TWI495145B - 使用藍色與青色發光二極體及磷光體之發光二極體燈 - Google Patents
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Description
本發明係關於產生白光之磷光體轉換(PC)發光二極體(LED)燈，且更特定言之係關於一種PC LED燈，其使用在兩個不同峰值波長處發射之LED以改良燈之演色性及發光效率。
商業上可購得之LED通常發射一單一色彩(峰值波長)。已產生可產生多個峰值波長之一些實驗性LED晶片。然而，此等LED係使用顯著增加費用之特殊技術製造，使得其等尚未在商業上可行。
最常見白光LED使用激發沈積於LED上方之一相對較寬發射YAG：Ce磷光體之一450 nm藍色LED。YAG之峰值發射波長係約535 nm至565 nm(黃色至綠色)。藍光透過YAG層逸出，且藍光與黃光之組合(經磷光體轉換之藍光)產生白光。因為最高演色性係由一寬譜源(諸如太陽或一輻射黑體)產生，所以此一雙色光源產生相對較差演色性。
演色指數(CRI)係對一光源在相同色溫下相較於一理想或自然光源(諸如太陽)如實重現特定樣本貼片之色彩之能力之一定量量測。太陽具有100之一CRI。
已知使用一藍色LED以激發紅色、黃色及綠色磷光體之一組合以產生具有一高CRI之一較寬光譜。然而，組合及沈積磷光體以產生一致發射色彩係困難的。磷光體亦相對昂貴且減小LED之效率。此外，
歸因於對磷光體使用之增加，採擷磷光體之環境影響係顯著且不斷增長的。
關於磷光體之另一問題在於：一旦將磷光體沈積於LED上方，便無法控制色彩。
已知將紅色、綠色及藍色LED組合於一模組中以產生白光，但各LED需要其自身電流源，且不同LED對熱作出不同反應。因此，此等LED模組具有更佳CRI但缺乏色彩穩定性且係昂貴的。
需要一種用於製造改良CRI、發光效率及色彩控制而無上文論述之缺點之白色光源之技術。
在一實施例中，於一基板上沈積數千個微型LED(例如，每邊長25微米)，且使用一透明導體層製成電連接。該等LED之一些LED經形成以發射450 nm(藍色)之一峰值波長，且一些LED經形成以發射490 nm(青色)之一峰值波長。該兩種類型之LED係基於GaN且可以相同電流驅動。該兩種類型之LED對熱作出類似反應。該兩種類型之LED之比率經控制以達成LED燈之所要整體色彩發射。在一實施例中，接著於該等LED上沈積一黃色磷光體(諸如YAG)，或使用一遠端黃色磷光體層。YAG磷光體在450 nm經最有效激發且在490 nm具有一非常弱發射。藍色LED有效激發黃色磷光體以產生具有藍色及黃色分量之白光，且青色LED增加一綠色分量以增大光發射之CRI及發光效率。
在一實施例中，一紅色磷光體與YAG磷光體混合或上覆於YAG磷光體以產生一更暖白光。若使用具有不同峰值激發波長之紅色磷光體及黃色磷光體，則控制藍色/青色比率或運用電流個別地控制藍色及青色LED控制磷光體對白光之相對紅色/黃色比重。
在另一實施例中，並未使用相對較寬發射YAG磷光體。代替性
地，將紅色及非YAG黃色磷光體之一組合沈積於至少藍色LED上方或遠端使用該組合。針對磷光體最佳化藍色波長。青色LED(其等可未藉由任何磷光體覆蓋)消除對一綠色磷光體之需要以加寬光譜，從而改良燈之效率且改良色彩一致性。
已展示改良發光效率且歸因於所產生之較寬光譜而產生一更高CRI之此雙重LED方法。改良發光效率係歸因於較低磷光體使用率及產生更佳地符合人類視覺系統之發光效率函數之一發射。
在一實施例中，微型LED係一起組合於一液體介質(如一LED墨水)中且經網版印刷、狹縫式塗佈(slot-die coated)、噴射或以其他方式沈積至一基板上之一金屬層上。在一實施例中，LED晶片具有覆蓋晶片之底表面之一反射性金屬(例如，銀)電極(一陽極或陰極電極)及該晶片之頂表面上用以允許光行進通過該晶片之頂表面之一分佈式金屬電極。LED自身經自定向宛如其等浸沒於液體介質中，使得底部電極趨於面向基板上之金屬層。因為較大金屬底部電極具有遠大於GaN半導體之一密度，所以LED趨於以其等底部電極側朝下而定向。自定向可以各種其他方式完成。
接著加熱(或以其他方式固化)結構以使液體介質蒸發且將銀電極接合至基板上之金屬層。在一實例中，基板上之金屬層係藉由(例如)狹縫式塗佈而沈積之一未固化鋁層，且在將LED電極接合至鋁時加熱該層以固化鋁層。
在另一實施例中，藍色及青色LED係個別地印刷至基板之金屬層上不同區域或區中使得可個別電接觸及供能給該等LED。黃色磷光體可僅印刷於藍色LED上方或印刷於一個別區中之藍色及青色LED之一組合上方。YAG或黃色磷光體可與一紅色磷光體混合。藍色及青色LED之一些LED可並未藉由磷光體覆蓋。接著可藉由不同電流源個別地控制LED之三個群組以選擇藍色、青色及磷光體波長之量以產生一
目標色彩。
相關色溫(CCT)係藉由使其色彩與來自加熱至一特定溫度(以凱式(K)量測)時之一黑體參考源(普朗克(Planckian)參考)之光之色彩相關之燈發射之光之色彩外觀之一規範。
輻射發光效率(LER)係以輻射通量除光通量，其中光通量係對人眼之感知亮度(考量眼睛之光度函數)之一量測，且輻射通量係光源獨立於波長之總通量輸出。LER之SI單位係流明每瓦特。在555 nm(綠光)(人眼最敏感)處，最大LER值係683 lm/W。白光之理論最大值取決於色溫及光譜功率分佈(SPD)。
針對最暖CCT(諸如2700K)設計該燈。接著，藉由增大藍色及/或青色之量，使色彩冷卻至較高CCT。舉例而言，在一設定下，該燈可產生CRI為94且LER為288 lm/W之一2700 K CCT。接著，藉由增大至未藉由磷光體覆蓋之藍色及/或青色LED之電流，可將光冷卻至(例如)4000 K或6000 K。在普朗克軌跡上之所有點可係可能的。可達成針對晝夜節律全天動態地調整光。
磷光體層可由一量子點層取代。
在另一實施例中，可使用取放工具或使用另一方法將較大及習知450 nm及490 nm LED晶片(例如，每邊長0.5 mm)定位於基板上。對磷光體之使用及藍色及青色LED之個別控制可與上述相同以達成一較高CRI及改良之LER。
可用發射諸如507 nm之一較長峰值波長(接近於綠色)之GaN LED取代490 nm LED以獲得一高暗視響應(scotopic response)，此係因為暗視響應通常在507 nm處達到峰值。此將導致燈看似比實際量測更亮。換言之，此將增大瞳孔流明。
可使用該兩種類型之LED之其他峰值發射以改良CRI及LER。
因此，藉由使用本發明技術，存在歸因於磷光體轉換之較小能
量損耗，改良發光效率，增大CRI且可控制色彩。
描述其他實施例。
10‧‧‧微型發光二極體(LED)晶片/晶片/發光二極體(LED)晶片
12‧‧‧n型層
14‧‧‧作用層
16‧‧‧p型層
18‧‧‧底部電極
20‧‧‧頂部電極
24‧‧‧基板
26‧‧‧未固化鋁層/鋁層
28‧‧‧印刷或噴射機構
30‧‧‧發光二極體(LED)墨水
32‧‧‧藍色發光二極體(LED)晶片
34‧‧‧青色發光二極體(LED)晶片
36‧‧‧介電層
38‧‧‧透明導體層
40‧‧‧金屬匯流排條
50‧‧‧磷光體層
54‧‧‧電流源
56‧‧‧電流源
57‧‧‧電流源
58‧‧‧電流源
82‧‧‧沈積站
84‧‧‧加熱/固化站
86‧‧‧蝕刻站
100‧‧‧發光二極體(LED)燈面板
114‧‧‧金屬匯流排條
116‧‧‧電連接器
118‧‧‧電連接器
B‧‧‧光線
C‧‧‧光線
Y/R‧‧‧光線
圖1係發射(例如)450 nm或490 nm之一峰值波長之一微型LED晶片之一橫截面視圖。LED具有一反射性金屬底部電極及允許光逸出之一分佈式頂部電極。
圖2圖解說明印刷於一基板上之一未固化鋁層上方之LED墨水(含有微型LED晶片)。
圖3係圖解說明隨機混合於基板之一小區段上方之450 nm及490 nm LED晶片之一俯視圖。
圖4係圖解說明如何可將450 nm及490 nm LED晶片個別地印刷於諸如條帶之區中且將450 nm及490 nm LED之一組合印刷於其他區中以允許不同區藉由電流源個別地控制以控制整體色彩之一俯視圖。
圖5係沿圖3中之線5-5之一橫截面視圖，該橫截面視圖圖解說明使其等底部電極接合至一鋁層且使其等頂部電極藉由上覆於LED晶片且並聯連接LED晶片之一透明導體接觸之LED晶片。
圖6係沿圖4中之線6-6之一橫截面視圖，該橫截面視圖圖解說明使其等頂部電極藉由用於將LED之三個條帶連接至三個不同電流源以個別地控制LED晶片之條帶之一透明導體之個別條帶接觸之LED晶片。
圖7圖解說明圖6之結構上方之一遠端磷光體。
圖8圖解說明直接沈積於圖6之LED晶片上之一磷光體。該等LED晶片可首先經囊封用於保護及改良光提取。
圖9係基板之一小部分之一俯視圖，其圖解說明塗佈有一透明導體(並聯連接LED晶片)及一磷光體之混合LED晶片。
圖10係基板之一小部分之一俯視圖，其圖解說明連接至不同電
流源之LED晶片之個別沈積群組，其中僅一些LED晶片係用一磷光體覆蓋。
圖11係根據本發明之一實施例識別用以形成一LED燈之各種步驟之一流程圖。
圖12圖解說明用以形成LED燈面板之一製造系統。
圖13圖解說明經互連以形成一照明器具(諸如安裝於天花板用於一般照明)之多個LED燈面板。
在各種圖式中之相似或相同元件用相同數字標記。
圖1係取決於其作用層之結構而發射450 nm或490 nm之一峰值波長之一微型LED晶片10之一橫截面視圖。LED晶片10係製造為含有數千個LED之一晶圓之部分。該晶圓可沿蝕刻線分解成邊長約25微米之小型LED晶片。因為生長基板被移除，所以晶片10可僅為幾微米厚(諸如3微米至10微米厚)。熟知形成基於GaN之LED以發射具有450 nm及490 nm之峰值波長之光。
典型地，於一藍寶石基板或其他適合生長基板上生長基於GaN之LED半導體層。磊晶生長n型層12，接著為一作用層14，而後係p型層16。接著移除生長基板，且藉由將一較大反射性金屬合金(或多個金屬層)沈積於n層12上以形成一底部電極18而製成至n型層12之歐姆接觸。藉由將一金屬合金沈積於p層16上以形成一頂部電極20而形成至p型層16之歐姆接觸。可將頂部電極20圖案化成點、線、放射狀圖案或其他圖案以允許光在使電流分佈至p層16時逸出。在一替代性實施例中，於p層16上方形成較大反射性電極，且於n型層12上方形成圖案化電極，其中光透過n型層12逸出。
藉由形成具有不同理想配比之AlInGaN之作用層，可將峰值波長調整為藍色與綠色之間。在本發明中，450 nm之波長將稱作藍色，且
490 nm之波長將稱作青色，即使490 nm接近自藍色至青色之轉變。當使用一藍色LED激發一YAG磷光體(具有約575 nm之一峰值發射波長)時，選擇490 nm波長，因為490 nm波長填入一波長間隙中。因為YAG磷光體藉由450 nm最有效激發，所以選擇450 nm波長。取決於所使用之磷光體或其他因素，可使用發射除450 nm及490 nm外之LED晶片。可使用除YAG以外之其他類型的磷光體。舉例而言，可結合一紅色磷光體使用一非YAG黃色磷光體。將在多種實例中使用YAG。
代替磷光體，可於全部實施例中使用一量子點層以產生白光或任何其他色彩光。
在一實施例中，將藍色及青色微型LED晶片10混合在一液體介質(溶劑)中以形成一LED墨水，該LED墨水之黏度相對較低以允許LED晶片10在介質中容易地移動。控制介質中藍色及青色LED晶片10之比率以達成LED燈之所要整體色彩。
圖2圖解說明一基板24，該基板24可係一薄的、可撓性不銹鋼薄片或一聚合物薄片。製造程序可係在大氣壓下執行之一卷軸式程序。一未固化鋁層26係藉由(諸如)狹縫式塗佈、噴射、印刷等而沈積於基板24上方。鋁層26係由一溶劑中之鋁顆粒形成。
使含有LED墨水30之一印刷或噴射機構28相對於基板24移動以將LED墨水30之一薄層沈積於鋁層26上。底部電極18之相對較高質量自然地定向LED晶片使得底部電極18面向鋁層26。接著藉由一高架加熱器或雷射加熱(固化)結構以使溶劑蒸發且將鋁顆粒熔合在一起以形成一高導電性金屬層。此亦產生底部電極18與鋁層26之間之一歐姆接合。通常將存在沈積於鋁層26上方之數千個或數百萬個LED晶片10。
圖3係基板24之一小部分之一簡化俯視圖，其展示藍色LED晶片32及青色LED晶片34之一隨機分佈。在實例中，藍色LED晶片32對青色LED晶片之比率係二比一。儘管即使在相同晶圓內LED晶片之峰值
波長會略有不同，然藍色LED晶片32之平均峰值波長係約450 nm，且青色LED晶片34之平均峰值波長係約490 nm。
在另一實施例中(如圖4中所圖解說明)，藍色LED晶片32係(諸如藉由狹縫式塗佈或網版印刷)個別地沈積於基板24上之指定區中。當與燈相距一特定距離觀看時，該等區可係允許來自鄰近區之光混合以產生一致色彩之窄條帶或其他形狀。青色LED晶片34亦係個別地沈積於指定區中。亦可存在經個別沈積之藍色及青色LED晶片之一混合物。在圖4之實例中，LED晶片之三個群組係沈積為非常窄的條帶(展示為垂直定向)。儘管為簡單起見而將LED晶片展示為沿各條帶之長度線性定向，然各條帶跨其寬度可具有許多LED晶片。
圖5係沿圖3中之線5-5之一橫截面視圖。圖5圖解說明藉由印刷或噴射沈積於LED晶片32/34上方之一介電層36。介電層36部分囊封晶片且將晶片機械地固定於適當位置中。接著，諸如藉由一濕式蝕刻劑蝕除介電層36之頂部部分以曝露LED晶片32/34之頂部電極。接著，於LED晶片32/34上方沈積一透明導體層38以使該等LED晶片32/34並聯連接。可將透明導體層38沈積於區中以使LED晶片32/34之一群組並聯互連，且有效地電隔離各種透明導體層區使得其等可藉由不同電流源驅動。此亦增大可靠性且減小每電流源需要遞送之電流。透明導體可藉由網版印刷沈積，其中網篩經圖案化以僅透過網篩之非遮罩部分進行印刷。
在另一實施例中，基板24係一介電膜，且鋁層26係形成於電隔離區中。藉由亦將透明導體層38形成為區，可將並聯LED晶片之群組串聯連接於相同基板上以獲得跨串聯串之任何電壓降。
依特定時間間隔沈積金屬匯流排條40以提供自電流源至透明導體層38之高導電性路徑。
圖6係沿圖4中之線6-6之一橫截面視圖。代替如圖5中毯覆式沈積
於LED晶片32/34之混合物上方之透明導體層38，諸如藉由網版印刷選擇性沈積透明導體層38以僅使一單一垂直條帶中之LED晶片並聯互連，其中該等LED晶片係個別地沈積於條帶中。此允許最右條帶中之藍色LED晶片32藉由一電流源個別地控制；允許最左條帶中之青色LED晶片34藉由另一電流源個別地控制；且允許中心條帶中之LED晶片32/34之混合物藉由另一電流源個別地控制。
圖7及圖8圖解說明圖6之配合一磷光體層使用之結構。可代替性地使用圖5之結構。
在圖7中，在一實施例中，一磷光體層50可係一YAG磷光體與一紅色磷光體或一YAG磷光體層與一紅色磷光體層之一混合物。磷光體層50係沈積於一透明基板52(諸如玻璃)上。磷光體層50與LED晶片32/34分離，因此係一遠端磷光體。磷光體層50可形成為個別件且使用任何技術(諸如藉由一透明黏著劑或一機械總成)貼附於LED晶片32/34上方。提供一遠端磷光體層50改良LED燈之混合，減小光及熱對磷光體之影響且允許製造者選擇具有用於LED燈中以達成藉由顧客指定之一色彩同時不改變LED晶片32/34之一所要特性之一預成形磷光體層。
YAG/紅色磷光體將發射具有經良好定義之特性之光。磷光體發射係藉由光線Y/R展示。藍色LED晶片32可藉由一電流源控制為更亮以將更多藍色添加至白光輸出以增大CCT。藍色發射係藉由光線B展示。青色LED晶片34可藉由一電流源控制為更亮以將更多綠色添加至白光輸出。青色發射係藉由光線C展示。可使用其他磷光體代替YAG以產生白光。
若使全部LED晶片並聯連接(諸如圖5中)，則選擇青色LED晶片34對藍色LED晶片32之比率以將LED燈之490 nm輸出提高一特定量以產生光之一更寬光譜以改良燈之CRI。
圖8圖解說明圖6之磷光體層50(諸如藉由噴射或印刷)直接沈積於LED晶片32/34上方之結構。使用青色LED晶片34改良LED燈之CRI及LER，且允許藉由改變供應至LED晶片之各種區之電流而動態地控制整體色彩。
儘管YAG磷光體係藉由由青色LED晶片34發射之490 nm激發，然激發效率並非如450 nm LED晶片32般大。因此，在一實施例中，磷光體並未覆蓋青色LED晶片34而僅覆蓋藍色LED晶片32以最大化效率。接著，青色LED晶片34僅供應YAG磷光體發射中實質上所缺乏之490 nm波長。
在另一實施例中，磷光體層50包括藉由藍色LED晶片32供能之一黃色磷光體及一紅色磷光體。青色LED晶片34貢獻一青色分量以增大CRI，且可視需要不用一磷光體覆蓋青色LED晶片34。可在不損及CRI之情況下將藍色LED晶片32峰值波長調諧至所使用之磷光體之峰值激發波長。
因為藍色及青色LED晶片具有非常相似的結構，所以其等可藉由相同電流源驅動，從而允許其等並聯連接。
青色LED晶片34之峰值發射可在青色(藍色至綠色)範圍內，同時仍達成本發明之優點。藍色LED晶片之峰值波長通常將係磷光體之最有效激勵(energizing)波長。兩種類型之LED晶片之最佳峰值波長經選擇以改良CRI及LER且取決於所使用之特定磷光體及待產生之CCT或色度。在一實施例中，兩種LED類型具有介於約430 nm與507 nm之間之一範圍。
圖9係具有一遠端磷光體層50或直接沈積於LED晶片上方之一磷光體層50之一完成LED燈之一部分之一俯視圖。圖9中之全部LED晶片皆藉由電流源54並行驅動，因為透明導體層38將全部LED晶片之頂部電極連接在一起。藉由添加青色LED晶片34增大CRI，因為一些青
色發射行進通過磷光體層50。
圖10係具有一遠端磷光體層50或直接沈積於特定LED晶片上方之一磷光體層50之一完成LED燈之另一實施例之一部分之一俯視圖。在圖10中，透明導體層38係沈積於條帶中以僅使選定LED晶片並聯互連。若將鋁層26分段，則連接至相同段之LED晶片可形成與其他並聯LED晶片群組串聯連接之一並聯LED晶片群組。
在圖10之實例中，磷光體層50僅形成於LED晶片之中間條帶上方。青色LED晶片34之最左條帶及藍色LED晶片32之最右條帶並未藉由一磷光體覆蓋。通常，藉由磷光體覆蓋之LED晶片將多於未藉由磷光體覆蓋之LED晶片以產生一適當波長平衡以產生白光。該三個LED晶片條帶之各者藉由其自身電流源56、57、58控制，使得可調整白光之色彩分量以達成廣泛範圍之CCT，諸如2700 K至6500 K。普朗克軌跡上之全部點可係可能的。LED晶片及磷光體經設計以提供最低目標CCT(例如，2700 K)且藉由增大至個別藍色及青色LED晶片之電流，可升高CCT。
在另一實施例中，將藍色及青色LED晶片混合在一起且並聯連接以藉由相同電流源控制。LED晶片之比率控制色彩。混合LED晶片或僅藍色LED晶片之一第二群組藉由磷光體覆蓋或上覆有一遠端磷光體，且LED晶片之該第二群組係藉由一個別電流源控制。藉由控制兩個電流源之相對電流，可達成廣泛範圍之CCT，同時增大CRI且改良LER。
可以任何方式將鋁層26及透明導體層38分段以使任何數目個LED晶片串聯及並聯連接。
可使用一量子點層代替磷光體層50。
在白天可自動控制電流源56至58以掃描兩個溫度之間之CCT以模擬日出至日落以對應於晝夜節律。
在一實施例中，使用具有507 nm之一峰值波長之LED晶片而不使用具有490 nm之一峰值波長之LED晶片，此係因為暗視響應通常在507 nm處達到峰值。此將藉由增大瞳孔流明而導致燈看似比實際量測更亮。
圖11係概述根據本發明之一實施例用於形成一LED燈之各種步驟之一流程圖。在步驟61中，於一基板上沈積藍色及青色LED晶片。可混合或分離基板上之LED晶片。LED晶片之比率影響所得色彩。
在步驟62中，使LED晶片電互連且連接至電流源。可將一群組中之磷光體轉換LED晶片連接至一電流源。可將一群組中之藍色LED晶片連接至另一電流源。且，可將一群組中之青色LED晶片連接至一第三電流源。
在步驟63中，將一磷光體選擇性塗敷於全部LED晶片上方或僅LED晶片之一選定群組上方。代替性地，該磷光體可係一遠端層。
在步驟64中，控制電流源以提供藍色、青色及磷光體波長之一所要混合以達成所要CCT。可藉由LED晶片及磷光體之組合最佳化CRI及LER。
圖12圖解說明用以形成LED燈面板之一製造系統。基板24可相對於各種站移動。一或多個沈積站82係用於以任何型樣(諸如藉由使用網版印刷)沈積LED晶片及各種層。一加熱/固化站84固化各種沈積材料。如所需般，一蝕刻站86移除材料。全部程序可在大氣壓下使用一卷軸式程序執行以製造相對較大且便宜LED燈面板。各面板可包括串聯及/或並聯互連之數千個LED晶片。
圖13圖解說明經互連以形成一照明器具(諸如安裝於天花板用於一般照明)之四個LED燈面板100。在一單個照明器具中可存在許多面板。各面板100係藉由任何上述程序製成且各含有數千個LED晶片。金屬匯流排條114之一矩陣係形成於透明導體層上方以提供接近LED
晶片之高導電性路徑。電連接器116及118連接至鋁層26(圖2)及金屬匯流排條114以將一電流耦合至各種LED晶片。若存在待個別控制之LED晶片之多個電隔離段，則對於各面板可存在更多連接器。
接著，藉由外部導體(諸如導線或一導線框之部分)以串聯或並聯之任何組合連接各種面板100以達成所要電壓及電流。照明器具可取代一標準2×4英尺螢光嵌燈。
儘管已展示及描述本發明之特定實施例，然熟習此項技術者將顯而易見在不脫離本發明之更廣態樣情況下可作出改變及修改且因此，隨附申請專利範圍旨在將如落於本發明之真實精神及範疇內之全部此等改變及修改包含於其等範疇內。
10‧‧‧微型發光二極體(LED)晶片/晶片/發光二極體(LED)晶片
24‧‧‧基板
26‧‧‧未固化鋁層/鋁層
28‧‧‧印刷或噴射機構
30‧‧‧發光二極體(LED)墨水
Claims (24)
- 一種照明裝置，其包括：第一複數個發光二極體(LED)晶片，其具有一第一峰值發射波長且產生藍光；第二複數個LED晶片，其具有比該第一峰值發射波長更長之一第二峰值發射波長且產生比該藍光更綠之一光；及在該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片上之相同波長轉換材料，其用於將該藍光及該較綠光轉換至更長波長光，其中該波長轉換材料包括一黃色磷光體，其中藉由該照明裝置產生之光係來自該第一複數個LED晶片之藍光、來自該第二複數個LED晶片之較綠光及來自該波長轉換材料之較長波長之光的一混合物，用以產生一白光；且其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片係作為一LED墨水而印刷於一基板上。
- 如請求項1之裝置，其中該第二複數個LED晶片發射青光。
- 如請求項1之裝置，其中該第一峰值發射波長係約450nm且該第二峰值發射波長係約490nm。
- 如請求項1之裝置，其中該第一峰值發射波長及該第二峰值發射波長係介於約430nm至507nm之間。
- 如請求項1之裝置，其中該波長轉換材料包括一YAG磷光體。
- 如請求項1之裝置，其進一步包括：第三複數個LED晶片，其等發射該第一峰值發射波長；及第四複數個LED晶片，其等發射該第二峰值發射波長，其中無波長轉換材料覆於該第三複數個LED晶片及該第四複數個LED晶片上。
- 如請求項6之裝置，其中該第三複數個LED晶片連接至一第一電流源，其中該第四複數個LED晶片連接至一第二電流源，及其中藉由該第一電流源及該第二電流源產生之該等電流可控制以自該裝置產生一所要發射。
- 如請求項1之裝置，其中該第一複數個LED晶片與該第二複數個LED晶片經混合以發射該第一峰值發射波長及該第二峰值發射波長，其中於該混合物中之該等LED晶片係並聯連接。
- 如請求項1之裝置，其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片係分佈於一基板上且藉由至少一電流源驅動，其中該第一複數個LED晶片與該第二複數個LED晶片之一比率經選擇以自該裝置達成一所要發射。
- 如請求項1之裝置，其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片係作為一LED墨水印刷於一基板上，該LED墨水包括一起混合於一溶劑中之該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片。
- 如請求項1之裝置，其中該波長轉換材料與該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片分離。
- 一種形成一照明裝置之方法，其包括：將第一複數個發光二極體(LED)晶片印刷於一基板上，該第一複數個LED晶片發射一第一峰值發射波長且發射藍光；將第二複數個LED晶片印刷於該基板上，該第二複數個LED晶片發射比該第一峰值發射波長更長之一第二峰值發射波長且產生比該藍光更綠之一光，其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片係作為一LED墨水印刷於一基板上；及 至少在該第一複數個LED晶片上方提供一波長轉換材料以將該藍光轉換至更長波長光，其中藉由該照明裝置產生之光係來自該第一複數個LED晶片之藍光、來自該第二複數個LED晶片之較綠光及來自該波長轉換材料之較長波長之光的一混合物，用以產生一白光。
- 如請求項12之方法，其中該波長轉換材料與該第一複數個LED晶片分離。
- 如請求項12之方法，其中該波長轉換材料沈積於該第一複數個LED晶片上。
- 如請求項12之方法，其中該LED墨水包括一起混合於一溶劑中之該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片。
- 如請求項12之方法，其中該第一複數個LED晶片發射藍光且該第二複數個LED晶片發射青光。
- 如請求項12之方法，其中該第一峰值發射波長及該第二峰值發射波長係介於約430nm至507nm之間。
- 如請求項12之方法，其中該波長轉換材料包括一YAG磷光體。
- 如請求項12之方法，其中該波長轉換材料包括一黃色磷光體。
- 如請求項12之方法，其中該第一複數個LED晶片獨立於該第二複數個LED晶片而印刷且藉由一電流源個別地控制。
- 如請求項12之方法，其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片一起混合於該LED墨水中且一起印刷於該基板上，其中該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片藉由相同電流源控制，且其中該波長轉換材料上覆於該第一複數個LED晶片及該第二複數個LED晶片上。
- 如請求項12之方法，其中該波長轉換材料並未上覆於該第二複數個LED晶片。
- 如請求項22之方法，其進一步包括獨立於該第一複數個LED晶片控制該第二複數個LED晶片以調整該裝置之一發射色彩。
- 如請求項12之方法，其進一步包括獨立於該第二複數個LED晶片控制該第一複數個LED晶片以調整該裝置之一發射色彩。
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