TWI512796B - 用於多植入的對位基板的裝置與方法 - Google Patents

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Description

用於多植入的對位基板的裝置與方法
本揭示的實施例是關於一種基板處理的領域。更明確地說，本揭示是關於一種用於對基板進行對位以進行連續植入操作(例如離子植入操作)的改善方法及裝置。
離子植入(ion implantation)是一種用於將改變導電性的雜質引入工件(例如晶圓或其他基板)中的標準技術。在離子源中將所需的雜質材料離子化，使離子加速以形成特定能量的離子束，且將離子束引導到工件的表面上。離子束中的高能離子穿透到工件材料的主體中，並嵌入工件材料的晶格(crystalline lattice)中，從而形成具有所需導電性的區域。
太陽能電池(Solar cells)是使用矽工件的元件的一個實例。任何針對高性能太陽能電池的製造或生產成本的降低，或任何針對高性能太陽能電池的效率的改善，都會對太陽能電池的實施產生正面的影響。換言之，此舉將使得這種乾淨能源技術能得 到更廣泛地使用。
太陽能電池通常是使用與用於其他半導體元件相同的製程來製造，並且其通常使用矽作為基板材料。半導體太陽能電池是具有內建電場的簡易元件，所述內建電場將經由半導體材料中的光子吸收而產生的電荷載子(carrier)分離。此電場通常透過p-n接面(二極體)的形成產生，所述p-n接面是藉由摻雜不同的半導體材料而產生。在半導體基板的一部分摻雜極性相反的雜質而形成p-n接面，其可用作將光轉換成電的光伏元件(photovoltaic device)。
通常需要圖案化摻雜步驟來形成太陽能電池。此等圖案化結構通常會使用傳統式光學微影(lithography)(或硬罩幕(hard mask))及熱擴散(thermal diffusion)來製作。另一方式則使用植入結合傳統光學微影罩幕，其能夠在摻雜物活化前輕易地被移除掉。另一方式則在離子植入器中利用遮蔽罩幕(shadow mask)或模板罩幕(stencil mask)去定義用來作為接觸點(contact)的高摻雜區。這些技術全部都利用固定的罩幕層，非直接在基板上或在射束線中定位(position)。
這些技術都有明顯的缺陷。舉例而言，其皆會受到太陽能晶圓之特殊處理下的限制，例如，光罩與基板對位以及在離子植入期間從罩幕分散而來的材料所造成的交叉污染(cross contamination)。
因此，需要一些努力來降低成本及將圖案摻雜到基板上。然而，當這些在降低成本及製程時間上的努力成功了，這些 造價上的節省通常伴隨而來的是圖案化準確度下降。然而，在基板圖案化處理中，由於後續處理步驟有賴於此準確度(accuracy)，因此光罩是必須準確地對位。
因此，當要維持適當的準確度以便使罩幕在後續處理步驟期間能夠正確地定位時，在太陽能電池生產上就會有可靠的、成本下降的技術之需求(圖案化處理步驟的數量以及複雜度減少)。雖然主要是針對太陽能電池的生產，此等技術亦能應用於其他摻雜的應用。
本發明內容是提供一種以簡單的方式介紹的概念之選擇，以下實施方式更進一步描述所述概念之選擇。本發明內容並非用以定義所申請之標的的關鍵特徵或重要特徵，亦非決定申請之標的的範疇。
揭示一種用於處理基板的改善裝置及方法，例如用於建立太陽能電池。在基板上建立摻雜區。可相鄰於至少其中之一的摻雜區建立基準標記。可隨後使用基準標記的視覺辨識，以辨認植入的確切區域。可接著在後續處理步驟中使用此資訊，以維持或得到對位。後續處理步驟的實例可包括領外的植入步驟、網版印刷步驟、金屬化步驟、雷射處理步驟或其他類似處理。關於對位位置之資訊可反向回饋(例如，至植入器)或正向回饋(例如，至其他處理工具)，以修正一個或多個處理參數。這些技術亦可用於 其他離子植入器應用。
本揭示裝置及方法的摻雜圖案之對位可用於使用離子植入來製造的太陽能電池。可能因材料組成及結構的改變，而使離子植入特徵可見於之後的植入中。然而，在使用熱退火處理以活化植入摻雜物種並且修復晶體缺陷(crystal damage)之後，植入特徵可能不再為可見的。因此，在後續處理步驟期間，可將基準標記定位於基板上，以促進處理設備之對位，從而確保後續處理步驟定向(direct)至在如先前植入時在基板上相同位置。
揭示一種用於處理基板的方法。所述方法可包括將離子植入於基板，以建立植入特徵；判定植入特徵的位置；調整罩幕的位置，以與基準對位，藉此使罩幕與植入特徵對位；以及透過罩幕將離子植入於基板。
揭示一種用於處理基板的方法。所述方法可包括將離子植入於基板，以建立植入特徵；判定植入特徵的位置；將基準置於基板上對應於植入特徵的已知位置；在後續處理步驟中，偵測基準的位置；以及在後續處理步驟期間，使用基準的位置來與植入特徵對位。
揭示一種用於植入工件的裝置。所述裝置可包括用來將離子植入於基板以建立植入特徵的離子植入器；用來偵測基準在基板上的位置的偵測器；以及處理器，用來執行指令以：判定基準的位置；調整罩幕的位置以與基準對位，藉此對罩幕進行對位；以及使用離子植入器，透過罩幕將離子植入於基板。
揭示一種處理基板的方法，包含：將離子植入於基板，以建立光學可見的植入特徵；對基板進行熱退火，其中熱退火使植入特徵為非光學可見的，其中在基板上的基準在熱退火之後為光學可見的；調整罩幕的位置，以與基準對位，藉此使罩幕與植入特徵對位；以及透過罩幕將離子植入於基板。
為使本揭露能更明顯易懂，所附圖式附上說明，加註說明之所附圖式於此併入，說明如下。
138、300‧‧‧基板
200‧‧‧束線式離子植入器
211‧‧‧終端台
212‧‧‧帶狀離子束
280‧‧‧離子源
281‧‧‧離子束
282‧‧‧解析磁鐵
283‧‧‧離子腔室
284‧‧‧抑制電極
285‧‧‧接地電極
286‧‧‧質量分析器
288‧‧‧遮蔽電極
289‧‧‧解析孔
294‧‧‧角度校正磁鐵
295‧‧‧平台
296‧‧‧減速單元
302‧‧‧植入特徵
304‧‧‧攝影機
306‧‧‧控制器
308‧‧‧雷射
310‧‧‧基準
312‧‧‧圖案化植入位置
314‧‧‧圖案化罩幕
316‧‧‧開口
318、320‧‧‧邊緣
322、324‧‧‧角
326‧‧‧相聯記憶體
圖1是束線式離子植入器的方塊圖。
圖2A、圖2B以及圖2C是具有多個植入區之例示性基板的第一平面圖、第二平面圖以及第三平面圖。
圖3是用於獲得關於植入區之影像資訊以及用於在基板上建立基準的系統的示意圖。
圖4A及圖4B是包括基準標記以及多個植入位置之例示性基板的第一平面圖及第二平面圖。
圖5A、圖5B以及圖5C是包括基準標記以及多個植入位置之例示性基板的第一平面圖、第二平面圖以及第三平面圖。
圖6是繪示根據揭示之第一例示性方法的流程圖。
圖7是繪示根據揭示之第二例示性方法的流程圖。
圖8是繪示根據揭示之第三例示性方法的流程圖。
本揭示之裝置及方法是描述關於一種離子植入器。在具體指出之太陽能電池之離子植入中，所述植入器可與其他工件(例如，舉例而言，半導體晶圓、平面顯示器或發光二極體(LED))一起使用。因此，本發明不限於下述特定實施例。圖1是束線式離子植入器200的方塊圖。在一實施例中，此束線式離子植入器200可用於對太陽能基板進行摻雜。所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解束線式離子植入器200僅為多個可製造離子之束線式離子植入器的實例的其中之一。因此，本文所述之裝置及方法不僅限於圖1之束線式離子植入器200。此外，應暸解所述離子植入器不限制於“束線式”名稱，並且可包括基於電漿浸入式(plasma immersion)、淹沒式(flood)或其他電漿源名稱之植入器。
一般而言，束線式離子植入器200包括離子源280，以產生用於形成離子束281之離子。離子源280可包括離子腔室283，於其中將供應至離子腔室283的饋入氣體(feed gas)離子化。此等氣體可以是或可包括或含有氫、氦、其他稀有氣體、氧、氮、砷、硼、磷、鋁、銦、鎵、銻、碳硼烷(carborane)、烷(alkane)、其他大分子化合物或其他P型或N型摻雜物。可藉由一系列的萃取電極(extraction electrode)自離子腔室283萃取所產生之離子，以形成離子束281。特別的是，可藉由萃取電極部分(由離子腔室283之出口孔、抑制電極(suppression electrode)284以及接地電極 (ground electrode)285形成)自離子腔室283萃取離子。藉由質量分析器286(其包括解析磁鐵(resolving magnet)282以及具有解析孔289之遮蔽電極(masking electrode)288)來對離子束281進行質量分析。解析磁鐵282使在離子束281中的離子偏轉，使得僅具有所需質荷比(mass to charge ratio)(對應特定摻雜物離子物種)的離子穿過解析孔289。非需要的離子物種因其被遮蔽電極288阻擋而無法穿過解析孔289。
所需離子物種的離子穿過解析孔289至角度校正磁鐵294。角度校正磁鐵294使所需的離子物種的離子偏轉，且使離子束自發散離子束轉換為具有實質上平行之離子軌跡的帶狀離子束212。在一些實施例中，束線式離子植入器200可更包括加速單元及/或減速單元。加速及減速單元使用於離子植入系統中，以加速離子束或使離子束慢下來。速度調整是藉由將電壓位準(voltage potential)的特定組合施加到配置於離子束的相對側上的電極組來完成。隨著離子束在電極之間通過，離子能量根據所施加的電壓位準來增加或減少。由於離子植入的深度與碰撞離子束(impinging ion beam)的能量成正比，所以在進行深離子植入時可能需要束加速(beam acceleration)。相反地，在需要淺離子植入的情況下，進行束減速以確保碰撞離子僅行進到工件中較短距離。所繪示的實施例包含減速單元296。
終端台211包含平台295，其用以支撐一個或多個工件(例如，基板138)，所述平台295配置於帶狀離子束212的路徑中， 使得所需物種的離子植入到基板138中。基板138可為(例如)半導體晶圓、太陽能電池等。終端台211也可包括掃描器(未圖示)，其用於使基板138垂直於帶狀離子束212剖面的長軸(long dimension)移動，藉此將離子分佈在基板138的整個表面上。儘管繪示了帶狀離子束212，但其他實施例可提供點束(spot beam)。所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，在離子植入期間，離子束橫越的整個路徑都被抽真空(evacuate)。在一些實施例中，束線式離子植入器200亦可包括所屬技術領域中具有通常知識者已知的額外構件，且可合併離子的熱植入或冷植入。
離子植入到基板138中的深度是基於離子植入能量和離子質量。較小的電子元件尺寸需要以較低能量級(energy level)(例如2keV)植入的高束電流密度。當基板138為太陽能電池時，帶狀離子束212可以高束電流和大約1keV至10keV的能量進行植入。為了完成這種情況，使用處理腔室減速(process-chamber-deceleration,PCD)模式，其中離子束281和帶狀離子束212以相對高的能量透過束線式離子植入器200進行傳輸，且使用一個或多個減速單元296從終端台211的上游減速。例如，在藉由減速單元296進行減速之前，可以30keV至50keV的能量透過束線式離子植入器200來傳輸帶狀離子束212。
對於太陽能電池而言，帶狀離子束212以最大能量進行傳輸一直到達減速單元296，其中離子就在終端台211前被減速到所需的能量。例如，帶狀離子束212可在減速單元296之前具有 30keV的能量，且在減速單元296之後具有10keV的能量。這稱為3：1減速比(deceleration ratio)。根據所需的植入深度和特定植入處理，例如，可能為4：1或甚至50：1的更高減速比。
如前文所記載的，基板可經受多個連續植入步驟，以製造元件(例如太陽能電池)。亦如同所記載的，連續植入被精確地對位是重要的，以形成精細的結構(其為典型太陽能電池的一部分)。換言之，將後續之植入特徵定位在對應於前述植入特徵的特定位置是重要的。
參看圖2A至圖2C，展示在所有植入過程期間之各個步驟的例示性基板300(其可對應於一實施例中之基板138)。圖2A展示在圖案化離子植入步驟之後的基板300。如可見到，由於離子撞擊導致在基板材料中的組成與結構發生改變，因此多個植入特徵302在離子植入步驟之後為可見的。攝影機304(見圖3)可用來獲得植入特徵302所建立之圖案的影像。接著，可經攝影機304將影像資訊提供給控制器306。在一實施例中，攝影機304為電荷耦合二極體(CCD)攝影機。攝影機304亦可包含多種其他影像元件，包括紅外線攝影機、光二極體以及雷射。換言之，控制器306可控制雷射308以將基準310配置在基板300上對應於一個或多個植入特徵302的已知位置。或者，在攝影機304獲得藉由植入特徵302所建立之圖案的影像之前，雷射308可將基準310配置於基板300。在此另一實施例中，藉由攝影機304而提供給控制器306的影像資訊包括關於基準310之位置以及植入特徵302之位置 的資訊。這意味著可使用除了雷射以外的任何各種技術來將基準310配置在基板300上。例如，可使用噴墨技術、機械切割(mechanical scribe)、放電加工(electrical discharge machining,EDM)、蝕刻以及類似方法，將一個或多個基準310配置在基板300上。這也意味著控制器306可為束線式離子植入器200(圖1)的一部份，或其可為分離處理工具的一部份。
圖2B展示在配置基準310之後的基板300。所繪示的基準310以十字型(cross-shape)展示。然而，這並不重要，而是意味著基準310可採取任何各種形式，例如點或類似者之圖案。此外，儘管所述之基準310是經由雷射308而建立，其亦可取而以使用任何各種所需的其他技術來建立。
一但將基準310配置在基板300上(或中)，即可在基板上進行熱退火處理。熱退火通常用以“活化”所植入的摻雜物種以及修復由離子植入處理所導致的晶體缺陷。然而，此熱退火造成植入特徵302不再是可見的。這展示於圖2C中。然而，與植入特徵302不同，基準310在熱退火步驟之後仍然是可見的。在之後處理步驟期間，即使植入特徵302不再是可見的，仍可對應於基準310來進行對位，換言之，即使植入特徵302為不可見的，仍可確保與植入特徵302進行對位。舉例而言，作為後續之網版印刷步驟的一部分，攝影機304可用來定位基準310的位置並且提供此位置資訊給控制器306，換言之，其可指示適當調整網版的位置，以獲得與植入特徵302精確對位。
圖4A及4B展示一種在任何處理步驟之前或在第一圖案化離子植入步驟之前將基準310配置在基板300上之揭示方法的實施例。在此實施例中，使用攝影機304來判定基準310的位置，並且將此資訊提供給控制器306。可接著使用此位置資訊，以使束線式離子植入器200中的一個或多個罩幕與基板300進行對位。圖4A展示在離子植入之前的基板300。基準310如展示。圖4B再次展示在離子植入之前的基板300，其中透過圖案化罩幕314而可見到基準310以及多個圖案化植入位置312。圖案化植入位置312對應於在離子植入步驟期間中植入特徵所建立的位置。此技術的優點為其無需精確對位於基板之邊緣。換言之，在離子植入步驟期間，可將基板300放置於圖案化罩幕314下，其中圖案化罩幕314可包括開口316，並且攝影機304可透過開口316看到基準310。此圖案化罩幕314可由諸如石墨(graphite)或矽製造，並且可放置在基板300上游的一距離處。影像資訊可藉由攝影機304提供給控制器306(其可指示圖案化罩幕314的移動)，使得圖案化罩幕314與基準310對位，藉此完成與所得的植入特徵的精確對位。在本方法中，可完成主動回饋(active feedback)以及圖案化罩幕314的對位。
在另一實施例中，攝影機304可位於基板300放入束線式離子植入器200之前的最終處理站。為了定位而捕捉、校正基板300與基準310的影像，並且可將基板300移入植入器200中(其中可進行離子植入處理，以建立植入特徵)。
圖5A至圖5C繪示一種在任何處理步驟之前或至少在第一圖案化離子植入步驟(圖5A)之前將基準310配置在基板300上之揭示方法的實施例。在基準310的配置之後，量測基準310相對於基板300的邊緣318、邊緣320及/或角322、角324的位置(圖5B)。量測可以與用於偵測植入圖案(如前述方法的一部分)相同的設備來進行。舉例而言，在一實施例中，攝影機304可為電荷耦合元件攝影機，且攝影機304可用來偵測基準310。相對地，基板300的邊緣318、邊緣320同樣容易由攝影機304觀察。在一些實施例中，可提供基板300的背光，以助於偵測邊緣318、邊緣320。將此影像資訊提供給控制器306(其判定邊緣與基準的相對位置)，並且將資訊儲存於相聯記憶體(associated memory)326，使得在下游圖案化步驟期間，可再次使用攝影機304來觀察基板300，包括基準310(圖5C)的位置。使用前述獲得的關於基準之位置的量測數據，可相對於基板300的邊緣318、邊緣320及/或角322、角324來調整圖案化罩幕314之位置，以精確地將圖案化罩幕314與圖案化植入位置312對位。
此方法的優點為無需任何類型之邊緣記錄(registration)。額外的優點為其可使基準之位置得以被離線(offline)量測(亦即，在基板載入束線式離子植入器200之前)。可將位置資訊提供給控制器306，其可接著指示將圖案化罩幕314的位置相對於基板300以及相對於基準310進行調整。
本文所包括的內容為代表用於對基板進行對位之例示性 處理以進行連續植入操作的流程圖。當然，為了簡化解釋之目的，本文展示一個或多個處理，舉例而言，在流程圖或邏輯流程圖的格子中展示及描述一連串的動作，應被暸解及意味著所述處理不限於動作可能的次數，據此，以不同的次數進行及/或者與描述與展示於本文中之其他動作同時進行。舉例而言，所屬技術領域中具有通常知識者應暸解及意識到所述方法可選擇以一系列對應的步驟展示。又，並非所有在方法中繪示的步驟可為新穎實施所需要。
現將描述關於圖6之第一例示性邏輯流程圖。在步驟1000中，將離子植入於基板以建立多個植入特徵。在步驟1100中，使用例如攝影機來辨認多個植入特徵的位置。在步驟1200，在基板對應於多個植入特徵的至少其中之一的已知位置的表面上標記基準。在步驟1300中，在基板上進行熱退火處理，其中基準在熱退火處理之後仍然為可見的。在步驟1400中，將圖案化罩幕對於基準進行對位，藉此使圖案化罩幕中的開口可與在步驟1000中所建立的植入特徵對位。在步驟1500中，以圖案化罩幕在原位(in place)進行後續處理步驟(例如，離子植入處理)，以得到或維持與植入特徵進行對位。舉例而言，可使用如此的實施例來製造指叉狀背面電極(interdigitated back contact,IBC)太陽能電池(其同時需要n型摻雜與p型摻雜)，其可使用兩種不同的圖案化罩幕。在另一實施例中，後續處理步驟可為網版印刷或金屬化處理。
現將描述關於圖7之第二例示性邏輯流程圖。在步驟 2000中，在第一圖案化離子植入步驟之前，將基準配置在基板上。在步驟2100中，鄰近於基板提供圖案化罩幕，其中圖案化罩幕包括與基準對應的開口，以及對應於基板上將要植入離子之位置的多個開口。在步驟2200中，攝影機透過對應的開口看到基準，以判定基準在基板上的位置。在步驟2300中，提供關於基準的位置之資訊至控制器。在步驟2400中，控制器使用關於基準的位置的資訊，以指示圖案化罩幕對應於基板進行對位。在步驟2500中，以圖案化罩幕來原位(in place)植入離子，以在基板中形成多個植入特徵。此等實施例可用於將重摻雜線(heavily-doped line)配置在太陽能電池中，例如選擇性發射極(selective emitter,SE)太陽能電池。重摻雜線對應於基準之準確配置將能夠使得使用基準的之後的網版印刷或金屬化步驟能夠與重摻雜線對位。
現將描述關於圖8之第三例示性邏輯流程圖。在步驟3000中，在第一圖案化離子植入步驟之前，將基準配置在基板上。在步驟3100中，量測基準相對於基板的第一邊緣及第二邊緣及/或第一角及第二角的位置，以獲得基準的量測位置。在步驟3200中，將基準的量測位置提供給控制器，並且儲存於對應於控制器的記憶體中。在步驟3300中，鄰近於基板提供圖案化罩幕，其中圖案化罩幕包括與基準對應的開口，以及對應於基板上將要植入離子之位置的多個開口。在步驟3400中，攝影機透過對應的開口看到基準，以判定基準在基板上相對於基板的第一邊緣及第二邊緣及/或第一角及第二角的位置。在步驟3500中，將關於基準的位 置的資訊提供給控制器。在步驟3600中，控制器使用關於基準的位置的資訊，以指示圖案化罩幕對應於基板進行對位。在步驟3700中，以圖案化罩幕來原位(in place)植入離子，以在基板中形成多個植入特徵。關於基準相對於基板的第一邊緣及第二邊緣及/或第一角及第二角的位置的資訊亦可用於例如網版印刷之下游處理。
所揭示的元件的一些實施例可(例如)使用可存儲指令或指令集的存儲媒體、電腦可讀媒體或製造物品來實施，所述指令如果由機器執行，則可致使所述機器執行根據本發明的實施例的方法和/或操作。此機器可包括：(例如)任何合適的處理平台、計算平台、計算元件、處理元件、計算系統、處理系統、電腦、處理器或類似物，且可使用硬體和/或軟體的任何合適的組合來實施。電腦可讀媒體或物品可包括：(例如)任何合適類型的記憶體單元、記憶體元件、記憶體物品、記憶體媒體、存儲元件、存儲物品、存儲媒體和/或存儲單元，(例如)記憶體(包括非暫時性記憶體)、可拆卸或不可拆卸媒體、可抹除或不可抹除媒體、可寫入或可再寫入媒體、數位或類比媒體、硬碟(hard disk)、軟碟(floppy disk)、唯讀光碟記憶體(Compact Disk Read Only Memory,CD-ROM)、可記錄式光碟片(Compact Disk Recordable,CD-R)、可寫入式光碟片(Compact Disk Rewriteable,CD-RW)、光碟(optical disk)、磁性媒體、磁性光學媒體、可拆卸存儲卡或磁片、各種類型的數位多功能光碟(Digital Versatile Disk,DVD)、磁帶、盒式磁帶或類似物。指令可包括任何合適類型的代碼，例如，源代碼、 經編譯代碼、經翻譯代碼、可執行代碼、靜態代碼、動態代碼、經加密代碼及類似物，其使用任何合適的高階、低階、物件導向的(object oriented)、視覺化(visual)、編譯的(compilied)和/或直譯的(interpreted)程式語言來實施。
本揭示的範圍不應受本文所描述的具體實施例限制。實際上，所屬技術領域中具有通常知識者從以上描述和附圖將瞭解(除本文所描述的那些實施例和修改外)本揭示的其他各種實施例和對本揭示的修改。因此，此類其他實施例和修改既定屬於本揭示的範圍內。此外，儘管已出於特定目的而在本文中在特定環境中的特定實施方案的情境中描述了本揭示，但所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，其效用不限於此，且可出於任何數量的目的在任何數量的環境中有利地實施本發明。因此，應鑒於如本文所描述的本揭示的整個廣度和精神來解釋下文陳述的申請專利範圍。
138‧‧‧基板
200‧‧‧束線式離子植入器
211‧‧‧終端台
212‧‧‧帶狀離子束
280‧‧‧離子源
281‧‧‧離子束
282‧‧‧解析磁鐵
283‧‧‧離子腔室
284‧‧‧抑制電極
285‧‧‧接地電極
286‧‧‧質量分析器
288‧‧‧遮蔽電極
289‧‧‧解析孔
294‧‧‧角度校正磁鐵
295‧‧‧平台
296‧‧‧減速單元

Claims (17)

  1. 一種處理基板的方法，包含：將離子植入於基板，以建立植入特徵；判定所述植入特徵的位置；將基準配置於所述基板上對應於所述植入特徵的已知位置；在將所述離子植入於所述基板之後，對所述基板進行熱退火，其中所述植入特徵在所述熱退火之前為光學可見的，且所述植入特徵在所述熱退火之後為非光學可見的，並且其中所述基準在所述熱退火之後為光學可見的；在後續處理步驟中，偵測所述基準的位置；以及在所述後續處理步驟期間，使用所述基準的位置來與所述植入特徵對位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中判定所述植入特徵的位置包含偵測所述基準。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之處理基板的方法，其中判定所述植入特徵的位置包含以電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極體以及雷射的至少其中之一來偵測所述基準。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包含使用電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極體以及雷射的至少其中之一來調整罩幕的位置以與所述基準對位。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中在將所述離子植入於所述基板之前，將所述基準配置在所述基板上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中在將所述離子植入於所述基板之後，將所述基準配置在所述基板上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包含在將所述離子植入於所述基板之前，記錄所述基準至所述基板的邊緣或角的至少其中之一。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包含在將所述離子植入於所述基板之前，記錄所述基準至所述基板的第一鄰邊及第二鄰邊。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包含處理所述基板以製造太陽能電池。
  10. 一種用於植入工件的裝置，包含：離子植入器，用以將離子植入於基板，以建立植入特徵，其中所述植入特徵在熱退火之前為光學可見的，且所述植入特徵在所述熱退火之後為非光學可見的；基準標記元件，用以將基準施加於所述基板，其中所述基準標記元件經配置以施加所述基準，所述基準在所述熱退火之後仍為光學可見的；偵測器，用以偵測所述基準在所述基板上的位置；以及處理器，用來執行指令：判定所述基準的位置；調整罩幕的位置以與所述基準對位，藉此對所述罩幕進行對位；以及 使用所述離子植入器，透過所述罩幕將所述離子植入於所述基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之用於植入工件的裝置，更包含作動器，所述作動器經配置以移動所述罩幕以與所述基準對位。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之用於植入工件的裝置，其中所述偵測器是選自由電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極體以及雷射所組成的族群。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之用於植入工件的裝置，其中使用所述偵測器判定所述基準的位置。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之用於植入工件的裝置，其中所述基準標記元件包含雷射。
  15. 一種處理基板的方法，包含：將離子植入於基板，以建立光學可見的植入特徵；對所述基板進行熱退火，其中所述熱退火使得所述植入特徵為非光學可見的，其中在所述基板上的基準在所述熱退火之後為光學可見的；調整罩幕的位置，以與所述基準對位，藉此使所述罩幕與所述植入特徵對位；以及透過所述罩幕將所述離子植入於所述基板。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之處理基板的方法，包含在對所述基板進行所述熱退火之前，將所述基準施加於所述基板。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之處理基板的方法，包含判定自所述基準至所述基板之第一鄰邊及第二鄰邊的距離，以及在所述調整的步驟中使用判定的所述距離。
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