TWI500842B - 加熱地磚及使用該加熱地磚的加熱地板 - Google Patents

Description

加熱地磚及使用該加熱地磚的加熱地板

本發明涉及一種加熱地磚及使用該加熱地磚的加熱地板。

眾所周知，地板具有隔潮、耐涼、舒適等非常實用的功能，已逐漸成為家庭裝修的必需品，現在已進入絕大多數家庭。隨著人們生活水準的不斷提高，地板的使用功能也在不斷提高。在北方地區，為了解決冬季取暖問題，越來越多的家庭將取暖裝置設置在地面上，將其稱為地熱，替代設置在房間周圍的取暖裝置(暖氣片)。這樣，不但有效提高了室內空間的使用面積，方便了室內裝修，而且還使空間的溫度均衡，提高了熱效率。

先前技術中，一種地熱裝置係將暖氣管道埋在地板下，通過暖氣裝置加熱地板進行取暖。然而這種地熱裝置中，埋在地下的水管一旦發生洩漏，會大大增加維修難度及費用；另外，由於傳統的暖氣管道的溫度很難控制，對於暖器管道溫度較高的用戶，會造成室內溫度過高，經常開窗換熱造成能源浪費，對於暖氣管道溫度低的用戶，達不到加熱的效果。

有鑒於此，確有必要提供一種加熱地磚和加熱地板，該加熱地磚和加熱地板不會發生漏水現象且加熱溫度可以控制。

一種加熱地磚，包括一上基板、一下基板及一加熱模組。該加熱 模組設置於該上基板和下基板之間。該加熱模組包括一第一電極、一第二電極及一加熱元件。該第一電極及第二電極間隔設置於該加熱元件，與該加熱元件電連接。該加熱地磚具有一第一側面和與該第一側面相對的第二側面，該第一側面和第二側面由所述上基板和下基板的側面組成。該第一電極和第二電極的兩端分別暴露於該第一側面和第二側面。該加熱元件包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括至少一層奈米碳管膜，該奈米碳管膜包括複數個均勻分佈的奈米碳管。

一種加熱地板由複數個加熱地磚組成，該複數個加熱地磚相互排列形成複數個行和列。該加熱地磚包括一上基板、一下基板及一加熱模組。該加熱模組設置於該上基板和下基板之間。該加熱模組包括一第一電極、一第二電極及一加熱元件。該第一電極及第二電極間隔設置於該加熱元件的表面，與該加熱元件電連接。該加熱地磚具有一第一側面和與該第一側面相對的第二側面，該第一側面和第二側面由所述上基板和下基板的側面組成。該第一電電極和第二電極的兩端分別暴露於該第一側面和第二側面。加熱地板中同一列相鄰的兩個加熱地磚中，一個加熱地磚的第一側面和另一個加熱地磚第二側面相互接觸。同一列中的加熱地磚的第一電極相互串聯，第二電極相互串聯。該加熱元件包括一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括至少一層奈米碳管膜，該奈米碳管膜包括複數個均勻分佈的奈米碳管。

與先前技術相比較，所述加熱地磚和加熱地板中，採用奈米碳管結構作為加熱元件，利用焦耳熱加熱，無需水管，不會發生漏水現象；並且，通過控制加熱元件兩端的電壓和控制加熱元件的電 流可以控制加熱地磚和加熱地板的溫度。

10，20，30，40‧‧‧加熱地板

100，200，300，400‧‧‧加熱地磚

102，402‧‧‧上基板

1022‧‧‧上表面

1024‧‧‧下表面

104，404‧‧‧下基板

1042‧‧‧表面

106，406‧‧‧加熱模組

1002，2002，3002‧‧‧第一側面

1004，2004，3004‧‧‧第二側面

1062，3062，4062‧‧‧第一電極

1064，4064‧‧‧第二電極

1066，4066‧‧‧加熱元件

1068，2068‧‧‧第一導電片

2070‧‧‧第二導電片

3068‧‧‧第一彈片

3070‧‧‧第二彈片

2006‧‧‧凸出部

2008，3008‧‧‧凹陷部

3006‧‧‧套筒

圖1為本發明第一實施例的加熱地板的示意圖。

圖2為圖1中的加熱地板所用的加熱地磚的分解示意圖。

圖3為沿圖2中的加熱地磚的側視圖。

圖4為用作圖2中加熱地磚的加熱元件的奈米碳管拉膜的掃描電鏡照片。

圖5為用作圖2中加熱地磚的加熱元件的奈米碳管絮化膜的掃描電鏡照片。

圖6為用作圖2中加熱地磚的加熱元件的奈米碳管碾壓膜的掃描電鏡照片。

圖7為圖1中加熱地磚的包括有第一導電片的第一電極的結構示意圖。

圖8為本發明第二實施例的加熱地板的俯視圖。

圖9為圖8中加熱地板所用的加熱地磚的結構示意圖。

圖10為圖9中加熱地磚的側視圖。

圖11為本發明第三實施例的加熱地板的俯視圖。

圖12為圖11中加熱地板所用的加熱地磚的部分分解圖。

圖13為圖12中加熱地磚的結構示意圖。

圖14為圖13中加熱地磚沿XIV-XIV線的剖面示意圖。

圖15為本發明第四實施例所提供的加熱地板的俯視圖。

圖16為圖15中加熱地板所用的加熱地磚的結構示意圖。

以下將結合附圖及具體實施例對本發明的加熱地磚和加熱地板作進一步的詳細說明。

請參閱圖1，本發明第一實施例提供一種加熱地板10，該加熱地板10由複數個加熱地磚100拼接形成，該複數個加熱地磚100排列形成複數個行和列。該複數個加熱地磚100之間通過黏結劑(圖未示)連接。

請參見圖2及圖3，所述加熱地磚100包括一上基板102，一下基板104及一加熱模組106。所述加熱模組106設置於上基板102和下基板104之間。所述加熱模組106包括一加熱元件1066，一第一電極1062及一第二電極1064。第一電極1062和第二電極1064與加熱元件1066電連接，設置於加熱元件1066的兩端。所述加熱地磚100包括一第一側面1002和與該第一側面相對的第二側面1004。所述第一側面1002由上基板102和下基板104相對應的側面組成，所述第二側面1004由上基板102和下基板104的另一組相對應的側面組成。

所述下基板104用於支撐加熱模組106。所述下基板104包括一表面1042，加熱模組106與該表面1042相互接觸。該下基板104的材料為絕緣材料，包括陶瓷、木質材料、聚合物、橡膠等。優選地，下基板104為耐熱且具有一定絕熱效果的材料，如木質材料。所述下基板104的厚度不限，可根據實際需要，如加熱地磚100的 高度而設定。本實施例中，下基板104的厚度為0.5厘米~2厘米。

所述上基板102設置於加熱模組106的上方，用於保護加熱模組106不被外界污染，同時，可以防止加熱模組106與外界電接觸造成觸電。所述上基板102包括一上表面1022和與該上表面對應的下表面1024。所述上基板102的上表面1022可以設置不同的顏色或圖案，使該加熱地磚100較為美觀。所述上基板102的下表面1024與加熱模組106直接接觸，下表面1024設置有對應加熱模組106的形狀的凹槽，使加熱模組106對應設置於該凹槽中。該上基板102的材料為絕緣材料，包括陶瓷、木質材料、聚合物、橡膠等。優選地，上基板102為耐熱且具有一定絕熱效果的材料，如木質材料。

所述加熱元件1066可通過黏結劑黏附於下基板104的表面，也可以通過機械固定方式如螺栓等固定於下基板104的表面。本實施例中，加熱元件1066通過黏結劑(圖未示)黏附於下基板104的表面1042。所述加熱元件1066為一層狀結構，該加熱元件1066的面積小於下基板104的表面1042的面積，加熱元件1066的周邊位於表面1042的周邊之內，以防止加熱地磚100在拼接形成加熱地板10時，相鄰的加熱地磚100中的加熱元件1066之間因為相互接觸而發生短路現象。

所述加熱元件1066包括一奈米碳管層狀結構。所述奈米碳管層狀結構包括至少一層奈米碳管膜。當奈米碳管層狀結構包括至少兩層奈米碳管膜時，該至少兩層奈米碳管膜層疊設置或並排設置。所述奈米碳管膜包括均勻分佈的奈米碳管，奈米碳管之間通過凡德瓦爾力緊密結合。該奈米碳管膜中的奈米碳管為無序或有序排 列。這裏的無序排列指奈米碳管的排列方向無規律，這裏的有序排列指至少多數奈米碳管的排列方向具有一定規律。具體地，當奈米碳管膜包括無序排列的奈米碳管時，奈米碳管相互纏繞或者各向同性排列；當奈米碳管層狀結構包括有序排列的奈米碳管時，奈米碳管沿一個方向或者複數個方向擇優取向排列。本實施例中，優選地，所述奈米碳管層狀結構包括複數個層疊設置的奈米碳管膜，且該奈米碳管層狀結構的厚度優選為0.5奈米~1毫米。優選地，該奈米碳管層狀結構的厚度為100奈米~0.1毫米。所述奈米碳管層狀結構的單位面積熱容小於2×10^-4焦耳每平方厘米開爾文。優選地，所述奈米碳管層狀結構的單位面積熱容可以小於等於1.7×10^-6焦耳每平方厘米開爾文。由於奈米碳管的熱容較小，所以由該奈米碳管層狀結構構成的加熱元件具有較快的熱回應速度，可用於對物體進行快速加熱。可以理解，奈米碳管層狀結構的熱回應速度與其厚度有關。在相同面積的情況下，奈米碳管層狀結構的厚度越大，熱回應速度越慢；反之，奈米碳管層狀結構的厚度越小，熱回應速度越快。

請參閱圖4，所述奈米碳管膜可以為一奈米碳管拉膜。該奈米碳管拉膜為從奈米碳管陣列中直接拉取獲得的一種奈米碳管膜。每一奈米碳管膜係由若干奈米碳管組成的自支撐結構。所述若干奈米碳管為基本沿同一方向擇優取向排列。所述擇優取向係指在奈米碳管膜中大多數奈米碳管的整體延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多數奈米碳管的整體延伸方向基本平行於奈米碳管膜的表面。進一步地，所述奈米碳管膜中多數奈米碳管係通過凡德瓦爾力首尾相連。具體地，所述奈米碳管膜中基本朝同一方向延伸的大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰的奈米 碳管通過凡德瓦爾力首尾相連。當然，所述奈米碳管膜中存在少數隨機排列的奈米碳管，這些奈米碳管不會對奈米碳管膜中大多數奈米碳管的整體取向排列構成明顯影響。所述自支撐為奈米碳管膜不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態，即將該奈米碳管膜置於(或固定於)間隔一固定距離設置的兩個支撐體上時，位於兩個支撐體之間的奈米碳管膜能夠懸空保持自身膜狀狀態。所述自支撐主要通過奈米碳管膜中存在連續的通過凡德瓦爾力首尾相連延伸排列的奈米碳管而實現。

具體地，所述奈米碳管膜中基本朝同一方向延伸的多數奈米碳管，並非絕對的直線狀，可以適當的彎曲；或者並非完全按照延伸方向上排列，可以適當的偏離延伸方向。因此，不能排除奈米碳管膜的基本朝同一方向延伸的多數奈米碳管中並列的奈米碳管之間可能存在部分接觸。

所述奈米碳管拉膜的厚度為0.5奈米~100微米，寬度與拉取該奈米碳管拉膜的奈米碳管陣列的尺寸有關，長度不限。

當所述奈米碳管層狀結構採用奈米碳管拉膜時，其可以包括層疊設置的複數層奈米碳管拉膜，且相鄰兩層奈米碳管拉膜中的奈米碳管之間沿各層中奈米碳管的軸向形成一交叉角度α，α大於等於0度小於等於90度。所述複數個奈米碳管拉膜之間或一個奈米碳管拉膜之中的相鄰的奈米碳管之間具有間隙，從而在奈米碳管結構中形成複數個微孔，微孔的孔徑約小於10微米。

請參見圖5，所述奈米碳管膜還可以為一奈米碳管絮化膜。所述奈米碳管絮化膜為通過一絮化方法形成的奈米碳管膜。該奈米碳 管絮化膜包括相互纏繞且均勻分佈的奈米碳管。所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞，形成網狀結構。所述奈米碳管絮化膜各向同性。所述奈米碳管絮化膜的長度和寬度不限。由於在奈米碳管絮化膜中，奈米碳管相互纏繞，因此該奈米碳管絮化膜具有很好的柔韌性，且為一自支撐結構，可以彎曲折疊成任意形狀而不破裂。所述奈米碳管絮化膜的面積及厚度均不限，厚度為1微米~1毫米。

所述奈米碳管膜還可以為通過碾壓一奈米碳管陣列形成的奈米碳管碾壓膜。該奈米碳管碾壓膜包括均勻分佈的奈米碳管，奈米碳管沿同一方向或不同方向擇優取向排列。奈米碳管也可以係各向同性的。所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管相互部分交疊，並通過凡德瓦爾力相互吸引，緊密結合。所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管與形成奈米碳管陣列的生長基底的表面形成一夾角β，其中，β大於等於0度且小於等於15度。依據碾壓的方式不同，該奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管具有不同的排列形式。請參閱圖6，當沿同一方向碾壓時，奈米碳管沿一固定方向擇優取向排列。可以理解，當沿不同方向碾壓時，奈米碳管可沿複數個方向擇優取向排列。該奈米碳管碾壓膜厚度不限，優選為為1微米~1毫米。該奈米碳管碾壓膜的面積不限，由碾壓出膜的奈米碳管陣列的大小決定。當奈米碳管陣列的尺寸較大時，可以碾壓制得較大面積的奈米碳管碾壓膜。

所述第一電極1062和第二電極1064位於加熱元件1066的表面。所述之第一電極1062和第二電極1064可通過導電黏結劑(圖未示)設置於該加熱元件1066的表面，導電黏結劑在實現第一電極1062和 第二電極1064更好地固定於加熱元件1066的表面同時，還可以使第一電極1062和第二電極1064與加熱元件1066之間保持良好的電接觸。該導電黏結劑可以為銀膠。所述第一電極1062和第二電極1064由導電材料製成，其形狀不限，可為導電膜、金屬片或者金屬引線。優選地，該第一電極1062和第二電極1064分別為一層導電膜。當加熱地磚100為超薄的結構時，該導電膜的厚度為0.5奈米~100微米。該導電膜的材料可以為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物或導電性奈米碳管等。該金屬或合金材料可以為鋁、銅、鎢、鉬、金、鈦、釹、鈀、銫或其任意組合的合金。本實施例中，所述電極108的材料為金屬鈀膜，厚度為5微米。所述金屬鈀與奈米碳管之間具有較好的潤濕效果，有利於所述第一電極1062和第二電極1064與所述加熱元件1066之間形成良好的電接觸。

所述第一電極1062和第二電極1064的形狀為長條狀，第一電極1062和第二電極1064分別從加熱地磚100的第一側面1002向第二側面1004延伸。所述第一電極1062和第二電極1064的兩端分別暴露於該第一側面1002和第二側面1004。即，該第一電極1062和第二電極1064的兩端分別與該第一側面1002和第二側面1004齊平或者凸出於該第一側面1002和第二側面1004。優選地，第一電極1062和第二電極1064相互平行。請參見圖7，所述第一電極1062可進一步包括兩個第一導電片1068分別設置於該第一電極1062的兩端，形成一“I”型。由於第一電極1062從第一側面1002向第二側面1004延伸，其中一個第一導電片1068貼合設置於第一側面1002，另一個第一導電片1068貼合設置於第二側面1004。所述第二電極1064進一步包括兩個第二導電片(圖未示)設置於該第二電 極1064的兩端，形成一“I”型。其中一個第二導電片貼合設置於第一側面1002，另一個第二導電片貼合設置於第二側面1004。第一導電片1068和第二導電片的材料可以與第一電極1062或第二電極1064的材料相同也可以不同。可以理解，所述第一導電片1068也可以係由第一電極1062的凸出於加熱地磚100的第一側面1002和第二側面1004的兩端經彎折後形成。第一電極1062的兩端彎折後可以分別貼合於第一側面1002和第二側面1004，也可以分別與第一側面1002和第二側面1004呈一定角度設置，即形成一類似於彈片的結構。所述第二導電片也可以係由第二電極1064的凸出於加熱地磚100的第一側面1002和第二側面1004的兩端經彎折後形成。第二電極1064的兩端彎折後可以分別貼合於第一側面1002和第二側面1004，也可以分別與第一側面1002和第二側面1004呈一定角度設置，即形成一類似於彈片的結構。第一導電片1068和第二導電片的形狀不限，可以為圓形、方形或三角形。第一導電片1068和第二導電片可以使加熱地磚100在拼接形成加熱地板10時，相鄰的兩個加熱地磚100的兩個第一電極1062之間或兩個第二電極1064之間緊密接觸，實現良好的電接觸。

所述加熱地磚100還可以進一步包括一紅外反射膜(圖未示)設置於加熱元件1066與下基板104之間。所述紅外反射膜對紅外線和遠紅外線具有較高的反射效率。所述紅外反射膜的材料為絕緣材料，可以為TiO₂-Ag-TiO₂、ZnS-Ag-ZnS、AINO-Ag-AIN、Ta₂O₃-SiO₂或Nb₂O₃-SiO₂。該紅外反射膜通過塗敷或濺射的方式形成於下基板104的表面。所述紅外反射膜的厚度不限，本實施例中，紅外反射膜的厚度為10微米~500微米。由於加熱元件1066為一奈米碳管結構，奈米碳管結構的熱量很大一部份以紅外線或遠 紅外線的形式向外輻射，在加熱元件1066和下基板104之間設置一層紅外反射膜，可以將奈米碳管結構以紅外線或遠紅外線的形成輻射的熱量向遠離下基板104的方向反射，防止加熱元件1066產生的熱量通過下基板104向下傳播，使上基板102的溫度升高，有利於提高加熱地磚100的加熱效率。

所述加熱地板10由該複數個加熱地磚100拼接形成，該複數個加熱地磚100排列形成複數個行和列。同一行的相鄰的兩個加熱地磚100中，一個加熱地磚100的第一側面1002與另一個加熱地磚100的第二側面1004相互貼合，使該兩個加熱地磚100的第一電極1062相互接觸並電連接，該兩個加熱地磚100的第二電極1064相互接觸並電連接。按照這種排列方式，同一行的加熱地磚100的第一電極1062相互串聯，第二電極1064相互串聯。同一列的加熱地磚100之間相互絕緣。

該加熱地磚100在應用時，通過第一電極1062和第二電極1064向加熱元件1066施加電壓，使加熱元件1066在焦爾熱的作用下升高溫度，從而使該加熱地磚100的溫度升高。通過控制在第一電極1062和第二電極1064之間的電壓的大小可以控制加熱地磚100的溫度。所述由加熱地磚100拼接形成的加熱地板10在應用時，由於同一行的加熱地磚100之間相互串聯，將同一行的一個加熱地磚100的第一電極1062和第二電極1064分別接外部電路的正負極，即可以實現同一行的所有加熱地磚100溫度升高。將每一行的第一電極1062串聯，每一行的第二電極1064串聯後，分別接外部電路的正負極，即可以使加熱地板10的溫度升高。

本發明所提供的加熱地磚和加熱地板，由於加熱元件中採用奈米 碳管結構，具有以下優點：其一，該奈米碳管結構包括複數個奈米碳管，奈米碳管的密度較小，因此該加熱地磚和加熱地板的品質較小，便於應用。其二，且由於該奈米碳管結構包括至少一層奈米碳管膜，該奈米碳管膜的厚度最小可以達到0.5奈米，因此，加熱地磚和加熱地板可做成超薄的結構，應用時佔用的空間較小。其三，該奈米碳管層狀結構具有黑體結構，其熱量以熱輻射電磁波的形式傳遞，能發出紅外線電磁波。其四，該加熱地磚和加熱地板利用焦耳熱加熱，無需水管，不會發生漏水現象。其五，通過控制加熱元件兩端的電壓和控制加熱元件的電流可以控制加熱地磚和加熱地板的溫度。因此該加熱地磚和加熱地板的溫度便於控制。

請參見圖8，本發明第二實施例提供一種加熱地板20，該加熱地板20由複數個加熱地磚200拼接形成，該複數個加熱地磚200排列形成複數個行和列。本實施例所提供的加熱地板20與第一實施例所提供的加熱地板10的結構基本相同，其不同之處在於加熱地磚200之間的連接方式。

請參見圖9及圖10，所述加熱地磚200包括一第一側面2002和與該第一側面2002相對的第二側面2004。第一電極(圖未示)和第二電極(圖未示)的兩端分別暴露於該第一側面2002和第二側面2004。第一電極的兩端包括兩個第一導電片2068，該兩個第一導電片2068分別貼合設置於第一側面2002和第二側面2004。第二電極的兩端分別包括一個第二導電片2070，該兩個第二導電片2070分別貼合設置於第一側面2002和第二側面2004。所述加熱地磚200進一步包括一凸出部2006和一凹陷部2008。該凸出部2006從 該第一側面2002上凸出，該凹陷部2008從第二側面2004凹陷。所述凸出部2006與凹陷部2008的形狀和大小相同，在加熱地磚200上相對設置。

該加熱地磚200在相互拼接形成加熱地板20時，同一行中的相鄰的兩個加熱地磚200中，一個加熱地磚200的凸出部2006鑲嵌於另一個加熱地磚200的凹陷部2008。通過這種結合方式，可以使加熱地板20中，同一行的加熱地磚200結合牢固，不會發生錯位。可以理解的，該凸出部和凹陷部的形狀可以為心形、花瓣形等等其他形狀的相互配合的凹凸結構，從而組合後的加熱地板上一可以形成一種圖案，還可以使該加熱地板具有美觀的效果。

請參見圖11，本發明第三實施例提供一種加熱地板30，該加熱地板30由複數個加熱地磚300拼接形成，該複數個加熱地磚300排列形成複數個行和列。本實施例所提供的加熱地板30與第一實施例所提供的加熱地板10的結構基本相同，其不同之處在於加熱地磚300之間的連接方式。

請參見圖12、圖13及圖14，所述加熱地磚300包括一第一側面3002和與該第一側面3002相對的第二側面3004。第一電極3062和第二電極(圖未示)的兩端分別暴露於該第一側面3002和第二側面3004。所述第一電極3062的長度方向的兩端分別凸出於該第一側面3002和第二側面3004，該凸出的兩端彎折後分別與第一側面3002和第二側面3004呈一定角度，形成兩個第一彈片3068。所述第二電極的長度方向的兩端分別凸出於該第一側面3002和第二側面3004，該凸出的兩端彎折後分別與第一側面3002和第二側面3004呈一定角度，形成兩個第二彈片3070。

所述第一側面3002上進一步包括兩個套筒3006，該套筒3006為空心結構。所述套筒3006可通過黏結劑、機械固定方式如焊接、螺釘等固定於第一側面3002上。所述第一側面3002上還可以包括與該套筒3006形狀相同的環形凹槽(圖未示)，使該套筒3006插入該凹槽中，使該套筒3006更好的固定。所述第一電極3062形成的靠近第一側面3002的第一彈片3068設置於一個套筒3006的內部，所述第二電極形成的靠近第一側面3002的第二彈片3070設置於另一個套筒3006的內部。所述第二側面3004上進一步包括兩個凹陷部3008，所述第一電極3062形成的靠近第二側面3004的第一彈片3068設置於一個凹陷部3008的內部，所述第二電極形成的靠近第二側面3004的第二彈片3070設置於另一個凹陷部3008的內部。所述套筒3006和凹陷部3008的形狀相同，可以為筒狀、長方體狀、三棱柱狀等。本實施例中，所述套筒3006和凹陷部3008均為圓筒狀結構。所述套筒3006的外徑等於凹陷部3008的內徑，所述套筒3006凸出於該第一側面3002的長度小於或等於凹陷部3008的長度。

該加熱地磚300在拼接形成加熱地板30時，同一行的加熱地磚300中，兩個相鄰的加熱地磚300中，前一個加熱地磚300的第一側面3002與後一個加熱地磚300的第二側面3004相互接觸，使該兩個加熱地磚300中的前一個加熱地磚300的套筒3006插於後一個加熱地磚300的凹陷部3008，從而使前一個加熱地磚300的第一電極3062和第二電極分別與後一個加熱地磚300的第一電極3062和第二電極分別電連接。該加熱地板30中的加熱地磚300通過上述連接方式連接，不易發生錯位。同時，由於每個加熱地磚300的第一電極3062和第二電極均位於套筒3006或凹陷部3008的內部，兩 個加熱地磚300拼接形成的接縫處即使有漏水現象也不會使加熱地磚300之間發生短路。

請參閱圖15，本發明第四實施例提供一種加熱地板40，該加熱地板10由複數個加熱地磚400拼接形成，該複數個加熱地磚100排列形成複數個行和列。

請參見圖16，所述加熱地磚400包括一上基板402，一下基板404及一加熱模組406。所述加熱模組406包括一加熱元件4066，一第一電極4062及一第二電極4064。第一電極4062和第二電極4064與加熱元件4066電連接，設置於加熱元件4066的兩端。

本實施例所提供的加熱地板40和加熱地磚400與第一實施利所提供的加熱地板10和加熱地磚100的結構相同，其區別在於，本實施例所提供的加熱地板40和加熱地磚400為透明結構。所述上基板402為一透明或半透明的基板，該上基板402的材料包括玻璃、高分子材料等。所述下基板404也可以為一透明或半透明的基板。

由於加熱元件4066為一奈米碳管結構，該奈米碳管結構包括複數個均勻分佈的奈米碳管。奈米碳管結構溫度升高時，很大一部分熱量以紅外線和遠紅外線的形式傳播，當上基板402為透明或半透明基板時，奈米碳管結構發出的紅外線或遠紅外線從上基板402有較高的透過率，對人體具有一定的益處。同時，奈米碳管結構的溫度達到一定值時，可以發光，光通過上基板402還可以具有一定的照明效果。當然，當奈米碳管結構溫度過高時，可以在上基板402上增加一層透明絕熱板，使奈米碳管結構產生的溫度保持在人體可接受的範圍。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧加熱地磚

102‧‧‧上基板

1022‧‧‧上表面

1024‧‧‧下表面

104‧‧‧下基板

1042‧‧‧表面

106‧‧‧加熱模組

1062‧‧‧第一電極

1064‧‧‧第二電極

1066‧‧‧加熱元件

Claims (16)

1. 一種加熱地磚，其包括：一上基板及一下基板；一加熱模組，該加熱模組設置於該上基板和下基板之間，該加熱模組包括一加熱元件、一第一電極及一第二電極，該第一電極和第二電極與該加熱元件相互接觸；一第一側面及與該第一側面相對的第二側面，該第一側面和第二側面由上基板和下基板的側面組成，所述第一電極和第二電極分別從第一側面延伸至第二側面，第一電極和第二電極的兩端分別暴露於第一側面和第二側面；其改良在於，所述加熱元件由一奈米碳管結構組成，該奈米碳管結構由至少一層奈米碳管膜組成，該奈米碳管膜由複數個均勻分佈的奈米碳管組成。
2. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，所述第一電極進一步包括兩個第一導電片分別設置於該第一電極的兩端並分別貼合於第一側面和第二側面設置。
3. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，所述第二電極進一步包括兩個第二導電片分別設置於該第二電極的兩端並分別貼合於第一側面和第二側面設置。
4. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，進一步包括一紅外反射膜設置於加熱元件與下基板之間，該紅外反射膜用於反射紅外線和遠紅外線。
5. 如請求項第4項所述之加熱地磚，其中，所述紅外反射膜的材料為TiO₂-Ag-TiO₂、ZnS-Ag-ZnS、AINO-Ag-AIN、Ta₂O₃-SiO₂或 Nb₂O₃-SiO₂。
6. 如請求項第4項所述之加熱地磚，其中，所述紅外反射膜的厚度為10微米~500微米。
7. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，所述奈米碳管膜中的奈米碳管基本朝同一方向延伸。
8. 如請求項第7項所述之加熱地磚，其中，所述奈米碳管中的大多數奈米碳管通過凡德瓦爾力首尾相連。
9. 如請求項第7項所述之加熱地磚，其中，所述第一電極和第二電極相互平行，奈米碳管的延伸方向基本垂直於第一電極和第二電極。
10. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，進一步包括一凸出部和一凹陷部，所述凸出部凸出於該第一側面，所述凹陷部凹陷於該第二側面，所述凸出部和所述凹陷部形狀和大小相同，且相對設置。
11. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，所述第一電極長度方向的兩端分別凸出於該第一側面和第二側面形成兩個第一彈片，第二電極長度方向的兩端分別凸出於該第一側面和第二側面形成兩個第二彈片。
12. 如請求項第11項所述之加熱地磚，其中，進一步包括兩個套筒和兩個凹陷部，所述兩個套筒為空心結構且凸出於該第一側面，所述兩個凹陷部凹陷於該第二側面，該套筒和該凹陷部的形狀相同。
13. 如請求項第12項所述之加熱地磚，其中，所述靠近第一側面的第一彈片和第二彈片位於分別位於該兩個套筒的內部，靠近第二側面的第一彈片和第二彈片分別位於該兩個凹陷部的內部。
14. 如請求項第1項所述之加熱地磚，其中，所述上基板為一透明或半透明基板。
15. 一種加熱地板，該加熱地板由複數個加熱地磚拼接形成，該複數個加熱地磚排列形成複數個行和列，所述加熱地磚包括： 一上基板及一下基板；一加熱模組，該加熱模組設置於該上基板和下基板之間，該加熱模組包括一加熱元件、一第一電極及一第二電極，該第一電極和第二電極與該加熱元件相互接觸；一第一側面及與該第一側面相對的第二側面，該第一側面和第二側面由上基板和下基板的側面組成，所述第一電極和第二電極分別從第一側面延伸至第二側面，第一電極和第二電極的兩端分別與第一側面和第二側面齊平；同一行的相鄰的兩個加熱地磚中，第一電極相互接觸，第二電極相互接觸使該相鄰的兩個加熱地磚相互串聯；其改良在於，所述加熱元件由一奈米碳管結構組成，該奈米碳管結構由複數個均勻分佈的奈米碳管組成。
16. 如請求項第15項所述之加熱地板，其中，所述加熱地磚包括相對設置的第一側面和第二側面，並進一步包括一凸出部凸出於第一側面和一凹陷部凹陷於第二側面，同一行相鄰的兩個加熱地磚中一個加熱地磚的凸出部鑲嵌於另一個加熱地磚的凹陷部。