TWI486550B - 厚度線上即時檢測之光學干涉裝置及其方法 - Google Patents

Description

厚度線上即時檢測之光學干涉裝置及其方法

本發明係有關於一種厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，尤指涉及一種光徑(Optical Path)不需光學透鏡組之技術，特別係指利用高同調性(Coherence)點擴束之球面光波以斜向角度照射待測試件進行瞬時且大範圍面積之全場厚度量測，無需經過相移(Phase Shift)，光路簡單且成本較低，適用於即時線上檢測者

薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在過去十年間為平面顯示器之主流產品，臺灣及韓國更將其相關研究列為重點發展技術，直至今日，TFT-LCD仍然佔有一定之市場。但隨著發光二極體(Light Emitting Diode,LED)與其相關顯示技術問世，TFT-LCD走入了轉型之年代，發展趨勢也從過去的大量生產到精密化、高品質化以及高良率，但在追求大尺寸化以及輕薄化之發展過中，出現了先前未曾遭遇到之問題，其中影響最大的便是光源不均(Mura)現象，意指顯示器亮度不均勻之狀況。

造成Mura現象之成因相當複雜，但在製造廠商無法找到關鍵因素之情況下，只能經由大量生產之方式得到部分不具瑕疵之產品，以達成預定之供貨量，惟此作法不僅造成不必要之資源消耗，且產品之良率不能達到有效控管，在顯示器如此競爭激烈之產業下，此問題確實有迫切解決之需要。然而，大部分檢測Mura之研 究僅針對顯示器之影像不均勻進行分析，仍屬品質管理之範疇，並無法有效根治Mura現象，比較可行方法為製程上之改良與使用元件材料之強化，因此必須先對TFT-LCD中重要元件進行機械或光學等特性之檢測，藉由分析其物理性質從中找出問題之癥結，也可由檢測上所得到之經驗判斷式對問題元件進行生產線上之篩選，進而提高產品良率。

TFT-LCD之組成元件中，玻璃基板(Glass Substrate)為相當重要之元件，用於彩色濾波片(Color Filter)以及做為薄膜電晶體之基板，以上兩元件與顯示器之光學品質相當有關聯，因此玻璃基板需要符合不含缺陷、均質以及表面平坦等要求，在顯示器組裝之過程中，也可能因為玻璃基板厚度不均而造成部分區域承受較大之接觸應力。另一方面，隨著顯示器輕薄化之發展趨勢，玻璃基板之厚度已可達數百個微米以下，製造上之精度控制相當具有挑戰性，而在如此細微之尺度下，玻璃之厚度可能會隨著其自重條件之影響而有相當之改變，若玻璃本身之厚度具有顯著之起伏時，此影響將會更加劇烈，造成顯示器於不同角度下放置時因玻璃基板自重影響而有不同之成像品質。

有關透明材料之厚度量測方面，Costantino等人於文獻(S.Costantino and O.E.Martinez,“Wide Band Interferometry for Thickness Measurement,”Optic Express,vol.11,no.8,pp.952-957,2003)中提及將白光干涉儀之取像設備改為光譜儀進而量測薄膜之厚度以及群折射率(Group Refractive Index)。Li等人於文獻(M.Li,C.Quan,C.J.Tay,R.Ivan,and S.Wang,“Measurement of Transparent Coating Thickness by the Use of White Light Interferometry,”Proceedings ofSPIE,vol.5852,pp.401-406,2005)中提及利用白光Mirau干涉儀以及快速傅利葉轉換(Fast Fourier Transform,FFT)量測鏡表面之鍍膜厚度，並克服相移法中相位模糊(Phase Ambiguity)問題。Protopopov等人於文獻(V.V.Protopopov,S.Cho,K.Kim,and S.Lee,“Heterodyne Double-Channel Polarimeter for Mapping Birefringence and Thickness of Flat Glass Panels,”Review of Scientific Instruments,vol.77,no.5,pp.053107/1-6,2006)中提及透過厚度與量測穿透率間之理論關係來推算玻璃平板之厚度差異量，以0.7mm厚度之平板玻璃為例，整體厚度差異可達5μm。Gao等人於文獻(L.Gao,C.H.Wang,Y.C.Li,H.F.Cong,and Y.Qu,“Investigation of Cross-Polarized Heterodyne Technique for Measuring Refractive Index and Thickness of Glass Panel,”Optics Communications,vol.283,pp.3310-3314,2010)中提及使用Zeeman雷射但增加外差式干涉儀架設來同時量測平板玻璃之雙折射特性以及厚度變化量；而Cheng與Liu於文獻(H.C.Cheng and Y.C.Liu,“Simultaneous Measurement of Group Refractive Index and Thickness of Optical Samples Using Optical Coherence Tomography,”Applied Optics,vol.49,no.5,pp.790-797,2010)中則提及使用光學同調斷層攝影法(Optical Coherence Tomography,OCT)配合3X3之光纖連結器來量測玻璃之群折射率以及厚度，厚度量測之誤差大約為1.4%，群折射率則約為1.9%。上述文獻之量測法中必須先已知折射率值，而Fathi與Donati於文獻(M.T.Fathi and S.Donati,“Thickness Measurement of Transparent Plates by a Self-Mixing Interferometer,”Optics Letters,vol.35,no.11,pp.1844-1846,2010)中則提及使用自我結合干涉儀(Self-Mixing Interferometer,SMI)，不需預先得知折射率即可量測到玻璃之厚度值，量測之誤差可準確至1.6%。然而，上述之量測法皆為單點量測，必須配合移動平台或使用步進馬達進行待測透明材料掃描達到二維資訊之獲得。對此，Ri與Muramatsu於文獻(S.Ri and T.Muramatsu,“A Simple Technique for Measuring Thickness Distribution of Transparent Plates from a Single Image by Using the Sampling Moiré Method,”Measurement Science And Technology,vol.21,pp.025305_1-8,2010)中提及發展取樣疊紋法(Sampling Moiré Method)來進行同時瞬時二維厚度資訊之量測，量測上之誤差大約為1.9%，但歸因於干涉之方式與光柵間距 (Pitch)於光學上之限制，取樣疊紋法無法量測到較微小之厚度變化。

由上述文獻可知，量測較薄物體之厚度或物體厚度之較微小變化量時，雷射干涉理論相當適用於此量測範圍，惟無法同時符合快速線上檢測之量測時間短及範圍大等要求。

在細微之長度量測上，雷射干涉為時常使用之技術，因其量測精度可達光波波長級次以下，約為數十至數百奈米之間，且具有相當高之靈敏度。常見之雷射干涉儀(Laser Interferometer)有麥克森(Michelson)干涉儀、太曼格林(Twyman Green)干涉儀、菲索(Fizeau)干涉儀及麥克詹達(Mach-Zender)干涉儀等，干涉行為主要由振幅分割之物光與參考光間之相位差分布決定，以直向角度進行量測，其點光源經過物鏡與空間濾波器後，需藉由光學透鏡組產生平行光照射待測物，其所得之干涉條紋並無固定規律性，故在量測時需要以精密平移台改變參考光之光程(Optical Path Length)以完成相移技術(Phase Shift Technique)，但相移過程所耗費之時間可能無法達成快速線上檢測之目標，且其光路架設需要光學元件進行光波之振幅分割與反射以達到干涉，故量測區域也會受限於光學元件之尺寸。

鑑於光學可透光材料為現今科技中不可或缺之元件，隨著輕薄化與大尺寸化之發展趨勢，厚度之掌控將成為產品優劣關鍵因素之一。然而，一般量測厚度之雷射干涉技術僅能單點量測，且量測上需搭配相移技術進行厚度分析，因此必須擷取多張影像，且相移過程所耗費之時間並無法達成快速線上檢測之目標，同時量測區域也會受限於光學元件之尺寸。故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。

本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提 供一種光徑(Optical Path)不需光學透鏡組之技術，利用高同調性(Coherence)點擴束之球面光波以斜向角度照射待測試件進行瞬時且大範圍面積之全場厚度量測，無需經過相移(Phase Shift)，光路簡單且成本較低，適用於生產線上即時快速檢測，並對不同製程生產之產品厚度進行量測者。

本發明之次要目的係在於，提供一種即時且全域性之材料厚度量測方法，僅須擷取一張待測試件干涉條紋影像即可進行分析，進而推算出此待測試件之全場厚度分布。

本發明之另一目的係在於，提供一種干涉條紋直接與待測試件之厚度相關，量測上不需進行相移且其光路架設簡易，無光學元件限制量測區域，又取像設備限制性低，且量測精度隨取像設備品質而提升，藉此可達到瞬時且大範圍面積之全場厚度量測之目的。

為達以上之目的，本發明係一種厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，係包括：一光源，其可由一雷射光源及一空間濾波擴束器所組成，該雷射光源係用以產生雷射光束，而該空間濾波擴束器係設置於該雷射光源前方，用以過濾光場中之空間雜訊，並均勻地擴展該雷射光束，使其形成大範圍球面光波前，產生高同調性點擴束之球面光波；一屏幕，係設置於該光源前方，用以將高同調性點擴束之球面光波自斜向角度照射一待測試件時產生之干涉條紋成像於其上；一影像擷取單元，係設置於該屏幕前方，用以擷取該屏幕上之干涉條紋並轉換為數位影像；以及一影像處理模組，係與該影像擷取單元連結，用以分析干涉條紋之數位影像並進行數值計算，俾以取得該待測試件之全場厚度分布。

於本發明上述實施例中，該待測試件係設置於該光源與該屏幕之間，位於該空間濾波擴束器前方並與該空間濾波擴束器光軸方向有一斜向角度，使該待測試件以斜向角度接受高同調性點擴束之球面光波之照射。

於本發明上述實施例中，該待測試件係為光源波長可穿透材料，可為玻璃基板或透明塑膠基板，該透明塑膠基板並可為聚乙烯對苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚苯二甲酸乙二 酯(Polyethylene naphthalate,PEN)或聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)。

於本發明上述實施例中，該待測試件之厚度係介於1~0.5mm之間，且變動在±20%以內。

於本發明上述實施例中，該待測試件係為非可見光透明之材料，可為矽晶圓或金屬薄膜，且當該待測試件為矽晶圓時，該雷射光源係為紅外線雷射。

於本發明上述實施例中，該影像處理模組係包括：一軟體分析單元，用於厚度量測、讀取數位影像以及繪圖分析，可將該干涉條紋中包含厚度之資訊，經由影像處理進行數值計算；以及一軟體繪圖單元，用於將該軟體分析單元處理後之數值進行分析以及資料視覺化，繪示出該待測試件之全場厚度分布。

於本發明上述實施例中，該影像處理模組係以一軟體分析單元自該干涉條紋之數位影像中萃取出相位差之分布，並藉由空間中之幾何關係計算出該待測試件各個位置入射光之角度，俾以推算出對應之厚度，對光波長λ透明之材料厚度與入射光角度、折射率與相位差間之關係為： 其中，t(x,y)為該待測試件上各個位置之厚度；n為該待測試件光波長λ之折射率；θ _i (x,y)為當高同調性點擴束之球面光波以斜向角度照射時該待測試件各個位置之光入射角；λ為雷射光源之波長；以及φ(x,y)為干涉相位差。

於本發明上述實施例中，為了將入射角表示為該待測試件前表面之位置關係，假設該空間濾波擴束器與該待測試件上某一等高度參考點(x _c ,y _c )間之水平距離為D，垂直距離為L，則高同調性點擴束之球面光波與該待測試件間之斜向角度可表示為如下關係： 因此，高同調性點擴束之球面光波入射至該待測試件前表面任意一點(x,y)之入射角可表示為如下關係：

於本發明上述實施例中，該待測試件接受高同調性點擴束之球面光波之照射之斜向角度係介於16°~18°之間，且變動在±20%以內。

於本發明上述實施例中，該光源更進一步包括一光束提升與轉折器，其係設置於該雷射光源與該空間濾波擴束器之間，用以引導該雷射光束至所需高度及方向。

於本發明上述實施例中，該光束提升與轉折器可由三反射鏡所組成，每一反射鏡皆具有二個旋轉方向之自由度。

於本發明上述實施例中，更進一步包括一夾持組件，係用以達到對該待測試件固定其位置之目的，使該待測試件可以斜向角度接受高同調性點擴束之球面光波之照射。

1‧‧‧光源

11‧‧‧雷射光源

12‧‧‧光束提升與轉折器

13‧‧‧空間濾波擴束器

2‧‧‧屏幕

3‧‧‧影像擷取單元

4‧‧‧影像處理模組

41‧‧‧軟體分析單元

42‧‧‧軟體繪圖單元

5‧‧‧待測試件

51‧‧‧前表面

52‧‧‧後表面

第1圖，係本發明之硬體架構示意圖。

第2圖，係本發明之光路安排示意圖。

第3圖，係本發明光波與待測試件間之三維關係示意圖。

第4圖，係本發明模擬非均勻厚度透明物體之厚度分布示意圖。

第5圖，係本發明施加之光波照射之斜向角度為15°之模擬干涉條紋示意圖。

第6圖，係本發明施加之光波照射之斜向角度為40°之模擬干涉條紋示意圖。

第7圖，係本發明玻璃基板之干涉條紋影像示意圖。

第8圖，係本發明玻璃基板之全場厚度量測結果示意圖。

第9圖，係本發明鍍膜玻璃基板之干涉條紋影像示意圖。

第10圖，係本發明鍍膜玻璃之全場厚度量測結果示意圖。

請參閱『第1圖~第3圖』所示，係分別為本發明之硬體架構示意圖、本發明之光路安排示意圖、及本發明光波與待測試件間之三維關係示意圖。如圖所示：本發明係一種厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，係包括一光源1、一屏幕2、一影像擷取單元3及一影像處理模組4所組成。

上述所提之光源1係可由一雷射光源11、一光束提升與轉折器12及一空間濾波擴束器13所組成，該雷射光源11係用以產生雷射光束，該光束提升與轉折器12係設置於該雷射光源11與該空間濾波擴束器13之間，可由三反射鏡所組成，每一反射鏡皆具有二個旋轉方向之自由度，用以引導該雷射光束至所需高度及方向，而該空間濾波擴束器13係設置於該光束提升與轉折器12前方，由物鏡配合針孔所組成，用以過濾光場中之空間雜訊，並均勻地擴展該雷射光束，使其形成大範圍球面光波前，產生高同調性(Coherence)點擴束之球面光波。

該屏幕2係設置於該光源1前方，用以將高同調性點擴束之球面光波自斜向角度照射一待測試件5時產生之干涉條紋成像於其上。其中，該待測試件5係設置於該光源1與該屏幕2之間，位於該空間濾波擴束器13前方並與該空間濾波擴束器13光軸方向有一斜向角度，使該待測試件5以斜向角度接受高同調性點擴束之球面光波之照射。

該影像擷取單元3係設置於該屏幕2前方，用以擷取該屏幕2上之干涉條紋並轉換為數位影像。

該影像處理模組4係與該影像擷取單元3連結，其包括一軟體分析單元41，用於厚度量測、讀取數位影像以及繪圖分析；及一軟體繪圖單元42，用於將該軟體分析單元41處理後之數值進行分析以及資料視覺化。該影像處理模組4以該軟體分析單元4 1分析干涉條紋之數位影像，將該干涉條紋中包含厚度之資訊，經由影像處理進行數值計算，最後由該軟體繪圖單元42繪示出該待測試件5之全場厚度分布。如是，藉由上述揭露之結構構成一全新之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置。

上述裝置更進一步包括一夾持組件，係用以達到對該待測試件5固定其位置之目的，使該待測試件5可以斜向角度接受高同調性點擴束之球面光波之照射。惟當實際應用於生產線上將不需額外之夾持組件即可量測，因此未於圖中顯示。

本發明以擴束雷射光以一角度入射物體時所產生之干涉條紋中發現干涉條紋間距與厚度間變化之規則性，因此提出一種新之厚度量測理論，即角度入射干涉術(Angular Incidence Interferometry,AII)，量測上使用斜向角度，僅須擷取一張干涉條紋影像即可進行分析，其光路架設簡易，無光學元件限制量測區域，又取像設備限制性低，且量測精度隨取像設備品質而提升，藉此可達到瞬時且大範圍面積之全場厚度量測之目的。當本發明使用高同調性點擴束之球面光波以斜向角度照射可透光(包含非可見光波段)物件時，在物件前後表面之反射光會互相干涉，最後在屏幕上產生特殊干涉條紋，本發明經由特定分析方法，即可由干涉條紋影像推算出此物件之全場厚度分布，此一即時且全域性之材料厚度量測方法，使得干涉條紋直接與待測試件之厚度相關，量測上不需進行相移且架設簡易，可直接透過干涉條紋分析得到全場厚度分布，適用於生產線之快速檢測，並對不同製程生產之產品厚度進行量測。

於一具體實施中，以He-Ne雷射作為雷射光源11，其模態為TEM00，功率為35毫瓦(mW)，及波長為632.8奈米(nm)，並以第1圖中虛線代表雷射光之行進路徑，惟此虛線僅為光源中心之行進路徑，實際上當光源通過該空間濾波擴束器13後乃形成為一擴散之擴束光。當運用時，首先He-Ne雷射發出之雷射光束會經由該光束提升與轉折器12之引導而水平射入該空間濾波擴束器13中，通過該空間濾波擴束器13之光束會形成大範圍球 面光波前，產生高同調性點擴束之球面光波，當此高同調性點擴束之球面光波通過該待測試件5時，如第2圖所示，一部分會在該待測試件5前表面51反射，另一部分遵循司乃耳定律(Snell’s Law)穿透該待測試件5，並在其內部傳播至後表面52反射，此兩道光最後會在該屏幕2上同一位置交會，由於每對干涉光之間存在相位差異，因此會在該屏幕2上產生明暗相間之干涉條紋，接著使用該影像擷取單元3(如：數位相機)擷取此干涉條紋影像並傳輸至該影像處理模組4(如：電腦)中，以該軟體分析單元41分析影像並進行數值計算，最後由該軟體繪圖單元42繪出該待測試件5之全場厚度。

承上述，在本發明中所觀察到之干涉條紋中即包含了厚度之資訊，須以該軟體分析單元41自該干涉條紋之數位影像中萃取出相位差之分布，並藉由空間中之幾何關係計算出該待測試件5各個位置入射光之角度，俾以推算出對應之厚度，對光波長λ透明之材料厚度與入射光角度、折射率與相位差間之關係為：

其中，t(x,y)為該待測試件5上各個位置之厚度；n為該待測試件5之折射率；θ _i (x,y)為當高同調性點擴束之球面光波以斜向角度照射時該待測試件5各個位置之光入射角；λ為光源1之波長；以及φ(x,y)為干涉相位差。

進一步參閱第3圖，其為光波與待測試件之空間關係圖，為了將入射角表示為該待測試件5前表面51之位置函數，假設該空間濾波擴束器13與該待測試件5上某一等高度參考點(x _c ,y _c )間之水平距離為D，垂直距離為L，則此經該空間濾波擴束器13產生之高同調性點擴束之球面光波與該待測試件5間之斜向角度可表示為如下關係： 因此，經該空間濾波擴束器13產生之高同調性點擴束之球面光波入射至該待測試件5前表面51任意一點(x,y)之入射角可表示為如下關係：

因此，只要能夠正確地將其中所擷取到之干涉條紋影像相位以及得知影像中各個像素點所對應至該待測試件5之實際位置，便可以由前述兩個關係計算出全場之玻璃厚度。

請參閱『第4圖~第6圖』所示，係分別為本發明模擬非均勻厚度透明物體之厚度分布示意圖、本發明施加之光波照射之斜向角度為15°之模擬干涉條紋示意圖、及本發明施加之光波照射之斜向角度為40°之模擬干涉條紋示意圖。如圖所示：本發明在此將模擬非均勻厚度之透明物體於光波以不同斜向角度照射下產生之干涉條紋做說明，第4圖為此物體之厚度分布，施加之光波照射之斜向角度為15°與40°之干涉條紋分別如第5圖及第6圖所示。從第6圖中可看出條紋之走向較具規律性，在橫斷面上之干涉條紋光強亦呈現近似餘弦函數之週期分布，因此可以推斷在每一橫斷面上之相位差具有穩定之變化趨勢，而第5圖之條紋分布則較複雜，故在本發明中厚度分析皆以適當施加之光波照射之斜向角度下之干涉條紋為主，尤以角度介於16°~18°之間為佳，且變動在±20%以內。

請參閱『第7圖及第8圖』所示，係分別為本發明玻璃基板之干涉條紋影像示意圖、及本發明玻璃之全場厚度量測結果示意圖。如圖所示：第7圖中(a)、(b)及(c)依序為編號G1、G2及G3之玻璃試片之干涉條紋影像，可看出三者皆非均勻厚度下規律變化之干涉條紋，且試片間之厚度分布皆不相同，透過軟體分析單元進行分析，即可由第7圖之干涉條紋推算出各試片之厚度分布，結果分別如第8圖(a)、(b)及(c)所示。

在第8圖(a)中，G1試片縱向之厚度變化大於橫向，整體厚度不均 現象呈現橫向平行之帶狀分布，而全場厚度最大值與厚度最小值之差值(以下簡稱全場最大厚度差)為1.2微米(μm)。第8圖(b)顯示G2試片與G1試片有相似之結果，即厚度不均現象同樣呈現橫向平行之帶狀分布，惟試片底部附近有一厚度相對較大之塊狀區域，全場最大厚度差亦為1.2μm。從第8圖(c)中可看出，G3試片之厚度分布明顯不同於G1與G2，厚度變化主要發生於橫向方向，整體厚度不均呈現縱向平行之帶狀分布，全場最大厚度差為0.8μm。

請參閱『第9圖及第10圖』所示，係分別為本發明鍍膜玻璃基板之干涉條紋影像示意圖、及本發明鍍膜玻璃之全場厚度量測結果示意圖。如圖所示：第9圖(a)、(b)及(c)依序為編號CG1、CG2及CG3之鍍膜玻璃試片之干涉條紋影像，同樣可看出試片皆具有厚度不均之情況。分析條紋得到之厚度分布分別如第10圖(a)、(b)及(c)所示，可看出此三片試片整體之厚度不均現象皆呈現橫向平行之帶狀分布，惟CG1試片底部附近有一厚度相對較大之塊狀區域，而CG3試片之較大厚度區域所佔比例為最高，涵蓋了試片上半部之範圍。另外，三者全場最大厚度差分別為1.9μm、1.4μm以及4.6μm，其平均值大於前述玻璃基板之結果，由此可研判鍍膜之製程可能會使玻璃基板厚度不均之現象更加劇烈。

由上述量測結果可知，市面上所使用之玻璃基板確實具有厚度不均之現象，而在同一生產流程下製造之玻璃基板厚度不均程度亦不盡相同，因此薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)之光源不均(Mura)現象的確有可能與玻璃基板元件厚度不均之間存在某特定關係。

另外，本發明待測試件係為光源波長可穿透材料，除了上述所提之玻璃基板之外，本發明之技術亦可應用於軟性顯示器中透明塑膠基板之厚度量測，常見之塑膠材料為聚乙烯對苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚苯二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)與聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等，厚度介於0.5~1毫米(mm)之間，且變動在±20%以內；並 且，本發明量測材料並不侷限於可見光透明，亦可為矽晶圓或金屬薄膜，且當該待測試件為矽晶圓時，該雷射光源係為紅外線雷射。

藉此，本發明係一種同時符合快速線上檢測之量測時間短及範圍大等要求之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，可對待測試件以非接觸及非破壞性方式進行量測，量測方式係使光波以斜向角度照射，光徑(Optical Path)係為點到面，其干涉條紋直接與待測試件之厚度相關，無需使用透鏡，無需經過相移(Phase Shift)，不僅成本較低，更可使本發明達成快速線上檢測之目標，且由於入射角在同一橫斷面上會由左而右呈現連續遞增函數之分布，使得相位差會由左而右呈現連續單調(monotonic)遞減函數之分布，根據此固定規律性可有效地進行相位展開，進而可有較大地量測區域；因此，本發明係提供一種光徑不需光學透鏡組之技術，利用高同調性點擴束之球面光波以斜向角度照射進行瞬時且大範圍面積之全場厚度量測，故適用於即時線上檢測。

綜上所述，本發明係一種厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，可有效改善習用之種種缺點，提供一種光徑(Optical Path)不需光學透鏡組之技術，利用光波以斜向角度照射進行瞬時且大範圍面積之全場厚度量測，無需經過相移(Phase Shift)，光路簡單且成本較低，適用於即時線上檢測，進而使本發明之產生能更進步、更實用及更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧光源

11‧‧‧雷射光源

12‧‧‧光束提升與轉折器

13‧‧‧空間濾波擴束器

2‧‧‧屏幕

3‧‧‧影像擷取單元

4‧‧‧影像處理模組

41‧‧‧軟體分析單元

42‧‧‧軟體繪圖單元

5‧‧‧待測試件

Claims (9)

1. 一種厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，係包括：一光源，係用以產生高同調性(Coherence)點擴束之球面光波，其中該光源可由一雷射光源、一光束提升與轉折器及一空間濾波擴束器所組成，該雷射光源係用以產生雷射光束，該光束提升與轉折器係設置於該雷射光源與該空間濾波擴束器之間，用以引導該雷射光束至所需高度及方向，而該空間濾波擴束器係設置於該光束提升與轉折器前方，用以過濾光場中之空間雜訊，並均勻地擴展該雷射光束，使其形成大範圍球面光波前；一屏幕，係設置於該光源前方，用以將高同調性點擴束之球面光波自斜向角度照射一待測試件時產生之干涉條紋成像於其上；一影像擷取單元，係設置於該屏幕前方，用以擷取該屏幕上之干涉條紋並轉換為數位影像；以及一影像處理模組，係與該影像擷取單元連結，用以分析干涉條紋之數位影像並進行數值計算，俾以取得該待測試件之全場厚度分布。
2. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該待測試件係設置於該光源與該屏幕之間，以斜向角度接受高同調性點擴束之球面光波之照射。
3. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該待測試件係為光源波長可穿透材料，可為玻璃基板或透明塑膠基板，該透明塑膠基板並可為聚乙烯對苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚苯二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)或聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)。
4. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該待測試件係為非可見光透明之材料，可為矽晶圓或金屬薄膜，且當該待測試件為矽晶圓時，該光源係為紅外線雷射。
5. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該影像處理模組係包括： 一軟體分析單元，用於厚度量測、讀取數位影像以及繪圖分析，可將該干涉條紋中包含厚度之資訊，經由影像處理進行數值計算；以及一軟體繪圖單元，用於將該軟體分析單元處理後之數值進行分析以及資料視覺化，繪示出該待測試件之全場厚度分布。
6. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該影像處理模組係以一軟體分析單元自該干涉條紋之數位影像中萃取出相位差之分布，並藉由空間中之幾何關係計算出該待測試件各個位置入射光之角度，俾以推算出對應之厚度，對光波長λ透明之材料厚度與入射光角度、折射率與相位差間之關係為： 其中，t(x,y)為該待測試件上各個位置之厚度；n為該待測試件在光波長λ之折射率；θ _i (x,y)為當高同調性點擴束之球面光波以斜向角度照射時該待測試件各個位置之光入射角；λ為光源之波長；以及φ(x,y)為干涉相位差。
7. 依申請專利範圍第6項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，為了將入射角表示為該待測試件前表面之位置函數，假設光源與該待測試件上某一等高度參考點(x _c ,y _c )間之水平距離為D，垂直距離為L，則高同調性點擴束之球面光波與該待測試件間之斜向角度可表示為如下關係： 因此，高同調性點擴束之球面光波入射至該待測試件前表面任意一點(x,y)之入射角關係為：
8. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該待測試件接受高同調性點擴束之球面光波之照射之斜向角度係介於16°~18°之間，且變動在±20%以內。
9. 依申請專利範圍第1項所述之厚度線上即時檢測之光學干涉裝置，其中，該空間濾波擴束器可由物鏡配合針孔所組成，該光束提升與轉折器可由三反射鏡所組成，每一反射鏡皆具有二個旋轉方向之自由度。