TWI496019B - 自動計算半導體製造程序邊界的方法 - Google Patents

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TWI496019B
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Yen Di Tsen
Jo Fei Wang
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Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd
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Description

自動計算半導體製造程序邊界的方法
本發明係關於半導體製程,且特別是關於系統。
積體電路係在晶圓廠設備中藉由複數半導體製程製造而成。這些製程以及相關的製造機台可以包含熱氧化、擴散、離子植入、快速熱處理(rapid thermal processing,RTP)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、磊晶形成/成長程序、蝕刻程序、光蝕刻程序、及/或其他製造程序及機台。此外,該製造程序包括複數種計量程序以監視及控制積體電路製造良率、品質及可靠度。
在積體電路的製造期間,線上半導體製造程序產生了大量的資料。這些程序亦涉及使用預設的邊界條件監視系統參數及控制這些參數的邊界設定。該邊界可能太廣,或者缺乏同步性。因此,晶圓廠面對鉅額成本。
本發明提供一種自動計算半導體製造程序邊界的方法,包括:選取於一半導體製造程序中監視之一第一參數;接收該第一參數的第一組數值;決定該第一組的一群值;將該第一組數值中的每一個數值正規化;依據該第一組數值的個數選取一第一加權係數;依該加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界;以及用該第一及該第二邊界以控制該半導體製 造程序。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附的圖式,作詳細說明如下:
本發明提供了在半導體製程中系統參數的邊界控制之改良系統與方法。在此所述之自動邊界控制系統(ABS)及程序並不限定於任何特定的半導體製程技術、生產範圍、設備、製程世代、製造機台、晶圓尺寸等。
本發明提出自動邊界控制方法與系統,其能夠處理監視半導體製程的大量資料並針對半導體製程中選定的元件之選定的參數形成量身訂做的邊界,以改進品質控制並降低成本。
發明人已決定,藉由監視選定參數的資料組及針對這些被監視的資料組訂製邊界值,能夠達到改善的整體品質控制並偵測異常。當針對某一參數有更多的資料進入ABS,邊界值就會持續修訂,系統的正確性就會持續改善。ABS提供監視主動及被動參數的趨勢及行為之功能,並提供偵測異常、並快速及正確地回應以調整半導體製造程序的製程窗之功能。在一些實施例中,ABS提供進一步針對選定系統元件(例如,元件、機器、次系統及系統及/或裝置)之選定參數監視資料組的功能,並提供針對這些被監視的資料組訂製邊界值的功能。ABS降低了當系統高度自動化時,用以維持高量及複雜資料處理之人力需求。但是,在 另一些實施例中,在必要時,ABS可以包含人員互動、觀察及介面的各種階段。
在圖式中,類似元件被標示以類似的數字標號以協助理解圖式,參照圖式,說明多閘半導體裝置及其形成方法。該等圖式並非按比例繪製。
後記敘述係用以教示代表例。熟悉本領域技術人士可知,本說明書中所述之實施例係可以進行各種變更,而仍可獲致其有利的結果。另外,明顯地,後記之所望優點可以藉由選取後記的特徵或步驟中的一部份來達成。因此,本領域的工作者可知,在某些情況中,需要本說明書所述之特徵及步驟中之一部份或其變形及修改。因此,後記之敘述係提供用於例示,而非用於限制。
例示實施例之敘述係應該參照附圖閱讀,其中該附圖係被視為整個書寫敘述之一部份。在此之實施例敘述中,任何關於方向或方位的敘述僅係為了敘述方便,並非用以限制本發明範圍。再者,各種特徵及優點係參照例示之實施例說明。因此,本說明書的主體及所附之申請專利範圍並不限制於這些實施例。
在此所使用之單數冠詞如「一個」及「該」並非用以排除複數的狀況,除非上下文有清楚無疑異地指出。
第1圖為依據本發明之實施例之自動計算半導體製造程序邊界的方法100之流程圖。在方塊110中,選取於一半導體製造程序中監視之一第一參數。在一些實施例中,該第一參數可以為一裝置參數,例如包含:一電性或物理性參數,如飽和電流改變、滲漏參數、速度參數、及/或任 何其他合適的裝置參數。在另一些實施例中,該第一參數可以為一製程參數。一製程參數可以包含設備參數或和半導體程序之計量參數。例如,一製程參數的數值可以透過監視而觀察到,並可以在製造程序中(例如,線上)決定。半導體程序之計量參數在此可稱之為製程資料。一製程參數可以為一主動參數或一被動參數。一個主動(或主動地控制)參數可以包括任何能夠在一特定半導體製程中容易地被界定的製程參數(例如,藉由在一設備設定值(recipe)中定義該參數)。主動參數的例子包括RF能量、氣體流動率、濃度、修整時間、壓力、或製程時間。一被動參數可以包括不是由製程設定決定的任何製造參數,其可以為例如一程序中隱含的從屬變數,其依據其他被動及/或主動控制參數、一種設備、設備狀態、處理中晶圓的狀態、及/或其他可能因素而定。被動參數的例子包括反射能量、周圍狀態、污染層級、及製造機台中的溫度及/或壓力狀況。其他例子包括複晶矽蝕刻之臨界尺度(CD)或深度。
在一些實施例中,該第一參數係被選取用以在一元件中進行監視。一元件可以包括任何適當的裝置、元件、機器、次系統、或系統,在其中可以監視參數,例如一部分、機台、電路或一製程反應室。作為一個例子,在一些實施例中,一元件可以為一製程反應室,而該被選取的第一參數可以為在該製程反應室中的氣體流動率。作為另一例,一元件可以為一電路,而該被選取的第一參數可以為一滲漏參數。在各種實施例中,該第一參數係被選取用以在多於一個元件中進行監視,例如,在多於一個製程反應室中。
在方塊120,接收該第一參數的第一組數值。在一些實施例中,該第一資料組可以在監視一製造程序之執行時收集。在一些實施例中,該第一參數的第一組數值之接收係於一元件中,例如一製程反應室中。在方塊130中,決定該第一參數之該第一組的一群值。在該第一參數為一主動參數的實施例中,該群值可於方塊132中決定,其係使用該第一組數值的一算術函數。例如,該群值可以為該第一組數值的一平均值。在該第一參數為一被動參數的實施例中,該群值可於方塊134中決定為第一組數值的一目標值。該目標值可以為該第一參數的一希望值或一期望值。
在方塊140中,將該第一組數值中的每一個數值正規化。該第一組數值可以使用任何適合的正規化資料的方法予以正規化。在一些實施例中,該第一參數為一主動參數而該群值為一平均值,該第一參數的該第一組數值可以藉由下列方法予以正規化,決定一補償值以將該第一組的該平均值歸零,並依據該補償值調整該第一組數值中的每一個數值。在各種實施例中,該正規化資料可以藉由將該第一組數值中的每一個數值減去該群值而算出。在一些實施例中,在一元件中接收的該第一組資料的數值被正規化。作為一個例子,接收在一機器「A」中的該第一參數的一第一組數值,並接收在一機器「B」中的該第一參數的一第二組數值。該第一組數值和該第二組數值可以有不同的群值。這些數值可以在各組中進行正規化,其係藉由將該各組數值中的每一個數值減去各群值而算出。在一些實施例中,可以決定該第一組中的該正規化數值的該標準差。
參照方塊150,依據該第一組數值的個數選取一加權係數。在一些實施例中,可以將該第一組數值的個數和一第一預設數比較。可以在一被監視的半導體製程開始之前就先選取該第一預設數。如所示,若該第一組數值的個數大於該第一預設數,則在方塊152中選取一第一加權係數。若該第一組數值的個數小於該第一預設數,則在方塊155中,將該第一組數值的個數和一第二預設數相較。在其他實施例中,若該第一組數值的個數小於該第一預設數,則該邏輯可以使得接收更多該第一組的資料。在一些實施例中,若該第一組數值的個數大於該第二預設數,則在方塊157中選取一第二加權係數。若該第一組數值的個數小於該第二預設數,則可以接收該第一組中更多資料。例如,若該第一組數值之個數包含從10到19之一個數,則該第一加權係數可以為6;若該第一組數值之個數包含從20到29之一個數,則該第一加權係數可以為5;若第一組數值之個數包含至少30之一個數,則該第一加權係數可以為4。
在方塊160中,依該加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界。在此所述之邊界值係用於控制一半導體製程。邊界值構建出製程窗,亦即,一半導體製程序之一參數的可接受值或穩定值的範圍。發明人觀察到,藉由針對一選定的參數之被監視的資料組設定邊界值,可以處理大量的資料,並達到整體品質控制改善及異常偵測。發明人更觀察到,藉由針對複數個別元件(例如一部分、機台、電路或一製程反應室) 中的每一者設定邊界值,可以將錯誤警示降到最少,並能夠偵測到更高比例的元件錯誤或異常。在一些實施例中,第一及一第二邊界係產生為該加權係數、該第一組正規化數值的標準差、及該第一組之該群值之一函數。在一些實施例中,產生該第一及第二邊界係使用下列運算:
在上述運算中,σL 為該第一組數值的一整體標準差,σL_normalized 為該第一組正規化的數值之標準差,σelement_mean 為該元件中該第一組數值之該群值的標準差。作為一個例子,當一個主動參數(例如氣體流動率)被選取用以在一反應室中進行監視,在該反應室中接收該主動參數的第一組數值。可以決定該第一組數值之一平均值,例如均值。該第一組中的每一個數值可以被正規化。可以針對該第一組正規化的數值決定其σL_normalized 。可以依據該反應室中該第一組數值之該平均值決定其σelement_mean 。可以依據該特定運算,針對該第一組決定其整體標準差。於一些實施例中,該第一及第二邊界可以藉由下述方式產生,將該第一加權係數乘以該第一組數值的該整體標準差,並依該乘法運算步驟的該結果及該第一組數值之平均值產生該第一及第二邊界。例如,該第一及第二邊界可以用下式產生:L-average ±(WF)* σL ,其中L-average 為該第一組的平均值,WF為選取之該加權係數,σL 為該第一組數值的一整體標準差。在方塊170中,該第一及一第二邊界被應用以控制 該半導體製程。例如,該第一邊界可以應用以增加或減少針對在一半導體製程中之一元件的一選定參數設定之一上邊界值,該第二邊界可以應用以增加或減少針對在該半導體製程中之該元件的該選定參數設定之一下邊界值。
在一些實施例中,該方法可以使用依據在此所述之原則程式化的一泛用電腦來實現。在此所述之實施例,尤其是任何「較佳」實施例,僅為可能的實施例,僅係提供用於清楚瞭解本說明書之原理。本說明書所述之實施例可以在不脫離本說明書的精神及原則的情況下,進行各種變形及修改。所有這些修改及變形係包含於本說明書範圍中,且本說明書之保護範圍係以後述申請專利範圍為準。
在本說明書中個別實施例中所述之特徵,亦可以在單一實施例中結合實施。相反地,在單一實施例中所述的各種特徵可以個別實施於數個實施例中,或在任何適合的次組合中。再者,雖然在上文中,特徵係被描述或主張為作用在特定組合,在所主張之一個組合中的一個或多個特徵可以在某些情況下從該組合中剔除,而該主張的組合可以導向次組合或次組合的變形。
類似地,在圖式中將操作描繪為依據一特定順序,但這並非表示這些操作依據顯示之該特定順序或序列執行,或所有顯示的操作都被執行以達到所欲之結果。在某些情況下,多工或平行處理可能是有益的。再者,上述實施例中各種系統元件的分離並非表示在所有實施例中都需要分離,並且,應該可以瞭解到上述程式元件及系統可以整合為單一軟體產品或包裝成數個軟體產品。
說明書中所述該程序及邏輯流程可以由執行一或多個電腦程式之一或多個可程式化處理器執行,藉由處理輸入資料並產生輸出資料來實現其功能。該程序及邏輯流程及裝置亦可以由特別目的邏輯電路實現,例如FPGA(field programmable gate array)或ASIC(application specific integrated circuit)。
第2圖顯示依據一些實施例之電腦處理單元結構之例示方塊圖。該標的之實施例及本說明書中所述之功能運作可以實現於一電子電路、或電腦韌體、或硬體,包括本說明書中所述結構或與其相等當之物,或其中一者或多者之組合。本說明書所述標的之實施例可以實現於一或多個電腦程式產品,例如,一或多個電腦程式指令模組,其係載於有形的機器可讀取儲存媒體上,以使得資料處理裝置可以執行,或控制該資料處理裝置之運作。該有形儲存媒體可以為一電腦可讀取媒體。該電腦可讀取媒體可以為一機器可讀取儲存裝置、機器可讀取儲存基質、記憶裝置、硬碟機、磁帶機、光碟機(例如,但不限制於CDROM、DVD、或BDROM)等、或上述一者或多者之組合。該自動邊界系統(ABS)的至少一部份可以實現於一電腦系統200尤其是在軟體中,並於一監視器或其他顯示裝置上對使用者呈現。在各種實施例中,電腦系統200包含用於ABS之功能並執行例如第1、3~6圖所示之處理。
為了提供與使用者的互動,本說明書的標的之實施例可以實現於電腦中,其具有:一顯示裝置,例如CRT(cathode ray tube)或LCD(liquid crystal display)監視器,以對使用者 顯示資訊;及鍵盤及指向裝置,例如滑鼠或軌跡球,以讓使用者能藉以提供輸入至電腦。在一些實施例中,和ABS有關的資料可以圖形使用者介面(GUI)的形式提供在類似如電腦監視器的顯示裝置上。例如,該顯示裝置可以運作用於以人可讀取的形式,顯示一元件中一參數的製程窗、接收之在數個元件中之一參數的資料、接收之在數個元件中多個參數之資料等。其他種類的裝置也可以用來提供使用者互動之用,例如,使用者的輸入可以用任何形式輸入,包括聲音、語言或觸摸輸入。
第2圖顯示用以實現至少一部份ABS的電腦系統200的結構之一例。如第2圖所示,電腦系統200可以包括一或多個處理器202。處理器202和一通訊基礎建設206(例如:一通訊匯流排、跨接桿(cross-over bar)、或網路)連結。電腦系統200可以包含一顯示介面222,其從通訊基礎建設206(或從其他圖未顯示的訊框緩衝器)傳送圖片、文字、及其他資料以將其顯示於顯示單元224上。
電腦系統200亦包含一主記憶體204,例如隨機存取記憶體(RAM)、及一第二記憶體208。該第二記憶體208可以包括,例如,硬碟機(HDD)210及/或可卸除儲存裝置212,其可以為一軟式磁碟、一磁帶機、一光碟機等。可卸除儲存裝置212從可卸除儲存單元216讀取資料,或將資料寫入。可卸除儲存單元216可以為一軟式磁碟、光碟等。應該可以理解,該可卸除儲存單元216可以包括儲存了電腦軟體及/或資料的電腦可讀取儲存媒體。適合儲存電腦程式指令及資料的電腦可讀取儲存媒體包括所有形式的資料 記憶體,包含非揮發記憶體、媒體及記憶裝置,包括半導體記憶裝置,例如EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置;磁碟,例如內部硬碟或可卸除磁碟;永磁光碟;及CDROM、DVD-ROM、BDROM磁碟。處理器202及主記憶體204可以由特殊目的邏輯電路輔助或與其整合。
在另一些實施例中,第二記憶體208可以包含其他類似裝置,以讓電腦程式或其他指令可以載入電腦系統200中。第二記憶體208可以包含一可卸除儲存單元218及一對應介面214。此種可卸除儲存單元的例子包括,但不限制於:USB或快閃驅動器,其使得軟體及資料從可卸除儲存單元218傳送至電腦系統200。
電腦系統200亦可以包含通訊介面220。通訊介面220讓軟體及資料可以在電腦系統200和外部裝置之間傳送。通訊介面220之例可以包括:數據機、乙太網路卡、無線網路卡、個人電腦記憶卡國際協會(Personal Computer Memory Card International Association,PCMCIA)插槽及卡等。透過通訊介面220傳送之軟體和資料可以為訊號的形式,其可以為電子的、電磁的、光的等,其能夠由通訊介面220接收。這些訊號可以透過一通訊路徑(例如,頻道)提供至通訊介面220,其可以使用電線、電纜、光纖、電話線、手機連線、射頻(RF)連線及其他通訊頻道。
電腦程式產品提供軟體給電腦系統200。電腦程式(亦稱之為電腦控制邏輯)係儲存於主記憶體204及/或第二記憶體208。電腦程式也可以透過通訊介面220接收。此電腦程式,當被處理器執行時,使得電腦系統200執行在此 所述之方法的特徵。例如主記憶體204、第二記憶體208、可卸除儲存單元216、可卸除儲存單元218可以再有用以執行第1圖所示之程序的電腦程式碼。
在一使用軟體來實現的實施例中,該軟體可以儲存在一電腦程式產品中,並使用可卸除儲存裝置212、硬碟機(HDD)210、或通訊介面220載入電腦系統200。該軟體,當被處理器202執行時,使處理器202執行在此所述之方法的功能。在另一實施例中,該方法可以主要實現於硬體,使用例如硬體元件,如數位訊號處理器,其包含特殊應用積體電路(ASIC)。在另一實施例中,該方法可以使用硬體和軟體的組合來實現。
各種實施例可以在電腦系統中實施,其可以包含後端元件(例如,資料伺服器)或中端元件(例如應用伺服器)或包含前端元件(例如具有圖形使用者介面或網路瀏覽器的電腦,透過他們,使用者可以和本發明所述之標的實施互動),或一或多個此後端、中端、或後端元件之任何組合。該系統之該等元件可以用任何形式或數位資料通訊媒體互相連結,例如,通訊網路。通訊網路的例子包括一局部區域網路(LAN)、廣域區域網路(WAN),例如網際網路。
第3圖顯示針對一半導體製造程序自動計算邊界的方法之流程圖。在方塊310中,如第1圖所示般選取第一參數。在方塊320-1、320-2中,分別接收在元件1及2中之該第一參數的第一組數值,如方塊120所示。在方塊330-1、330-2中,分別決定在元件1及2中該第一組資料的群值。分別依據在元件1及2中第一組數值的個數選取 第一加權係數。例如,如方塊350-1、350-2中所示,分別比較元件1及2中第一組數值的個數及一第一預設數值,如上述方塊150所示。若該比較指出元件1及2中第一組數值的個數超過該第一預設數值,則針對兩個資料組的計算選取該第一加權係數。若一個或多個比較指出在個別組中數值的個數小於該第一預設數值,則邏輯會指示要針對該被指出的資料組收集更多的資料。在方塊360-1、360-2中,分別針對元件1及2產生第一及第二邊界值,且在方塊370-1、370-2中,分別應用該邊界值以控制該每個各別元件中的該半導體製程。在方塊425中,接收在一製程反應室之該第一參數的一第二組數值。在方塊455和457中,依據該第二組中數值之一個數選取一第二加權係數。若接收了在該第二組中適當個數的數值,例如,該第二組中數值之個數超過一第二預定數值時,則在方塊457中選取該第二加權係數。若該第二組中數值之個數小於一第二預定數值時,則如第4圖所示,該製程反應室中的該邊界值維持相同。在方塊435中,決定該第二組的一群值。在第一參數為一主動參數的實施例中,可以在方塊433中使用一算術函數決定該群值,例如,該第二組資料之一平均函數。在第一參數為一被動參數的實施例中,該群值可於方塊437中決定為第二組數值的一目標值。在方塊465中,依該第二加權係數、該第二組數值、及該第二組之該群值之一函數產生一第三及一第四邊界。在一些實施例中,決定該製程反應室中第一參數的第二組數值之標準差,並依據該決定之標準差的一函數產生該第三及第四邊界值。例如,該 第三及第四邊界可以用下式產生:L-average ±(WF)* σL ,其中L-average 為該第二組的平均值,WF為選取之該加權係數,σL 為該第二組數值的標準差。在方塊475中,該第三及第四邊界被應用以控制該製程反應室中的一半導體製程。
第5圖顯示依據一些實施例,針對一半導體製造程序自動計算邊界的方法之流程圖。邊界值的製程窗可以進一步用界限控制,例如,停止點,其可以由設計工程師針對每個被監視的參數設定。在一些實施例中,設計工程師可以針對被監視的每個元件或複數元件的每個參數設定界限。例如,該界限可以由設計工程師在ABS初始設定時或在ABS對準或校正階段時設定。該界限將參數的製程窗維持在一穩定範圍中,以進一步避免隨著時間而接收的錯誤資訊而產生的假警報。在方塊560,如上述般產生第一及一第二邊界。在方塊562-1、562-2中,分別將第一及一第二邊界與第一及第二最大邊界值比較。若任一個邊界值大於對應的最大邊界值,則ABS中的邏輯要求要接收被監視之該參數更多資料。被監視之參數的該製程窗可以維持相同。在方塊564-1、564-2中,分別將第一及一第二邊界與第一及第二最小邊界值比較。若任一個邊界值小於對應的最小邊界值,則ABS中的邏輯要求要接收被監視之該參數更多資料。被監視之參數的該製程窗可以維持相同。另一方面,若判斷第一及一第二邊界在ABS對該被監視參數設定的控制界限內,則該第一及一第二邊界被應用以控制該半導體製程。例如,若第一及一第二邊界都小於對應的最大邊界值,並大於對應的最小邊界值,則該第一及一第二 邊界被應用以控制該半導體製程。在各種實施例中,可以針對依據被監視元件中的被監視的參數的資料產生之第一及一第二邊界執行類似的程序。
參見第6圖,顯示依據本發明實施例之自動邊界系統600之一例。監視裝置620被提供用以監視一選定的第一參數。在一些實施例中,監視裝置620可被提供用以監視一選定元件之選定參數,例如,一部分、機台、電路或一製程反應室。ABS600可以包含一接收器(圖未顯示)及/或一儲存裝置(圖未顯示)以在監視裝置620監視選定的第一參數時,接收及/或儲存資料。ABS600可以包含一資料判斷裝置630,以決定該選定參數之第一組數值的一群值。在一些實施例中,ABS600可以包含一資料判斷裝置(圖未顯示)以決定選定參數之第一組數值之標準差。該ABS可以包含一資料正規器640,以將該第一組數值中的每一個數值正規化。在一些實施例中,資料判斷裝置630可以執行一或多個判斷及/或正規化處理。計數器650可以被提供用以判斷該第一組中數值的個數。計數器650可用以依據該第一組數值的個數選取一加權係數。一選取器(圖未顯示)可用以依據計數器650的輸出選取一加權係數。一產生器660可被提供用以依來自加權係數輸入665之選取的第一加權係數、從資料正規器640輸出的該第一組正規化數值、從資料判斷裝置630輸出的該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界。在一些實施例中,產生器660可以從資料判斷裝置630或一獨立的資料判斷裝置(圖未顯示)輸入的第一組數值的標準差。ABS600可以包含一觸發 器(圖未顯示),使得當該系統、或使用者認為該邊界值需要被重新計算時,該系統、或使用者(例如一製程工程師)觸發產生器660以重新計算邊界值。該ABS600亦包含一介面670,以將被產生的該第一及一第二邊界被應用到控制器615以控制在一半導體製造系統610中的半導體製程的至少一部份之執行。介面670可以依據ABS600設定的界限對該參數之一製程窗更新邊界值或將該邊界維持一定。
一實施例提供自動計算半導體製造程序邊界的方法,其包含選取於一半導體製造程序中監視之一第一參數。接收該第一參數的第一組數值,並決定該第一組的一群值。將該第一組數值中的每一個數值正規化。依據該第一組數值的個數選取一第一加權係數。該實施例亦包括依該加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界,並使用該第一及該第二邊界以控制該半導體製造程序。
另一實施例提供一電腦可讀取記錄媒體,其上有形地儲存了指令,當該指令被一處理器執行時使得該處理器執行下列操作:選取於一半導體製造程序中監視之一第一參數。該操作亦包括接收該第一參數的第一組數值,決定該第一組的一群值,並將該第一組數值中的每一個數值正規化。該操作亦包括依據該第一組中數值的個數選取一第一加權係數,依該加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界,並使用該第一及該第二邊界以控制該半導體製造程序。
另一實施例提供自動計算半導體製造程序邊界的系統,包括一監視裝置,用以於一半導體製造程序中監視一已選取的第一參數。一資料決定裝置,用以決定該第一參數之該第一組數值的一群值。一資料正規器,用以將該第一組數值中的每一個數值正規化。一計數器,用以決定該第一組中數值的個數。一產生器,用以依一已選取的第一加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一及一第二邊界。一介面,用以將該第一及該第二邊界施加於一控制器以控制該半導體製造程序中的至少一部分。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧電腦系統
202‧‧‧處理器
204‧‧‧主記憶體
206‧‧‧通訊基礎建設
208‧‧‧第二記憶體
210‧‧‧硬碟機(HDD)
212‧‧‧可卸除儲存裝置
214‧‧‧介面
216‧‧‧可卸除儲存單元
218‧‧‧可卸除儲存單元
220‧‧‧通訊介面
222‧‧‧顯示介面
224‧‧‧顯示單元
600‧‧‧自動邊界控制系統(ABS)
615‧‧‧控制器
620‧‧‧監視裝置
630‧‧‧資料判斷裝置
640‧‧‧資料正規器
650‧‧‧計數器
660‧‧‧產生器
670‧‧‧介面
第1圖為依據本發明之實施例之自動計算半導體製造程序邊界的方法之流程圖;第2圖顯示依據本發明實施例的電腦處理單元構造之一例的示意圖;第3圖顯示依據本發明之實施例之自動計算半導體製造程序邊界的方法之流程圖;第4圖顯示依據本發明之實施例之自動計算半導體製造程序邊界的方法之流程圖;第5圖顯示依據本發明之實施例之自動計算半導體製 造程序邊界的方法之流程圖;第6圖為依據本發明實施例之自動邊界系統之一例。
110~170‧‧‧步驟

Claims (14)

  1. 一種自動計算半導體製造程序邊界的方法,包括:選取於一半導體製造程序中監視之一第一參數;接收該第一參數的第一組數值;決定該第一組的一群值;將該第一組數值中的每一個數值正規化;依據該第一組數值的個數選取一第一加權係數;依該加權係數、該第一組正規化數值、該第一組之該群值之一函數產生一第一邊界及一第二邊界;以及使用該第一邊界及該第二邊界以控制該半導體製造程序。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:決定該第一組中的該正規化數值的一標準差;以及產生該第一邊界及該第二邊界,其係為該第一組正規化數值的該標準差。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中該群值為一平均值。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中該第一參數包含一主動參數。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中將該第一組數值中的每一個數值正規化的步驟更包括:決定一補償值以將該第一組的該平均值歸零;以及依據該補償值調整該第一組數值中的每一個數值。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:選取該第一參數以監視包含於下列之群組中的一元件:一裝置、一元件、一機器、一個次系統及一系統;接收該元件中的該第一參數的第一組數值;以及使用該第一邊界及該第二邊界以控制該元件中的該半導體製造程序。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:決定該元件中該第一組數值之一平均值;及其中產生該第一邊界及第二邊界係關於下列計算: ,其中σL 為該第一組數值的一整體標準差,σ L_normalized 為該第一組正規化的數值之標準差,σ element_mean 為該元件中該第一組數值之該平均值的標準差。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中產生該第一邊界及第二邊界的步驟更包括:將該第一加權係數乘以該第一組數值的該整體標準差;以及依該乘法運算步驟的該結果及該第一組數值之平均值產生該第一邊界及第二邊界。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中,若該第一組數值之個數包含從10 到19之一個數,則該第一加權係數為6;若該第一組數值之個數包含從20到29之一個數,則該第一加權係數為5;若第一組數值之個數包含至少30之一個數,則該第一加權係數為4。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:接收在一製程反應室之該第一參數的一第二組數值;決定該第二組的一群值;依據該第二組中數值之一個數選取一第二加權係數;依該第二加權係數、該第二組數值、及該第二組之該群值之一函數產生一第三及一第四邊界;以及使用該第三及該第四邊界以控制該製程反應室之該半導體製造程序。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中該第二組數值之個數為至少30,且該第二加權係數為4。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:選取於該半導體製造程序中監視之一第二參數;接收該第二參數的一第一組數值;決定該第二參數的該第一組數值之一目標值;將該第二參數的該第一組數值中的每一個數值正規化;依據該第二參數的該第一組數值的個數選取該第一加權係數; 依該第一加權係數、該第二參數的該第一組正規化數值、及該第二參數的第一組數值之該目標值之一函數產生一第三及一第四邊界;以及使用該第三及該第四邊界以控制該半導體製造程序。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,其中該第二參數包含一被動參數。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之自動計算半導體製造程序邊界的方法,更包括:針對該第一參數決定一最小邊界值及一最大邊界值;以及只有當該第一邊界及第二邊界小於該最大邊界值並高於該最小邊界值時,使用該第一邊界及該第二邊界以控制該半導體製造程序。
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