TWI487426B - 電取暖器 - Google Patents

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TWI487426B
TWI487426B TW098130941A TW98130941A TWI487426B TW I487426 B TWI487426 B TW I487426B TW 098130941 A TW098130941 A TW 098130941A TW 98130941 A TW98130941 A TW 98130941A TW I487426 B TWI487426 B TW I487426B
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Chen Feng
Kai-Li Jiang
Liang Liu
Shou-Shan Fan
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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Description

電取暖器
本發明涉及一種電取暖器。
電取暖器係將電能轉換成熱能,從而使周圍環境升溫達到加熱周圍環境的效果。電取暖器中起到加熱作用的元件為加熱元件,通過在該加熱元件上施加一定的電壓,使加熱元件中有電流流過,電能便由該加熱元件轉換成焦耳熱,從而使周圍環境升溫。
先前的電取暖器的加熱元件通常採用金屬絲,如鉻鎳合金絲、銅絲、鉬絲或鎢絲等通過鋪設於一基體上或纏繞於一支撐體上的方式形成。然而,採用金屬絲作為加熱元件的電取暖器具有以下缺點:其一,金屬絲密度較大,重量較重,因此,該電取暖器重量較大,牆壁承重較大,容易對牆壁造成損害。其二,採用金屬絲做加熱元件時,金屬絲的直徑較小,不易製備面積較大的電取暖器,因此電取暖器的加熱面積有限。
有鑒於此,提供一種重量較輕且加熱面積較大的電取暖器實為必要。
一種電取暖器,其包括一底座,一支架以及一機頭。該支架固定 於該底座,該機頭活動固定於該支架。所述機頭包括一支撐結構,及至少一加熱模組,該至少一加熱模組設置於該支撐結構,所述加熱模組包括一加熱元件和至少兩個電極,該至少兩個電極分別與該加熱元件電連接。所述支撐結構包括一表面,該表面進一步包括由複數個凹部或凸部形成的圖形化結構,所述加熱元件相對於該凹部或凸部對應的位置至少部分懸空,所述加熱元件包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構包括複數個奈米碳管。
與先前技術相比較,本發明所提供的電取暖器採用奈米碳管層結構作為加熱元件,具有以下優點:其一,所述奈米碳管的密度較小,因此加熱元件重量較輕,故該電取暖器重量較輕,使用方便;其二,該加熱元件為一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構可具有較大的面積,因此,該電取暖器的加熱面積較大。
10,20,30,40,50‧‧‧電取暖器
12,22,32,42,52‧‧‧底座
122,222,322,422,522‧‧‧電源插頭
124,224,324,424,524‧‧‧控制開關
14,24,34,44,54‧‧‧支架
142,242,342,442,542‧‧‧活動裝置
16,26,36,46,56‧‧‧機頭
160,260,360,460,560‧‧‧支撐結構
1602,2602,3602,4602,5602‧‧‧連接部
162,262,462,562‧‧‧加熱模組
1620,2620,4620,5620‧‧‧加熱元件
1622,2622,4622,5622‧‧‧電極
164,264,564‧‧‧保護結構
212‧‧‧反射層
214‧‧‧絕緣層
362‧‧‧第一加熱模組
366‧‧‧第二加熱模組
3620‧‧‧第一加熱元件
3660‧‧‧第二加熱元件
3622‧‧‧第一電極
3662‧‧‧第二電極
3604‧‧‧第一表面
3606‧‧‧第二表面
364,464‧‧‧第一保護結構
368,468‧‧‧第二保護結構
4604‧‧‧第一側板
4606‧‧‧第二側板
4608,4610‧‧‧孔
5604‧‧‧凹部
圖1係本發明第一實施例提供的電取暖器的分解結構示意圖。
圖2係本發明第一實施例提供的電取暖器中加熱元件採用的奈米碳管拉膜的掃描電鏡照片。
圖3係本發明第一實施例提供的電取暖器中加熱元件採用的奈米碳管絮化膜的掃描電鏡照片。
圖4係本發明第一實施例提供的電取暖器中加熱元件採用的奈米碳管碾壓膜的掃描電鏡照片。
圖5係本發明第二實施例提供的電取暖器的分解結構示意圖。
圖6係本發明第三實施例提供的電取暖器的分解結構示意圖。
圖7係本發明第四實施例提供的電取暖器的分解結構示意圖。
圖8係本發明第五實施例提供的電取暖器的分解結構示意圖。
以下將結合附圖詳細說明本發明實施例的電取暖器。
請參見圖1,為本發明第一實施例提供的一種電取暖器10。該電取暖器10包括一底座12,一支架14及安裝於支架14上的機頭16。
所述底座12包括電源插頭122和控制開關124。電源插頭122用於電性連接外部電源,使整個電取暖器10處於通電狀態。控制開關124用於控制電取暖器10的工作狀態,包括電取暖器10的工作溫度,工作時間及機頭16的加熱方向等。
所述支架14用於支撐機頭16以及連接該機頭16和底座12。該支架14的一端設置有活動裝置142。該活動裝置142可控制機頭16在水平方向上360度轉動。該支架14的內部設置有電路系統(圖未示),負責控制整個電取暖器10的工作。本實施例中,該支架14為一套管型支架,可通過調節該支架14的高度使機頭16在豎直方向上移動。
所述機頭16包括一支撐結構160,一加熱模組162及一保護結構164。所述支撐結構160包括一連接部1602,該連接部1602與支架14一端的活動裝置142活動連接。該支撐結構160用於支撐和固定該加熱模組162。該加熱模組162位於保護結構164與支撐結構160之間。
所述支撐結構160的形狀不限,可為無孔板狀結構、複數孔板狀結構或框狀結構。所述支撐結構160的材料為絕緣材料,包括玻璃、陶瓷、塑膠或木質材料。所述支撐結構160還可為表面塗覆有絕緣材料的導電材料,該導電材料包括不銹鋼、金屬等。本實施例中,所述支撐結構160為一無孔板狀結構。該支撐結構160的厚度不限,優選為1毫米~2厘米。當電取暖器10為一超薄結構時,該支撐結構160的厚度為10微米~1毫米。所述支撐結構160的大小不限,可根據加熱空間的大小進行定制。
所述加熱模組162設置於支撐結構160上並被支撐結構160支撐。所述加熱模組162包括一加熱元件1620及至少兩個電極1622。所述加熱元件162固定於支撐結構160的表面。加熱元件162可通過黏結劑黏附於支撐結構160的表面,也可通過機械固定方式如螺栓等固定於支撐結構160的表面。本實施例中,加熱元件162通過黏結劑(圖未示)黏附於支撐結構160的表面。所述至少兩個電極1622與該加熱元件1620電連接。所述至少兩個電極1622可設置於加熱元件160的同一表面或不同表面。本實施例中,至少兩個電極1622位於加熱元件160的同一表面,通過導電黏結劑固定,並通過電極引線(圖未示)與支架14內部的電路系統電連接。
所述加熱元件1620包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構包括至少一層奈米碳管膜。當奈米碳管層狀結構包括至少兩層奈米碳管膜時,該至少兩層奈米碳管膜層疊設置或並排設置。所述奈米碳管膜包括均勻分佈的奈米碳管,奈米碳管之間通過凡德瓦爾力緊密結合。該奈米碳管膜中的奈米碳管為無序或有序排列 。這里的無序排列指奈米碳管的排列方向無規律,這里的有序排列指至少複數奈米碳管的排列方向具有一定規律。具體地,當奈米碳管膜包括無序排列的奈米碳管時,奈米碳管相互纏繞或者各向同性排列;當奈米碳管層狀結構包括有序排列的奈米碳管時,奈米碳管沿一個方向或者複數個方向擇優取向排列。當該奈米碳管層狀結構中奈米碳管有序排列時,該奈米碳管的排列方向可垂直於電極1622的排列方向。本實施例中,優選地,所述奈米碳管層狀結構包括複數個層疊設置的奈米碳管膜,且該奈米碳管層狀結構的厚度優選為0.5奈米~1毫米。所述奈米碳管層狀結構的單位面積熱容小於2×10-4焦耳每平方厘米開爾文。優選地,所述奈米碳管層狀結構的單位面積熱容可小於等於1.7×10-6焦耳每平方壓米開爾文。可理解,奈米碳管層狀結構的熱回應速度與其厚度有關。在相同面積的情況下,奈米碳管層狀結構的厚度越大,熱回應速度越慢;反之,奈米碳管層狀結構的厚度越小,熱回應速度越快。
所述奈米碳管膜可為從一奈米碳管陣列中拉取所獲得的奈米碳管拉膜。請參見圖2,奈米碳管拉膜包括複數個沿同一方向擇優取向且平行於奈米碳管拉膜表面排列的奈米碳管。所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力首尾相連。奈米碳管拉膜包括複數個連續且定向排列的奈米碳管片段。該複數個奈米碳管片段通過凡德瓦爾力首尾相連。每一奈米碳管片段包括複數個相互平行的奈米碳管,該複數個相互平行的奈米碳管通過凡德瓦爾力緊密連接。所述奈米碳管拉膜的厚度為0.5奈米~100微米,寬度與拉取該奈米碳管 拉膜的奈米碳管陣列的尺寸有關,長度不限。可理解,當該奈米碳管層狀結構由奈米碳管拉膜組成,且該奈米碳管層狀結構的厚度比較小時,例如小於10微米,該奈米碳管層狀結構有很好的透明度,其透光率可達到90%。當該電取暖器100的基板102和保溫板104均採用透明材料時,採用透明的奈米碳管層狀結構可得到一透明的電取暖器,美觀大方。該奈米碳管拉膜的面積不限,由拉出膜的奈米碳管陣列的大小決定。當奈米碳管陣列的尺寸較大時,可拉出較大面積的奈米碳管拉膜,因此,可製得面積較大的電取暖器,從而使該電取暖器具有較大的加熱面積。
所述奈米碳管絮化膜為通過一絮化方法形成的奈米碳管膜。請參見圖3,該奈米碳管絮化膜包括相互纏繞且均勻分佈的奈米碳管。所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網路狀結構。所述奈米碳管絮化膜各向同性。所述奈米碳管絮化膜的長度和寬度不限。由於在奈米碳管絮化膜中,奈米碳管相互纏繞,因此該奈米碳管絮化膜具有很好的柔韌性,且為一自支撐結構,可彎曲折疊成任意形狀而不破裂。所述奈米碳管絮化膜的面積及厚度均不限,厚度為1微米~1毫米,優選為100微米。
所述奈米碳管膜還可為通過碾壓一奈米碳管陣列形成的奈米碳管碾壓膜。該奈米碳管碾壓膜包括均勻分佈的奈米碳管,奈米碳管沿同一方向或不同方向擇優取向排列。奈米碳管也可係各向同性的。所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管相互部分交疊,並通過凡德瓦爾力相互吸引,緊密結合。所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管與形成奈米碳管陣列的生長基底的表面形成一夾角β,其中, β大於等於0度且小於等於15度。依據碾壓的方式不同,該奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管具有不同的排列形式。請參閱圖4,當沿同一方向碾壓時,奈米碳管沿一固定方向擇優取向排列。可理解,當沿不同方向碾壓時,奈米碳管可沿複數個方向擇優取向排列。該奈米碳管碾壓膜厚度不限,優選為為1微米~1毫米。該奈米碳管碾壓膜的面積不限,由碾壓出膜的奈米碳管陣列的大小決定。當奈米碳管陣列的尺寸較大時,可碾壓製得較大面積的奈米碳管碾壓膜,因此,可制得面積較大的電取暖器,從而使該電取暖器具有較大的加熱面積。
所述至少兩個電極1622設置於加熱元件1620的表面。所述之至少兩個電極1622可通過一導電黏結劑(圖未示)設置於該加熱元件1620的表面,導電黏結劑在實現電極1622更好地固定於加熱元件1620的表面同時,還可使電極1622與加熱元件1620之間保持良好的電接觸。該導電黏結劑可為銀膠。所述至少兩個電極1622由導電材料製成,其形狀不限,可為導電膜、金屬片或者金屬引線。優選地,該至少兩個電極1622分別為一層導電膜。當電取暖器100為超薄的結構時,該導電膜的厚度為0.5奈米~100微米。該導電膜的材料可為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物或導電性奈米碳管等。該金屬或合金材料可為鋁、銅、鎢、鉬、金、鈦、釹、鈀、銫或其任意組合的合金。本實施例中,所述電極108的材料為金屬鈀膜,厚度為5微米。所述金屬鈀與奈米碳管具有較好的潤濕效果,有利於所述電極1622與所述加熱元件1620之間形成良好的電接觸,減 少歐姆接觸電阻。所述至少兩個電極1622分別通過電極引線(圖未示)與支架14中的電路電連接。
所述電取暖器10可包括複數個電極與所述加熱元件1620電連接,其數量不限,以通過控制不同的電極從而實現加熱元件1620有選擇的加熱。該複數個電極中任意兩個電極可分別與外部電路電連接,使電連接於該兩個電極之間的加熱元件1620工作。優選地,該複數個電極中的任意兩個相鄰的電極通過電極引線分別與外部電源電連接,即交替間隔設置的電極同時接正極或負極,使每兩個相鄰的電極之間的加熱元件相互並聯,從而可減小加熱元件的方塊電阻。
所述保護結構164用於保護加熱元件1620,防止加熱元件1620因外界污染遭受損壞,或者防止該電取暖器100在使用時造成觸電傷害。所述保護結構164的材料不限,可為絕緣材料也可為導電材料,只需滿足其具有較好的耐熱性能即可。所述保護結構164的材料可選擇為導電材料,如金屬,也可為絕緣材料,如塑料、橡膠等。所述金屬包括不銹鋼、碳鋼、銅、鎳、鈦、鋅及鋁等中的一種或複數種。可理解,當保護結構164的材料為絕緣材料時,其可與加熱元件1620和至少兩個電極1622直接接觸。當保護結構1620的材料為導電材料時,應確保保護結構164與加熱元件1620間隔絕緣設置。所述保護結構164可為一複數孔結構,如柵網,也可為一無孔結構,如玻璃板等。本實施例中,所述保護結構164為一具有柵網結構的凹槽。保護結構164的四周固定於支撐結構160的四周。所述保護結構164與支撐結構160之間形成一空 間,所述加熱模組162設置於該空間內部,加熱模組162與保護結構162之間間隔設置。所述保護結構164的固定方式不限,可通過螺栓、黏結、鉚接等方式固定,本實施例中,保護結構通過四個螺孔(圖未示)固定於支撐結構160上。由於該保護結構164與加熱元件1620間隔一定空間設置,所以,該保護結構164的材料可為導電材料。可理解,導電材料一般具有較好的導熱性,當保護結構164的材料為導電材料時,該電取暖器10具有較好的散熱效果和較高的加熱效率。
本實施例提供的電取暖器10,由於加熱元件1620中採用奈米碳管層狀結構,具有以下優點:其一,該奈米碳管層狀結構包括複數個奈米碳管,奈米碳管的密度較小,具有該加熱元件1620的機頭16的重量較輕,故該機頭16對支架14的強度的要求不高,可降低電取暖器10的成本,同時,由於機頭16的重量較輕,因此該電取暖器10重量較輕,更加便於應用。其二,且由於該奈米碳管層狀結構包括至少一層奈米碳管膜,該奈米碳管膜的厚度最小可達到0.5奈米,因此,該電取暖器10可做成超薄的結構,應用時佔用的空間較小,特別適合在空間較小的房間使用且較為美觀。其三,奈米碳管層狀結構由奈米碳管膜構成,由於可較為簡單的獲得面積較大的奈米碳管膜,因此,該奈米碳管層狀結構可具有較大的面積,可以簡單的工藝獲得加熱面積較大的電取暖器10。其四,該奈米碳管層狀結構具有黑體結構,其熱量以熱輻射電磁波的形式傳遞,能發出紅外線電磁波。
請參見圖5,本發明第二實施例提供一種電取暖器20。該電取暖 器20包括一底座22,一支架24及安裝於支架24上的機頭26。所述底座22包括電源插頭222和控制開關224。所述支架24用於支撐機頭26。該支架24的一端設置有活動裝置242。該活動裝置242可控制機頭26在水平方向上360度轉動。該支架24的內部設置有電路系統(圖未示),負責控制整個電取暖器20的工作。由於支架24的高度可調,故,該支架24支撐的機頭26的可在豎直方向的高度可調節。所述機頭26包括一支撐結構260,一加熱模組262,一保護結構264。所述支撐結構260包括一連接部2602,該連接部2602與支架204一端的活動裝置242活動連接。該加熱模組262位於支撐結構260與保護結構264之間。該加熱模組262包括一加熱元件2620及兩個電極2622。該加熱元件2620包括一奈米碳管層狀結構。
本實施例所提供的電取暖器20與第一實施例提供的電取暖器100的結構基本相同,其區別在於,本實施例所提供的電取暖器200包括一反射層212及一絕緣層214設置於支撐結構260與加熱模組262之間。所述反射層212設置於支撐結構260的表面,所述絕緣層214設置於反射層212的表面,所述加熱模組262設置於絕緣層214的表面。即,支撐結構260、反射層212,絕緣層214和加熱模組262依次設置,形成一複數層結構。
所述熱反射層212用於反射加熱元件2620所發出的熱量,使其熱量有效地朝遠離支撐結構260的一側發散,實現電取暖器20單面加熱。熱反射層212的材料可為白色絕緣材料,如:金屬氧化物、金屬鹽、或陶瓷等。熱反射層212也可為導電材料,如金屬, 包括銀、鋁、鋁、金或合金等。熱反射層212的厚度不限,優選為1微米~1毫米。本實施例中,熱反射層212的材料為鋁箔,其厚度為0.1毫米。所述絕緣層214用於使熱反射層212和加熱元件2620絕緣設置。可理解,當熱反射層212的材料為絕緣材料時,無需設置絕緣層214於熱反射層212和加熱元件2620之間。所述絕緣層214的材料為絕緣材料,如陶瓷、塑膠、玻璃等。絕緣層214的厚度不限,優選為1微米~1毫米。本實施例中,絕緣層214的材料為陶瓷,其厚度為10微米。所述絕緣層214靠近加熱元件2620的表面可進一步包括由至少一個凹部(圖未示)或凸部(圖未示)組成的圖形化結構,所述加熱元件2620在該凹部或凸部對應的位置至少部分懸空設置。所述凹部或凸部在所述絕緣層214的表面的形狀為點狀或線狀。優選地,所述複數個點狀結構在所述絕緣層214的表面均勻分佈,所述複數個線狀結構在所述絕緣層214的表面相互平行且間隔設置。所述絕緣層214的圖形化結構可使加熱元件2620部分懸空設置,減少加熱元件2620與絕緣層214的接觸面積,防止加熱元件2620產生的熱量被絕緣層214吸收,影响電取暖器20的加熱效率。
本實施例所提供的電取暖器20在支撐結構260與加熱元件2620之間設置一熱反射層212,使加熱元件206產生的熱量朝遠離支撐結構260的一側發散。加熱元件2620包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構包括複數個奈米碳管,可理解,奈米碳管產生的熱量主要以電磁波的形式傳播,對於以電磁波形式傳播的熱量,熱反射層212可有效的將熱量反射至另一方向,提高了該電取 暖器20的單面加熱的效率,同時可保護所述支撐結構260,防止當奈米碳管層狀結構所產生的溫度較高時損壞支撐結構260。
請參見圖6,本發明第三實施例提供一種電取暖器30。該電取暖器30包括一底座32,一支架34及安裝於支架34上的機頭36。所述底座32包括電源插頭322和控制開關324。所述支架34用於支撐機頭36。該支架34的一端設置有活動裝置342。該活動裝置342可控制機頭36在水平方向上360度轉動。該支架314的高度可調,也可使機頭36在豎直方向上移動。該支架34的內部設置有電路系統(圖未示),負責控制整個電取暖器30的工作。
所述機頭36包括一支撐結構360,一第一加熱模組362,一第一保護結構364。所述支撐結構360包括一連接部3602,該連接部3602與支架34一端的活動裝置342活動連接。該支撐結構360包括一第一表面3604和與該第一表面3604相對的第二表面3606。該第一加熱模組362設置於支撐結構360的第一表面3604,位於第一表面3604與第一保護結構364之間。該第一加熱模組362包括一第一加熱元件3620及兩個第一電極3622。該第一加熱元件3620包括一奈米碳管層狀結構。
本實施例所提供的電取暖器30與第一實施例提供的電取暖器10的結構基本相同,其區別在於,本實施例所提供的電取暖器30進一步包括一第二加熱模組366及一第二保護結構368。該第二加熱模組366及一第二保護結構368皆設置於所述機頭36上。所述第二加熱模組366設置於支撐結構360的第二表面3606,位於第二表面3606與第二保護結構368之間。所述第二加熱模組366包括一第二 加熱元件3660及兩個第二電極3662。第二加熱元件3660包括一奈米碳管層狀結構。第二加熱模組366的結構與第一加熱模組362的結構相同。所述第二保護結構368的結構與第一保護結構364的結構相同。
本實施例所提供的電取暖器30,通過設置第二加熱模組366可使該電取暖器30實現較高效率的雙面加熱,具有較大的有效加熱範圍,適合在辦公室、酒店大堂或者會議室等場所應用。
請參見圖7,本發明第四實施例提供一種電取暖器40。該電取暖器40包括一底座42,一支架44及安裝於支架44上的機頭46。所述底座42包括電源插頭422和控制開關424。所述支架44用於支撐機頭46。該支架44的一端設置有活動裝置442。該活動裝置442可控制機頭46在水平方向上360度轉動。該支架44的內部設置有電路系統(圖未示),負責控制整個電取暖器40的工作。所述機頭46包括一支撐結構460,一加熱模組462,一第一保護結構464及以第二保護結構468。所述支撐結構460包括一連接部4602,該連接部4602與支架44一端的活動裝置442活動連接。該加熱模組462設置於支撐結構460上。該加熱模組462包括一加熱元件4620及四個電極4622。該加熱元件4620包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構的厚度小於10微米。
本實施例所提供的電取暖器40與第一實施例所提供的電取暖器10的結構基本相同,其區別在於支撐結構460的形狀、加熱模組462與支撐結構460的位置關係以及電極4622的數量與第一實施例所提供的電取暖器10不同。
本實施例中,所述支撐結構460為一框架結構,其包括一第一側板4604及與該第一側板4604相對的第二側板4606。所述第一側板4604和第二側板4606上包括若干數目相同的孔4608,4610,且第一側板4604上的孔4608和第二側板4606上的孔4610一一對應。第一側板4604上的孔4608和第二側板4606上的孔4610的數量與加熱模組462中電極4622的數量相等。第一側板4604上的相鄰的孔4608之間的距離相等,第二側板4606上的相鄰的孔4610之間的距離相等。本實施例中,電極4622的數量為四個,因此,第一側板4604上的孔4608和第二側板4606上的孔4610的數量分別為四個。
加熱模組462的四個電極4622均為金屬絲,每個電極4622的兩端分別固定於第一側板4604上的孔4608和與該孔4608對應的第二側板4606上的孔4610。該四個電極4622之間的距離相等且相互平行。所述加熱元件4620設置於電極4622上,電極4622位於加熱元件4620的表面。本實施例中電極4622支撐該加熱元件4620,使加熱元件4620懸空設置。該四個電極4622通過電極引線分別與支架44內部的電路系統電連接。
所述支撐結構460設置於所述第一保護結構464和所述第二保護結構468之間。所述第一保護結構464和第二保護結構468分別為透明玻璃板。由於支撐結構460為一框架結構,第一保護結構464、第二保護結構468與支撐結構460形成一空間,所述加熱模組462位於該空間內部。
本實施例所提供的電取暖器40加熱元件4620通過電極4622懸空設置,由於加熱元件4622為一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀 結構的厚度小於10微米,具有很好的透明度,其透光率可達到90%,第一/第二保護結構464,468分別為透明玻璃板,因此,電取暖器40為一透明電取暖器,應用時不會阻擋視線且美觀大方。且,由於加熱元件4620懸空設置,加熱元件4620可朝兩個方向有效的散發熱量,該電取暖器40的加熱效率較高。
請參見圖8,本發明第五實施例提供一種電取暖器50。該電取暖器50包括一底座52,一支架54及安裝於支架54上的機頭56。所述底座52包括電源插頭522和控制開關524。所述支架54用於支撐機頭56。該支架54的一端設置有活動裝置542。該活動裝置542可控制機頭56在水平方向上360度轉動。該支架54的內部設置有電路系統(圖未示),負責控制整個電取暖器50的工作。所述機頭56包括一支撐結構560,一加熱模組562,一保護結構564。所述支撐結構560包括一連接部5602,該連接部5602與支架54一端的活動裝置542活動連接。該加熱模組562位於支撐結構560與保護結構564之間。該加熱模組562包括一加熱元件5620及兩個電極5622。所述加熱元件5620位於支撐結構560的表面。該加熱元件5620包括一奈米碳管層狀結構。
本實施例所提供的電取暖器50與第一實施例提供的電取暖器10的結構基本相同,其區別在於,本實施例所提供的電取暖器50中的支撐結構560靠近加熱元件5620的表面進一步圖形化,包括至少一個朝向加熱元件5620開口的凹部或者至少一個朝向加熱元件凸起的凸部,使該加熱元件5620通過該至少一個凹部或凸部至少部分懸空設置。凹部或凸部的形狀不限。所述凹部的最大深度小於 或等於支撐結構560的厚度,當凹部的最大深度等於支撐結構560的厚度時,該凹部為一通槽。當凹部的最大深度小於支撐結構560的厚度時,該凹部為一盲槽。所述凸部與支撐結構560可一體成型,也可非一體成型。該支撐結構560靠近加熱元件5620的表面可包括複數個凹部或凸部組成的圖形化的結構,該圖形化結構的形狀不限,優選地,該圖形化的結構包括複數個間隔設置點狀結構或複數個線狀結構,即使支撐結構560與加熱元件5620之間為點接觸或線接觸。進一步地,該複數個線狀結構可相互平行設置。該點狀結構可為面積較小的圓形、方形、三角形或其他不規則形狀。該線狀結構可為寬度較小的帶狀、條狀。該複數個凹部或凸部可均勻分佈或者隨機分佈,因此,該點狀結構或線狀結構可均勻分佈或者隨機分佈。本實施例中,支撐結構560包括複數個圓柱狀的凹部5604,該圓柱狀的凹部5604的深度等於支撐結構560的厚度,即該凹部5604為通孔結構。
本實施例所提供的電取暖器50通過在支撐結構560的表面設置至少一個朝向加熱元件5620開口的凹部或者至少一個朝向加熱元件凸起的凸部,可使加熱元件5620對應凹部或凸部的位置至少部分懸空設置,由於加熱元件5620包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構產生的熱量以熱輻射電磁波的形式傳播,當奈米碳管層狀結構懸空設置時,加熱元件5620具有較高的加熱效率。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精 神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧電取暖器
12‧‧‧底座
122‧‧‧電源插頭
124‧‧‧控制開關
14‧‧‧支架
142‧‧‧活動裝置
16‧‧‧機頭
160‧‧‧支撐結構
1602‧‧‧連接部
162‧‧‧加熱模組
1620‧‧‧加熱元件
1622‧‧‧電極
164‧‧‧保護結構

Claims (10)

  1. 一種電取暖器,其包括:一底座;一支架,該支架固定於該底座;以及一機頭,該機頭活動固定於該支架,所述機頭包括一支撐結構,及至少一加熱模組,該至少一加熱模組設置於該支撐結構,所述加熱模組包括一加熱元件和至少兩個電極,該至少兩個電極分別與該加熱元件電連接;其改良在於,所述支撐結構包括一表面,該表面進一步包括由複數個凹部或凸部形成的圖形化結構,所述加熱元件相對於該凹部或凸部對應的位置至少部分懸空,所述加熱元件包括一奈米碳管層狀結構,該奈米碳管層狀結構包括複數個奈米碳管。
  2. 如請求項第1項所述之電取暖器,其中,所述複數個奈米碳管基本相互平行且沿同一方向排列。
  3. 如請求項第2項所述之電取暖器,其中,所述至少兩個電極相互間隔設置,所述複數個奈米碳管的軸向沿一個電極向另一個電極延伸。
  4. 如請求項第1項所述之電取暖器,其中,所述奈米碳管層狀結構包括至少一奈米碳管膜。
  5. 如請求項第4項所述之電取暖器,其中,所述奈米碳管膜中的奈米碳管通過凡德瓦爾力首尾相連。
  6. 如請求項第4項所述之電取暖器,其中,所述奈米碳管膜中的奈 米碳管基本沿同一方向擇優取向排列。
  7. 如請求項第1項所述之電取暖器,其中,所述支架一端包括一活動裝置,所述支撐結構包括一連接部,該連接部與該活動裝置活動連接。
  8. 如請求項第1項所述之電取暖器,其中,所述凹部或凸部在所述支撐結構表面的形狀為點狀或線狀。
  9. 如請求項第8項所述之電取暖器,其中,所述圖形化結構包括複數個均勻分佈且間隔設置的點狀結構或複數個相互平行且間隔設置的線狀結構。
  10. 如請求項第1項所述之電取暖器,其中,所述電取暖器進一步包括一保護結構,所述加熱模組位於該保護結構與支撐結構之間。
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WO1998009123A1 (en) * 1996-08-30 1998-03-05 Infrarödteknik Ab Heater for heating by infra-red radiation
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