TWI500674B - 附加染料於光學資料儲存介質中之用途 - Google Patents

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Julia Lam Lee
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Matthew Jeremiah Misner
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Description

附加染料於光學資料儲存介質中之用途
本發明係關於組合物及光學資料儲存介質及使用該光學資料儲存介質之方法。
一般而言，反飽和吸收劑(RSA)係在指定波長下具有極低線性吸收且傳遞此波長下之幾乎所有光之化合物。然而，當接受此等指定波長下之高強度雷射功率時，少量之線性吸收可引起分子具有較高吸收橫截面及在該相同波長下變為高度吸收之狀態；使其強烈吸收隨後光子。例如，許多RSA於受具有532 nm波長之入射光化輻射衝擊時會發生光激發。由於此波長係於可見光譜之綠色部分內，故RSA一般可稱為「綠色」RSA。
最近，發現某些RSA於資料儲存系統領域之利用性。其中讀取或寫入資料係由將光照射於(例如)一磁碟上來完成之光學資料儲存提供優於記錄在需藉由其他方式(例如，用於讀取磁性介質之磁感應頭，或讀取記錄在乙烯基介質之針)讀取之資料的優點。且，可以光學方式將較儲存於乙烯基介質中更多的資料儲存於較小介質中。此外，由於無需接觸來讀取資料，故光學介質在重複使用期間不會如乙烯基介質般易於劣化。
光學資料儲存介質與磁性儲存介質相較亦提供多種優勢。例如，與磁碟驅動器不同，光學資料儲存介質最常設有可移除介質，其極適宜保存及備份資料，在不連接系統間共享內容，及分配預記錄內容。雖然已有可移除式磁性介質(例如，磁帶)，然而，儲存於此介質上之資訊使用期限一般限制於10至12年，該介質一般反而昂貴，且資料存取慢。相對地，光學資料儲存介質可便利地提供可移除可記錄及/或預記錄介質、快速資料存取時間、可靠廉價地製造消費者電腦及企業系統能承受之介質及驅動器。
然而，習知光學資料儲存介質存在局限性。第一，光學介質之儲存密度係由最小尺寸記錄位元上之物理約束限制。光學儲存之另一限制係資料一般儲存於在介質表面上或夾在介質內之一或兩離散層中。雖然沿深度漸進記錄資訊可增加儲存容量，然而，如此方法(即，漂白及光反應)需求大量光能以產生可讀取標記。因此，利用此等習知3D記錄方法之讀取速率慢。此外，用於此等方法中之介質一般對光能展現線性反應，及因此，需求一些機構以消除記錄資料後介質對光之敏感度，以避免非所需抹除、資料損失等。
全像儲存係將資料以全像圖表示之光學資料儲存，該等全像圖係由兩光束之相互作用在光敏介質中建立之三維干擾圖案影像。更特定言之，參考光束與含有數位編碼資料之訊號光束之疊加在介質體積內形成3-D干擾圖案，導致改變或調節光敏介質折射率之化學反應。此調節將來自訊號之強度及相位資訊記錄成全像圖。全像圖可藉由將儲存介質單獨曝露於參照光束(其與所儲存之全像資料相互作用以產生與用於記錄該全像影像之初始訊號光束成比例之重構訊號光束)而隨後得以再現。
在全像儲存之早期嘗試係基於頁式方法，即，將數位資訊之位元以二維邏輯陣列(0及1)之方式編碼成體積全像圖，該邏輯陣列遍及該記錄有全像圖之必然線性介質上之「切片」。由於採用相對大體積介質，故使用頁式方法所需之記錄及讀出設備甚為複雜且昂貴，及介質內之讀取或寫入對溫度及振動波動、及寫入或讀取波長或強度之微小變化極其敏感。
由於此等缺點，對全像資料儲存之最新研究已著重於位元式方法，其中各位元(或數個位元)之資訊係以全像圖表示，該全像圖係經定域至介質內之一微觀體積建立反射讀出光之區域。此定域化體積全像微反射器可配置於整個介質體積之多個資料層中。於此配置中，層中之資料讀出及記錄必然導致鄰近層曝露於記錄/讀出輻射，及因此，儘管線性材料已顯示可用於單一位元應用中之全像資料儲存，然而，可擔持許多資料層而於寫入及讀取步驟期間不影響其他資料層之介質將更具優勢。
可用於位元式資料儲存方法之材料受到高度覓求，係因用於此等材料之讀取及寫入之設備現已可自市面購置，或可藉由修改市面普及之讀取及寫入設備輕易提供。此外，利用位元式方法之全像資料儲存對溫度、波長、強度變化及振動較採用頁式方法之全像資料儲存可靠得多。為了可以最優方式用於全像圖記錄，及特定言之，微全像圖記錄，位元式資料儲存材料一般係非線性及進一步而言，一般對記錄光展現至少約0.005至約0.05之折射率變化(Δn)。最後，在材料中因記錄光產生之折射率調節幅度將決定關於指定系統組態之繞射效率，換而言之，信噪比、位元錯誤率及可用資料密度。
因此，仍需求可對記錄光強度展現非線性(或「臨限」)反應且適宜用於位元式全像資料儲存之光學資料儲存介質。特定言之，儲存於介質中之全像圖宜在有限深度中以獲得增加之容量。此資料儲存介質亦宜依周圍介質之折射率不顯著變化且觀察不到各深度之全像圖效率顯著劣化之方式寫入。
於一實施例中，提供一種組合物。該組合物包含聚合物基質及配置於該聚合物基質內且可在激發時發生光化學變化之反應物。該組合物亦包含化學鍵結至該聚合物基質之非線性敏化劑。該非線性敏化劑使該反應物在曝露於一或多種輻射波長時發生折射率變化。
於另一實施例中，提供一種光學資料儲存介質。該介質包含聚合物基質及可在激發時發生光化學變化，藉此導致折射率變化之反應物。該介質亦包含當使反應物曝露於一或多種輻射波長時導致該反應物激發之非線性敏化劑。該非線性敏化劑係化學鍵結至該聚合物基質。
於另一實施例中，提供一種光學資料儲存介質。該介質包含具有在不同橫向位置及深度形成之複數個微全像圖之聚合物基質。該介質亦包含化學鍵結至該聚合物基質內之聚合物之能量轉移染料。
當參照附圖閱讀下述說明時將可更佳地理解本發明之此等及其他特徵、態樣及優點，於所有附圖中，相同符號表示相同零件。
除非另外說明，否則本文中所使用之技術及科學術語具有與本技藝一般技術者針對所揭示主要內容而通常理解之相同意義。如本文所使用之術語「第一」、「第二」及類似者不表示任何順序、量或重要性，而係用於區分各元件。且，術語「一」不表示限定量，而表示存在至少一所提及項，及除非另外說明，否則術語「前」、「背」、「底」及/或「頂」係僅作論述便利之用，且不限制於任一位置或空間方向。若揭示範圍，則應包含關於相同組分或性質之範圍的端點且可獨立地組合(例如，範圍「最大約25重量%，或更具體言之，約5重量%至約20重量%」包含範圍「約5重量%至約25重量%」中之端點及所有中間值等)。與量連用之修飾詞「約」包含所述之值及具有受語境限制之意義(例如，包含與特定量之測量有關之誤差程度)。
如本文所使用，「繞射效率」意指在全像圖定域化時所測得之由該全像圖反射之電子束功率相對於入射探針光束功率之分率，而「量子效率」意指經吸收光子導致產生折射率變化之化學變化的機率。「能量密度」意指遍及一單位面積光束橫截面之光束能量之量(例如，以焦耳/cm2 測量)，而「強度」意指光輻射通量密度，例如，在單位時間內遍及一單位面積束橫截面之能量之量(例如，以瓦特/cm2 測量)。
本發明係關於包含反應物及非線性敏化劑之組合物。於特定實施例中，該組合物包含可在三重態(Tn ；n>1)時發生變化之反應物及非線性敏化劑，如一或多種亞酞菁(sub-PC)反飽和吸收劑(RSA)。該等非線性敏化劑可吸收呈(例如)一或多個光子形式之入射光化輻射及將能量傳遞至反應物分子以引發反應物進行分子重排成產物。於一實施例中，用於光學資料儲存介質(如以磁碟形式提供之介質)中之非線性敏化劑可將能量自具有極短壽命(數奈秒至數μ(微)秒)之上三重態(Tn ，其中n>1)傳遞至反應物。
於一些實施例中，該等非線性敏化劑一般可連續地吸收兩個光子。且，一旦本文中所述之敏化劑將所吸收之能量轉移至反應物，則其等回到其等初始態，且可重複此過程多次。因此，該等敏化劑實質上不會經時被消耗，但其等吸收能量並將能量釋放至一或多種反應物之能力會經時劣化。此與習知稱為光敏材料(其可吸收能量(一般為單個光子)及不將能量轉移至其他分子，而係轉化為新結構，或與另一分子反應以形成新化合物)之材料不同。
於一實施例中，非線性敏化劑包含展現反飽和吸收(RSA)之亞酞菁。習知之酞菁RSA一般展現更適宜用於「綠色」雷射器(即，採用波長約532 nm之輻射之雷射器)之吸收光譜及非線性光學反應。然而，於本發明實施例中，本文所論述之特定亞酞菁RSA適宜用於「藍色」雷射器，即，採用波長約405 nm之輻射之雷射器，係由於在405 nm下之吸收較532 nm具有更大透明度之故。
於一實施例中，亞酞菁RSA可在利用波長介於約380 nm與約450 nm之間(如，約405 nm)的入射光化輻射光激發亞酞菁RSA時進入上三重(T2 )態，及將能量自此上激發三重態(Tn )轉移至鄰近反應物。亞酞菁係具有含作為中心金屬之硼原子及軸向配位體之錐形結構的14-π-電子芳族分子。
用於該組合物中之非線性敏化劑之量可視其在入射光化輻射波長下之光密度而定。敏化劑之溶解度亦可係一因素。一般而言，該敏化劑可以基於組合物總重量約0.002重量%至約5重量%之量使用。
用於本組合物中之反應物可於三重激發時發生變化。參照圖1，用於本光學資料儲存介質中之反應物122具有低於敏化劑120之T2 態(由箭頭116表示)但高於敏化劑120之T1 態(以箭頭118顯示)之由箭頭114表示之三重態能量。反應物122亦可接收來自敏化劑120之上三重態(T2 或更高)之能量並發生變化以形成產物124。
如本文所使用，術語「變化」意欲包括反應物之任何間接光化學反應，例如，光二聚化或異構化。光二聚化係雙分子光化學過程，其涉及與結構類似及/或同一種類之未激發分子發生加成反應(例如，兩烯烴組合形成環丁烷環狀結構)之電子激發不飽和分子。於此反應中發生之共價鍵結產生一般可歸類為光產物之新基團。當術語「間接」與諸如光二聚化或光化學反應或光反應之術語連用時，其意指反應物不直接自光子吸收接收能量，而係自首先吸收光子並接著將彼能量之一部分轉移至隨後經歷二聚化之反應物之另一分子(如，例如，敏化劑或介體)接收。
適宜用於所述組合物之一些實施例中之反應物的實例包括，但不限制於，(i)可經歷二聚化以致從反應物至產物僅需發生較小體積變化之彼等物，例如，不藉由反應物之直接光激發而係藉由從光激發敏化劑至反應物之間接「非輻射能量轉移」(於此情況中，三重態至三重態能量轉移)路徑來進行二聚化過程之反應物；(ii)供非線性敏化劑接收來自二光子過程之能量並將彼能量傳遞至隨後與第二反應物縮合以提供產物之一反應物之彼等物；(iii)當在聚合物主鏈上衍生時可提供對應於材料之可用容量的巨大折射率變化(例如，若>85%反應物轉化為產物，則可獲得至少約0.08之Δnmax )之彼等物；及(iv)當在聚合物主鏈上衍生時可進行分子內及分子間縮合，藉此加速其消耗，及藉由小於10 J/cm2 之入射能量密度提供所需折射率(Δn)變化(此係由經敏化之光反應之較高量子效率產生之結果，該光反應隨後亦可提供在(例如)併入有該組合物之資料儲存介質中提供較大繞射效率及較短記錄時間)之彼等物。
熟知本技術者將瞭解，全像資料儲存係基於在全像圖內形成相較於周圍材料約0.005至0.05等級之個別干涉條紋之折射率變化(dn)的能力。然而，無法測量個別干涉條紋之折射率。可利用旋塗樣品與稱為橢偏計之儀器組合地在塊體材料上實施折射率(RI)測量。因此，用於此等應用中之反應性材料首先係經測試以確定該材料之凈有效dn，此係藉由測量未反應樣品之RI及隨後將多於85%材料轉化成已反應形式及再測量RI來確定dn。於全像資料儲存中，全像圖之一相關態樣係具有足量之光回反射(繞射)至偵測器以再現一位元資訊。此可藉由測量材料之繞射效率確定。經驗上，最簡易方式係使用相對低數值孔徑(NA)鏡片及寫入相對大的全像圖以記錄相對大的繞射效率。例如，基於耦合波理路之預測，就既定幅度之折射率調節而言，DE近似地與全像圖深度之平方成正比。全像圖深度近似地與NA2 成反比，獲得DE~1/NA4 之總體相關性。因此，於其他因素中，DE係反應性材料之反應、所使用鏡片之NA及用於記錄全像圖之能量密度之函數。由於彼等參數常因研究全像資料儲存之實驗員而不同，故對比材料/系統之一適宜方法係將此等測量反關聯至一近似dn。
可採用具有在敏化劑T1 與T2 態之間之三重能態的任何反應物，及，可根據所需敏化劑之選擇來選擇適宜反應物。適宜反應物包括，但不限制於，二苯乙烯。預期可用於本文中所揭示之該光學儲存介質(例如，光學儲存蝶)中之二苯乙烯之具體實例包括，但不限制於，反式-二苯乙烯、經間-(或)對-鹵原子(F、Cl、Br或I)取代之二苯乙烯、間-(或)對-反式甲基二苯乙烯、反式-[間-(或)對-]硝基二苯乙烯、反式-[間-(或)對-]氰基二苯乙烯、反式-[間-(或)對-]甲氧基二苯乙烯、反式-[3,3']或[4,4']或[2,4]或[3,4]二甲氧基、二氟、二溴、二氯、二碘取代之反式二苯乙烯、反式-2,4,6-三甲基二苯乙烯、反式-2,2',4,4',6,6'-六甲基二苯乙烯或此等物之組合。
甚至更具體言之，適宜反應物包括(E)-1-甲氧基-4-苯乙烯基苯、(E)-1-氟-4-苯乙烯基苯、(E)-1-氯-4-苯乙烯基苯、(E)-1-溴-4-苯乙烯基苯、(E)-1-碘-4-苯乙烯基苯、(E)-1-甲氧基-3-苯乙烯基苯、(E)-1-氟-3-苯乙烯基苯、(E)-1-氯-3-苯乙烯基苯、(E)-1-溴-3-苯乙烯基苯、(E)-1-碘-3-苯乙烯基苯、(E)-1-氰基-4-苯乙烯基苯或其等組合。
其他適宜反應物包括(E)-1,2-雙(4-甲氧基苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(4-氟苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(4-氯苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(4-溴苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(4-碘苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(3-甲氧基苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(3-氟苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(3-氯苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(3-溴苯基)乙烯、(E)-1,2-雙(3-碘苯基)乙烯或此等物之組合。
其他適宜反應物包括(E)-1-甲氧基-2-(4-甲氧基苯乙烯基)苯、(E)-1-氟-2-(4-氟苯乙烯基)苯、(E)-1-氯-2-(4-氯苯乙烯基)苯、(E)-1-溴-2-(4-溴苯乙烯基)苯、(E)-1-碘-2-(4-碘苯乙烯基)苯、(E)-1-碘2-(4-氰基苯乙烯基)苯、(E)-1-甲氧基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)苯、(E)-1-氟-3-(4-氟苯乙烯基)苯、(E)-1-氯-3-(4-氯苯乙烯基)苯、(E)-1-溴-3-(4-溴苯乙烯基)苯、(E)-1-碘-3-(4-碘苯乙烯基)苯、(E)-1-碘-3-(4-氰基苯乙烯基)苯、(E)-1甲氧基-2-(3-甲氧基苯乙烯基)苯、(E)-1-氟-2-(3-氟苯乙烯基)苯、(E)-1-氯-2-(3-氯苯乙烯基)苯、(E)-1-溴-2-(3-溴苯乙烯基)苯、(E)-1-碘-2-(3-碘苯乙烯基)苯、(E)-1-碘-2-(3-氰基苯乙烯基)苯或其等組合。
於其他實施例中，該(等)反應物可包含一或多種桂皮酸酯材料、桂皮酸酯衍生物或桂皮醯胺衍生物，如最近在2009年8月31日申請並針對任一及所有目的以引用全文方式併入本文(條件係不與本文教義直接矛盾)之標題為「Optical Data Storage Media and Methods of Using the Same」之美國專利申請案12/550,521中所發現及揭示的彼等物。於一些實施例中，使用可進行[2+2]間接光二聚化及間接光聚合之桂皮酸酯材料(因其等在405 nm下之透明度(可忽略UV吸收))以將桂皮酸酯之線性漂白維持最小及僅促進自激發敏化劑之三重態至三重態能量轉移。於一些實施例中，桂皮酸酯材料可包括聚桂皮酸乙烯酯(PVCm)，其中聚乙烯主鏈上之桂皮酸含量在基於聚桂皮酸乙烯酯總重量之約54重量%至約75重量%間變化。
聚桂皮酸乙烯酯及桂皮醯胺類似物之實例包括，但不限制於，聚桂皮酸乙烯酯(PVCm)、聚4-氯桂皮酸乙烯酯(PVClCm)、聚4-甲氧基桂皮酸乙烯酯(PVMeOCm)、(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)-雙(3-苯基丙烯酸酯)、(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(4-氯苯基丙烯酸酯)、(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(4-甲氧基苯基)丙烯酸酯、(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-苯基)丙烯醯胺、(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-(4-氯苯基)丙烯醯胺、(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己烷-1,2-二基)雙(3-(4-甲氧基苯基)丙烯醯胺。此等物顯示如下：
其中R=H或桂皮酸酯基
X=H(聚桂皮酸乙烯酯(PVCm))、OMe(聚4-甲氧基桂皮酸乙烯酯(PVMeOCm))、或Cl(聚4-氯桂皮酸乙烯酯(PVClCm))
其中X=(對位)-H:(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-苯基丙烯酸酯)或
X=(對位)-Cl:(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-(4-氯苯基)丙烯酸酯或
X=(對位)-MeO:(2E,2'E)-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-(4-甲氧基苯基)丙烯酸酯
其中X=(對位)-H：(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-苯基)丙烯醯胺，或
X=(對位)-Cl:(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-(4-氯苯基)丙烯醯胺)，或
X=(對位)-MeO：(2E,2'E)-N,N'-((1S,2S)-環己-1,2-二基)雙(3-(4-甲氧基苯基)丙烯醯胺)。
反應物可以相對高濃度存在以促進更有效之三重態能量轉移。例如，反應物可以基於組合物總重量之約2重量%至約80重量%之量存在於組合物中。
視需要，該組合物可進一步包含有助於敏化劑將上三重態能量轉移至反應物之介體。該介體之三重態(T1m )宜(a)低於敏化劑之三重態(Tn ；n>1)但高於敏化劑之T1 及(b)高於反應物之三重態(T1r )或理想上介於約50 kcal/mol與90 kcal/mol之間。
適宜介體之實例包括，但不限制於，苯乙酮(T1 78 kcal/mol)、對苯二甲酸二甲酯(T1 73 kcal/mol)、苯丙酮(T1 72.8 kcal/mol)、苯異丁酮(T1 71.9 kcal/mol)、環丙基苯基酮(T1 71.7 kcal/mol)、去氧安息香(T1 71.7 kcal/mol)、咔唑(T1 69.76 kcal/mol)、二苯醚(T1 69.76 kcal/mol)、二苯并噻吩(T1 69.5 kcal/mol)、2-苯甲醯基苯(T1 68.57 kcal/mol)、二苯甲酮(T1 68 kcal/mol)、聚乙烯基二苯甲酮(T1 68 kcal/mol)、1,4-二乙醯基苯(T1 67.38 kcal/mol)、9H-茀(T1 67 kcal/mol)、三乙醯基苯(T1 65.7 kcal/mol)、噻噸酮(T1 65.2 kcal/mol)、聯苯(T1 65 kcal/mol)、菲(T1 62 kcal/mol)、菲(T1 61.9 kcal/mol)、黃酮(T1 61.9 kcal/mol)、1-萘腈(T1 57.2 kcal/mol)、聚(β-萘醯苯乙烯)(T1 55.7 kcal/mol)、芴酮(T1 55 kcal/mol)及此等物之組合。
若存在，則所使用之介體之量應不致自淬滅，即，介體之兩三重態彼此作用以產生介體之單重態及基態。任何介體之適宜量亦可視特定敏化劑而定。應注意，介體之可用濃度可介於基於組合物總重量之約1重量%至約20重量%之範圍。
所提供之組合物可用於其等性質提供益處之任何應用中。此等應用之實例包括，但不限制於，光學波導、漸變折射率鏡片、光學資料儲存介質(例如，光學儲存碟)及用於數位全像成像。
光學波導係用作積體光學電路中之部件且可以各種方式製造。一方式係使用雷射器以圖案化光敏材料，建立由用於引導光之不同折射率「敷層」材料包圍之一折射率材料「蕊」。一般而言，此等光敏材料係線性反應；要求圖案化雷射器之波長及發生折射率變化之材料之吸收均在遠離實際上在波導內傳播之光的波長。此係因為，若波導束等同或接近蕊中傳播之光，則其將開始漂白敷層材料及增寬該波導；使其劣化及變為不可用。然而，藉由此等材料，該介質在圖案化期間僅於束之最高強度區域處劣化，及可與臨限效應一起產生較清晰之蕊對敷層區對比度。且，較低強度下之類似波長光可沿蕊繼續傳播及不會使敷層材料劣化。因此，可藉由併入本文所述之組合物而改良光學波導。
漸變折射率(GRIN)鏡片亦可由本文中所述之組合物加工而成。GRIN鏡片係其材料折射率以在介質中之空間座標為函數連續變化之鏡片。利用本發明，可藉由在高功率下操作之雷射器進行圖案化將組合物轉化成GRIN鏡片。或者，可以類似方式將含有組合物之空白鏡片改質成GRIN鏡片。優點在於該鏡片可使用各種波長之低功率光束而不存在漂走GRIN及損壞鏡片之風險。
數位全像成像係建立可用於可視化之3D影像而無需藉由特殊眼鏡輔助(裸視立體(autostereoscopic))。此等方面可用於製造為政府及商業使用之互動式3D顯示器，如在建有可進行多角度觀察之摩天大樓的城市。此外，使用具有臨限特性之所述組合物容許適當圖案化而不存在受周圍光漂白的問題。
本文亦提供一種除了非線性敏化劑、反應物及光學介體外進一步包含聚合物基質之光學資料儲存介質。該光學資料儲存介質可對光化輻射展現非線性反應，即，對於低於臨限值之入射雷射光實質上不發生折射率變化，及對於高於臨限值者發生顯著折射率變化。於一實施例中，可藉由具有超過臨限值之功率或強度之光記錄至此介質中。然而，所記錄之資料可藉由具有低於臨限值之強度之光重複及實質上無損壞地讀取。預期記錄於本光學資料儲存介質中之微全像圖的尺寸小於用於記錄其等之光束。最後，該介質包含可吸收380 nm或約380nm至450 nm或約450nm(如約405 nm)之光化輻射之敏化劑，以引起三重態至三重態能量轉移至反應物，因而使介質之儲存容量最優化，同時令該介質與現有習知儲存模式(例如，藍光)相容。
該光學資料儲存介質包含分散於聚合物基質內之非線性敏化劑及反應物。該等非線性敏化劑可吸收(例如)呈一或多個光子形式之入射光化輻射，並隨後將能量轉移至反應物分子以誘發反應物進行分子重排成產物，進而調節介質之折射率。此調節將來自入射光化輻射之強度及相位資訊以全像圖方式記錄。使用非線性(例如，臨限型)敏化劑相較於線性敏化劑之優點可參照圖4、5及6得以進一步理解。
更具體言之，圖2顯示線性光敏材料對入射光化輻射之反應，而圖3顯示臨限材料對入射光化輻射之反應。如圖2中所示，線性光敏材料在任何功率密度(強度)記錄光下引發反應且所獲得之折射率變化量(Δn)因該材料所接受之輻射能量(能量密度)相同而相同。相對地，臨限材料僅在達到或超過特定之記錄光光強度時引發反應。
因此，如圖4中所示，於由線性光敏材料形成之光學資料儲存介質140中，動態範圍消耗將發生在光化輻射(如，由雷射器146所提供)未定址體積中通過之實質上所有位置(以截面142顯示)。相對地，若利用臨限材料形成該光學資料儲存介質140，則可減小及消除在非定址體積中之動態範圍消耗及該消耗實質上僅發生在標的體積中，即，光化輻射之焦點144處。因此，將臨限材料用於本光學資料儲存介質促進位元式資料記錄至內埋於整個介質內之層中而不擾亂含事先記錄資料之鄰近層或用於隨後記錄之可用空閒空間。且，由於緊密聚焦雷射束中之光強度隨焦點深度變化及一般在光束收斂(beam waist)(最窄橫截面)處達到最大，故介質之臨限反應將材料轉化約束在光束收斂附近。此可減小各層內之微全像圖尺寸，進而有利於增加介質之層資料儲存容量，以致亦增加介質之總資料儲存容量。利用臨限材料形成之光學資料儲存介質亦可在周圍光下維持實質上穩定，以致當曝露於周圍光時不導致介質之實質劣化或損壞。
如上所述，用於本發明組合物及光學資料儲存介質中之非線性敏化劑可將能量自具有極短壽命(數奈秒至數μ(微)秒)之上三重態(Tn ，其中n>1)轉移至反應物。自Tn 態轉移能量之能力使本文中提供之光學資料儲存介質具有非線性、臨限性質。即，Tn 激發態吸收僅在藉由高強度光(例如，具有為周圍光的至少2倍或更大之強度之光)激發敏化劑時發生，且在接受低能量輻射時小得可忽略。此容許包含非線性敏化劑之光學資料儲存介質維持對低強度輻射(例如，讀取或周圍光)實質上透明及呈惰性，且僅對應於焦點處或附近之高能量記錄光而改變其性質(吸收率及，進而，折射率)。因此，本光學資料儲存介質展現為微全像資料之位元式記錄適宜及/或所需之臨限行為。
利用以上概念及再參照圖1，描述一示意性能階圖，其顯示關於展現反飽和吸收之敏化劑的上三重Tn 激發態吸收及所得之能量轉移。如能階圖100中所示，箭頭102說明光子在自單重基態S0 過渡至第一激發態S1 時之基態吸收橫截面。由箭頭104表示之系統間跨越速率表示當敏化劑120自激發單重態S1 移動至對應三重態T1 時發生之能量轉移。箭頭106表示激發三重態吸收橫截面。一旦藉由隨後線性吸收獲得上能階三重態Tn ，便可發生兩個上激發衰減過程。由圖1中之箭頭108表示之一可行衰減過程係藉由內部轉換(IC)非輻射弛豫至較低T1 態。另一可行衰減過程係由圖1中之箭頭110表示，且涉及自敏化劑120之能量釋放及此能量經由三重態-三重態能量轉移而轉移至反應物122。反應物122隨後發生由箭頭112表示之變化以形成全像光柵及在此處記錄資料。
用於該光學資料儲存介質中之非線性敏化劑之量可視用於記錄全像圖之光波長下之光密度而定。敏化劑之溶解度亦係一因素。一般而言，該敏化劑可以基於光學資料儲存介質總重量之約0.002重量%至約5重量%之量使用。
於一些實施例中，預期該光學資料儲存介質展現適宜以高資料密度記錄微全像圖之折射率變化(Δn)，例如，至少約0.005，或至少約0.05或甚至更大之折射率變化。由於可藉由本光學資料儲存介質獲得之折射率變化/繞射效率，該介質可在尺寸與單張CD或單張DVD相當之碟上儲存約1 TB資訊。
且，使用本文所揭示之反應物可提供相較於習知反應物之顯著雙折射率降低。此外，所述之光學記錄資料提供以降低或最小熱形成及對鄰近位置之訊號洩漏(可導致經捕捉之全像圖案模糊化)來快速建立高解析度微全像圖之能力。
於特定實施例中，該反應物可以相對高濃度存在以於聚合物基質中產生大的光學性質變化及促進更有效三重態能量轉移。例如，該反應物可以基於光學資料儲存介質總重量之約2重量%至約80重量%之量存在於光學資料儲存介質中。
該(等)反應物在聚合物主鏈上衍生時可較習知反應物於光學資料儲存介質中提供更高負載量。即，習知反應物在聚合物主鏈上衍生時之負載量限制於不超過約30重量%，而本文所述之新穎反應物可以遠更高負載量，即，甚至基於光學資料儲存介質總重量最高約90重量%之負載量負載於聚合物主鏈上。
反應物可與光學資料儲存介質之聚合物基質共價連結或以其他方式組合。例如，藉由桂皮酸酯官能化之聚合物可用作該聚合物基質，及例如聚桂皮酸乙烯酯可便利地自市面購置。於此情況中，光學資料儲存介質可包含較高反應物負載量，例如，基於光學資料儲存介質總重量之高達約90重量%。
此外，若使用，則可將任何所需介體與該聚合物基質共價連結或以其他方式組合。以此方式將介體併入至聚合物基質容許採取較高介體濃度，進而可增加資料儲存介質之記錄效率。
可將所需之敏化劑及反應物，及視需要光穩定劑及介體以實質上均勻方式分散於聚合物基質中，或可以促進位元式資料記錄之任何方式分散於該光學資料儲存介質內。該聚合物基質可為直鏈、支化或交聯聚合物或共聚物或其他適宜介質。可使用任何聚合物，只要可將敏化劑及反應物實質上均勻地分散其中。此外，所使用之任何聚合物一般不會顯著干擾上三重態能量轉移過程。該聚合物可提供為光學透明或至少在用於記錄及讀取光學資料儲存介質之波長下具有高透明度之聚合物。
用於該聚合物基質中之適宜聚合物之實例包括，但不限制於，聚(甲基丙烯酸烷酯)，如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚乙烯醇、聚(丙烯酸烷酯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚(二氯亞乙烯)、聚(乙酸乙烯酯)及類似者。
該聚合物基質亦可含有增塑劑，如對苯二甲酸二丁酯、癸二酸二丁酯或己二酸二(2-乙基己基)酯。增塑劑可藉由促進分子移動而增強記錄效率。一般增塑劑量可係介於基於儲存介質總重量之約1重量%至約20重量%，或約2重量%至約10重量%之間。
利用以上論述，將苯氧基亞酞菁(sub-PC)用作能量轉移劑以於聚桂皮酸乙烯酯中進行桂皮酸酯光二聚化係於本文中作為一實施實例方式描述。於某些實施方案中，摻雜至聚合物(或其他適宜)基材(如PVC基質)中之亞酞菁(或其他適宜能量轉移劑)易於在聚合物基材內凝聚，導致不均勻(例如，自凝聚及類似者)。例如，摻雜sub-PC在聚桂皮酸乙烯酯中凝聚之傾向係由於其等在此基質中之低溶解度所導致。此不均勻性可能例如因自淬滅而損害能量轉移效率。例如，為了在RSA染料摻雜材料中獲得1%之繞射效率(DE)，可採用高記錄能量密度(例如，>340 J/cm2 )。此外，摻雜方法會使能量轉移劑(例如，染料)相對基質之負載量限制於<3重量%。
考慮到此傾向，一現有方法係設計及/或合成可附加或衍生於材料上之苯氧基sub-PC，形成直接抑制或防止染料凝聚之基材及將染料材料及折射率變化材料基本上均勻地分佈在基材中。如本文所述，使用此附加染料之方法可增加相對聚合物基質之負載量(如，最大至3重量%，4重量%、5重量%、6重量%、7重量%或10重量%)以獲得用於微全像圖記錄之充分敏感度。例如，於使用附加染料之一實施方案中，可藉由較低記錄能量密度(例如，能量密度<340 J/cm2 、<300 J/cm2 、<250 J/cm2 、<200 J/cm2 、<150 J/cm2 、<100 J/cm2 、及<70 J/cm2 )獲得DE1%。
例如，參照圖5及6，提供利用附加至聚合物主鏈之染料材料(線150及154)相對摻雜染料材料(線152及156)所獲得之繞射效率(圖5)及敏感度(圖6)的差異之圖形描述。如圖5所示，在整個雷射強度測量範圍內，獲得較大繞射效率。類似地，如圖6中所示，在整個雷射強度測量範圍內獲得較大敏感度。
就PVC基質實施方案而言，可採用不同方法將折射率變化材料(即，反應物)及染料組合物附加或衍生(即，化學連結或鍵結)至聚合物主鏈。例如，可藉由在染料與主鏈分子之間形成共價、離子或其他化學鍵將此等分子(例如，染料材料)附加或衍生至聚合物主鏈。如上所述，此實施方案與其他方法不同，於其他方法中，臨限染料材料係分離地摻雜於聚合物基質中以引發反應物(即，折射率變化材料)之2+2光二聚化成產物來產生吸收及折射率之局部變化。
於一實施方案中，可在併入桂皮酸酯部分之前採用聚乙烯醇主鏈之直接官能化。於此實施方案中，應考慮染料之選擇，係因特定染料在酸及鹼條件存在下呈現低熱穩定性及低水解穩定性。可在形成桂皮酸酯之後併入該染料。然而，基準線樹脂顏色(在405 nm下之低吸收率)係此樹脂受關注之一特性，及額外化學物質可產生額外顏色。因此，其可改而用於實施與實際聚桂皮酸乙烯酯製備相容之染料連結製程。
例如，現參照圖7，於一實施方案中，聚桂皮酸乙烯酯製備包含先將聚乙烯醇(I)(一般水解88至100%)溶解於熱的N-甲基吡咯啶酮(NMP)中。藉由將桂皮醯氯(II)添加至50℃下之NMP溶液中，使PVA進行桂皮酸酯官能化。將醯基氯以固體在4小時內逐份添加至反應混合物。藉由沉澱至甲醇中來單離所得PVC；一般而言，桂皮酸酯官能化大於75莫耳%。
現參照圖8，其假設藉由可輕易轉化為醯基氯之酸附加物合成subPC染料將提供具有併入主鏈之染料的高效PVC匯聚合成。製造苯氧基subPC(III)之一方法係使酚與subPC氯化物於回流甲苯中反應。因此，酚與酸基團反應可提供獲得所需酸之直接途徑。
現參照圖9，於製造酸取代之苯氧基sub-PC之另一實施方案中，先使sub-PC氯化物與經取代之二羥基苯反應。如所示，sub-PC氯化物與諸如5-碘間苯二酚之對稱二羥基苯反應產生適宜苯氧基化合物(VI)。非對稱二羥基苯(6-溴間苯二酚(VII))提供區域異構體混合物，其中4-溴異構體(VIII)之轉化率高於2-溴異構體(IX)(~7:3)。此等異構體可藉由矽膠層析輕易分離。參照圖10，此等分子之酚系OH係藉由戊二酸酐開環反應用於繫栓脂族羧酸。實現向所需酸之實質上定量轉化以提供化合物X、XI及XII。藉由二甲基甲醯胺(DMF)之二氯甲烷溶液催化，利用草醯氯將酸X、XI及XII轉化為其等對應醯基氯(圖13)。
藉由稍微修改標準PVC合成來製備含有附加染料之PVC樹脂。於此PVC合成實施方案中，將醯基氯(桂皮醯氯)以固體在4小時內逐份添加至50℃之PVA於NMP中之溶液。於將染料附加至PVC主鏈之反應實施方案中，該染料之醯基氯衍生物(例如，圖11之XIII)當已添加約50%肉桂醯氯時係以固體形式添加。就較小規模反應而言，染料之醯基氯係以在二氯甲烷中之溶液方式添加以改良PVA之官能化程度。添加二氯甲烷-染料溶液導致經部份桂皮醯化之PVA沉澱且不會經時再溶解。因此，於某些實施例中，使至少40至50%之PVA衍生以維持反應混合物之溶解度。且，於某些實施例中，可在未純化下使用染料之醯基氯。純聚桂皮酸乙烯酯膜在405 nm下具有極低吸收率(<0.1 au/mm純膜)。已染料摻雜之膜依添加染料之濃度而定一般係低於0.6 au。連結之染料傾向於在405 nm下具有較摻雜相對物稍低之吸收率。
本文中所述之光學資料儲存介質可呈自支撐形式。或者，可將該資料儲存介質塗覆於具有適宜性質之任何支撐材料上。此等適宜材料之實例包括，但不限制於，聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚碳酸酯、聚(對苯二甲酸乙二酯)、聚(萘二甲酸乙二酯)、聚苯乙烯或纖維素乙酸酯。亦可於採用支撐材料之實施例中使用諸如玻璃、石英或矽之無機支撐材料。
於此等實施例中，可處理支撐材料之表面以改良光學資料儲存介質對支撐物之黏附。例如，可藉由電暈放電處理支撐材料之表面，然後施用光學資料儲存介質。或者，可將諸如鹵化酚或部份水解乙烯氯-乙酸乙烯酯共聚物之底塗層施用該支撐材料以改良儲存介質對其之黏附。
一般而言，本文中所述之光學資料儲存介質可藉由摻合或以其他方式組合所需敏化劑、反應物、介體(若需要)及聚合物基質來製備。此等成分之比例可在寬範圍內變化，且摻合之比例及方法可由熟知本技藝者輕易決定。例如，敏化劑可以基於光學資料儲存介質總重量之約0.01重量%至約90重量%之濃度存在且可附加或以其他方式連結至聚合物基質，及反應物可以基於光學資料儲存介質總重量之約2重量%至約80重量%，或甚至最大約90重量%之濃度存在。
實例1至3　微全像圖記錄
樣品製備
如下製備用於在寫入微全像圖後證實微全像圖及記錄反射率之薄膜樣品：
實例1. 硼亞酞菁3-碘-5-戊二醯苯氧化物衍生物(X)/聚桂皮酸乙烯酯(PVCm)。將PVCm(0.870 g)，2重量%亞酞菁染料溶於作為溶劑之二氯乙烷/二氯甲烷溶劑混合物(15 g，2:8體積比)中。利用0.45 μm過濾器過濾溶液，傾至一玻璃板設備之玻璃邊緣(5 cm直徑)上及在維持於約45℃下之熱板上乾燥5小時及在約75℃下乾燥過夜。在熱板上乾燥之後，將膜自玻璃板移除及在真空中，於70℃下乾燥過夜及隨後在真空箱中於70℃下使膜乾燥2天。
實例2. 將以2重量%附加於聚桂皮酸乙烯酯(PVCm)主鏈(XIV)中之硼亞酞菁3-碘-5-戊二醯苯氧化物衍生物(X)溶於作為溶劑之二氯乙烷/二氯甲烷溶劑混合物(15 g，2:8體積比)中。利用0.45 μm過濾器過濾溶液，傾至一玻璃板設備之玻璃邊緣(5 cm直徑)上及在維持於約45℃下之熱板上乾燥5小時及在約75℃下乾燥過夜。在熱板上乾燥之後，將膜自熱板移除及在真空中於70℃下乾燥過夜及隨後使膜在真空箱中於70℃下乾燥2天。
微全像圖記錄
實例3. 將在405 nm波長下操作之可調光學參數振盪器系統用作記錄及讀出微全像圖之脈衝光源。利用具有0.16數值孔徑(NA)之光學構件將光聚焦於介質樣品中，獲得約1.6×1.6×17 μm之記錄體積尺寸。用於微全像圖記錄之脈衝能量係介於數10至數100奈焦耳之間，此在聚焦記錄光束之焦點處獲得數百MW/cm2 至數GW/cm2 之光強度值。自微全像圖反射之光之讀出係利用相對記錄功率衰減約100至1000×之相同光束實施。
藉由聚焦及重疊於整個記錄介質中之兩高強度逆傳播脈衝記錄光束將μ-全像圖記錄於光學資料儲存介質中以產生由光及暗區(條紋)組成之強度干涉條紋圖案。干涉圖案之受照亮區發生如上所述變化，其導致材料之局部修正折射率，而暗區維持不變，藉此建立體積全像圖。本臨限光學資料儲存介質對高強度光敏感且對低強度輻射呈相對惰性。記錄光束之功率係經調節以使光束聚焦區附近之光強度高於記錄臨限值(在此臨限值之上時，可輕易發生變化)，而在遠離光束焦點之可記錄區外維持低值，藉此避免非所需介質修正(記錄或抹除)。
於μ-全像圖記錄期間，利用半波板(λ/2)及第一偏振光束分光器將主記錄光束分成訊號及參照光束。將該兩二級光束以逆傳播幾何方式引導至樣品及藉由具有最大0.4之數值孔徑(NA)之完全球面鏡片聚焦以重疊於整個光學資料儲存介質中。藉由兩個四分之一波板(λ/4)將兩光束之偏振化轉化為圓偏振以保證光束干涉以建立高對比度干涉條紋圖案。將樣品及訊號光束鏡片安裝於具有25 nm解析率之封閉環三軸定位台上。在樣品之參照側使用一位置敏感偵測器以對準訊號鏡片，以使聚焦訊號光束與參照光束在介質中之重疊最優化，及藉此獲得最優化記錄。
將可變衰減器及半波板/PBS總成用於在記錄及/或讀出期間控制功率。此容許將光學資料儲存介質之μ-全像圖記錄特性作為記錄功率及/或能量之函數測量。此函數相關性區分線性光學資料儲存介質/記錄，其中所記錄之全像圖之強度很大程度上係由介質所接收之光能量之總量決定，而非依賴於光強度；及非線性臨限光學資料儲存介質/記錄，其中記錄效率高度依賴於光之強度。於線性介質中，弱曝露獲得低強度全像圖，其隨曝露增大而逐漸增強。相對地，於非線性、臨限介質中，記錄僅在強度超過臨限值時發生。
於讀出期間，阻斷訊號光束，及藉由μ全像圖沿與入射方向相反之反向反射參照光束。利用四分之一波板及第二偏振光束分光器將反射光束自入射光束路徑耦出，及以共焦幾何形式收集於一校準光二極體上以提供繞射效率之絕對測量。藉由使樣品相對讀出光學構件平移，可獲得微全像圖繞射反應之3D輪廓及評價微全像圖之尺寸。
圖12顯示關於根據本發明製備之光學資料儲存介質之一系列μ全像圖與樣品橫向位置相對讀出光束之實驗室測量反射率。峰出現在當將參照光束集中於陣列式微全像圖中之一者上時之樣品位置處。圖13顯示藉由相同能量密度但不同強度記錄於根據本發明製備之光學資料儲存介質中之微全像圖反射率相關性，證實材料之臨限功能度：當強度超過臨限值(~100..200 MW/cm2 )時，材料記錄敏感度急劇增加，而對於低於臨限值之強度而言，所記錄全像圖之反射率基本上為零(在系統之偵測極限內)。
預期，於此等實施方案中之繞射效率係視能量密度而定在約0.03%至約0.26%內變化。實例5具有7.74%之測量繞射效率。
實例4. 　合成具有連結sub-PC染料(XIV)之聚桂皮酸乙烯酯
參照圖14，將聚乙烯醇(1.50 g，31.3 mmol，Aldrich 88%水解)溶於25 ml之80℃下之NMP中，完全溶解耗費約2小時。將此溶液冷卻至50℃及在3至4小時內逐份添加桂皮醯氯(12.0 g，72.2 mmol)。染料之醯基氯係大致在添加桂皮醯氯期間之中點以固體或於二氯甲烷中之溶液形式添加。當完成桂皮醯氯添加時，將溶液冷卻至室溫及沉澱至甲醇中。將所得之固體再溶於二氯甲烷中及過濾。將此溶液再沉澱於甲醇中，藉由過濾收集及在真空下於60℃下乾燥12小時。藉由GPC確定併入之染料百分比及藉由UV分光光度法確定染料之凈重量百分比。
實例5　製備硼亞酞菁苯氧化物之基本製程
硼亞酞菁3-碘-5-羥基苯氧化物(VI)：將1.28 g(0.003莫耳)硼亞酞菁氯化物、2.80 g(0.0119莫耳)4-碘間苯二酚在50 ml甲苯中之溶液的混合物置於一配置有磁攪拌棒、冷凝器/氮氣旁通之250 ml圓底燒瓶中。於油浴中加熱該混合物至回流48小時。隨後冷卻該混合物及在減壓下移除甲苯。將200 ml二氯甲烷添加至殘餘物中及攪拌約15至30分鐘。將所得之膠質固體再溶於600 mL乙酸乙酯中及過濾以移除一些不溶物質。隨後將濾液以水清洗三次(每次100 ml)，藉由無水鎂乾燥。將15 g矽膠添加至經過濾溶液及在減壓下蒸發溶劑至乾燥。將粗產物/矽膠負載於裝料柱上及在Isco,Inc之CombiFlash Companion上藉由製備型LC純化粗產物。使用之管柱係獲自Teledyne Isco,Inc之一120 gm RediSep矽膠正常相可棄式管柱。運轉時間：35分鐘，85 ml/分鐘之流速。將氯仿/EtOAc用作溶離劑：100% CHCl3 持續33分鐘及EtOAc遞增至最後之85%。產物之RT為25分鐘。組合及濃縮純溶離份。收量：1.13 g(59.8%)1 HNMR: 4.72ppm(t,1H),5.10ppm(t,1H);6.39ppm(t,1H);8.01ppm(m,6H);8.85ppm(m,6H);9.42ppm(s,1H)。
硼亞酞菁3-羥基-2(4)-溴苯氧化合物(VIII)：實施如上之相同製程，但僅回流24小時。產物係2-溴與4-溴異構體之70:30混合物。將製備型LC用於純化粗製混合物及分離異構體。其係於獲自Isco,Inc之CombiFlash Companion上進行。所使用之管柱係獲自Teledyne Isco,Inc之一120 gm RediSep矽膠正常相可棄式管柱。運轉時間：28分鐘，85 ml/分鐘之流速。將氯仿/EtOAc用作溶離劑：100% CHCl3 持續13分鐘及EtOAc遞增至運轉最終之10%。硼亞酞菁3-羥基-4-溴苯氧化物(主要異構體，RT=14分鐘)：收量：34.2%產率。1 HNMR: 4.90ppm(dd,1H);5.16ppm(s,1H);5.17ppm(d,1H);6.81ppm(d,1H);7.93ppm(m,6H);8.87(m,6H)。
溴亞酞菁3-羥基-2-溴苯氧化物(次要異構體，RT=24分鐘)：收量：16.4%產率。1 HNMR: 4.72ppm(d,1H);6.02ppm(dd,1H);6.75ppm(d,1H);8.03ppm(m,6H);8.85ppm(m,6H);9.30ppm(s,1H)。
實例6　製備戊二酸硼亞酞菁苯氧化物之基本製程
硼亞酞菁3-碘-5-戊二醯苯氧化物衍生物(X)：將1.56 g(0.00247莫耳)硼亞酞菁3-碘-5-羥基苯氧化物(VI)、19.7 g(0.173莫耳)戊二酸酐、40 ml DMF及7.82 g(0.0988莫耳)吡啶之混合物置於配置有磁攪拌棒及以橡膠隔片蓋封之100 ml圓底燒瓶中。將該燒瓶置於80℃下之預熱油中維持2.5小時。冷卻反應混合物及傾入150 ml水中及攪拌約20分鐘。將200 ml二氯甲烷添加至含水混合物中以萃取產物。藉由150 ml水重複清洗二氯甲烷溶液(~10次)及以HCl沖洗一次及隨後再以水清洗一次以移除DMF及吡啶。藉由無水硫酸鎂乾燥二氯甲烷溶液及在減壓下濃縮。在真空箱中於室溫下進一步乾燥產物隔夜。收量：1.65 g(89.8%)，1 HNMR: 2.15ppm(m,2H)；2.58ppm(t,2H);2.64ppm(t,2H);4.94ppm(t,1H);5.82ppm t,1H);6.68ppm(t,1H);7.94ppm(m,6H),8.88ppm(m,6H)。
UV-Vis: 405 nm下之ε: 67.5；λmax下之ε: 68,000
硼亞酞菁2-溴-5-戊二醯苯氧化物衍生物(XII)：使用如上所述之相同製程。收量：76.4%，1 HNMR: 2.16ppm(m,2H);2.60ppm(t,2H);2.65ppm(t,2H);5.05ppm(d,1H);6.27ppm(dd,1H),7.94ppm(m,6H);8.88ppm(m,6H)。
硼亞酞菁4-溴-5-戊二醯苯氧化物衍生物(XI)：進行如上所述相同製程，但僅於室溫下將反應混合物攪拌過夜。收量：86%，1 HNMR: 2.15ppm(五重峰,2H);2.61ppm(四重峰,4H);5.13ppm(d,1H);5.26ppm(dd,1H);6.93ppm(d,1H);7.93ppm(m,6H);8.87ppm(m,6H)。NMR亦顯示存在9.9%之初始材料。
此書面描述利用實例揭示本發明，包括最佳模式，及亦使任何熟習本項技術者可實施本發明，包括製造及使用任何裝置或系統及實施任何併入之方法。本發明之專利性範圍係由申請專利範圍界定，且可包括為熟習本項技術者已知之其他實例。若其他實例具有不同於申請專利範圍之文獻語句的結構元件，或若其他實例包含與申請專利範圍之文獻語句無實質差異之等價結構元件，則其等均係屬於本申請專利範圍內。雖然已於本文說明及描述本發明之特定特徵，然而，熟習本項技術者可進行許多修改及變化。雖然論述了個別實施例，然而，本發明涵蓋所有彼等實施例之所有組合。因此，應理解，附屬申請專利範圍將涵蓋屬於本發明本質精神內之所有此等修改及變化。
100．．．能階圖
102．．．基態吸收
104．．．系統間跨越速率
106．．．激發三重態吸收
108．．．第一可行衰減過程-藉由內部轉換之非輻射弛豫
110．．．第二可行衰減過程-自敏化劑之能量釋放
112．．．反應物變化以形成全像光柵
114．．．三重態
116．．．T2態
118．．．T1態
120．．．敏化劑
122．．．反應物
124．．．產物
140．．．光學資料儲存介質
142．．．光化輻射通過之截面
144．．．焦點
146．．．雷射
150．．．繞射效率-附加染料材料
152．．．繞射效率-附加染料材料
154．．．敏感度-摻雜染料材料
156．．．敏感度-摻雜染料材料
圖1係顯示上三重Tn 激發態吸收及所得之關於展現反飽和吸收之敏化劑之能量轉移的示意性能階圖；
圖2係線性敏化劑對光化輻射之反應的圖形描述；
圖3係臨限敏化劑對光化輻射之反應的圖形描述；
圖4係光學儲存介質之橫截面視圖，其顯示當該介質包含線性敏化劑時之光化輻射作用區域及當該介質包含臨限敏化劑時之光化輻射作用區域；
圖5係根據本發明各態樣之摻雜及附加染料實施例中作為雷射強度之函數的繞射效率之圖形描述；
圖6係根據本發明各態樣之摻雜及附加染料實施例中作為雷射強度之函數的敏感度之圖形描述；
圖7顯示根據本發明各態樣在製備適宜染料時發生之化學反應；
圖8顯示根據本發明各態樣在製備苯氧亞酞菁時發生之化學反應；
圖9顯示根據本發明各態樣在製備苯氧基化合物時發生之化學反應；
圖10顯示根據本發明各態樣發生之化學反應；
圖11顯示根據本發明各態樣在製備染料之醯基氯衍生物時發生之化學反應；
圖12係記錄於光學資料儲存介質之一實施例中之微全像圖陣列的反射率圖形描述；
圖13係一光學資料儲存介質實施例中在60 J/cm2 之固定記錄能量密度下作為強度之函數的繞射效率之圖形描述；及
圖14顯示根據本發明各態樣在製備聚桂皮酸乙烯酯時發生之化學反應。
140．．．光學資料儲存介質
142．．．光化輻射通過之截面
144．．．焦點
146．．．雷射

Claims (13)

  1. 一種組合物，其包含：聚合物基質；配置於該聚合物基質內且可在激發時經歷光化學變化之反應物(122)；及化學鍵結至該聚合物基質之非線性敏化劑(120)，該非線性敏化劑(120)包含一或多種亞酞菁反飽和吸收劑，其中當曝露於一或多種輻射波長時，該非線性敏化劑(120)引起該反應物(122)之折射率變化。
  2. 如請求項1之組合物，其中該一或多種輻射波長包含380nm至450nm。
  3. 如請求項1之組合物，其中該非線性敏化劑(120)當曝露於該一或多種輻射波長時引起上三重態能量轉移及回應該上三重態能量轉移發生折射率變化。
  4. 如請求項1之組合物，其中該非線性敏化劑(120)包含能量轉移臨限染料。
  5. 如請求項1之組合物，其中該非線性敏化劑(120)係經由一或多個共價鍵化學鍵結至該聚合物基質。
  6. 如請求項1之組合物，其中該反應物(122)包含二苯乙烯衍生物、桂皮酸酯、桂皮酸酯衍生物、桂皮醯胺衍生物或此等物之組合。
  7. 如請求項1之組合物，其中該聚合物基質包含聚乙烯基組合物。
  8. 如請求項1之組合物，其中該反應物(122)係化學鍵結至 該聚合物基質。
  9. 一種光學資料儲存介質(140)，其包含：聚合物基質；可於激發時經歷光化學變化，藉此引起折射率變化之反應物(122)；及可於該反應物(122)曝露於一或多種輻射波長時導致該反應物(122)激發之非線性敏化劑(120)，其中該非線性敏化劑(120)包含一或多種亞酞菁反飽和吸收劑，其中該非線性敏化劑(120)係化學鍵結至該聚合物基質。
  10. 如請求項9之光學資料儲存介質(140)，其中該反應物(122)及該非線性敏化劑(120)中之一或兩者係共價鍵結至該聚合物基質。
  11. 如請求項9之光學資料儲存介質(140)，其中該光學資料儲存介質(140)可儲存微全像資料。
  12. 如請求項9之光學資料儲存介質(140)，其中該聚合物基質包含一或多種聚(甲基丙烯酸烷酯)、聚(丙烯酸烷酯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚(二氯亞乙烯)、聚(乙酸乙烯酯)或其等組合。
  13. 如請求項9之光學資料儲存介質(140)，其中該非線性敏化劑(120)係以最大至10重量%之負載量在該聚合物基質內衍生。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8507153B2 (en) * 2009-08-31 2013-08-13 General Electric Company Compositions, optical data storage media and methods for using the optical data storage media
US8580464B2 (en) * 2011-11-17 2013-11-12 General Electric Company Reverse saturable absorbtion sensitizers for optical data storage media and methods for use
JP2013184673A (ja) 2012-03-12 2013-09-19 Fuji Heavy Ind Ltd 車両
US8619533B1 (en) 2012-07-31 2013-12-31 General Electric Company Holographic data storage medium and an associated method thereof
US8830548B2 (en) 2012-07-31 2014-09-09 General Electric Company Stacked film threshold component, device, and method of manufacture
CN104685567B (zh) * 2012-09-27 2018-06-01 富士胶片株式会社 光学信息记录介质及其制造方法
JP6308501B2 (ja) * 2012-10-12 2018-04-11 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光誘起複屈折材料、それを用いた光記録媒体および光記録方法
CN102936260A (zh) * 2012-11-05 2013-02-20 西北大学 亚酞菁化合物、制备方法及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050136357A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Farid Samir Y. Optical recording media with triplet-sensitzed isomerization

Family Cites Families (182)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151175A (en) 1976-12-09 1979-04-24 General Electric Company Method for making diarylhalonium salts
US4238394A (en) 1978-10-30 1980-12-09 General Electric Company Method for making diaryliodonium salts
US4374066A (en) 1979-09-28 1983-02-15 General Electric Company Method for making triarylsulfonium salts
US4442197A (en) 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
US4450360A (en) 1982-03-12 1984-05-22 General Electric Company Alkylaryliodonium salts and method for making
US4399071A (en) 1982-03-12 1983-08-16 General Electric Company Method for making diaryliodonium salts
US4683317A (en) 1983-05-23 1987-07-28 General Electric Company Photopolymerizable organic compositions and diaryliodonium salts used therein
US4529490A (en) 1983-05-23 1985-07-16 General Electric Company Photopolymerizable organic compositions and diaryliodonium ketone salts used therein
US5310619A (en) 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
US5362607A (en) 1986-06-13 1994-11-08 Microsi, Inc. Method for making a patterned resist substrate composite
US4780511A (en) 1987-06-22 1988-10-25 General Electric Company Method for making polymeric photoactive aryl iodonium salts, products obtained therefrom, and use
US4840977A (en) 1987-10-01 1989-06-20 General Electric Company Polymeric iodonium salts, method for making, and heat curable compositions
US4981881A (en) 1988-03-21 1991-01-01 General Electric Company Non-toxic aryl onium salts, UV curable coating compositions and food packaging use
US4882201A (en) 1988-03-21 1989-11-21 General Electric Company Non-toxic aryl onium salts, UV curable coating compositions and food packaging use
US4895967A (en) 1988-09-26 1990-01-23 General Electric Company Method for making cyclic poly(siloxane)s
US5087662A (en) 1988-11-14 1992-02-11 General Electric Company Polyester, polycarbonate and/or polyphenylene ether with polyorganosiloxane/polyvinyl-based graft (meth) acrylate polymers
US5079293A (en) 1988-11-14 1992-01-07 General Electric Company Thermoplastic compositions containing combined modifiers
US5106908A (en) 1988-11-14 1992-04-21 General Electric Company Polyorganosiloxane/polyvinyl-based graft (meth)acrylate polymers
US5037861A (en) 1989-08-09 1991-08-06 General Electric Company Novel highly reactive silicon-containing epoxides
US5128431A (en) 1989-09-01 1992-07-07 General Electric Company Platinum catalyzed heterocyclic compound compositions
US4992571A (en) 1989-10-31 1991-02-12 General Electric Company Method for making octyloxy substituted diphenyl iodonium hexafluoro metalloid salts
CA2034400A1 (en) 1990-04-30 1991-10-31 James Vincent Crivello Method for making triarylsulfonium hexafluorometal or metalloid salts
US5086124A (en) 1990-07-05 1992-02-04 General Electric Company High heat distortion temperature epoxy siloxane/organic epoxy compositions
US5223356A (en) * 1990-08-24 1993-06-29 University Of Lowell Photocrosslinked second order nonlinear optical polymers
US5326661A (en) * 1991-11-13 1994-07-05 Hoechst Celanese Corp. Photorefractive polymers containing discrete photoconductive and electrooptical units
US5354796A (en) 1992-10-01 1994-10-11 General Electric Company Low gloss thermoplastic molding compositions
JP2994191B2 (ja) 1992-10-30 1999-12-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 有機ポリカーボネート組成物の再分配
US5256728A (en) 1992-11-23 1993-10-26 General Electric Company Polycarbonate-titanium dioxide compositions and method
US5405956A (en) 1994-03-01 1995-04-11 Hay; Allan S. Cyclic oligomers for production of linear polyketones, polyphthalazines and polyisoquinolines
US5412061A (en) 1994-03-07 1995-05-02 General Electric Company Polycarbonate melt condensation synthesis using a tetraorganophosphonium carboxylate salt catalyst
US5430199A (en) 1994-03-28 1995-07-04 General Electric Company Method for recovering phenol and xanthene values from bisphenol A tars
US5466777A (en) 1994-03-28 1995-11-14 General Electric Company Xanthene polymers, and copolymers, and method for making
US5475156A (en) 1994-06-06 1995-12-12 General Electric Company Method for making a 2,6-dialkylphenol
US5459226A (en) 1994-07-27 1995-10-17 General Electric Company Polycarbonate redistribution method
US5597887A (en) 1994-10-20 1997-01-28 General Electric Company Branched polycarbonate preforms, blow moldable polycarbonate and method for making
US5556936A (en) 1994-11-17 1996-09-17 General Electric Company Aromatic polycarbonates having polyfunctional UV screening units, method for making and use
US5652312A (en) 1995-01-17 1997-07-29 General Electric Company Redistribution of organic polyestercarbonate compositions
US5504177A (en) 1995-03-02 1996-04-02 General Electric Company Method for preparation of block copolysiloxanecarbonates
JPH08283520A (ja) 1995-04-08 1996-10-29 Nippon G Ii Plast Kk 熱可塑性樹脂組成物
US5567829A (en) 1995-04-17 1996-10-22 General Electric Company Method for recovering phenol and xanthene values from waste polycarbonate
US5554770A (en) 1995-04-17 1996-09-10 General Electric Company Method for making polyalkylated xanthenes
US5521275A (en) 1995-09-05 1996-05-28 General Electric Company Method for improving catalyst efficiency during polycarbonate redistribution
US5567802A (en) 1995-11-20 1996-10-22 General Electric Company Polycarbonate redistribution method employing phosphonium hydroxides
US5756859A (en) 1996-01-05 1998-05-26 General Electric Company Method for preparing and purifying 1,1,1-tris(4-hydroxyphenyl)ethane
US5650470A (en) 1996-06-07 1997-07-22 General Electric Company Polycarbonate redistribution using diethyldimethylammonium hydroxide as catalyst
US5863992A (en) 1996-07-15 1999-01-26 General Electric Company Tetraphenols and their use as polycarbonate branching agents
US5756843A (en) 1996-07-15 1998-05-26 General Electric Company Quaternary bisphenolates, methods for their preparation, and uses thereof
US5672776A (en) 1996-09-27 1997-09-30 General Electric Company Method for purifying 1,1,1-tris(4-hydroxyphenyl)-alkanes
US5763686A (en) 1996-12-16 1998-06-09 General Electric Company Method for preparing 1,1,1-tris(4-hydroxyphenyl)ethane
US5830988A (en) 1997-08-26 1998-11-03 Molecular Optoelectronics Corporation Indane polyetherimides
US5977265A (en) 1997-09-02 1999-11-02 General Electric Company Method for preparing brominated polycarbonates, and products obtained thereby
DE19744162A1 (de) * 1997-10-07 1999-04-08 Bayer Ag Optisches Speichermedium
US6087468A (en) 1997-10-20 2000-07-11 General Electric Company Method of branching and cross-linking a polycarbonate resin
US5856422A (en) 1997-10-24 1999-01-05 Molecular Optoelectronics Corporation Optically active poly(aryl)ethers containing optically pure spirobindane and indane moieties
US5777063A (en) 1997-10-24 1998-07-07 Molecular Optoelectronics Corporation Optically active indane polymers
US5883218A (en) 1997-10-24 1999-03-16 Molecular Optoelectronics Corporation Optically active spirobiindane polymers
US5886073A (en) 1997-11-03 1999-03-23 General Electric Company Polycarbonate redistribution method with catalyst decomposition
US5981788A (en) 1997-11-03 1999-11-09 General Electric Company Method for recovering and recycling catalyst constituents
US5973102A (en) 1997-12-12 1999-10-26 General Electric Company Static resistant polycarbonate compositions
US5994596A (en) 1998-03-31 1999-11-30 Molecular Optoelectronics Corporation Method for preparing high purity indane bisphenols
US6785461B2 (en) 1998-08-25 2004-08-31 Molecular Optoelectronics Corp. Blockless fiber optic attenuators and attenuation systems employing dispersion tailored polymers
US6205280B1 (en) 1998-08-25 2001-03-20 Molecular Optoelectronics Corporation Blockless fiber optic attenuators and attenuation systems employing dispersion controlled polymers
US6191224B1 (en) 1998-08-25 2001-02-20 Molecular Optoelectronics Corporation Dispersion-controlled polymers for broadband fiber optic devices
US6091879A (en) 1998-09-15 2000-07-18 Molecular Optoelectronics Corporation Organic photochromic compositions and method for fabrication of polymer waveguides
US6339138B1 (en) 1998-11-04 2002-01-15 General Electric Company Method of manufacturing polycarbonates
ATE395373T1 (de) 1998-12-18 2008-05-15 Gen Electric Optischer datenträger enthaltend polycarbonat mit verringertem fries gehalt
US6140457A (en) 1999-02-26 2000-10-31 General Electric Company Static-resistant polycarbonates having DI-t-alkylphenyl end groups
US6288206B1 (en) 1999-03-08 2001-09-11 Molecular Optoelectronics Corporation Chiral polymer compositions exhibiting nonlinear optical properties
US6022943A (en) 1999-04-07 2000-02-08 General Electric Company Optical quality polycarbonates with reduced static charge and method for making same
US6143859A (en) 1999-08-09 2000-11-07 General Electric Company Copolycarbonate preparation by solid state polymerization
US6333394B1 (en) 1999-08-09 2001-12-25 General Electric Company Copolycarbonate preparation by solid state polymerization
US6539278B1 (en) 1999-09-20 2003-03-25 General Electric Company Method and apparatus for resin formulations with improved streaking performance
US6184334B1 (en) 1999-10-04 2001-02-06 General Electric Company Alkali metal salts of oxoacids of sulfur as polymerization catalysts
WO2001033492A1 (en) 1999-11-03 2001-05-10 General Electric Company Method of objectively evaluating a surface mark
US6252035B1 (en) 1999-11-29 2001-06-26 General Electric Company Salts of chelating agents as polymerization catalysts
US6252013B1 (en) 2000-01-18 2001-06-26 General Electric Company Method for making siloxane copolycarbonates
US6316578B1 (en) 2000-02-04 2001-11-13 General Electric Company Salts of non-volatile acids as polymerization catalysts
JP2001318462A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Mitsubishi Chemicals Corp 光重合性組成物及び光重合性画像形成材
US6466729B1 (en) 2000-03-30 2002-10-15 Molecular Optoelectronics Corporation Controllable fiber optic attenuators employing tapered and/or etched fiber sections
US6184335B1 (en) 2000-04-10 2001-02-06 General Electric Company Salts of aryl sulfonic acids as polymerization catalysts
US6492485B1 (en) 2000-04-11 2002-12-10 General Electric Company Redistributed polycarbonate resin
US6228973B1 (en) 2000-06-02 2001-05-08 General Electric Company Method for preparing high molecular weight polycarbonate
US6437082B1 (en) 2000-06-23 2002-08-20 General Electric Company Infrared evaluation of the stoichiometric ratio of dihydric phenol to diarylcarbonate during production of polycarbonates
US6300460B1 (en) 2000-07-06 2001-10-09 General Electric Company Mixed dialkali metal salts of sulfuric acid containing at least one cesium equivalent as polymerization catalysts
US6489399B1 (en) 2000-07-31 2002-12-03 Molecular Optoelectronics Corp. Dye-appended polymers for broadband fiber optic devices
US6303835B1 (en) 2000-09-11 2001-10-16 General Electric Company Method for recovering material values from bisphenol tars
US6576911B1 (en) 2000-10-19 2003-06-10 General Electric Company Method and apparatus for nondestructive determination of polymer hydrolytic stability
US6608678B1 (en) 2000-10-19 2003-08-19 General Electric Company Situ determination of DPC and BPA in polycarbonate by Raman spectroscopy
US6376640B1 (en) 2001-01-12 2002-04-23 General Electric Company Melt polycarbonate catalyst systems
US6303737B1 (en) 2001-01-12 2001-10-16 General Electric Company Melt polycarbonate catalyst systems
US6323304B1 (en) 2001-01-12 2001-11-27 General Electric Company Melt polycarbonate catalyst systems
US6403754B1 (en) 2001-01-29 2002-06-11 General Electric Company Optimization of polycarbonate preparation by transesterification
US6414106B1 (en) 2001-03-02 2002-07-02 General Electric Company Process for the neutralization of residual acid species in crude dihydric phenols
US6681073B2 (en) 2001-03-19 2004-01-20 Molecular Optoelectronics Corporation Fiber optic power control systems and methods
US6611649B2 (en) 2001-03-19 2003-08-26 Molecular Optoelectronics Corporation Variable optical attenuator with polarization maintaining fiber
US6420588B1 (en) 2001-07-24 2002-07-16 General Electric Company Interfacial method of preparing ester-substituted diaryl carbonates
US6870025B2 (en) 2001-07-24 2005-03-22 General Electric Company Method of polycarbonate preparation
US6420512B1 (en) 2001-07-24 2002-07-16 General Electric Company Extrusion method for making polycarbonate
US6518391B1 (en) 2001-07-24 2003-02-11 General Electric Company Method of polycarbonate preparation by solid state polymerization
US6506871B1 (en) 2001-07-24 2003-01-14 General Electric Company Extrusion method for making polycarbonate
US6548623B2 (en) 2001-07-24 2003-04-15 General Electric Company Method of polycarbonate preparation
US6723823B2 (en) 2001-07-24 2004-04-20 General Electric Company Method of polycarbonate preparation
US6469192B1 (en) 2001-07-24 2002-10-22 General Electric Company Solventless preparation of ester-substituted diaryl carbonates
US6569985B2 (en) 2001-08-08 2003-05-27 General Electric Company Method for making polycarbonate
US6399739B1 (en) 2001-08-22 2002-06-04 General Electric Company Preparation of polycarbonate having a predetermined molecular weight and level of endcapping
US6809817B2 (en) 2001-08-24 2004-10-26 General Electric Company Method and apparatus for in situ determination of molten polycarbonate composition using electronic absorption spectroscopy
US6683689B2 (en) 2001-10-02 2004-01-27 General Electric Company Method for rapid determination of composition of polycarbonate resin
US20030139529A1 (en) 2001-11-02 2003-07-24 General Electric Company Method of making block copolymers by solid state polymerization
US20040022495A1 (en) 2002-03-15 2004-02-05 Shapiro Andrew P. Directional integrated optical power monitor and optional hermetic feedthrough
US20030175001A1 (en) 2002-03-18 2003-09-18 Lawrence Brian L. Variable fiber optic attenuator
US6600004B1 (en) 2002-04-10 2003-07-29 General Electric Company Method of preparing polyestercarbonates
US20030232957A1 (en) 2002-06-12 2003-12-18 General Electric Company Method for making an aromatic polycarbonate
US6790929B2 (en) 2002-06-12 2004-09-14 General Electric Company Method for making an aromatic polycarbonate
US6887969B2 (en) 2002-10-04 2005-05-03 General Electric Company Method and apparatus to make high molecular weight melt polycarbonate
US6797802B2 (en) 2002-10-07 2004-09-28 General Electric Company Method of polycarbonate preparation
US6900283B2 (en) 2002-11-04 2005-05-31 General Electric Company Method for making stable, homogeneous melt solutions
US20040107077A1 (en) 2002-11-30 2004-06-03 Moitreyee Sinha Models for predicting perception of an item of interest
US7514147B2 (en) 2003-01-14 2009-04-07 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Formable thermoplastic multi-layer laminate, a formed multi-layer laminate, an article, and a method of making an article
US20050136333A1 (en) 2003-12-19 2005-06-23 Lawrence Brian L. Novel optical storage materials based on narrowband optical properties
US20050133697A1 (en) 2003-12-23 2005-06-23 Potyrailo Radislav A. Sensor devices containing co-polymer substrates for analysis of chemical and biological species in water and air
US7211641B2 (en) 2004-02-27 2007-05-01 General Electric Company Liquid crystal polycarbonates and methods of preparing same
JP4694138B2 (ja) * 2004-03-31 2011-06-08 新日鐵化学株式会社 サブフタロシアニン化合物の製造方法
US7041775B2 (en) 2004-04-20 2006-05-09 General Electric Company Method for preparing a polycarbonate oligomer mixture at low temperature for manufacturing polycarbonate
US7132498B2 (en) 2004-09-27 2006-11-07 General Electric Company Process to make polycarbonate from bismethylsalicylcarbonate (BMSC)
US7189869B2 (en) 2004-11-01 2007-03-13 General Electric Company Method for making polycarbonate
US7183371B2 (en) 2004-11-01 2007-02-27 General Electric Company Method for making polycarbonate
US7230066B2 (en) 2004-12-16 2007-06-12 General Electric Company Polycarbonate—ultem block copolymers
JP4847516B2 (ja) * 2005-03-16 2011-12-28 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ データ記憶装置および方法
US7528214B2 (en) 2005-10-28 2009-05-05 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Methods for preparing transparent articles from hydroquinone polycarbonate copolymers
US7802274B2 (en) 2005-11-21 2010-09-21 General Electric Company Optical data storage article having a physical surface modification as an anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft of same
US7653919B2 (en) 2005-11-21 2010-01-26 General Electric Company Optical article having anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft of same
US20070114693A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Buckley Paul W Methods for improving mold quality for use in the manufacture of liquid crystal display components
US7760614B2 (en) 2005-11-21 2010-07-20 General Electric Company Optical article having an electrically responsive layer as an anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft
US8202598B2 (en) 2005-11-21 2012-06-19 Nbcuniversal Media, Llc Optical article having an electrically responsive layer as an anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft
US20080275185A1 (en) 2006-03-02 2008-11-06 General Electric Company Poly(arylene ether) block copolymer compositions, methods, and articles
US20070208159A1 (en) 2006-03-02 2007-09-06 General Electric Company Poly(arylene ether) block copolymer compositions, methods, and articles
US8808944B2 (en) 2006-03-15 2014-08-19 General Electric Company Method for storing holographic data
WO2007125937A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Mitsubishi Chemical Corporation 光反応性組成物、光学材料、光記録材料、体積ホログラム記録材料、光記録媒体、及びその光記録方法
US7498399B2 (en) 2006-05-31 2009-03-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of preparing ester-substituted diaryl carbonates
US7521505B2 (en) 2006-06-12 2009-04-21 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of stabilization of dihydric phenols
US7915332B2 (en) 2006-06-26 2011-03-29 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Compositions and methods for polymer composites
US9161440B2 (en) 2006-06-26 2015-10-13 Sabic Global Technologies B.V. Articles comprising a polyimide solvent cast film having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
US8545975B2 (en) 2006-06-26 2013-10-01 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Articles comprising a polyimide solvent cast film having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
US20070299188A1 (en) 2006-06-26 2007-12-27 Chan Kwok P Compositions and methods for polymer composites
US8568867B2 (en) 2006-06-26 2013-10-29 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polyimide solvent cast films having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
US7928154B2 (en) 2006-06-26 2011-04-19 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Methods of preparing polymer-organoclay composites and articles derived therefrom
US20080044639A1 (en) 2006-06-26 2008-02-21 Kwok Pong Chan Polyimide solvent cast films having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
US20080021175A1 (en) 2006-06-26 2008-01-24 Chan Kwok P Compositions and methods for polymer composites
US20080015330A1 (en) 2006-06-26 2008-01-17 Chan Kwok P Compositions and methods for polymer composites
US7928155B2 (en) 2006-06-26 2011-04-19 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Compositions and methods for polymer composites
US20070299187A1 (en) 2006-06-26 2007-12-27 Chan Kwok P Compositions and methods for polymer composites
US7541420B2 (en) 2006-06-30 2009-06-02 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method for making molded polycarbonate articles with improved color
US7482423B2 (en) 2006-06-30 2009-01-27 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonates and method of preparing same
US7645851B2 (en) 2006-06-30 2010-01-12 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate with reduced color
US7498400B2 (en) 2006-06-30 2009-03-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of preparing polycarbonate
US8501371B2 (en) * 2006-12-14 2013-08-06 General Electric Company Holographic data storage method and system
US9164480B2 (en) * 2006-12-14 2015-10-20 General Electric Company Holographic data storage device and method of making
US20080287640A1 (en) 2007-05-15 2008-11-20 General Electric Company Process for the production of polycarbonate using an ester substituted diaryl carbonate
US7642315B2 (en) 2007-06-15 2010-01-05 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate-poly(alkylene oxide) copolymer compositions and articles formed therefrom
US7649073B2 (en) 2007-06-15 2010-01-19 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate-poly(alkylene oxide) copolymer compositions and articles formed therefrom
US8361587B2 (en) 2007-07-31 2013-01-29 Nbcuniversal Media, Llc Enhanced security of optical article
US20090036304A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 General Electric Company Thermochromic ink and coating compositions and methods for thermal activation
US20090202919A1 (en) * 2007-10-23 2009-08-13 Stx Aprilis, Inc. Apparatus and methods for threshold control of photopolymerization for holographic data storage using at least two wavelengths
US20090197186A1 (en) * 2008-02-05 2009-08-06 Nitto Denko Corporation Optical devices responsive to blue laser and method of modulating light
US20090214828A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Vicki Herzl Watkins Blunt tip prism film and methods for making the same
US20090246441A1 (en) 2008-03-31 2009-10-01 Nbc Universal, Inc. System and Method for Photobleaching of Optical Media
US20090263612A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Nbc Universal, Inc. System and Method for Photobleaching of Optical Media
US8387876B2 (en) 2008-05-13 2013-03-05 Nbcuniversal Media, Llc Activation system and method for activating an optical article
US8473974B2 (en) 2008-05-13 2013-06-25 Nbcuniversal Media, Llc Activation system and method for activating an optical article
US8097324B2 (en) 2008-05-14 2012-01-17 Nbcuniversal Media, Llc Enhanced security of optical article
US8284057B2 (en) 2008-09-23 2012-10-09 Nbcuniversal Media, Llc Security tag for optical media and processes for fabrication and attachment
US8622223B2 (en) 2008-12-17 2014-01-07 General Electric Company Membrane assemblies and methods of making and using the same
US8030509B2 (en) 2008-12-24 2011-10-04 General Electric Company Carbon dioxide absorbent and method of using the same
US20110080823A1 (en) 2008-12-30 2011-04-07 General Electric Company Disc structure for bit-wise holographic storage
US8647794B2 (en) 2009-02-24 2014-02-11 General Electric Company Method of forming holograms in polymer composites with confined crystallization
US8273832B2 (en) 2009-02-24 2012-09-25 General Electric Company Block terpolymer with confined crystallization
US7977413B2 (en) 2009-03-13 2011-07-12 Nbcuniversal Media Llc Thermally responsive ink and coating compositions
US20100302927A1 (en) 2009-05-31 2010-12-02 General Electric Company Optical data storage medium and methods for using the same
US8124299B2 (en) 2009-08-31 2012-02-28 General Electric Company Methods for using optical data storage media
US8178261B2 (en) * 2009-08-31 2012-05-15 General Electric Company Optical data storage media and methods for using the same
US8507153B2 (en) 2009-08-31 2013-08-13 General Electric Company Compositions, optical data storage media and methods for using the optical data storage media
US8182967B2 (en) * 2009-08-31 2012-05-22 General Electric Company Optical data storage media and methods for using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050136357A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Farid Samir Y. Optical recording media with triplet-sensitzed isomerization

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120022066A (ko) 2012-03-09
JP2012053974A (ja) 2012-03-15
CN102399456A (zh) 2012-04-04
JP5759308B2 (ja) 2015-08-05
EP2423917A2 (en) 2012-02-29
EP2423917B1 (en) 2013-08-07
CA2749457A1 (en) 2012-02-29
EP2423917A3 (en) 2012-05-16
US8343608B2 (en) 2013-01-01
TW201221566A (en) 2012-06-01
CN102399456B (zh) 2014-11-05
US20120052232A1 (en) 2012-03-01

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