TWI514594B - 具改良阻擋膜附著性之防溼光伏打裝置 - Google Patents

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Description

具改良阻擋膜附著性之防溼光伏打裝置
優先權
本非臨時專利申請案依據35 U.S.C. §119(e)主張由DeGroot等人在2010年2月9日申請且題為MOISTURE RESISTANT PHOTOVOLTAIC DEVICES WITH IMPROVED ADHESION OF BARRIER FILM的具有序號61/302,687之美國臨時專利申請案之優先權，其中該臨時專利申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明係關於併有一有助於易於進行外部電連接之導電收集柵格的類型之光伏打裝置，且更明確而言，係關於具有阻擋層與鄰近層間改良附著性之含有硫族化物之光伏打裝置，其中該改良之附著性幫助給該等裝置提供增強之防濕性。
n型硫族化物組成物及/或p型硫族化物組成物皆已併入至異質接面光伏打裝置之組件內。p型硫族化物組成物已用作此等裝置中之光伏打吸收劑區域。說明性p型光伏打活性硫族化物組成物常包括鋁(Al)、銅(Cu)、銦(In)及/或鎵(Ga)中之至少一或多者之硫化物及/或硒化物。更典型地，存在Cu、In及Ga中之至少兩者或甚至全部三者。此等材料被稱作CIS、CIAS、CISS、CIGS及/或CIGSS組成物或類似者(下文統稱作CIGS組成物)。
基於CIGS組成物之吸收劑提供若干優勢。其中之一為，此等組成物具有用於吸收入射光之非常高的橫截面。此意謂，非常薄的基於CIGS之吸收劑層可捕獲到非常高百分比的入射光。舉例而言，在許多裝置中，基於CIGS之吸收劑層具有在自約2 μm至約3 μm之範圍中的厚度。此等薄層允許併有此等層之裝置為可撓性的。此與矽基吸收劑形成對比。矽基吸收劑具有用於光捕獲之較低橫截面，且要捕獲到相同量的入射光則通常必須厚得多。矽基吸收劑傾向於為剛性，而非可撓性的。
n型硫族化物組成物(特定言之，併有至少鎘之n型硫族化物組成物)已用於光伏打裝置中作為緩衝層。此等材料通常具有適用於幫助形成最接近n型與p型材料之間的界面之p-n接面之能帶隙。如同p型材料，n型硫族化物層可足夠薄以用於可撓性光伏打裝置中。
此等硫族化物基光伏打電池通常亦包括諸如透明導電層及窗口層之其他層。
異質接面光伏打電池(尤其基於p型及n型硫族化物之異質接面光伏打電池)為水敏性且可在存在過多水之情況下過度地劣化。又，較薄的可撓性層易受熱及其他分層或破裂應力損壞。分層及破裂不僅可破壞裝置效能，且所得分層及破裂亦可加劇濕氣侵入。因此，為了增強使用壽命，裝置組件之間的強附著性對於抵抗分層、破裂及濕氣侵入係重要的。
為了保護異質接面光伏打太陽能電池(尤其硫族化物基太陽能電池)免受不利的濕氣劣化，可在裝置上沈積一或多個氣密性阻擋膜。圖1示意性地說明一個此種方法。此裝置包含一支撐件2、一後側電接點3、一吸收劑層4、一緩衝層5、一透明導電層6、一導電柵格7及一阻擋層8。
此裝置之阻擋層8可傾向於展示至裝置之頂面的不良附著性。詳言之，阻擋材料與底層透明導電材料及/或導電收集柵格之間的附著性可能不如需要般強。另外，柵格與其他材料(諸如，TCO組成物)之間的附著性亦可能差。此等問題可導致不當的分層100或導致連續氣密性阻擋膜之斷裂及/或開放路徑110，從而允許水侵入以過於容易地接觸到硫族化物組成物。此可導致隨後的裝置效能劣化及最終的故障。
已知在矽基太陽能電池之內容背景中將氮化矽膜用於鈍化。然而，矽基太陽能電池傾向於比硫族化物基電池厚且硬得多。因此，在矽基太陽能電池之內容背景中，層間附著性不太成為問題。另外，矽基太陽能電池具有良好的防濕性，使得對於矽基太陽能電池，濕氣侵入不太成為關注問題。
本發明提供用於改良光伏打裝置之阻擋層與其他層(諸如，透明導電層或區域及/或導電柵格材料)之間的附著性之策略。結果，此等策略特別適用於諸如硫族化物基太陽能電池之異質接面太陽能電池之製造。所得電池更能抵抗分層、斷裂及/或濕氣侵入。受本發明之策略保護的裝置具有增強之使用壽命。令人驚訝地，發明者已發現在(a)電池之頂部層(例如，透明導電層，其在其表面之一部分上具有電連接器(典型地，導電柵格))與(b)阻擋層之間併入唯一附著性促進層或區域提供具有改良之保護且最值得注意地對於硫族化物基電池之改良防濕性(如藉由隨時間過去裝置所保留之效率來量測)的光伏打裝置。附著性在某程度上得到改良，以使得附著性促進層與介電阻擋材料可合作以在裝置上提供一氣密密封件以保護裝置免受由環境條件誘發之損壞，包括歸因於水侵入之損壞。另外，附著性促進層充當對諸如Na、Li及鑭系元素(Ln)之各種元素至阻擋層內之遷移的阻擋層。
在一態樣中，本發明提供一種光伏打裝置，其包含：
a)一基板，其具有一光入射表面及一後側表面，且包含至少一光伏打吸收劑及在該光入射表面之一部分上的至少一較佳地連接至該吸收劑之電接點；
b)一光學透射附著性促進區域，其在該基板之該光入射表面及至少一部分的該電接點上，包含一金屬層或一金屬氮化物層或一金屬碳化物層或其一組合；及
c)一介電阻擋區域，其定位於該附著性促進區域上。
在又一態樣中，本發明提供一種製造一光伏打裝置之方法。該方法包含以下步驟：
a)提供一基板，其具有一光入射表面及一後側表面，且包含至少一光伏打吸收劑及在該光入射表面之一部分上的至少一較佳地連接至該吸收劑之電接點；
b)使包含一金屬層或一金屬氮化物層或一金屬碳化物層或其一組合之一光學透射附著性促進區域形成於至少一部分的該光入射表面及電接點上；及
c)使一介電阻擋區域形成於該附著性促進區域上。
本發明的以上提到之優勢及其他優勢及達到其之方式將變得更顯而易見，且藉由參照結合隨附圖式所進行的本發明之具體實例之以下描述，本發明自身將被更好地理解。
以下描述的本發明之具體實例並不意欲為詳盡的或將本發明限制於在以下詳細描述中揭示之精確形式。相反，挑選及描述該等具體實例，以使得熟習此項技術者可瞭解及理解本發明之原理及實踐。為了達成所有目的，本文中引用之所有專利案、申請中之專利申請案、公佈之專利申請案及技術論文以引用的方式各別地全文併入本文中。
光伏打電池可為該產業中已知之在一部分的光入射側上具有吸收劑及電接點的任何電池。然而，較佳地，電池為硫族化物基電池。
圖2示意性地展示本發明之光伏打裝置10之一具體實例。裝置10理想地為可撓性的以允許將其安裝至併有一些彎曲之表面。在較佳具體實例中，裝置10足夠可撓以繞著具有50 cm、較佳地約40 cm、更佳地約25 cm之直徑的心軸纏繞，而不在25℃之溫度下破裂。裝置10包括一接收光線16之光入射面12及一後側面14。
裝置10包括一光伏打吸收劑區域18。在較佳具體實例中，區域18較佳地為一含有硫族化物之吸收劑區域。區域18可為如所說明之單一整體層，或可由一或多個層形成。區域18吸收以光線16體現之光能，且接著以光伏打方式將此光能轉換成電能。
硫族化物吸收劑區域18較佳地併有至少一IB-IIIB硫族化物，諸如，包括銅、銦及/或鎵中之至少一者的IB-IIIB硒化物、IB-IIIB硫化物及IB-IIIB硒化物硫化物。在許多具體實例中，此等材料以多晶形式存在。有利地，此等材料展現用於光吸收之優異橫截面，其允許區域18非常薄且可撓。在說明性具體實例中，典型吸收劑區域18可具有在自約1 μm至約5 μm、較佳地約2 μm至約3 μm之範圍中的厚度。
除了硒及/或硫之外，此等IB-IIIB硫族化物之代表性實例亦併有銅、銦及/或鎵中之一或多者。一些具體實例包括銅及銦之硫化物或硒化物。額外具體實例包括銅、銦及鎵之硒化物或硫化物。特定實例包括(但不限於)硒化銅銦、硒化銅銦鎵、硒化銅鎵、硫化銅銦、硫化銅銦鎵、硒化銅鎵、硒化硫化銅銦、硒化硫化銅鎵、硒化銅銦鋁及硒化硫化銅銦鎵(其在本文中皆被稱作CIGS)材料。在代表性具體實例中，具有光伏打性質之CIGS材料可由式CuIn(1-x) Gax Se(2-y) Sy 表示，其中x為0至1且y為0至2。硒化銅銦及硒化銅銦鎵受到青睞。如此項技術中已知，硫族化物吸收劑可摻雜有諸如鈉之其他材料。
可藉由使用各種各樣的一或多種技術(諸如，蒸鍍、濺鍍、電沈積、噴霧及燒結)之任一合適方法形成吸收劑區域18。一較佳方法為來自一或多個合適靶材的構成元素之共蒸鍍，其中個別構成元素係在同一時間同時地、依次或按此等各者之組合熱蒸鍍於熱表面上以形成至區域18之前驅體。在沈積後，沈積之材料可經受一或多個進一步的處理以完成區域18。在許多具體實例中，CIGS材料具有p型特性。
除了吸收劑區域18之外，裝置10亦可包括一或多個其他組件，包括支撐件19、後側電接點區域20、緩衝區域22及透明導電(TC)區域24(其較佳地為透明導電氧化物，但替代地，可為非常薄的透明金屬膜)。如所示，此等區域中之每一者可為如所說明之單一整體層，或可由一或多個層形成。支撐件19可為剛性或可撓性的，但理想地，在裝置10可與非平坦表面組合使用之彼等具體實例中為可撓性的。支撐件19可由廣泛範圍的材料形成。此等材料包括玻璃、石英、其他陶瓷材料、聚合物、金屬、金屬合金、介金屬組成物、紙、編織或非編織品、此等材料之組合及類似者。不鏽鋼受到青睞。
後側電接點區域20提供將裝置10電耦接至外部電路的便利方式。接點區域20可由廣泛範圍的導電材料形成，包括Cu、Mo、Ag、Al、Cr、Ni、Ti、Ta、Nb、W、此等各者之組合及類似者中之一或多者。併有Mo之導電組成物可用於說明性具體實例中。後側電接點區域20亦幫助將吸收劑區域18與支撐件隔離開以使支撐件組成至吸收劑層內之遷移最小化。舉例而言，後側電接點區域20可幫助阻止不鏽鋼支撐件之Fe及Ni組分至吸收劑區域20內之遷移。後側電接點區域20亦可保護支撐件，諸如，藉由保護支撐件免受Se損害(若在吸收劑區域18之形成中使用Se)。
根據現在已知或日後開發之習知實踐，除了支撐件19之外，亦可使用最接近後側面14之可選層(圖中未示)以幫助增強後側電接點區域20與支撐件19之間及/或後側電接點區域20與吸收劑區域18之間的附著性。另外，亦可將一或多個阻擋層(圖中未示)提供於後側電接點區域20上以幫助將裝置10與周圍環境隔離開及/或電隔離裝置10。因各種各樣之原因(包括幫助防止在電池之製造期間基板之硒化)，可將一或多個額外層(圖中未示)沈積於支撐件之後側上。此等一或多個層典型地包括鉬。
與具有同質接面結構之矽基半導體電池相反，裝置10當基於硫族化物材料時常具備異質接面結構。異質接面可形成於吸收劑區域18與由緩衝區域22緩衝之TC區域24之間。亦可存在一可選窗口區域(圖中未示)。此等區域中之每一者展示為單一整體層，但可為如所說明之單一整體層，或可由一或多個層形成。
緩衝區域22通常包含n型半導體材料，其具有合適的能帶隙以幫助形成最接近吸收劑區域18與緩衝區域22之間的界面之p-n接面。當吸收劑層為具有在自約1.0 eV至約1.6 eV之範圍中之能帶隙的CIGS材料時，用於緩衝區域22之合適能帶隙通常處於自約1.7 eV至約3.6 eV之範圍中。CdS具有約2.4 eV之能帶隙。
說明性緩衝層具體實例通常可具有處於自約10 nm至約200 nm之範圍中的厚度。
可使用廣泛範圍的n型半導體材料形成緩衝區域22。說明性材料包括鎘、鋅、鉛、銦、錫、此等各者之組合及類似者中之一或多者的硒化物、硫化物及/或氧化物，視情況地摻雜有包括氟、鈉、此等各者之組合及類似者中之一或多者的材料。在一些說明性具體實例中，緩衝區域22為包括鎘及(視情況)諸如鋅之至少一其他金屬之硒化物及/或硫化物。其他說明性具體實例將包括鋅之硫化物及/或硒化物。額外說明性具體實例可併有摻雜有諸如氟之材料的錫之氧化物。可使用廣泛範圍的方法(諸如，化學浴沈積、部分電解質處理、蒸鍍、濺鍍或其他沈積技術)來形成緩衝區域22。
如所提到，裝置10可包括一可選窗口區域或層。窗口區域可幫助保護裝置免受分流且亦可在TC區域24之隨後沈積期間保護緩衝區域22。窗口區域可由廣泛範圍的材料形成，且常由諸如Zn、In、Cd、Sn、此等各者之組合及類似者之氧化物的電阻性透明氧化物形成。例示性窗口材料為純質ZnO。典型窗口區域可具有在自約10 nm至約200 nm、較佳地約50 nm至約150 nm、更佳地約80 nm至約120 nm之範圍中的厚度。
TC區域24插入於緩衝區域22與光入射表面12之間，且電耦接至緩衝區域22以提供用於裝置10之頂部導電電極。在TC區域為透明導電氧化物(TCO)之許多合適的具體實例中，TCO層具有在自約10 nm至約1500 nm、較佳地約150 nm至約200 nm之範圍中的厚度。如所示，TCO區域24直接與緩衝區域22接觸。作為另一選擇之一實例，窗口區域可插入於TCO區域24與緩衝區域22之間。因各種各樣之原因(諸如，為了促進附著性、增強電效能或類似者)，視情況可插入一或多個介入層。
可將廣泛的各種各樣之透明導電氧化物(TCO)或此等各者之組合併入至透明導電區域24內。實例包括摻氟之氧化錫、氧化錫、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、摻鋁之氧化鋅(AZO)、氧化鋅、此等各者之組合及類似者。在一說明性具體實例中，透明導電區域24為氧化銦錫。便利地經由濺鍍或其他合適沈積技術形成TCO層。
透明導電區域24可或者為非常薄的金屬膜(例如，具有大於約5 nm且更佳地大於約30 nm之厚度的金屬膜。另外，透明導電區域較佳地小於約200 nm厚、更佳地小於約100 nm厚。此等代表性具體實例導致足夠透明以允許入射光到達吸收劑區域20之膜)。較佳地，透明導電層為透明導電氧化物。如本文中使用，術語「金屬」不僅指金屬，且亦指金屬混雜物，諸如，合金、介金屬組成物、此等各者之組合及類似者。視情況，可摻雜此等金屬組成物。可用以形成薄光學透明層30的金屬之實例包括適合於在後側電接點28中使用之金屬、此等各者之組合及類似者。
附著性促進區域26、介電阻擋區域28及導電收集柵格30定位於基板TCO區域24上。柵格理想地至少包括諸如鎳、銅、銀及類似者及/或其組合之導電金屬。在一說明性具體實例中，柵格具有包含鎳及銀之雙層構造。由於此等材料不透明，因此將其沈積為間隔開之行的柵格，使得柵格在表面上佔據相對小的佔據面積(例如，在一些具體實例中，柵格佔據與光捕獲相關聯的總表面積之約5%或以下、甚至約2%或以下或甚至約1%或以下以允許將光敏性材料曝露至入射光)。附著性促進層26及阻擋區域28各展示為單一層。然而，若需要，此等區域可由一個以上層形成。
作為用於形成裝置10之此等組成的本發明之方法之綜述，在至少一部分的阻擋區域28形成前形成至少一部分的附著性促進區域26。較佳地，在形成阻擋區域28前形成至少實質上整個附著性促進區域26。另外，附著性促進層26可阻止元素自在阻擋區域下方之層或區域之遷移，該遷移將不利地影響阻擋層之效能。此等元素包括(例如)Na、Li及鑭(Ln)系元素。
有利地，在光伏打裝置，尤其是可撓性之基於硫族化物之裝置(諸如，基於CIGS之裝置)之內容背景中，本發明之方法增強在阻擋區域28與柵格30及TCO區域24中之至少一者之間的界面之附著性品質。此方法提供免受分層及濕氣侵入至裝置內的增強之保護。結果，延長了裝置效能及壽命。在較佳具體實例中，在曝露至85℃及85%相對濕度達至少1000小時之時間後，本發明之裝置保留至少90%的初始效率。
附著性促進區域或層26由一或多種金屬、金屬氮化物及/或金屬碳化物形成，其中該附著性促進層較佳地含有Cr、Ti、Ta及Zr或其一組合中之至少一者。此外，附著性促進區域26合適地薄到為光學透射的。此意謂，在400 nm與1300 nm之間，區域26具有大於或等於約70%之光學透射率。較佳地，在同一範圍中，附著性促進層具有大於或等於80%之光學透射率。
較佳地，經由磁控濺鍍沈積附著性促進層。在將形成較佳的TaNx 阻擋層之情況下，較佳地使用Ta靶材及氮氣(N2 )與氬氣之混合物經由反應性磁控濺鍍沈積阻擋層。氣體饋入體中的N2 之莫耳分率較佳地大於0.1，更佳地大於0.2，且較佳地大於0.6。在沈積前，腔室中之合適的基礎壓力處於自約1×10-8 托至約1×10-5 托之範圍中。濺鍍發生時之操作壓力理想地處於自約2毫托至約10毫托之範圍中。
附著性促進區域26可具有廣泛範圍之厚度，其限制條件為若區域26過厚，則透明度可能過度地受損，而不提供足夠的附加效能。附著性促進區域26之說明性具體實例可具有小於約200 nm、較佳地小於約100 nm、更佳地再小於約50 nm且最佳地小於約20 nm之厚度。另外，附著性促進區域26之說明性具體實例可具有大於約1 nm、較佳地大於約2 nm之厚度。
除了在需要經由柵格30電接觸至TCO 24之位置(例如，在界面32處)之外，介電阻擋區域28由一或多種合適的介電材料形成，該一或多種合適的介電材料具有足夠低的介電常數以幫助將TCO區域24與周圍環境電隔離開，。在許多具體實例中，介電阻擋區域28具有在2至約120、較佳地2至約50、更佳地3至約10之範圍中的介電常數。另外，介電區域28亦理想地提供免受水蒸氣侵入之阻擋保護。在許多具體實例中，介電阻擋區域28之特徵在於在約100 g/m2 ‧天至約10-5 g/m2 ‧天之範圍中的水蒸氣透過速率(WVTR)，但最佳地小於約5×10-4 g/m2 ‧天。可根據在ASTM E 96中描述之方法或在諸如鈣測試(Wolf等人Plasma Processes and Polymers，2007,4,S185-S189)之其他測試中判定材料之WVTR。
介電阻擋區域28可由各種各樣之材料形成。較佳地，在阻擋區域28中使用之材料為無孔的。適用於本發明之阻擋塗層在透射波長範圍400 nm至1300 nm中較佳地展現光學透射率70%，且在同一範圍中更佳地展現85%透射比。
介電阻擋區域28可具有廣泛範圍之厚度。若過薄，則電絕緣性質及免受濕氣侵入之保護可能不如可能需要般的穩固。若過厚，則透明度可能過度地受損，而不提供足夠的附加效能。此外，若過厚，則介電阻擋區域28可能更易於破裂。平衡此等關注問題，阻擋區域28之說明性具體實例可具有小於約2000 nm、較佳地小於約1000 nm、更佳地再小於約500 nm、更佳地再小於約250 nm且最佳地小於約150 nm之厚度。另外，介電阻擋區域28之說明性具體實例可具有大於約10 nm且更佳地大於約50 nm之厚度。
介電阻擋區域28可選自金屬氧化物、碳化物、氮化物及類似者或其組合之群。在一較佳具體實例中，阻擋材料為矽之氧化物及/或氮化物。此等具體實例提供優異的介電及濕氣防護。在一些具體實例中，介電阻擋區域28較佳地由氮化矽或併有矽、氮及氧之材料(氮氧化矽)形成。在介電阻擋區域28由兩個或兩個以上子層形成之其他具體實例中，第一子層可由氮化矽形成，且第二子層可由氮氧化矽形成。當使用兩個或兩個以上子層時，較佳地，底部層(亦即，與TCO層接觸之層)為氮化矽。
氮化矽之代表性具體實例可由式SiNx 表示，且氮氧化矽之代表性具體實例可由式SiOy Nz 表示。在此等式中，x較佳地大於約1.2，更佳地大於約1.3，且較佳地小於約1.5，更佳地小於約1.4；y較佳地大於0，且較佳地小於約0.8，甚至更佳地小於約0.5，且再更佳地小於約0.05；且z大於約0.8，較佳地大於約1，且小於約1.4，更佳地小於約1.3。x、y及z之其他說明性範圍為以下範圍，其中x處於自約1.2至約1.5、較佳地約1.3至約1.4之範圍中；y較佳地處於自大於0至約0.8、較佳地自約0.1至約0.5之範圍中；且z處於自約0.8至約1.4、較佳地約1.0至約1.3之範圍中。理想地，x、y及z經選擇，以使得阻擋區域34或適當地其每一子層具有在自約1.80至約3之範圍中的折射率。作為一合適的具體實例之一實例，在本發明之實踐中，式SiN1.3 且具有2.03之折射率的氮化矽將為合適的。
附著性促進區域26及介電阻擋區域28可以各種各樣之方式形成於裝置10上。舉例而言，可使用此項技術中已知之技術經由反應性磁控濺鍍將其沈積。
作為一選擇，附著性促進區域26及介電阻擋區域28亦可藉由其他方法製備，包括(但不限於)熟習此項技術者已知之低溫真空方法，包括化學氣相沈積(CVD)、電漿加強化學氣相沈積(PECVD)、原子層沈積(ALD)及其他者。
柵格30可由廣泛範圍的導電材料形成，但最理想地，由一或多種金屬、金屬合金或介金屬組成物形成。例示性接點材料包括Ag、Al、Cu、Cr、Ni、Ti、此等各者之組合及類似者中之一或多者。併有Ag或Ag/Ni接點之柵格30受到青睞。
可選區域(圖中未示)可包括設置於介電阻擋區域28上之一或多個額外阻擋層以幫助進一步保護裝置10。在許多實踐模式中，在將所要的電連接至柵格30之後，將此等額外阻擋層(若有)併入至裝置10內。
現將參照以下說明性實例描述本發明。在此等實例中之第一者中，對包含薄光學透射底部鋁層之代表性測試試片執行加速老化之方法。藉由在曝露至熱及濕氣後監視隨時間的光學密度之改變，量測有效WVTR。在裝備有超壓釋壓閥之Ail-American 25X蒸汽滅菌器中進行加速曝露。在壓力容器中專門使用水以避免污染。對於每一樣本，在均等地分散於樣本表面上的9個點處量測初始光學密度。接著將樣本垂直地置放於樣本固持器中且引入至壓力容器中以待測試。使用外部溫度控制器將溫度設定至115℃。溫度讀數不超過設定點之± 1℃。在此溫度下，容器內部之壓力約12 psig。使樣本曝露達所要的持續時間，且接著自壓力容器移除，且在與初始量測時相同的位置處量測光學密度。接著將樣本送回至壓力容器，且重複該過程。若樣本失敗，亦即，當常態化光學密度降低了大於初始光學密度值之10%時，則中斷測試。使用利用3 mm孔徑之X-361T透射密度計進行光學密度量測。針對正交及紫外線回應進行密度量測，但僅前者用於相對濕氣阻擋效能之比較。提供其他說明性實例，其中在曝露至85℃/85% RH之濕熱條件期間隨時間過去監視裝置之光伏打效能。藉由及不藉由實質上如在實施例5中闡明般製造之附著性促進層26製備之基於CIGS之裝置經受濕熱85℃/85% RH環境風化條件，如在IEC標準61646中指定。在曝露期間，將電池垂直定位於位於在保持於85℃± 5℃下之實驗爐內的DI水池上方之不鏽鋼夾具上。在收集I-V特徵曲線量測前，樣本擱置於乾燥氮淨化盒中達至少12小時。接著，緊接在收集I-V特徵曲線量測前，使用SpectraNova太陽能模擬器光浸泡樣本達至少5分鐘。緊接在此量測後，在下一個測試週期內將裝置送回至濕熱環境中。在每一時間週期內重複此過程。
自在使用AAA級太陽能模擬器之每一步驟前及後量測之電流-電壓(I-V)特徵曲線得出裝置效率。I-V特徵曲線量測設備及程序符合在IEC 60904(第1-10部分)及60891標準中指定之要求。對於每一I-V量測，使用經置放以與收集柵格導電條接觸之5 μm半徑鎢探針頭建立電接觸，且經由塗佈有Au之銅壓板將塗佈有鉬之後側接地。在I-V特徵曲線量測期間，將壓板及裝置之溫度維持在25℃。在量測前，給出15分鐘以使Xe弧光燈穩定。接著，使用具有BK-7過濾器之經校準之矽參考裝置將燈輻照度設定至AM1.5 1000 W/m2 。效率量測之不確定性為相對的±4%。
實施例1
製備根據本發明之附體試片。將鋁薄膜(約30 nm厚)濺鍍沈積至三個1"×1"鹼石灰玻璃片上。此接著為氧化銦錫(ITO)層(約130 nm厚)。氧化銦錫(ITO)膜係使用定製RF磁控濺鍍腔室由100 mm直徑、5 mm厚之ITO陶瓷靶材(90 wt% In2 O3 、10 wt% SnO2 )使用氬(14 sccm)及氧(2 sccm)之氣流製備，使用質量流量控制器控制，以達成2.8毫托之工作氣體壓力。在沈積期間將基板溫度保持在150℃。施加遮罩以屏蔽樣本之區，且僅曝露待由導電柵格覆蓋之區。依次藉由電子束蒸鍍沈積具有約1600 nm之總厚度的Ni及接著Ag層。在蒸鍍前，腔室基礎壓力減小至<2×10-6 托。可在9.0 kV下進行所有沈積，同時對於Ni及Ag，電流值分別為0.130安培及0.042安培。對於Ni及Ag，可分別按2.0/s及 15.0/s使用Maxtek 260石英晶體沈積控制器在過程中控制沈積速率。可自7 cc石墨坩堝蒸鍍Ni丸粒(99.9999%，自International Advanced Materials獲得)，而可自7 cc鉬坩堝蒸鍍Ag小球(99.9999%，Alfa Aesar)。將氮化鉭附著性促進層之超薄層(約10 nm厚)濺鍍沈積於銀柵格及ITO層上。使用定製RF磁控濺鍍腔室由50 mm直徑、6.4 mm厚之Ta靶材使用N2 濺鍍氣體製備TaNx 層。在140瓦之功率及4毫托之壓力下在三分鐘時段內沈積TaNx 膜。在沈積前之基礎壓力小於1.0×10-5 托。TaNx 之沈積後接著為約150 nm厚度之氮化矽(Si3 N4 )層，其藉由反應性濺鍍由50 mm S靶材使用在4毫托下之Ar:N2 (50:50)濺鍍氣體混合物來製備。
接著為了進行加速之曝露測試，將樣本置放於在115℃及100%相對濕度下之壓力鍋中。如上所述，週期性地監視Al膜之光學密度之改變，且報告於圖3中。量測Al膜之光學密度以判定Al至氧化鋁之氧化程度(歸因於曝露至濕氣)。較透明的氧化鋁層之形成導致光學密度之降低。如在圖3中看到，在於115℃/100% RH下超過536小時後，所有三個樣本之光學密度保持在約100%。
實施例2
如實施例1中所描述般製備根據本發明之樣本，除了將不同附著性促進材料與Si3 N4 之介電阻擋層組合使用作為裝置之頂面之外。Si3 N4 阻擋層為約150 nm厚。另外，製備不使用附著性促進層之比較裝置。
將下列材料用作附著性促進層：
如上所述將樣本置放於壓力鍋中，且週期性地量測光學密度。結果展示於圖4中。比較實施例展示隨時間過去的光學密度之顯著降低，而實施例2A、2B、2C並無展示光學密度之可量測之降低。
實施例3
使用在實施例1中針對各別層描述之條件製備包含1"×1"鹼石灰玻璃、Al膜(約30 nm厚)、銀柵格(約1000 nm厚)及氮化矽膜(約150 nm厚)之比較樣本。為了進行加速之曝露測試，將樣本置放於在115℃及100%相對濕度下之壓力鍋中。在47小時曝露後，移除樣本，且獲得使用光學顯微法自頂向下影像。類似地，在壓力鍋中曝露了210小時後，對實施例1之樣本取影像。圖5清晰地展示對比較樣本上之氮化矽阻擋層及柵格之損壞。圖6清晰地展示包含在裝置之頂面(TCO/柵格)與介電氮化矽阻擋層之間的氮化鉭附著性層的樣本之比較區域基本上未受損壞。
實施例4
如實施例1中所描述般製備根據本發明之樣本試片。塗覆氮化鉭薄層(10 nm)，接著為Si3 N4 之介電阻擋層，作為樣本之頂面(約140 nm厚)。為了進行加速之曝露測試，將樣本置放於在115℃及100%相對濕度下之壓力鍋中。圖7展示在1000小時曝露後，並無可量測的光學密度之降低。
實施例5
在2平方英吋鹼石灰玻璃基板(0.7 mm厚)上製備根據本發明之光伏打裝置。在玻璃基板上在200 W、6×10-3 毫巴下濺鍍沈積鉬層至約750 nm至800 nm之最終厚度。藉由基於由NREL實踐之三階段製程(Repins，2008)的多階段金屬共蒸鍍製程沈積CIGS吸收劑層。藉由將樣本浸漬至70℃下的33 mL 0.015 M CdSO4(aq) 與42 mL 14.5 M NH4 OH(aq) (濃縮之NH3 )之混合物內藉由化學浴沈積(CBD)來沈積硫化鎘緩衝層。在1分鐘後，添加33 mL之0.75 mL硫脲，且允許該反應進行達7分鐘。樣本在110℃下乾燥達30分鐘，接著加熱至200℃。窗口層i -ZnO係在60 W及10托濺鍍壓力下藉由ZnO靶材之RF磁控濺鍍(在Ar濺鍍氣體中，0.15% O2 )製備至約70 nm之最終厚度。根據在實施例1中描述之程序，藉由ITO、柵格、氮化鉭附著性層及氮化矽之沈積來完成裝置。在氮化鉭及氮化矽層之沈積前，藉由向下刻劃至(但不穿過)Mo層來隔離個別電池。製備無氮化鉭附著性層之比較實施例。
圖8展示對於塗佈有Si3 N4 /TaNx 及塗佈有其他氮化矽基阻擋層之電池而言，太陽能電池存活機率對濕熱(85℃/85% RH)曝露時間的結果之總結。具有TaNx 附著性層的裝置之效能明顯優於缺乏此層之裝置。在加速濕熱條件下，具有TaNx 附著性層之裝置具有>70%的存活1000小時之機率。在相同條件下，若干裝置存活大於3000小時。
實施例6
如實施例1中描述般製備具有Al/ITO及Ni/Ag柵格之在鹼石灰玻璃上之樣本試片。根據在實施例1中描述之條件，將氮化鉭薄層(10 nm)、接著為氮化矽之介電阻擋層(140 nm)施加至一組樣本試片，而僅將Si3 N4 (150 nm)施加至第二組，用於比較。為了加速之曝露測試，將樣本置放於在115℃及100%相對濕度下之壓力鍋中達380小時。圖9展示比較樣本(僅具有氮化矽阻擋層)展示氮化矽層之顯著氧化(由柵格區域中之N含量之減少及相關聯的氧含量之增加證明)。圖9亦展示在裝置表面處具有與氧類似分佈的鈉存在。相比之下，圖10展示根據本發明之樣本(包括薄氮化鉭層)展示在柵格區域中裝置表面處無可量測之鈉。
2‧‧‧支撐件
3‧‧‧後側電接點
4‧‧‧吸收劑層
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧透明導電層
7‧‧‧導電柵格
8‧‧‧阻擋層
10‧‧‧光伏打裝置/裝置
12‧‧‧光入射面
14‧‧‧後側面
16‧‧‧光線
18‧‧‧光伏打吸收劑區域/吸收劑區域
19‧‧‧支撐件
20‧‧‧後側電接點區域/接點區域
22‧‧‧緩衝區域
24‧‧‧透明導電區域/TC區域/TCO區域
26‧‧‧附著性促進區域/附著性促進層
28‧‧‧介電阻擋區域
30‧‧‧導電收集柵格/柵格
32‧‧‧界面
100‧‧‧分層
110‧‧‧路徑
圖1為先前技術的光伏打裝置之示意性橫截面。
圖2為根據本發明的光伏打裝置之示意性橫截面。
圖3為展示在曝露至115℃/100%相對濕度(RH)之濕熱條件後之根據本發明的模型基板之相對光學密度之曲線圖。
圖4為展示至115℃/100%相對濕度(RH)之濕熱條件之各種曝露長度後與先前技術樣本之相對光學密度比較的根據本發明的樣本之相對光學密度之曲線圖。
圖5為至115℃/100%相對濕度(RH)之濕熱條件之47小時曝露後的先前技術樣本之光學顯微影像。
圖6為至115℃/100%相對濕度(RH)之濕熱條件之210小時曝露後的根據本發明的樣本之光學顯微影像。
圖7為展示在115℃/100%相對濕度(RH)之熱及濕熱條件之1000小時曝露後的根據本發明的樣本之相對光學密度之曲線圖。
圖8為展示對於塗佈有Si3 N4 /TaNx 及塗佈有其他氮化矽基阻擋層之電池而言太陽能電池存活機率對濕熱(85℃/85% RH)曝露時間的總結之曲線圖。
圖9展示針對具有氮化矽阻擋層(150nm)之比較樣本的在於115℃/100% RH下之濕熱曝露達380個小時後的在柵格區域中之N(頂部，左邊)、O(頂部，右邊)及Na(底部)之元素像(EDX)。
圖10展示對於具有氮化鉭附著性層(10nm)及氮化矽阻擋層(140nm)之根據本發明之樣本的在於115℃/100% RH下之濕熱曝露達380小時後的在柵格區域中之N(左邊)及Na(右邊)之元素像(EDX)。
10．．．光伏打裝置/裝置
12．．．光入射面
14．．．後側面
16．．．光線
18．．．光伏打吸收劑區域/吸收劑區域
19．．．支撐件
20．．．後側電接點區域/接點區域
22．．．緩衝區域
24．．．透明導電區域/TC區域/TCO區域
26．．．附著性促進區域/附著性促進層
28．．．介電阻擋區域
30．．．導電收集柵格/柵格
32．．．界面

Claims (9)

  1. 一種光伏打裝置，其具有光入射面與後側表面，其中該光伏打裝置包含：a)支撐件；b)至少一種光伏打吸收劑，其定位於該支撐件上，以經由該裝置的光入射面接收光，其中該光伏打吸收劑包含具有1μm至5μm範圍厚度的含有硫族化物之吸收劑；c)插入於該裝置之至少一種光伏打吸收劑與光入射面之間的透明導電層；d)至少一個電接點，其定位於該透明導電層與該至少一種光伏打吸收劑且與其電連通，其中該至少一個電接點包含導電材料層，該導電材料層不比底層的透明導電層寬廣；e)光學透射附著性促進區域，其包含Cr、Ti、Ta、氮化鈦、氮化鉭、碳化鈦、碳化鉭或為其組合構成的多層結構，其在該電接點與該透明導電層之至少一部分上，其中該光學透射附著性促進區域具有小於50nm的厚度；及f)光學透射介電阻擋區域，其定位於該附著性促進區域上，其中該光學透射介電阻擋區域包含氮化矽、氧化矽、碳化矽、氮氧化矽，及/或其組合。
  2. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中該吸收劑為含有硫族化物之吸收劑，其包含銅、銦及視情況鎵。
  3. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中在曝露於85℃及85%相對濕度達至少1000小時之時間後，該光伏打物品保留其初始效率之至少90%。
  4. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中該裝置進一步包含在該透明導電層與該吸收劑之間的緩衝層。
  5. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中該附著性促進區域在400nm與1300nm之間具有大於或等於約70%之光學透射率。
  6. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中該阻擋區域在400nm與1300nm之間之該光學透射率大於或等於約70%。
  7. 如申請專利範圍第1項之光伏打裝置，其中該附著性促進區域進一步充當對Na、Li及鑭系元素至該介電阻擋區域內之遷移的阻擋層。
  8. 一種製造光伏打裝置之方法，該裝置具有光入射面與後側表面，該方法包含以下步驟：a)提供支撐件；b)提供至少一種光伏打吸收劑，其定位於該支撐件上，以經由該裝置的光入射面接收光，其中該光伏打吸收劑包含具有1μm至5μm範圍厚度的含有硫族化物之吸收劑，插入於該裝置之至少一種光伏打吸收劑與光入射面之間的至少一種透明導電層，以及至少一個電接點，其定位於該透明導電層與該至少一種光伏打吸收劑且與其電連通，其中該至少一個電接點包含導電材料層，該導電材料層不比底層的透明導電層寬廣；c)使包含Cr、Ti、Ta、氮化鈦、氮化鉭、碳化鈦、碳化鉭或為其組合構成的多層結構的光學透射附著性促進區域在該電接點與該透明導電層之至少 一部分上形成，其中該光學透射附著性促進區域具有小於50nm的厚度d)使光學透射介電阻擋區域在該附著性促進區域上形成，其中該光學透射介電阻擋區域包含氮化矽、氧化矽、碳化矽、氮氧化矽，及/或其組合，以及其中該光學透射附著性促進區域與該至少一個電接點、該透明導電層以及該光學透射介電阻擋區域接觸。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該吸收劑為含有硫族化物之吸收劑，其包含銅、銦及視情況鎵中之至少一者，以及該電接點包含Ag或Ag/Ni。
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