TWI516815B - 導光板 - Google Patents

Description

導光板

本發明是有關於一種導光板，特別是一種表面積在15吋以下的小尺寸導光板。

隨著攜帶式電子產品的技術開發，相關產品的厚度也朝更輕更薄方向前進。大多數的電子產品其顯示方式仍為透過液晶顯示螢幕，而液晶顯示螢幕需要額外的光源。透過導光板的設置，光源不需要與液晶顯示螢幕重疊，因此可以將電子裝置整體厚度作薄化。

導光板的製造工藝，在薄型化的技術上已經超越了點光源，當表面貼合發光二極體(surface-mount device laser emitting diode；SMDLED)的發光表面積比導光板的厚度還大時，導光板的入光率成了一個十分嚴重的課題。因此，如何能有效解决這個問題，實屬當前手機、電子書、平板電腦乃至穿戴式顯示裝置等產品的重要研發課題，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

本發明之一實施方式提供一種導光板，其將光源設 置於一側以將光線作導引。導光板搭配漸變的溝槽使得光線可於導光板內展開，並也導引導光板內部雜散的光線，使得雜散的光線可以受到控制。因此，當液晶顯示螢幕置於導光板上之後，由於雜散的光線受到控制，液晶顯示螢幕週遭的漏光現象能有效地改善。

本發明之一實施方式提供一種導光板，其以側面接收點光源之光線，並包括導引入光部、出光部以及溝槽。導引入光部與點光源對向設置，並包括入光面以及斜坡。入光面位於導引入光部之側面，其截面高度相當於點光源之截面高度。斜坡位於導引入光部之上表面，其截面高度隨與點光源之間的距離增加而漸變遞減。斜坡表面由第一區域以及第二區域定義，其中點光源於斜坡之投影位於第二區域內。出光部上表面無縫連接斜坡。溝槽佈於第一區域，而斜坡上的第二區域表面為平坦的表面。

根據本發明一或多個實施方式，第一區域寬度沿第一方向漸減，其中第一方向平行於斜坡且自入光面指向出光部，而第二區域寬度沿第一方向漸增。

根據本發明一或多個實施方式，第一區域寬度沿第一方向先漸減再漸增，其中第一方向平行於斜坡且自入光面指向出光部，且第二區域寬度沿第一方向先漸增再漸減。

根據本發明一或多個實施方式，溝槽呈連續狀分佈，且每一所述多個溝槽之底部與相鄰兩頂部之夾角為90度~120度。

承前所述，在本發明其他實施方式中，導引入光部 的厚度為0.6毫米(mm)~1毫米(mm)，所述出光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.6毫米(mm)，每一所述多個溝槽的寬度為9微米(μm)~11微米(μm)，每一所述多個溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。

根據本發明一或多個實施方式，任兩相鄰之所述多個溝槽的間距為90微米(μm)~110微米(μm)，且每一所述多個溝槽的深度與最大寬度之比值為1~10。

承前所述，在本發明其他實施方式中，導引入光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.7毫米(mm)，所述出光部的厚度為0.2毫米(mm)~0.4毫米(mm)，每一所述多個溝槽的寬度為50奈米(nm)~500奈米(nm)，每一所述多個溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。

根據本發明一或多個實施方式，更包含多個凹槽狀的取光微結構，設置於所述導光板相對於所述出光面之一底面，其中每一所述多個凹槽狀的取光微結構為深度不大於10微米(μm)，直徑為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽，且所述多個凹槽狀的取光微結構係自近入光面至遠入光面呈密度線性漸變增加分佈，藉以利用密度漸變方式控制取光能力。

根據本發明一或多個實施方式，導光板更包含多個凹槽狀的取光微結構，設置於所述導光板相對於所述出光面之一底面，其中每一所述多個凹槽狀的取光微結構為深度3微米(μm)~10微米(μm)，直徑為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽，且所述多個凹槽狀的取光微結構係自 近入光面至遠入光面呈深度線性漸變增加分佈，藉以利用深度漸變方式控制取光能力。

本發明之一實施方式提供一種導光板，搭配斜坡上所定義的第一區域以及第二區域導引點光源之光線，使得主要光線可於第二區域展開，而雜散光線可受到第一區域上的溝槽控制。因此，當主要光線展開後，暗區面積相對較小。而當雜散光線受到控制後，能提升導光板整體出光亮度，且以導光板作為光源提供的液晶顯示面板邊緣的漏光問題將能有效地被改善。

100‧‧‧導光板

102‧‧‧光線

104‧‧‧第一方向

110‧‧‧出光部

112‧‧‧出光面

120‧‧‧導引入光部

122‧‧‧入光面

130‧‧‧斜坡

132‧‧‧第一區域

134‧‧‧第二區域

136‧‧‧分隔線

140‧‧‧溝槽

144‧‧‧點光源

150‧‧‧底面

152‧‧‧反射片

154‧‧‧取光微結構

160‧‧‧延伸段

162‧‧‧側表面

第1圖為依照本發明之導光板一實施方式的側視示意圖。

第2圖為依照本發明之導光板另一實施方式的側視示意圖。

第3A圖為第1圖導光板的立體示意圖。

第3B圖為第1圖導光板的上視示意圖。

第4圖為依照本發明之導光板第二實施方式的上視示意圖。

第5圖為第2圖導光板的立體示意圖。

以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在了解本發明之較佳實施方式後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。值得注意的是， 圖式僅為示意，非真實比例，具體真實比例將於下列諸實施方式中說明之。

有鑑於習知導光板將光源設置於一側，而導光板本體厚度比光源的發光面積更小，部分光源光線將自導光板邊緣溢出，造成入光效率低落且後續要加強對漏光現象的處理。

因此，本發明之一實施方式所提供的導光板，其在點光源所朝方向的斜坡上定義第一區域以及第二區域，並在單一區域佈上溝槽。透過斜坡上兩種區域的漸變式的溝槽設計，點光源所出射的光線將得以於導光板內展開。而雜散的光線也同樣會受到控制，使得以導光板作為光源的液晶顯示面板，同時提升出光亮且縮小暗區面積。

根據本發明之一實施方式所提供的導光板，其於入光側面設計有突起增厚的導引入光部。請看到第1圖，第1圖為依照本發明之導光板一實施方式的側視示意圖。導光板100以側面接收點光源144之光線102，且導光板100包含出光部110、導引入光部120以及底面150。

導引入光部120與點光源144為對向設置，並包含入光面122以及斜坡130。入光面122位於導引入光部120之側面，亦即導引入光部120以其側面作為入光面122。入光面122其截面高度相當於點光源144之截面高度，即同為高度H。

斜坡130位於導引入光部120之上表面，其截面高度隨與點光源144之間的距離增加而漸變遞減，使得導引 入光部120大致為楔形，並使得斜坡130與水平面夾一角度θ。

由於點光源144有製作尺寸上的限制，例如表面黏著元件發光二極體之高度為0.4毫米(mm)者價格較其為0.6毫米(mm)者高出約50%，但導光板100本體卻可輕易被製作成厚度低於0.4毫米(mm)；因此入光面122的高度將對應點光源144的厚度尺寸來設計。而導引入光部120則搭配斜坡130設計為楔形以對應出光部110，以將光線102導引至較薄的出光部110內。另外，表面黏著元件發光二極體之寬度約2~4毫米(mm)，故圖式皆僅為示意，非真實比例。

出光部110上表面為無縫連接於斜坡130，亦即出光部110與導引入光部120為一體成形。出光部110上表面為出光面112，點光源144所發射的光線102自入光面122進入導光板100後，經過導引，光線102最終將從出光面112出射。值得一提的是，以第1圖為例，為了讓出光面112整體呈均勻出光的狀態，導光板100必須設有取光機制，其通常為取光圖樣(pattern)，且取光機制須隨出光面112與入光面122之距離遠近而有取光能力強弱之調整設計，以實現出光面112整體呈均勻出光的目標。

在第1圖中，取光機制是利用導光板100之底面150上的多個取光微結構154來調整強弱進而實現之；然而，本發明亦於一或多個實施方式中，不排除在出光面112設計多個取光微結構154，或在斜坡130上設置溝槽並延伸 至出光面112，且以控制溝槽之深淺的方式來實現之。這些控制手段且容後再表。

整體而言，導光板100包含凹槽狀的取光微結構154，此處設在底面150但亦可設在出光面112，且當其設置在出光面112時亦可以用溝槽來取代之，且以溝槽實現之方案另有集菱鏡片之導引正向出光於導光板100一身之效。基本上，取光機制是用以破壞光線102在導光板100之出光面112與底面150間進行的全反射，進而搭配佈設於導光板100下方之反射片152，在出光面112形成出光。拿第1圖來講，我們可以說當光線102行進至底面150時，將因為取光微結構154的存在而被導引至出光面112作出射。

從這個角度觀之，取光機制須隨出光面112與入光面122之距離遠近而有取光能力強弱之調整設計，且同時又必須考慮到出光面112之中心位置與上下兩側(業內俗稱天地線)所能接收到的光通量不同，再加上純以溝槽實現時，溝槽本身有很強的隔光能力，容易使出光面112之上下兩側的遠光端(相對遠離入光面122的一端)偏暗的現象惡化，即使加深上下兩側遠光端之溝槽的深度，亦無法圓滿解決之，徒增設計上的困難度。

因此，考量以溝槽實現取光機制的作法，十分依賴設計人員的經驗，而無法形成有效的教示；因此，本發明於諸實施方式中，仍以多個凹槽所形成之圖樣的設計方式來介紹之，但以溝槽實現取光機制的作法仍可搭配本發明 在導引入光部120的設計而不脫本發明之範疇。

以下說明用凹槽狀的取光微結構154構成取光圖樣(pattern)來實現的取光機制。根據本發明一實施方式，凹槽狀的取光微結構154為深度不大於10微米(μm)，直徑為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽。在一個小誤差範圍內的固定深度設計下，取光圖樣(pattern)的取光能力是沿導光板100長軸設計為線性漸增的。短軸的設計則較為複雜，此處短軸係指平行導光板100之寬度距離線段所定義之方向軸。

局部觀之，對每一個各別點光源144而言，在近光側，我們預期光線102在正前方中心法線的位置最強，但我們並不預期這些光線跟其左右兩側50%光強度包絡線一樣被取光圖樣取出，理由是我們希望越強的光線分量能夠盡量傳遞到越遠處，在傳遞過程中可以不斷被擴散開來，進而消弭遠光側角落暗區。整體觀之，在多個點光源144排成一列光條(Light bar)的設計上，上述原則一樣適用，其原理在於出光面112的天地線區域，只能接受到來自一個側面的光線，而不像其他區域，特別是中心區域，可以由兩側的光線來補強。

因此，由整體來看，近光側以短軸觀之，其取光能力應設計為y=ax²+k，k為常數且a>0的曲線關係。y為取光能力，此處可採取光圖樣的密度來控制之。但是細觀之，x並不是單純的一個數據，而是根據各別點光源定義的另一個依相同理念下的設計變數，即x=bx₁ ²+k₁，其中x₁僅代表 當顆點光源的50%光強度包絡線內的短軸線段。

另一種取光圖樣設計方案是利用其深度來控制之。例如，凹槽狀的取光微結構154深度控制在3微米(μm)~10微米(μm)間漸變，直徑仍為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽，但會在誤差範圍1微米(μm)內選定一個固定數值；藉此，這些凹槽狀的取光微結構154自近入光面至遠入光面呈深度線性漸變增加分佈，以控制取光能力。當然，前述短軸一元二次方程式區線變化之設計理念一併適用。

請再看到第2圖，第2圖為依照本發明之導光板另一實施方式的側視示意圖。導光板100包含出光部110、導引入光部120以及底面150，其中導引入光部120包含斜坡130以及延伸段160。

斜坡130位於導引入光部120之上表面，其截面高度仍保持隨著與點光源144之間的距離增加而漸變遞減的關係，使得導引入光部120形狀仍大致為楔形，其中斜坡130與水平面夾θ角。

延伸段160由斜坡130朝入光面(請見第1圖)以平行出光部110之上表面方向延伸而成，並且為一體成形。而由於延伸段160自導引入光部120延伸而出，因此導引入光部120的入光面也平移至延伸段160之側表面162，且點光源144位於側表面162上。

接著，以下將對導光板100中光線102行進方式進行說明。以第2圖為例，學理上來說，當點光源144所射 出的光線102從外部進入導光板100後，會在導光板100上表面以全反射的形式朝遠方傳遞。所以角度θ在理想狀態下，要從斜坡130的第一個轉折點P1開始推導起。第一個轉折點P1之前有沒有延伸段160(例如第1圖為沒有延伸段160，而第2圖為具有延伸段160)並不影響推導結果，只是方便說明。

首先，在第一個轉折點P1位置，我們可以想像光線102同時打在平行出光面112的延伸段160上表面之右極限點，與斜坡130表面之左極限點。

所以，先假設光線102打在延伸段160上表面，而根據斯涅爾定律(Snell's Law)n1*sina1=n2*sina2，其中a1為導光板100至空氣的入射角，a2為相對a1之折射角，n1是密介質(導光板100材質)折射率，n2是疏介質折射率(此處以空氣為例，即代表光線102是從導光板100內出射到空氣中)，故n1/n2=n為相對折射率，具體來看，在導光板100的材料選擇上，PC樹酯折射率是1.59，而壓克力折射率是1.42。

因此假設若發生全反射，則a2=90度，並且sina2=1，故光線102的全反射角度是a1=sin^-1(1/n)，若不存在斜坡130，這個角度會出現在光線102反射後打在底面150的夾角上。然而，由於斜坡130的設置，並從幾何光學可知，若光線102於斜坡130發生全反射，此時光線102的表現如同打在一個鏡子上，然後鏡子被偏轉了θ角。故光線102於底面150反射角為a1+2 θ，並全反射後打在斜 坡130，因為我們要探討光線102不會從斜坡130出光的邊界條件，且希望斜坡130(非AA區)越短越好，所以設定反射後的光線102打在第二個反折點上，亦即出光面112(AA區)的左極限點與斜坡130表面的右極限點，其中出光面112的左極限點以及斜坡130表面的右極限點位置為圖中的點P2，其表現又如同鏡子被偏轉了θ角一般，且再次反射到底面150時的夾角為a1+2 θ+2 θ。由於此後光線102必須以全反射之姿，在出光部110的出光面112與底面150間反彈傳遞，故最後一個邊界條件即為a1+4 θ<90度，因此sin^-1(1/n)+4 θ<90，可得理想的θ角為22.5-1/4sin^-1(1/n)，依此計算，隨選用的導光板100材料不同，θ角約在2.8~6度之間。

但現實面來說，若θ角只能選用這麼小的角度，則斜坡130會太長，例如導光板100雖實務上可以做到0.4毫米(mm)，但泛用作為光源的發光二極體(LED)是0.6毫米(mm)。因此用小角度的θ去從0.4毫米(mm)的出光面112(AA區)延伸到厚度0.6毫米(mm)的入光面(請見第1圖)或側表面162顯不可採。因此，吾人必須在光利用率跟出光面112(AA區)皆望大的物理衝突條件下進行取捨，例如θ角取15度，接受入光面所接收的光在斜坡130或側表面162有高達20%的漏光損失。

當我們為了追求導光板100出光部110的薄，而犧牲了可利用光線總量，並在斜坡130的相對位置上做完遮擋漏光的機制後，出光部110會出現出光量不足的狀況。

此時，本發明於一實施方式中提出修改式的溝槽設計方案，首先考慮於斜坡130上設置溝槽的光學現象。就溝槽本身而言，其相當於是在光線指向進入後會打在斜坡130上，但這個被擊中的斜坡130又再被傾轉了一個角度，即若以X-Y軸定義斜坡130之傾斜角度，則溝槽相當於其另有一個Z軸傾斜角。這個Z軸傾斜角能夠爭取到較少的漏光，但是，溝槽本身在巨觀上，會使光線的展光角度內斂，而造成暗區變大；在導光板作為液晶螢幕之背光模組的品質考量上，暗區問題是比亮度問題更不可容忍的嚴重問題，因為它直接影響使用者對畫質的感受，且無法以提高光源功率的方式調整之。

請同時參照第3A圖以及第3B圖。第3A圖為第1圖導光板的立體示意圖。第3B圖為第1圖導光板的上視示意圖。導光板100包含出光部110、導引入光部120以及溝槽140，其中導引入光部120包含斜坡130。

請看到第3A圖。斜坡130表面由第一區域132以及第二區域134所定義，且第一區域132與第二區域134為交錯排列，其中溝槽140佈於斜坡130的第一區域132且溝槽140為由兩平面組成之V形的溝槽140。因此，於斜坡130表面上，第一區域132為具有起伏的表面，而第二區域134為平坦的表面。

請看到第3B圖。本實施方式中，每一個第一區域132寬度沿第一方向104漸減，其中第一方向104平行於斜坡130且自入光面122指向出光部110，而每一個第二區域 134寬度沿第一方向104漸增。因此，第一區域132大致為由數個三角形所組成，而第二區域134大致為由數個梯形所組成。

除此之外，第一區域132的三角形數量以及第二區域134的梯形為對應於點光源144數量。於斜坡130表面中，其首尾的區域皆為第一區域132，而點光源144以及第二區域134皆位於第一區域132的間隔中。

因此，第一區域132的三角形數量為點光源144數量加一，而第二區域134的梯形數量與點光源144數量相同。以第3B圖為例，點光源144數量為四個，因此第一區域132的三角形數量為五個，而第二區域134的梯形數量為四個。

更進一步來說，第二區域134的梯形尺寸與位置皆與點光源144相關。第二區域134的梯形除了數量與點光源144相同以外，其設置位置為點光源144光線出射面的正前方，使得點光源144於斜坡130之投影位置位於第二區域134內，因而得到比較大的展光角度。此外，第二區域134的梯形上底寬度也與點光源144寬度大致相同，其皆為寬度t。

由上述設計理念可知，第二區域134讓點光源144的主要光型仍能盡量的擴展開來，但對次要光型以及主要光型的二次反射後的光線而言，則以第一區域132來進行引導。接下來介紹各種溝槽的設計參數。

根據本發明一或多個實施方式，溝槽呈連續狀分 佈，且每一所述多個溝槽之底部與相鄰兩頂部之夾角為90度~120度。

承前所述，在本發明其他實施方式中，導引入光部的厚度為0.6毫米(mm)~1毫米(mm)，所述出光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.6毫米(mm)，每一所述多個溝槽的寬度為9微米(μm)~11微米(μm)，每一所述多個溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。經實驗，這一組數據搭配連續狀的溝槽能有較好的出光表現，而且，連續狀的溝槽更甚至可以延續到出光面，以提升整體正向出光量。

根據本發明一或多個實施方式，任兩相鄰之所述多個溝槽的間距(Pitch)為90微米(μm)~110微米(μm)，且每一所述多個溝槽的深度與最大寬度之比值為1~10。

承前所述，在本發明其他實施方式中，導引入光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.7毫米(mm)，所述出光部的厚度為0.2毫米(mm)~0.4毫米(mm)，每一所述多個溝槽的寬度為50奈米(nm)~500奈米(nm)，每一所述多個溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。

溝槽可以是V溝或R溝，所謂V溝是指V形溝槽，從加工的角度來看，是以尖銳之刀具或刀模使溝槽底部形成較尖銳的接面，而R溝即為溝槽底部形成圓弧狀接面，且以圓弧底面之曲率半徑(R)定義之。

綜上所述，當點光源144發出光線時，對於點光源144來說，其正前方為平坦的第二區域134，因此點光源144所發出光線的光型可於導引入光部120內獲得展開，而不 會有暗區加大的問題。另外，由於斜坡130上有寬度漸變的第一區域132，且溝槽140佈於第一區域132形成漸變的溝槽140，因此雜散的光線將受到溝槽140導引，漏光現象也受到改善。請注意上述漸變的溝槽140所指意思為，由於溝槽140佈於第一區域132上，而第一區域132寬度沿第一方向104為漸減，因此第一區域132的每一個溝槽140長度不相同。

另外，本發明亦於一實施方式中在斜坡130表面，其首尾的區域採第一區域132，以加強對光線的導引效果及抑制斜坡130上的出光量，而點光源144以及第二區域134皆位於第一區域132的間隔中。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，可依實際需要，彈性選擇第一區域132、第二區域134以及點光源144的交錯關係。例如，將點光源144設置於入光面122對應於斜坡130表面中頭尾的區域。

請參照第4圖，第4圖為依照本發明之導光板第二實施方式的上視示意圖。本實施方式與前一實施方式(請見第3B圖)的差別在於斜坡130表面上的第一區域132以及第二區域134分佈方式不相同。

在斜坡130表面的分佈上，第一區域132寬度沿第一方向104先漸減至分隔線136後再漸增，而第二區域134寬度沿第一方向104先漸增至分隔線136後再漸減。因此，第一區域132大致為由數個沙漏形所組成，而第二區域134大致為由數個六邊形所組成。

本實施方式中，由於分隔線136位於斜坡130中 間，因此第一區域132寬度漸減與寬度漸增的面積比例相同，而第二區域134寬度漸減與寬度漸增的面積比例也相同。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，可依實際需要，彈性選擇分隔線136的位置，以分別定義第一區域132以及第二區域134的面積比例。

當點光源144發出光線時，對於點光源144來說，其正前方仍為平坦的第二區域134，因此點光源144所發出光線的光型可於導引入光部120獲得展開，而不會有暗區加大的問題。同樣地，雜散的光線將受到溝槽140導引，漏光現象也受到改善。

具體而言，導光板100中，佈有溝槽140的第一區域132用來導引雜散的光線，而平坦的第二區域134用來展開點光源144的光型。

接著，溝槽的應用也可適用在導光板的導引入光部設置有延伸段之實施方式，如第5圖所示，第5圖為第2圖導光板的立體示意圖。導光板100包含出光部110、導引入光部120以及溝槽140，其中導引入光部120包含斜坡130以及延伸段160。

同樣地，導引入光部120的斜坡130表面由第一區域132以及第二區域134所定義，其中本實施方式的斜坡130以第3B圖的方式為例。然而，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，可依實際需要彈性選擇斜坡130中第一區域132以及第二區域134的分佈方式，例如以第4圖的方式分佈。

綜上所述，本發明之導光板具有由第一區域以及第二區域定義的斜坡，且於單一區域佈於溝槽，使得點光源正前方為平坦表面。因此，當點光源發出光線時，表面佈有溝槽的區域用來導引雜散的光線，而表面平坦的區域用來展開點光源的光型，達到降低漏光以及減少暗區的效果。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧導光板

110‧‧‧出光部

120‧‧‧導引入光部

130‧‧‧斜坡

132‧‧‧第一區域

134‧‧‧第二區域

140‧‧‧溝槽

Claims (9)

1. 一種導光板，以側面接收一點光源之光線，包括：一導引入光部，與該點光源對向設置，包括：一入光面，位於該導引入光部之側面，其截面高度相當於該點光源之截面高度；以及一斜坡，位於該導引入光部之上表面，其截面高度隨與該點光源之間的距離增加而漸變遞減，該斜坡表面由一第一區域以及一第二區域定義，其中該點光源於該斜坡之投影位於該第二區域內；一出光部，其上表面無縫連接該斜坡；以及複數個溝槽，佈於該第一區域，而該斜坡上的該第二區域表面為平坦的表面。
2. 如權利要求1所述之導光板，其中該第一區域寬度沿一第一方向漸減，其中該第一方向平行於該斜坡且自該入光面指向該出光部，而該第二區域寬度沿該第一方向漸增。
3. 如權利要求1所述之導光板，其中該第一區域寬度沿一第一方向先漸減再漸增，其中該第一方向平行於該斜坡且自該入光面指向該出光部，且該第二區域寬度沿該第一方向先漸增再漸減。
4. 如權利要求1所述之導光板，其中該些溝槽呈連續狀分佈，且每一該些溝槽之底部與相鄰兩頂部之夾角為90度 ~120度。
5. 如權利要求4所述之導光板，其中該導引入光部的厚度為0.6毫米(mm)~1毫米(mm)，該出光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.6毫米(mm)，每一該些溝槽的寬度為9微米(μm)~11微米(μm)，每一該些溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。
6. 如權利要求1所述之導光板，其中任兩相鄰之該些溝槽的間距為90微米(μm)~110微米(μm)，且每一該些溝槽的深度與最大寬度之比值為1~10。
7. 如權利要求6所述之導光板，其中該導引入光部的厚度為0.4毫米(mm)~0.7毫米(mm)，該出光部的厚度為0.2毫米(mm)~0.4毫米(mm)，每一該些溝槽的寬度為50奈米(nm)~500奈米(nm)，每一該些溝槽的深度為500奈米(nm)~1500奈米(nm)。
8. 如權利要求1所述之導光板，更包含複數個凹槽狀的取光微結構，設置於該導光板相對於該出光面之一底面，其中每一該些凹槽狀的取光微結構為深度不大於10微米(μm)，直徑為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽，且該些凹槽狀的取光微結構係自近該入光面至遠該入光面呈密度線性漸變增加分佈。
9. 如權利要求1所述之導光板，更包含複數個凹槽狀的取光微結構，設置於該導光板相對於該出光面之一底面，其中每一該些凹槽狀的取光微結構為深度3微米(μm)~10微米(μm)，直徑為40微米(μm)~60微米(μm)之半球狀凹槽，且該些凹槽狀的取光微結構係自近該入光面至遠該入光面呈深度線性漸變增加分佈。