的電子的密度之對應降低。
圖3係依據本揭露的一實施例,具有嵌入式宇宙射線檢測器的陣列及補償宇宙射線事件的其它邏輯之基板101的頂視圖300。指出的是,具有如任何其它圖式的元件之相同參考數字(或名稱)之圖3的那些元件可以類似於所述的但不限於這樣的任何方式而操作或作用。
於一實施例中,宇宙射線檢測器102係彼此相鄰定位而形成宇宙射線檢測器102的陣列。於一實施例中,放大器105係與嵌入於基板101之宇宙射線檢測器102的陣列的輸出耦接,放大器105的輸出使用於減少複數邏輯單元中的錯誤。於一實施例中,宇宙射線檢測器係定位在宇宙射線檢測器的陣列中之其它宇宙射線檢測器的一平方微米內。
具有宇宙射線檢測器102的陣列的一個理由係用於檢測處理器的不同區之宇宙射線事件。於一實施例中,已接收宇宙射線之處理器的某些邏輯部份可被重設以取代重設整個處理器。於一實施例中,具有宇宙射線檢測器102並已接收宇宙射線之處理器的快取的部份或排可被更新而不必耗用更新整個快取的功率。於另一實施例中,當快取的部份接收宇宙射線事件時,整個快取可被更新。
雖然文中的實施例說明用於檢測宇宙射線事件的線陣列,後由單一放大器產生表示宇宙射線事件的信號,其它修改亦在實施例的範圍內。於一實施例中,多個放大器係線組配對,用於許多檢測器線檢測宇宙射線事件。例如,單一電晶體可被使用來涵蓋不只一個1000平方微米具有數個線組的晶片面積,而於另一實施例中,許多電晶體可被使用以更佳地定位晶片上的宇宙射線擊中區。
圖4係依據本揭露的一實施例,具有補償宇宙射線事件的邏輯單元之還原系統400的功能圖。其指出 的是,具有如任何其它圖式的元件之相同參考數字(或名稱)之圖4的那些元件可以類似於所述的但不限於這樣的任何方式而操作或作用。於一實施例中,還原系統400包含一或多個宇宙射線檢測器401的陣列、操作系統402、分析單元403及處理器邏輯單元404。
於一實施例中,放大器105的輸出406係由分析單元403所接收以決定處理器的哪區已接收宇宙射線。於一實施例中,分析單元403指示處理器的不同受影響的邏輯單元404(例如,算術邏輯單元(ALU)、快取、執行單元等)開始還原過程。
例如,分析單元403可經由信號409指示快取,因為嵌入於快取中之宇宙射線檢測器401的陣列檢測到宇宙射線事件。於一實施例中,分析單元403經由信號407而與操作系統402通訊以決定應採取什麼步驟以還原宇宙射線事件所損壞的任何資料。
於一實施例中,操作系統402經由信號405自宇宙射線檢測器401的陣列而接收資訊以決定什麼指令傳送至分析單元403(經由信號407)及/或處理器邏輯元404(經由信號408)以起動還原。
例如,於一實施例中,操作系統402指示處理器邏輯單元拋棄來自先前執行的指令之結果且再執行該指令。操作系統402的實例包括由Apple®,Google®,Microsoft®,RedHat®等所設計且販售的操作系統。於一實施例中,操作系統402決定即使有宇宙射線事件,資料值 保持相同且因此其允許執行單元持續其指令執行而未要求執行單元再執行該指令。
於一實施例中,宇宙射線檢測器401的陣列及關聯邏輯106在奈秒內檢測宇宙射線事件,以使硬體可直接再操作任何計算而無來自操作系統402或軟體的介入。
圖5係依據本揭露的一實施例,包含具有宇宙射線檢測器的處理器之智慧型裝置1600的系統位準圖。其指出的是,具有如任何其它圖式的元件之相同參考數字(或名稱)之圖5的那些元件可以類似於所述的但不限於這樣的任何方式而操作或作用。圖5亦解說其中平面介面連接器可被使用之行動裝置的實施例的方塊圖。於一實施例中,計算裝置1600代表行動計算裝置,諸如計算平板、行動手機或智慧型手機、無線賦能電子閱讀器或其它無線行動裝置。將瞭解到,某些組件係一般所顯示的且不是此種裝置的所有組件顯示於裝置1600中。
於一實施例中,依據文中所述的實施例,計算裝置1600包括具有宇宙射線檢測器的陣列之第一處理器1610(如圖3所示)及具有宇宙射線檢測器的陣列之第二處理器1690(如圖3所示)。圖5所示的其它方塊/單元亦可包括宇宙射線檢測器的陣列(如圖3所示)。本揭露的不同實施例亦可包含網路介面在1670內,諸如無線介面,以使系統實施例可併入無線裝置,例如,手機或個人數位助理。
於一實施例中,處理器1610可包括一或多個實體裝置,諸如微處理器、應用處理器、微控制器、可程式邏輯裝置或其它處理機構。由處理器1610所執行的處理操作包括執行應用及/或裝置功能在其上之操作平台或操作系統的執行。處理操作包括與具有使用人或其它裝置之I/O(輸入/輸出)有關的操作、與功率管理相關之操作、及/或與連接計算裝置1600至另一裝置相關之操作。處理操作亦可包括與音頻I/O及/或顯示I/O相關之操作。
於一實施例中,計算裝置1600包括聲頻子系統1620,其表示與提供聲頻功能給計算裝置關聯之硬體(例如,聲頻硬體及聲頻電路)及軟體(例如,驅動程式、編解碼器)組件。聲頻功能可包括揚聲器及/或耳機輸出,以及麥克風輸入。用於這樣功能的裝置可被整合入裝置1600,或連接至計算裝置1600。於一實施例中,使用者藉由提供由處理器1610所接收且處理的聲頻指令而與計算裝置1600互動。
顯示子系統1630代表硬體(例如,顯示裝置)及軟體(例如,驅動程式)組件,其提供視覺及/或觸覺顯示給使用者與計算裝置互動。顯示子系統1630包括顯示介面1632,其包括使用來提供顯示器給使用者之特殊螢幕或硬體裝置。於一實施例中,顯示介面1632包括與處理器1610分開的邏輯以實施至少一些與顯示器有關之處理。於一實施例中,顯示子系統1630包括觸控螢幕(或觸控板)裝置,其提供輸出及輸入二者給使用者。
I/O控制器1640代表與使用者互動相關之硬體裝置及軟體組件。I/O控制器1640可操作來管理其為聲頻子系統1620及/或顯示子系統1630的一部份之硬體。此外,I/O控制器1640解說附加裝置的連接點,其連接至裝置1600,使用者可經由該裝置而與該系統互動。例如,可被附接至計算裝置1600的裝置可包括麥克風裝置、揚聲器或立體系統、視頻系統或其它顯示裝置、鍵盤或鍵板裝置或其它I/O裝置,用於與諸如讀卡機或其它裝置的特定應用。
如以上所述,I/O控制器1640可與聲頻子系統1620及/或顯示子系統1630互動。例如,經由麥克風或其它聲頻裝置的輸入可提供輸入或指令給計算裝置1600的一或多個應用或功能。此外,聲頻輸出可被提供取代顯示輸出或加有顯示輸出。於另一實例中,如果顯示子系統包括觸控螢幕,顯示裝置亦充當輸入裝置,其可至少部份地由I/O控制器1640所管理。亦可以有附加按鈕或開關在計算裝置1600上以提供由I/O控制器1640所管理的I/O功能。
於一實施例中,I/O控制器1640管理諸如加速器、相機、光感測器或其它環境感測器的裝置,或可包括於計算裝置1600中之其它硬體。該輸入可以是使用者直接互動的部份,以及提供環境輸入給該系統以影響其操作(諸如過濾雜訊、調整亮度檢測的顯示器、應用相機的閃光或其它功能)。
於一實施例中,計算裝置1600包括電力管理1650,其管理電池電源使用、電池的充電及與節能操作有關的功能。記憶子系統1660包括記憶裝置用於儲存裝置1600中的資訊。記憶體可包括非依電性(如果對記憶裝置的電源被中斷,狀態不會改變)及/或依電性(如果對記憶裝置的電源被中斷,狀態係不確定)記憶體裝置。記憶體1660可儲存應用資料、使用者資料、音樂、相片、文件或其它資料,以及與應用的執行相關之系統資料(是否長期或暫時)及計算裝置1600的功能。
實施例的元件亦被提供作為機器可讀媒體(例如,記憶體1660)用於儲存電腦可執行指令(例如,實施任何其它文中所述的過程之指令)。機器可讀媒體(例如,記憶體1660)可包括但不限於,快閃記憶體、光碟、CD-ROMs、DVD ROMs、RAMs、EPROMs、EEPROMs、磁卡或光卡,或其它類型適於儲存電子或電腦可執行指令的機器可讀媒體。例如,本揭露的實施例可被下載作為電腦可程式(例如,BIOS),其可自遠程電腦(例如,伺服器)經由通信鏈路(例如,數據機或網路連接)通過資料信號轉移至請求的電腦(例如,客戶)。
連接性1670包括硬體裝置(例如,無線及/或有線連接器及通信硬體)及軟體組件(例如,驅動程式、協定疊)以致能計算裝置1600與外部裝置通訊。裝置1600可以是分開裝置,諸如其它計算裝置、無線存取點或基地台,以及諸如耳機、列印機或其它裝置之周邊設 施。
連接性1670可包括多種不同類型的連接性。為一般化,計算裝置1600係解說有蜂巢式連接性1672及無線連接性1674。蜂巢式連接性1672一般意指由無線載子所提供的蜂巢式網路連接性,諸如經由GSM(全球移動通信系統)或變異或衍生、CDMA(分碼多工存取)或變異或衍生、TDM(分時多工)或變異或衍生、或其它蜂巢式服務標準。無線連接性1674意指不是蜂巢式的無線連接性,且可包括個人區域網路(諸如藍芽、近場、等)、局部區域網路(諸如Wi-Fi)及/或廣域網路(諸如WiMax)或其它無線通信。
周邊連接1680包括硬體介面及連接器,以及軟體組件(例如,驅動程式、協定疊)以作周邊連接。將瞭解到,計算裝置1600可以都是至其它計算裝置的周邊裝置(例如,“至”1682),以及具有與其連接的周邊裝置(“自”1684)。計算裝置1600通常具有“對接連接器”以連接至其它計算裝置,用於諸如管理(例如,下載及/或上載、改變、同步化)裝置1600的內容之目的。此外,對接連接器可允許裝置1600連接至允許計算裝置1600控制例如至視聽或其它系統的內容輸出之某些周邊設備。
除了專屬對接連接器或其它周邊連接硬體以外,計算裝置1600還可作經由一般或標準為基的連接器之周邊連接1680。一般類型可包括通用串列匯流排 (USB)連接器(其可包括一些不同硬體介面的任一者)、包括迷你顯示埠(Mini Display Port,MDP)之顯示埠(Display Port)、高解析度多媒體介面(HDMI)、火線、或其它類型。
說明書中提及“一實施例”、“一個實施例”、“一些實施例”或“其它實施例”時,表示有關該等實施例所述之特定特徵、結構或特性係包括於至少一些實施例中,但不一定是在所有實施例中。“一實施例”、“一個實施例”或“某些實施例”的不同出現不一定都指相同實施例。如果說明書表明組件、特徵、結構或特性“可”、“可以”或“可能”被包括,該特定組件、特徵、結構或特性不是一定要被包括。如果說明書或請求項述及“一”或“一個”元件,其並不代表該元件只有一個。如果說明書或請求項述及“一個附加”元件,其並不排除有數個附加元件。
再者,該等特定的特徵、結構、功能或特性可以任何適合方式結合於一或多個實施例中。例如,第一實施例可與第二實施例結合,只要與該二個實施例關聯的特定的特徵、結構、功能或特性不會相互排斥。
雖然本揭露連同特定實施例已說明,根據以上說明,對於熟悉此項技術者而言,此種實施例的許多其它選擇、修改及變化將是顯而易知。
例如,於一實施例中,宇宙射線檢測器102可被實施當作聲波檢測器。一旦初始電子電洞管被建立, 藉由發射來自各別電子及電洞之高能量聲子繼續熱化。因為聲子具有100meV或更小能量,許多聲子將被發射每一電子或電洞。聲子發射繼續直到電子或電洞弛緩至其導帶的邊緣。在此點,能量的減少需要重組事件,其在矽中可以是非常慢,通常按照肖克萊-霍爾-里德(Schockley-Hall-Read)過程之媒介穿過雜質。至於接近絕緣體、掺雜區、金屬層、等的電子-電洞,更快的重組發生。於一實施例中,對矽重組的替代係嵌入III-V族材料的使用,其如直接半導體具有快速光子發射。大部份初始游離能係在數微微秒內射入高能聲子。
高能聲子(接近德拜(Debye)溫度)具有平均自由路徑由拍轉散射(Umklapp scattering)所限制。德拜溫度的1/2以下的那些聲子不受拍轉散射所限制。然而,聲子經由晶體的非諧耦接強力地互動,且頻繁地結合以形成高能聲子。這些接著受到拍轉散射所限制。至於極冷溫度,所有聲子的直接彈道式傳輸發生以及高能聲子可在大距離予以檢測,例如,使用依據實施例之聲子輔助穿透。在室溫的拍轉散射及正常聲子-聲子散射導致100°A的平均自由路徑長度,因此聲子氣體平衡在原始電子-電洞管內。矽中聲音的速度決定碰撞間的聲子之典型穿越時間將為微微秒。這些考量顯示的是,核碰撞可能導致膨脹冷卻管,其在10ps期間成長至熱化的聲子、電子及電洞的微米級體積。
在平衡之後,聲子氣體係模型化成路徑管中 矽的巨觀加熱達0.02K。這是根據2×10-17m3的管體積、結果質量及矽的熱容量。加熱造成具有6×10-8的預測值之應變,其依序提升加熱管中的內部壓力達3×10-4nt-m-2。起自壓升的能量增加係δP-6×10-21焦耳,整合超過管體積。
這構成自宇宙射線路徑向外驅動聲波之活塞的能量。於一實施例中,9×10-9的路徑能量係藉由矽的加熱活塞轉換成聲能。於一實施例中,路徑能量的該部份係轉換成整合性壓力波,以及靈敏的晶片上宇宙射線檢測器可在室溫量測這些聲波或聲子。於一實施例中,直接聲子係使用於低溫系統中。
於另一實施例中,宇宙射線檢測器102可被實施當作光學檢測器。於此種實施例中,宇宙射線檢測器係藉由嵌入III-V族量子井在矽晶片100內予以執行。在低能帶間隙材料以及當作直接半導體,III-V族量子井快速地轉換進入其中的流動電荷成IR(紅外線)光子在矽的能帶間隙以下。在這低的光子能,IR能可以小衰減擴散達長距離,且接著可藉由III-V族量子井接收電路有效地往回轉換成電能。於一實施例中,III-V族量子井的使用可對於許多其它裝置用途具有吸引力,因為它們具有比純矽電晶體更高許多的流動性。光學檢測的一個非限制優點在於,小量子點或井可被散佈在具有最小量的線之晶片的脆弱區附近,以及信號不受檢測器線的大電容負載所減弱。如同之前,III-V族量子井的捕獲效率基本上係該井 的體積對所有井周圍之矽的體積。假設0.1μm半徑裝置以及1μm井對井間距,4×10-3的捕獲效率係依據一實施例而達到。因此,約4,000個電子將自典型宇宙射線路徑而捕獲。
以1/r2衰減及1μm的光子波長(λ2的接收器捕獲區),接著於10μm距離,每一脈波之3個光子可被預期由接收的III-V族量子井所檢測到。於一實施例中,系統增益係藉由增加捕獲線至量子井而增加。如果所有主動電晶體變成III-V族裝置,則任何宇宙射線干擾亦將產生大量IR光子。於一實施例中,電能係使用來放大來自宇宙射線觸發的光學量子井裝置之光學傳輸。於此種實施例中,所受的1/r2衰減係藉由無動力傳輸的光學量子井予以克服。
於另一實施例中,有電荷為基之宇宙射線檢測器102可被使用於三維(3D)奈米級技術,例如,生物基組件、量子點、機械奈米裝置等。於此種實施例中,這些技術的導帶將運輸受激電荷離開路徑且因此允許宇宙射線事件的檢測。
本揭露的實施例預期包含所有替代、修改及變化以屬於附加請求項的寬廣範圍內。
此外,熟知的對積體電路(IC)晶片及其它組件的電源/接地連接可能或可能不會顯示在所示圖式中以簡化解說及論述,且不會混淆本揭露。再者,配置可以方塊圖形式來顯示以避免混淆本揭露,且亦根據有關實施 此種方塊圖的特定細節的事實,配置係高度視其中將施行本揭露之平台而定,亦即,此種特定細節應在熟悉此項技術者的知識範圍內。當特定細節(例如,電路)係為了說明本揭露的示範實例而提出,對熟悉此項技術者應是顯而易知的是:本揭露可被實施不具或具有這些特定細節的變化。該說明因此視為解說而不是限制。
於一實施例中,文中所述之宇宙射線檢測器可以是無線地耦接至晶片。如果術語“第一電路”(或類似術語)係使用於請求項中,不一定適用有第二電路,雖然可能有。
以下實例有關另外的實施例。實例中的特定細節可在任何地方使用於一或多個實施例中。文中所述的設備的所有隨意特徵亦可針對方法或製程而實施。
例如,於一實施例中,一種晶片包含:基板;邏輯單元,形成主動電路在該基板上;及宇宙射線檢測器,嵌入於該基板中,該宇宙射線檢測器檢測宇宙射線且產生表示該宇宙射線的檢測之信號,該信號由該宇宙射線檢測器中的接點所提供,該信號用於減少該邏輯單元中的錯誤。於一實施例中,該晶片另包含耦接至該接點的線。於一實施例中,該晶片另包含嵌入於該基板中的另一宇宙射線檢測器,該另一宇宙射線檢測器定位在該宇宙射線檢測器的一平方微米內。於一實施例中,該宇宙射線檢測器包含收集該宇宙射線所引起的電荷之導線。於一實施例中,該晶片另包含計數器,計算該晶片的區已接收宇宙 射線之次數。於一實施例中,該宇宙射線檢測器係以下至少一者的一部份:生物基組件、量子點或機械奈米裝置。
於一實施例中,該晶片另包含感測放大器,耦接至該宇宙射線檢測器及該另一宇宙射線檢測器,且產生表示宇宙事件之感測信號。於一實施例中,該晶片另包含感測放大器,檢測該宇宙射線檢測器所產生的該信號,且產生感測信號。於一實施例中,該晶片另包含邏輯單元,依據感測信號的位準轉返執行或已執行指令。於一實施例中,該晶片另包含邏輯單元,產生中斷以回應該感測信號的位準。於一實施例中,該晶片另包含邏輯單元,依據該感測信號起動且決定是否處理以下至少一者:該晶片中的軟錯誤;該晶片中的硬錯誤;或裝置老化及該晶片中的變化。
於另一實例中,一種晶片包含:基板;複數邏輯單元,形成主動電路在該基板上;宇宙射線檢測器的陣列,嵌入於該基板中,檢測宇宙射線且產生表示該宇宙射線的檢測之一或多個信號;及感測放大器,耦接至嵌入於該基板中之宇宙射線檢測器的該陣列的輸出,該感測放大器的該輸出用於減少該複數邏輯單元中的錯誤。
於一實施例中,宇宙射線檢測器的該陣列的每一宇宙射線檢測器係定位足夠近以檢測來自該宇宙射線之帶電粒子的雲。於一實施例中,宇宙射線檢測器的該陣列的每一宇宙射線檢測器係定位在離彼此一平方微米內。於一實施例中,嵌入於該基板內之宇宙射線檢測器的該陣 列包含嵌入於該基板中之導電元件的金屬,其中該等金屬或導電元件的每一者具有對應接點以提供用於表示該宇宙射線的檢測之信號的介面。
於一實施例中,一種系統包含:記憶體單元;處理器,耦接至該記憶體單元,該處理器依據在此揭露的該晶片;及用於通訊耦接該處理器與另一裝置的無線介面。於一實施例中,該系統另包含顯示單元。
所提出的摘要將使讀者可確定本技術揭露的本質與要點。摘要的提出是因其將不使用來限制請求項的範圍或意義之理解。以下請求項藉此被併入詳細說明書中,其中每一請求項依據其本身如同個別實施例。
100‧‧‧晶片、處理器
101‧‧‧基板
102‧‧‧宇宙射線檢測器
103‧‧‧主動區
104‧‧‧接點
105‧‧‧放大器
106‧‧‧邏輯單元

Claims (14)

  1. 一種半導體晶片,包含:基板;宇宙射線檢測器,至少部分地嵌入於該基板中,該宇宙射線檢測器包含設置在該基板上及耦接至單一感測放大器之多數佈線的陣列,該宇宙射線檢測器用以產生表示宇宙射線的檢測之信號,該信號係代表從該宇宙射線產生的電荷;邏輯單元,耦接來自該感測放大器的下游,用以減少該半導體晶片中的錯誤。
  2. 如申請專利範圍第1項的晶片,其中該一或多條佈線係設置超過1000平方微米。
  3. 如申請專利範圍第1項的晶片,其中該感測放大器係用以產生感測信號。
  4. 如申請專利範圍第3項的晶片,其中該邏輯單元係依據該感測信號的位準用以轉返執行或已執行指令。
  5. 如申請專利範圍第3項的晶片,其中該邏輯單元係用以產生中斷以回應該感測信號的位準。
  6. 如申請專利範圍第5項的晶片,其中該邏輯單元係依據該感測信號用以起動且決定是否處理以下至少一者:該晶片中的軟錯誤;該晶片中的硬錯誤;或裝置老化及該晶片中的變化。
  7. 如申請專利範圍第1項的晶片,其中該邏輯單元另包含計數器,用以計算該晶片的區已接收宇宙射線之次數。
  8. 一種晶片,包含:基板;主動電路,位在該基板上;多數佈線的陣列,各佈線耦接至形成於該基板上的單一感測放大器,用以檢測宇宙射線且用以產生表示該宇宙射線的檢測之一或多個信號;及邏輯單元,用以減少該主動電路中的錯誤。
  9. 如申請專利範圍第8項的晶片,其中該佈線係定位接近足夠近以檢測來自該宇宙射線之帶電粒子的雲。
  10. 如申請專利範圍第8項的晶片,其中該多數佈線的陣列係定位超過1000平方微米。
  11. 一種系統,包含:記憶體單元;處理器,耦接至該記憶體單元,該處理器包含:基板;主動電路,位在該基板上;及宇宙射線檢測器,至少部分地嵌入於該基板中,該宇宙射線檢測器包含設置在該基板上及耦接至單一感測放大器之多數佈線的陣列,該宇宙射線檢測器用以產生表示該宇宙射線的檢測之信號,該信號係代表從該宇宙射線產生的電荷; 邏輯單元,耦接來自該感測放大器的下游,用以減少該主動電路中的錯誤;無線介面,用於通信地耦接該系統與另一裝置。
  12. 如申請專利範圍第11項的系統,另包含顯示單元。
  13. 如申請專利範圍第11項的系統,其中該邏輯單元係依據該感測信號的位準用以轉返執行或已執行指令。
  14. 如申請專利範圍第11項的系統,其中該多數佈線係定位足夠近以檢測來自該宇宙射線之帶電粒子的雲。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150040016A (ko) * 2013-10-04 2015-04-14 에스케이하이닉스 주식회사 코즈믹레이 검출기를 갖는 반도체 메모리 장치, 전자 장치, 및 그의 구동방법
US10685163B2 (en) * 2017-03-01 2020-06-16 Synopsys, Inc. Computationally efficient nano-scale conductor resistance model
US10797701B2 (en) * 2018-01-03 2020-10-06 Honeywell International Inc. Compensating for degradation of electronics due to radiation vulnerable components
KR102567134B1 (ko) * 2018-10-01 2023-08-16 삼성전자주식회사 엑스선 조사량 측정 장치, 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 테스트 방법
US11984447B2 (en) * 2021-03-01 2024-05-14 Georgia Tech Research Corporation Semiconductor work function reference circuit for radiation detection

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11326526A (ja) 1998-05-08 1999-11-26 Aloka Co Ltd 放射線測定装置
US6735110B1 (en) * 2002-04-17 2004-05-11 Xilinx, Inc. Memory cells enhanced for resistance to single event upset
EP1618460A4 (en) 2003-04-21 2008-10-29 Skysquared Ltd SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATING RANDOM NUMBERS FROM ASTRONOMICAL EVENTS
US7057180B2 (en) * 2003-07-18 2006-06-06 International Business Machines Corporation Detector for alpha particle or cosmic ray
US7309866B2 (en) 2004-06-30 2007-12-18 Intel Corporation Cosmic ray detectors for integrated circuit chips
US7166847B2 (en) 2004-06-30 2007-01-23 Intel Corporation System with response to cosmic ray detection
US7975160B2 (en) 2006-06-28 2011-07-05 University Of Utah Research Foundation System and method for precise absolute time event generation and capture
US8179694B2 (en) * 2008-03-14 2012-05-15 International Business Machines Corporation Magnetic induction grid as an early warning mechanism for space based microelectronics
TWM345986U (en) * 2008-05-13 2008-12-01 de-yin Xie Improved observer of cosmic ray

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