TWI494457B - 串接式電漿反應器 - Google Patents

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TWI494457B TW103102360A TW103102360A TWI494457B TW I494457 B TWI494457 B TW I494457B TW 103102360 A TW103102360 A TW 103102360A TW 103102360 A TW103102360 A TW 103102360A TW I494457 B TWI494457 B TW I494457B
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Description

串接式電漿反應器 相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C.§ 119(e)主張2013年1月22日申請之共同待審中美國臨時專利申請案第61/755,353號之優先權，該案之全文以引用方式併入本文中。
本發明係關於一種用於產生氣體之基團以注射至一基板上之電漿反應器。
電漿係由高濃度之激發原子、分子、離子及自由基物質構成之部分離子化氣體。由電漿產生之反應物質或基團可用於各種目的，包含：(i)藉由將表面曝露於該反應物質或基團而化學地或物理地修改基板之一表面之特性；(ii)藉由引起一真空室中反應物質或基團與源前驅體之反應而執行化學氣相沈積(CVD)；及(iii)藉由將吸附有源前驅體分子之一基板曝露於反應物質或基團而執行原子層沈積(ALD)。
存在兩種不同類型之電漿反應器：(i)一直接電漿反應器；及(ii)一遠端電漿反應器。直接電漿反應器產生與基板直接接觸之電漿。直接電漿反應器可產生直接與基板接觸之高能粒子(例如，自由基、電子及離子)及高能輻射。此接觸可引起對基板之表面之損害且亦使吸附於基板中之源前驅體分子分離。因此，直接電漿反應器在半導體裝置或有機發光二極體(OLED)裝置之製造中的使用有限。
一遠端電漿裝置在遠距於基板之一位置處產生電漿。因此，遠 端電漿裝置較不會引起對基板之損害。然而，在一遠端電漿裝置中，由電漿產生之基團或反應物質需要跨一特定距離行進至該基板。當行進時，基團或反應物質可回復至低反應狀態或消散。因此，遠端電漿裝置中所產生之基團或反應物質的量趨向小於一相當的直接電漿反應器。
本發明之實施例係關於一種遠端電漿反應器，其具有複數個串接式子電漿反應器以增加遠端電漿反應器中所產生之基團或反應物質之量或反應性。各子電漿反應器包含用於產生電漿之一腔室。藉由施加能量給一第一子電漿反應器內之氣體，電漿形成於該電漿腔室中以產生一第一激發氣體。接著，將該第一激發氣體注射至一第二子電漿反應器中以產生比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高之一第二激發氣體。
在一實施例中，該第一子電漿反應器包含界定該第一子電漿反應器之一第一腔室之一第一內電極及一第一外電極。一電壓差值施加於該第一內電極與該第一外電極之間以在該第一腔室中產生電漿，從而激發該第一腔室內之氣體。該第二子電漿反應器包含界定該第二子電漿反應器之一第二腔室之一第二內電極及一第二外電極。一電壓差值施加於該第二內電極與該第二外電極之間以激發該第二腔室內之氣體。
在一實施例中，該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器包含由用於循環冷卻介質以冷卻該電漿反應器之至少一通道形成之一本體。
在一實施例中，該第二子電漿反應器由一曝露腔室形成，該曝露腔室朝向該基板敞開且具有大於該第二子電漿反應器與該基板之間之一間隙之一寬度。
在一實施例中，該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器係電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
在一實施例中，該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器為不同類型。
在一實施例中，該第一子電漿反應器係一電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器及該第二子電漿反應器係一電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
在一實施例中，該第一子電漿反應器包含包圍該第一腔室之一線圈且電流通過該線圈以誘發該第一腔室內之電漿。
在一實施例中，該電漿反應器包含一第三子電漿反應器，其連接至該第一子電漿反應器以接收該第一激發氣體。該第三子電漿反應器由一第三腔室形成且經組態以產生比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高之一第三激發氣體。該第三子電漿反應器將該第三激發氣體注射至該基板上。
在一實施例中，該第二子電漿反應器及該第三子電漿反應器經串聯放置。
在一實施例中，當該基板通過該第二子電漿反應器時，使用該第二激發氣體相繼注射該基板之不同部分。
100‧‧‧線性沈積裝置
110‧‧‧處理腔室
114‧‧‧馬達
118‧‧‧支撐柱
120‧‧‧基板
124‧‧‧支撐板
128‧‧‧承座
136‧‧‧反應器
138‧‧‧延伸條
200‧‧‧基板
210‧‧‧支架
300‧‧‧旋轉沈積裝置
314‧‧‧容器
318‧‧‧承座
320‧‧‧反應器
324‧‧‧容器
330‧‧‧出口
334‧‧‧反應器
338‧‧‧出口
364‧‧‧反應器
368‧‧‧反應器
400‧‧‧電漿反應器
412‧‧‧基板
416‧‧‧輸入埠
420‧‧‧電纜
424‧‧‧處理表面
510‧‧‧本體
515‧‧‧曝露腔室
518‧‧‧氣體通道
522‧‧‧冷卻介質通道
526‧‧‧氣孔
528‧‧‧第一電漿腔室
538‧‧‧第二電漿腔室
541‧‧‧外電極
542‧‧‧第一子電漿反應器
546‧‧‧內電極
549‧‧‧外電極
550‧‧‧第二子電漿反應器
552‧‧‧基團出口
556‧‧‧內電極
560‧‧‧基團出口
568‧‧‧間隙
570‧‧‧間隙
600‧‧‧電漿反應器
610‧‧‧排放出口
700‧‧‧電漿反應器
712‧‧‧排放出口
714‧‧‧排放出口
800‧‧‧電漿反應器
812‧‧‧介電管
816‧‧‧介電管
900‧‧‧電漿反應器
912‧‧‧電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器
916‧‧‧電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器
920‧‧‧容器
924‧‧‧線圈
928‧‧‧電漿
932‧‧‧基團出口
934‧‧‧電漿腔室
938‧‧‧冷卻介質通道
942‧‧‧電極
944‧‧‧本體
946‧‧‧介電管
948‧‧‧基團出口
950‧‧‧曝露腔室
968‧‧‧間隙
970‧‧‧間隙
1100‧‧‧電漿反應器
1120‧‧‧電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器
1130‧‧‧電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器
1140‧‧‧電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器
圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置之一橫截面圖。
圖2係根據一實施例之一線性沈積裝置之一透視圖。
圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置之一透視圖。
圖4係根據一實施例之一電漿反應器之一透視圖。
圖5係根據一實施例，沿著圖4之線A-B取得之該電漿反應器之一橫截面圖。
圖6係根據一實施例，具有一排氣出口及一氣體入口之一電漿反 應器之一透視圖。
圖7係根據一實施例，具有一對排氣出口之一電漿反應器之一透視圖。
圖8係根據一實施例，具有兩個電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器之一電漿反應器之一橫截面圖。
圖9係根據一實施例，具有一電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器及一CCP類型之子電漿反應器之一電漿反應器之一截面圖。
圖10係根據一實施例，圖9之電漿反應器之一透視圖。
圖11係根據一實施例，包含一ICP類型之子電漿反應器及兩個CCP類型之子電漿反應器之一電漿反應器之一透視圖。
本文中參考隨附圖式描述實施例。然而，本文中所揭示之原理可依許多不同形式體現且不應被視為受限於本文中所提出之實施例。在說明中，可能省略已知特徵及技術之詳細資料以避免不必要地使得實施例之特徵變得晦澀。
在附圖中，圖式中相同元件符號標示相同元件。為清楚起見，可放大圖式之形狀、大小及區域及類似物。
本發明之實施例係關於一種遠端電漿反應器，其包含兩個或兩個以上串聯連接之子電漿反應器以產生一增加量之基團及反應物質或增加激發氣體之反應性。該兩個或兩個以上子電漿反應器可為相同類型或不同類型。包含兩個或兩個以上串聯連接之子電漿反應器的電漿反應器係有利的，除其他原因外，此尤其係因為相較於多個電漿反應器串接放置，其使用較少空間以產生更具反應性或激發程度更高之氣體。
用於執行沈積之例示性裝置
圖1係根據一實施例之一線性沈積裝置100之一橫截面圖。圖2係 根據一實施例之線性沈積裝置100(無腔室壁以有利於說明)之一透視圖。線性沈積裝置100可包含(除包含其他組件外)一支撐柱118、處理腔室110及一或多個反應器136。反應器136可包含用於執行分子層沈積(MLD)、原子層沈積(ALD)及/或化學氣相沈積(CVD)之注射器及基團反應器之一或多者。該等注射器之各者將源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體或此等材料之一組合注射至基板120上。
應使由壁圍封之處理腔室維持在一真空狀態以防止污染物影響沈積處理。處理腔室110含有接收一基板120之一承座128。承座128經放置於支撐板124上用於一滑動移動。支撐板124可包含一溫度控制器(例如，一加熱器或一冷卻器)以控制基板120之溫度。
線性沈積裝置100亦可包含升降銷(圖中未展示)，其等有利於將基板120載入至承座128上或自承座128拆卸基板120。
在一實施例中，利用支架210上所形成之螺釘將承座128固定至跨一延伸條138移動之該支架210。支架210具有形成於接收延伸條138之其等孔中之對應螺釘。延伸條138被固定至一馬達114之一轉軸，且因此延伸條138隨著馬達114之轉軸旋轉而旋轉。延伸條138之旋轉導致支架210(且因此導致承座128)在支撐板124上作一線性移動。藉由控制馬達114之速度及旋轉方向，可控制承座128之線性移動之速度及方向。一馬達114及延伸條138之使用僅係用於移動承座128之一機構之一實例。存在各種其他方式來移動承座128(例如，在承座128之底部、頂部或側面處使用齒輪及小齒輪或一線性馬達)。此外，可使承座128保持靜止及可移動反應器136而代替移動承座128。
圖3係根據一實施例之一旋轉沈積裝置300之一透視圖。根據另一實施例，可利用旋轉沈積裝置300執行沈積處理而取代使用圖1之線性沈積裝置100。旋轉沈積裝置300可包含(除包含其他組件外)反應器320、334、364、368，一承座318及圍封此等組件之一容器324。旋轉 沈積裝置300之一反應器(例如，320)對應於線性沈積裝置100之一反應器136，如上文參考圖1所描述。承座318將基板314固定於適當位置。反應器320、334、364、368可經放置為與基板314及承座318具有一間隙。承座318或反應器320、334、364、368旋轉以使得基板314經受不同程序。
反應器320、334、364、368之一或多者連接至氣管(圖中未展示)以提供源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體及/或其他材料。由氣管提供之材料可：(i)由反應器320、334、364、368直接注射至基板314上；(ii)在於反應器320、334、364、368內部之一腔室中混合之後；或(iii)由反應器320、334、364、368內所產生之電漿轉換為基團之後。在該等材料被注射至基板314上之後，可通過出口330、338排放剩餘材料。亦可將旋轉沈積裝置300之內部維持於一真空狀態中。
圖1之反應器136或反應器320、334、364、368可包含用於注射源前驅體、反應物前驅體及/或沖洗氣體之注射器及用於產生及注射基團或反應物質之電漿反應器，如下文詳細描述。
具有串聯連接之電漿腔室之電漿反應器
圖4係根據一實施例之一電漿反應器400之一透視圖。電漿反應器400連接至一輸入埠416，其將氣體注射至電漿反應器400中。電漿反應器400亦連接至電纜420以提供一電信號至電漿反應器400。一基板412在電漿反應器400下方移動以將基板200之不同部分曝露於由電漿反應器400所產生之基團或反應物質，且藉此在基板412上形成一處理表面424。當基板412經曝露於基團或反應物質時，由一或多個程序(諸如基團誘發之氧化、硝化、碳化、還原、水解或胺化)轉換基板412之表面。
圖5係根據一實施例，沿著圖4之線A-B取得之電漿反應器400之一橫截面圖。電漿反應器400放置於基板412上方，其中基板412與電 漿反應器400之間具有高度為h1 、h2 之間隙568、570。高度h1 及h2 可為相同的或不同的。
電漿反應器400之本體510由一導電材料(諸如鋁、不鏽鋼或鎳)構成。材料(諸如鋁、不鏽鋼及鎳)係穩定的且趨向於對電漿反應器中所產生之基團或反應物質具有可忽略之反應。本體510由一氣體通道518、冷卻介質通道522、氣孔526、一第一電漿腔室528、一第二電漿腔室583及一曝露腔室515形成。
若基團或反應物質之溫度過度高，則其反應性可能下降。因此，若需要，則提供冷卻介質通道522以將冷卻水或其他冷卻介質循環通過本體510以冷卻本體510。
經由氣孔526將氣體注射至一第一子電漿反應器542之第一電漿腔室528中。第一電漿腔室528由延伸跨過電漿反應器400之一內電極546及包圍內電極546之一外電極541界定。外電極541可為本體510之部分。在一實施例中，本體510(且因此，該第一電極)連接至接地而電極546連接至一電壓源。當跨電極546及本體510施加電壓脈衝時，電漿腔室528中產生所注射氣體之電漿。因此，電漿腔室528中產生包含基團或反應物質之一第一激發氣體。
該第一激發氣體經由基團出口552自電漿腔室528行進至第二子電漿反應器550之一第二電漿腔室538。第二電漿腔室538由延伸跨過電漿反應器400之一內電極556及包圍內電極556之一外電極549界定。外電極549可為本體510之部件。當跨內電極556及外電極549施加電壓脈衝時，第二電漿腔室538中產生電漿。因此，第二電漿腔室538中產生包一第二激發氣體。相較於該第一激發氣體，該第二激發氣體藉由具有更多基團或反應物質而具有增加之反應性。
為了誘發該第一激發氣體自第一電漿腔室528流動至第二電漿腔室538，第一電漿腔室528中之壓力高於第二電漿腔室538中之壓力。
第二電漿腔室538中所產生之第二激發氣體經由基團出口560被注射至曝露腔室515中，其中該第二激發氣體行進至基板412以與基板412反應。第二激發氣體中之基團、反應物質或在該第二激發氣體與基板412接觸之後剩餘之氣體行進跨過間隙568、570以釋放。將曝露腔室515之寬度w設定為大於間隙568、570之高度h1 、h2 係有利的，其使得在第二激發氣體經由間隙568、570釋放之前，基板412能夠充分曝露於第二激發氣體。在一實施例中，本體510與基板412之間之間隙568、570之高度為10mm至80mm。為了經由間隙568、570之一者將在注射至基板412上之後剩餘之第二激發氣體自曝露腔室515釋放至本體510之一側或兩側，使曝露腔室515中之壓力維持在比間隙568、570中較高之一位準。
基板412在本體510下方移動以將基板412之不同部分曝露於第二激發氣體中。歸因於第二激發氣體之增加之反應性，將基板412曝露一少量時間係已足夠處理基板412。因此，基板412可跨反應腔室515以相較於使用具有一單個電漿腔室之一電漿反應器較高之一速度移動。電漿反應器400有利地產生具有增加的反應性之第二激發氣體，同時佔據與含有一單個電漿腔室之其他電漿反應器相同之水平面積，且因此電漿反應器400能夠更有效率地使用設備中安裝電漿反應器400之空間。
圖6係根據一實施例具有一排放出口610之一電漿反應器600之一透視圖。圖6之電漿反應器600實質上與圖4之電漿反應器400相同，惟形成排放出口610以釋放第二激發氣體之基團、反應物質及在與基板412接觸之後剩餘之氣體除外。電漿反應器600之本體由延伸跨過電漿反應器600之長度之排放出口610形成。
圖7係根據一實施例，具有一對排放出口712、714之一電漿反應器700之一透視圖。排放出口712、714形成於電漿反應器700之兩側上 以釋放基團、反應物質及在與基板412接觸之後剩餘之氣體。可依相同速率或一不同速率在出口712、714兩者處釋放該等基團、反應物質及剩餘氣體。
在無需安裝獨立於電漿反應器600、700之排放機構之情況下，圖6及圖7之電漿反應器600、700能夠有效率地釋放基團、反應物質或剩餘氣體。
具有CCP子電漿反應器之電漿反應器
圖8係根據一實施例，具有兩個電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器之一電漿反應器800之一截面圖。圖8之電漿反應器實質上與圖5之電漿反應器相同，惟在電漿腔室528、538中放置介電管812、816以形成CCP類型之子電漿反應器除外。取代使用介電管812、816，可在電極546、556上塗佈介電材料。
藉由包含介電管812、816或使用介電材料塗佈電極546、556可產生更穩定之電漿。用於塗佈或形成介電管812、816之介電材料可包含(除包含其他材料)陶瓷材料，諸如氧化鋁、摻雜有鎂之氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯或氧化釔、沒有晶界之單晶藍寶石或非結晶石英。為了防止形成電弧，介電管812、816可經研磨以具有一光滑表面。
在第一電漿腔室528中產生一第一激發氣體且接著注射至第二電漿腔室538中。接著，藉由進一步在電極556與電漿反應器800之本體之間施加電壓而在第二電漿腔室538中產生一第二激發氣體。
圖9係根據一實施例，具有一電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器912及一CCP類型之子電漿反應器916之一電漿反應器900之一截面圖。圖10係根據一實施例，圖9之電漿反應器900之一透視圖。
圖9之電漿反應器包含一ICP類型之子電漿反應器912。ICP類型之子電漿反應器912包含由一線圈924包圍之一容器920。將氣體注射至容器920中且將電流通過線圈924以在容器920內產生電漿928。因 此，容器920中產生基團或反應物質。經由基團出口932將由ICP類型之子電漿反應器912所產生之基團或反應物質注射至CCP類型之子電漿反應器916中。
在CCP類型之子電漿反應器916之電漿腔室934中形成電漿，從而增加經由基團出口932注射之所注射之基團或反應物質之反應性。
CCP類型之子電漿反應器916由冷卻介質通道938、電漿腔室934及一曝露腔室950形成。若基團或反應物質之溫度過度高，則其反應性可能下降。因此，提供冷卻介質通道938以使冷卻水或其他冷卻液循環通過CCP類型之子電漿反應器916以冷卻CCP類型之子電漿反應器916。
電漿腔室934由跨電漿反應器900延伸之一電極942及本體944(其用作另一電極)界定。在一實施例中，本體944連接至接地而電極942連接至一電壓源。介電管946放置於電漿腔室934中。取代使用介電管946，可在電極942上塗佈介電材料。當跨電極942及本體944施加電壓脈衝時，電漿腔室934中產生所注射氣體之電漿。因此，電漿腔室934中產生基團或反應物質。
經由基團出口948將電漿腔室934中所產生之基團及反應物質注射至曝露腔室950中，其中該等基團及該等反應物質行進至基板412以與基板412反應。基團、反應物質或在與基板412接觸之後之剩餘氣體行進跨過間隙968、970以釋放。在一實施例中，依與上文參考圖5詳細描述之間隙568、570相同之方式組態本體944與基板412之間之間隙968、970之高度。
在圖9之實施例中，使用一CCP類型之電漿源，但可使用不同類型之電漿源來代替該CCP類型之電漿源。例如，可使用電子迴旋共振(ECR)電漿作為一波加熱電漿源或可使用紫外(UV)光束作為一無電極電漿激發源。
在一實施例中，可經由線圈924提供冷卻介質。線圈924可由供冷卻介質通過之一通道形成。冷卻介質可冷卻ICP類型之子電漿反應器912。例如，線圈924可由銅管構成。
圖11係根據一實施例，包含一ICP類型之子電漿反應器1120及兩個CCP類型之子電漿反應器1130、1140之一電漿反應器1100之一透視圖。ICP類型之子電漿反應器1120大體上產生比一CCP類型之子電漿反應器更高之一基團流動速率。將在ICP類型之子電漿反應器1120中所產生之一第一激發氣體發送至CCP類型之子電漿反應器1130、1140以產生相較於第一激發氣體具有增加之反應性之一第二激發氣體及一第三激發氣體。接著，將該第二激發氣體及該第三激發氣體注射至基板412上。
在一實施例中，將ICP類型之子電漿反應器1120與CCP類型之子電漿反應器1130、1140之間之路徑冷卻下來以延長基團或反應物質保持活性之時間。
儘管圖11中僅描述兩個CCP類型之子電漿反應器1130、1140，一電漿反應器可包含與一單個ICP類型之子電漿反應器配成對之兩個以上CCP類型之子電漿反應器。此外，電漿反應器1100可包含節流閥以調整基團、反應物質或氣體自電漿反應器釋放之速率。
串接式電漿反應器之子電漿反應器以低於具有用於產生相同或類似基團量的容量的一單個大電漿反應器之功率產生電漿。因此，相較於一單個大電漿反應器中之電極，串接式電漿反應器之電極將經受較少磨損及/或再濺鍍。此外，當使用氧氣注射串接式電漿反應器時，串接式電漿反應器比一單個大電漿反應器產生更多O*基團，此係因為第一子電漿反應器產生O3 及第二子電漿反應器藉由臭氧分子之貢獻擴大或增加O*基團之數目。
為了藉由使用基團輔助原子層沈積(ALD)及串接式電漿反應器執 行沈積Al2 O3 膜，可使用三甲基鋁(TMA)作為一源前驅體及可使用O2 氣體作為一反應物前驅體。藉由移動基板412，經化學吸附於基板412上之TMA分子層與O*基團反應且形成ALD Al2 O3 膜。根據一實驗，相較於使用一單個大電漿反應器沈積之Al2 O3 膜，使用串接式電漿反應器沈積之Al2 O3 膜展現增加之崩潰電壓及減少之洩漏電流。
儘管上文參考線性或旋轉沈積裝置描述實施例，該等電漿反應器可用於其他裝置中以執行各種操作。
400‧‧‧電漿反應器
412‧‧‧基板
510‧‧‧本體
515‧‧‧曝露腔室
518‧‧‧氣體通道
522‧‧‧冷卻介質通道
526‧‧‧氣孔
528‧‧‧第一電漿腔室
538‧‧‧第二電漿腔室
541‧‧‧外電極
542‧‧‧第一子電漿反應器
546‧‧‧內電極
549‧‧‧外電極
550‧‧‧第二子電漿反應器
552‧‧‧基團出口
556‧‧‧內電極
560‧‧‧基團出口
568‧‧‧間隙
570‧‧‧間隙

Claims (20)

  1. 一種遠端電漿反應器，其包括：一第一子電漿反應器，其由一第一腔室形成，其經組態以藉由激發注射至該第一腔室中之一氣體而產生包括基團或反應物質之一第一激發氣體；及一第二子電漿反應器，其與該第一子電漿反應器連通以接收該第一激發氣體，該第二子電漿反應器由一第二腔室形成且經組態以產生比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高之一第二激發氣體，該第二子電漿反應器經組態以將該第二激發氣體注射至一基板上。
  2. 如請求項1之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器包括界定該第一腔室之一第一內電極及一第一外電極，電壓差值施加於該第一內電極與該第一外電極之間，且該第二子電漿反應器包括界定該第二腔室之一第二內電極及一第二外電極，電壓差值施加於該第二內電極與該第二外電極之間。
  3. 如請求項1之電漿反應器，其中該第二子電漿反應器由一曝露腔室形成，該曝露腔室朝向該基板敞開且具有大於該第二子電漿反應器與該基板之間之間隙之一寬度。
  4. 如請求項1之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器包括由用於循環冷卻介質以冷卻該電漿反應器之至少一通道形成之一本體。
  5. 如請求項1之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器係電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
  6. 如請求項1之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器具有不同類型。
  7. 如請求項6之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器係一電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器，且該第二子電漿反應器係一電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
  8. 如請求項6之電漿反應器，其中該第一子電漿反應器包括包圍該第一腔室之一線圈，且其中電流通過該線圈以誘發該第一腔室內之電漿。
  9. 如請求項8之電漿反應器，其進一步包括一第三子電漿反應器，該第三子電漿反應器連接至該第一子電漿反應器以接收該第一激發氣體，該第三子電漿反應器由一第三腔室形成且經組態以產生比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高之一第三激發氣體，該第三子電漿反應器經組態以將該第三激發氣體注射至該基板上。
  10. 如請求項9之電漿反應器，其中該第二子電漿反應器及該第三子電漿反應器經串聯放置於該基板上方。
  11. 如請求項1之電漿反應器，其中當該基板通過該第二子電漿反應器時，使用該第二激發氣體相繼注射該基板之不同部分。
  12. 一種處理一基板之方法，其包括：在形成於一第一子電漿反應器中且遠離該基板定位之一第一腔室中接收一氣體；在該第一腔室內，產生包括基團或反應物質之一第一激發氣體；在形成於一第二子電漿反應器中且遠離該基板定位之一第二腔室中接收該第一激發氣體；在該第二子電漿腔室內，產生包括基團或反應物質之一第二激發氣體，該第二激發氣體比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高；及 將該第二激發氣體注射至該基板上。
  13. 如請求項12之方法，其進一步包括：在該第一子電漿反應器之一第一內電極與該第一子電漿反應器之一第一外電極之間施加電壓差值，該第一內電極及該第一外電極界定該第一腔室；及在該第二子電漿反應器之一第二內電極與該第二子電漿反應器之一第二外電極之間施加電壓差值，該第二內電極及該第二外電極界定該第二腔室。
  14. 如請求項12之方法，其中該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器係電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
  15. 如請求項12之方法，其中該第一子電漿反應器及該第二子電漿反應器具有不同類型。
  16. 如請求項15之方法，其中該第一子電漿反應器係一電感耦合電漿(ICP)類型之子電漿反應器，且該第二子電漿反應器係一電容耦合電漿(CCP)類型之子電漿反應器。
  17. 如請求項15之方法，其進一步包括使電流通過包圍該第一腔室之一線圈以誘發該第一腔室內之電漿。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包括：在連接至該第一子電漿反應器之一第三子電漿反應器之一第三腔室中接收該第一激發氣體；在該第三腔室中產生一第三激發氣體，該第三激發氣體比該第一激發氣體更具反應性或激發程度更高；及將該第三激發氣體注射至該基板上。
  19. 如請求項18之方法，其中該第二子電漿反應器及該第三子電漿反應器經串聯放置於該基板上方。
  20. 如請求項12之方法，其進一步包括使該基板通過該第二子電漿 反應器下方，以藉由使用該第二激發氣體注射該基板之不同部分而依序處理該基板之該等不同部分。
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