TWI486102B - 訊號產生系統 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
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Description
本發明係關於用於阻抗匹配(impedance matching)之設備。
習知有各種不同設計之電漿處理系統用於執行處理，如基板蝕刻或者於基板上沉積薄層(thin layer)。可藉由在低壓氣體中形成電漿而達到上述目的。該電漿係由電漿產生器所產生並供給，並且採用阻抗匹配網路(impedance matching network)以確保自該產生器看進去該負載所看見的係50歐姆阻抗。
在典型的電漿處理系統中，操作於高射頻(RF)頻率(例如：13.56MHz)之電漿腔室(plasma chamber)握持半導體晶圓或基板並且於該晶圓上執行所期望之製程，如電漿蝕刻、電漿輔助化學氣相沉積、或濺鍍。為了維持電漿於該腔室中，射頻功率係經由傳輸線(如50歐姆之同軸電纜)和可變射頻阻抗匹配電路藉由習知13.56MHz射頻產生器而供應至該腔室。該習知射頻產生器包含13.56MHz射頻功率來源、輸出級、以及習知之雙向耦合器。該輸出級使該射頻功率電路之輸出阻抗匹配該同軸電纜之50歐姆的特徵阻抗。形成感測電路系統之雙向耦合器於該輸出級之輸出提供了該順向和反射射頻功率之輸出表示。習知之回授控制電路管理可變射頻匹配電路，藉此將於該雙向耦合器之反射功率輸出所感測之反射射頻功率最小化。詳而言之，該控制電路調整該可變射頻匹配網路，以便將該電漿腔室之阻抗轉換至該同軸電纜之50歐姆特徵的阻抗。由於該電漿腔室阻抗傾向於在晶圓處理期間變化，故該可變射頻匹配電路藉由改變其阻抗而維持射頻匹配，以補償該電漿腔室阻抗之波動。
於US-A-5643364中，揭露了這樣一個習知系統，而於WO-A-1997/024748中，揭露了另一個習知系統。後者中，該匹配單元係由兩個以微處理器所控制之可變電抗所構成。依序移動該兩個元件直到找出最小反射功率為止。
一般而言，匹配網路上用以偵測來自該電漿產生器之輸出訊號之感測電路系統將偵測該匹配單元所設計匹配之頻率以外之頻率。當諧波發生時會造成問題，因此也藉由該匹配網路感測電路系統偵測該電漿產生器之輸出訊號與該電漿之非線性電抗之互動。此方案可能造成錯誤的反射功率讀取或者該匹配網路控制之可變反應性元件(variable reactive element)的瑕疵驅動(false drive)訊號。最終，此方案造成緩慢匹配或者該最佳功率不會傳遞進入該電漿。
再者，單一電漿處理反應器上之電漿產生器數量有時能夠多於一個，且該等產生器之輸出頻率可能不同。在這些情況下，重要的是該產生器之阻抗匹配網路間沒有串音(cross-talk)。在一些情況下，用以自動地驅動該匹配單元之感測訊號的諧波失真可能造成非所欲之行為和匹配不良。當功率一致傳遞至該電漿反應器且阻抗匹配之速度係關鍵時，上述情況尤其重要。在此情況下，當該兩個或更多個頻率透過直接物理連接或透過該電漿傳導而互動時，驅動訊號失真可能會被誇大。該兩個或更多個頻率重疊可能導致產生該頻率之和(sum)與差(difference)之邊頻帶(sideband)。在該兩個或更多個頻率之其中一者係相對低(例如：100KHz)的情況下，將可產生許多邊頻帶且用以驅動該匹配網路之感測訊號失真可非常嚴重。此類型之失真也可能導致來自該產生器之錯誤反射功率讀取，以及由匹配網路之可變反應性元件之瑕疵驅動訊號所造成之不良匹配。
GB2315620 A描述了用於電漿腔室之射頻探針(RF probe)，該探針係用以獲得施加至射頻電漿腔室之射頻功率之電流和電壓取樣(sample)，以及用以獲得供應至個別混頻器之射頻電壓和電流波形。本地震盪器供應射頻頻率加或減約15KHz之本地震盪器訊號予該等混頻器，使得該等混頻器提供個別基頻帶電壓和電流訊號。
US 6005398A描述了訊號轉換，將衍生自射頻訊號之訊號轉換至正弦訊號。此正弦訊號較佳係為低頻，較佳係25KHz。
因此，提供具有較佳執行匹配網路之改良設備、改善匹配時間和匹配可靠度而沒有來自相同電漿處理反應器之其他電漿產生器上之頻率干擾為相關產業不間斷的期望。
根據本發明，一種訊號產生系統，包括：訊號產生器，係用於在預定頻率產生電性訊號；阻抗匹配電路，該電性訊號係自該訊號產生器經由該阻抗匹配電路而供應至使用中之反應性負載；以及，阻抗匹配電路控制系統，係用於偵測該訊號產生器和該反應性負載間之電性訊號，並且用於調整該阻抗匹配電路以達到預定條件(predetermined condition)，且其特徵在於，該阻抗匹配電路控制系統包括：外差電路(heterodyne circuit)，該系統復包括外差頻率產生器，該外差頻率產生器係耦接至該訊號產生器以自該訊號產生器之該預定頻率產生第二外差頻率，該第二外差頻率係用於與所偵測到的訊號混合以產生和(sum)與差(difference)訊號；濾波器，係用於通過該差訊號；以及，處理器，係回應該差訊號以調整該阻抗匹配電路以達到該預定條件。
我們已了解到，相比於習知之系統，藉由在感測電路系統(sense circuitry)中對訊號使用外差頻率轉換能夠達到匹配的改善。於該訊號處理之休息(rest)期間，將用於匹配之訊號之頻率平移(shift)使得該訊號更易於運用。自電漿處理所須之LF、RF、VHF、或UHF頻率進行降頻轉換(down-convert)至數百赫茲(hertz)之頻率需要簡單的濾波，以給予不具有任何諧波或所不欲之邊頻帶失真(sideband distortion)的乾淨訊號。
對於本發明之匹配網路(match network)的感測取樣(sense sampling)和處理控制係依據該外差接收器之原理而運作。來自該訊號產生器具有頻率(FP
)之輸出訊號典型
上係透過電壓感測器和電流轉換器而於該產生器和該反應性負載(如：反應器腔室(reactor chamber))間之傳輸線(transmission line)上任一點被偵測到，以給予有關於該(射頻)功率傳遞的兩個不同訊號。這兩個訊號接下來與本地震盪器來源(local oscillator source)混合，該本地震盪器來源之頻率與該產生器類似。該本地震盪器(L0)頻率(FL0
)可選擇稍微高於或低於該產生器之頻率。該經取樣頻譜(sampled spectrum)之精確再生(reproduction)係接著再生於該差與和頻率(difference and sum frequency)。藉由小心地選擇該本地震盪器頻率，能夠將該差頻率使用於進一步之訊號處理。
雖然本發明可應用至透過阻抗匹配電路(如射頻感應加熱(RF induction heating))而連接至反應性負載之訊號產生系統的各種不同變化，但是本發明之主要應用係電漿腔室激發系統，且以下說明書內容將詳細描述相關應用。
將差訊號使用於訊號處理之優點係頻率能夠較該電漿產生器之頻率為低，該電漿產生器之頻率係取決於該本地震盪器頻率之數值。舉例而言，操作於13.56MHz之電漿產生器係與本地震盪器頻率13.5599MHz混合。現在能夠於100Hz和27.1MHz發現該頻譜之再生。相較於頻率FP
之訊號，此100Hz訊號係明顯較易於在標準印刷電路板(PCB)中進行濾波和處理。
當兩個電漿產生器以不同頻率操作於相同反應器(reactor)上時，將可看出此系統之真正優點。如果該第二電漿產生器具有400KHz之頻率(FP2
)，則我們能夠於13.56MHz上觀察到此效果。兩個訊號均將混合在一起，並且邊頻帶將出現於13.96MHz和13.16MHz，係等於該和與差，相較於13.56MHz訊號具有較小之振幅。於14.36MHz和12.76MHz將產生進一步之邊頻帶，類似地對於14.76MHz和12.36MHz進一步降低訊號振幅。
當需要阻抗匹配(13.56MHz)之訊號與不需要阻抗匹配(13.16MHz、13.96MHz等)之感測訊號間之差非常小時，試圖自此頻譜隔絕該13.16MHz訊號將會非常困難。因此，這些邊頻帶失真會影響到控制該匹配網路之可變反應性元件之訊號，通常係無法使用的點且隨之該阻抗網路將無法找到匹配。
藉由於該13.16MHz感測訊號上實施該外差頻率轉換(heterodyne frequency conversion)，相對應之訊號出現於100Hz，該訊號現在應該被稱作為經修正感測訊號(Modified Sense Signal；MMS)，具有位於399’ 900Hz之最接近邊頻帶(較低的第一邊頻帶諧波)，明顯較易於透過濾波而隔絕。可接著使用簡單的低通濾波器以隔絕該100Hz訊號而免於邊頻帶失真。
該本地震盪器(LO)頻率(FLO
)之選擇取決於該電漿產生器輸出頻率，而所選擇之經修正感測訊號之頻率係用於訊號處理。對於操作於13.56MHz之阻抗匹配網路而言，13.5599MHz之FLO
給予100Hz之經修正感測訊號之頻率。本專利之範疇並未將該設備或方法限定於這些數值。使用者可能希望選擇13.5595MHz之FLO
，該頻率給予500Hz之經修正感測訊號之頻率。
為了進一步描繪該議題，假設電漿產生器開始以頻率FP1
=13.56MHz產生並供給電漿，而第二電漿產生器以頻率FP2
=2.00MHz產生並供給電漿。為了給予100Hz之經修正感測訊號之頻率，該本地震盪器(LO)頻率應該為FLO
=13.5599MHz。如此一來，給予該第一諧波較低之邊頻帶於1.9999MHz。
於另一個範例中，可使用頻率41MHz和13.56MHz。
理論上來說，使用者可定義並使用任何FLO
之數值，但是僅有與該匹配網路之操作頻率相關之頻率係適合用於簡化濾波和訊號處理。當關係到來自兩個頻率之邊頻帶失真時，該FLO
頻率之數值所導致之經修正感測訊號之頻率易於利用低通濾波器進行處理；該主要電漿產生器頻率(FP1
)和次要電漿產生器來源(FP2
)，將傾向落於以下方程式所描述之範圍內。
FLO,MAX
＜FP1
+(FP2
/2) [方程式1.1]
FLO,MIN
=0.9×FP1
[方程式1.2]
該本地震盪器頻率之上限(maximum limit)係描述方程式1.1中，將截止(cut-off)該第一諧波之較低邊頻帶。選定較接近於方程式1.2中所描述之下限(lower limit)之本地震盪器頻率將給予進一步來自FP2
之經修正感測訊號之頻率，並因此更易於藉由實施低通濾波器作為該匹配網路之控制訊號。
本發明並非僅將該本地震盪器(LO)頻率之使用限定至如方程式1.1和1.2所描述之範圍，而此範圍係最容易進行濾波之頻率範圍。如此一來，所選擇之FLO,MAX
必須落於方程式1.3所描述之範疇之中，
FLO,MAX
＞(FP2
/2) [方程式1.3]
如果該FLO
之數值係取自方程式1.3所描述之範圍，則接下來為了隔絕該MMS，必須採用帶通濾波。該帶通濾波之實施相較於低通濾波較為簡單。在一些情況中，帶通濾波可能係較佳的選擇，但是在大部份的情況下，低通濾波將是較經濟之選擇。
用以將該經外差頻率轉換之訊號隔絕自非所欲之邊頻帶的濾波類型可透過習知之濾波硬體而完成。該濾波亦可藉由能夠執行類似任務之軟體進行執行。
用於阻抗匹配至反應性負載和上述腔室之新方法和設備能夠操作於所期望產生並供給電漿之任何頻率。此頻率可能包含但並不限定於：該電磁(EM)頻譜(30-300KHz)之低頻(LF)區域、該電磁(EM)頻譜(300-3000KHz)之中頻(MF)區域、該電磁(EM)頻譜(3-30MHz)之高頻(HF)區域、該電磁(EM)頻譜(30-300MHz)之非常高頻(VHF)區域、以及該電磁(EM)頻譜(300-3000MHz)之極高頻(UHF)區域。
使用中之頻率可為連續波(CW)或者脈衝操作。該電漿產生器之脈衝頻率可介於1-10,000Hz的範圍之間。脈動該電漿產生器也將產生非所欲之邊頻帶，該邊頻帶會使得該載波訊號(carrier signal)失真。相較於未採用該外差頻率轉換系統之系統，本專利描述一種能夠幫助移除由經脈動之電漿產生器所造成之一些非所欲失真之方法。
該電漿產生器之輸出也可疊加有來自一個或多個其他電漿產生器之輸出，以獲得所需要之電漿性質。
本專利所描述之阻抗匹配網路設備能夠組構成用以匹配電容性或電感性負載。可透過實施(但並非限定於)L型或者Pi型網路組構而達到上述目的。也可能透過實施切換轉換器(switched transformer)而達到上述目的。
本發明之阻抗匹配網路之可變反應性元件可為可變電容器或可變電感器或兩者之一個或者多個之任何組合。再者，可使用單一可變反應性元件，結合頻率調校(frequency tuning)該產生器，作為兩個可變反應性元件之手段。
本發明之方法和設備可配合使用(但不限定於)以下電漿來源之一個或多個之任何組合之阻抗匹配：反應離子蝕刻(Reactive Ion Etch；RIE)、離子束蝕刻(Ion Beam Etch)、離子束沉積、電漿蝕刻、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、感應耦合式電漿(Inductively Coupled Plasma；ICP)、電漿輔助原子層沉積(PEALD)以及任何其他需要匹配網路之配備。
於半導體處理配備中執行之程序需要於該電漿產生器和該腔室和包括負載之電漿間具有快速且準確之匹配。上述目的無論在何種情況下均可利用數位訊號處理來達成。表面接置零件(surface mounted component)和可程式化積體電路晶片係改善該控制訊號通過該匹配單元之控制印刷電路板之潛時(latency)。數位訊號處理對於電漿特性的變化提供了較佳的回應，而可程式化步進馬達(stepper motor)之實施使得該等可變反應性元件能夠快速且準確地被調校。然而，應了解到，本發明能夠利用類似的技術加以實施。
第1圖係描繪形成電漿腔室系統之範例之方塊圖式，該電漿腔室系統包含具有電極12之真空電漿處理腔室(vacuum plasma processing chamber)10，該電極12藉由共振匹配電路(resonant matching circuit)或網路16而連接至固定頻率(典型上係13.56MHz)射頻來源14。真空電漿處理體室10係習知之設計，其中引入有氣體並且藉由衍生自電極12之射頻場(RF field)將該氣體激發並維持在電漿狀態中。位於腔室10中之工作部件(workpiece)(典型上係玻璃、半導體或金屬基板(未顯示))係藉由該電漿放電(plasma discharge)中之離子進行處理，使得蝕刻該工作部件及/或沉積材料於該工作部件上。該電漿放電形成該來源14和共振匹配網路16之反應性負載。來源14係藉由電纜15連接至網路16。
來源14具有電阻性輸出阻抗(例如：50歐姆)及經常為零歐姆反應性輸出阻抗，也就是說，該來源14之輸出端看進去之阻抗係(50+j0)歐姆。電纜15於該來源14之頻率具有特徵阻抗等於該來源之輸出阻抗，並且將射頻訊號自該來源傳遞至該匹配單元之輸入。位於該匹配網路16輸入之射頻偵測電路(RF detection circuit)36包含輸出埠37、38，於該等輸出埠37、38上衍生射頻訊號，該射頻訊號具有直接與經由電纜15反射至該來源14之輸出端之射頻功率之電壓和電流分別成比例之振幅。於埠37、38之訊號係供應至如下所述之阻抗匹配網路控制系統30。
腔室10中之電漿放電係受制於暫態和非線性變化，藉由匹配網路16和電纜15反射至固定頻率射頻來源14之輸出端。不管這些變化，控制匹配網路16之阻抗以最小化反射回該來源14輸出端之功率。
於較佳實施例中，匹配網路16係組構成如同「L」，具有一個串聯臂(series arm)和一個並聯臂(shunt arm)，分別包含可變電容器18和20，可分別利用馬達26、28變化該等可變電容器18和20之電容。電容器18主要係控制自該來源14看進去該匹配網路16之輸入端所看見之反應性阻抗成分之大小，同時電容器20主要係控制該匹配網路看進去所看見之電阻性阻抗之大小。經常地，電容器18和20於相關領域中被稱為調校(tune)和負載電抗或電容器。當連接至浸入電漿中之電極時，該負載阻抗實質上係電容性的，且該匹配單元包含電感器21串聯該調校電容器18；在此情況中，該一對電感器21和電容器18電性作用如同可變電感器。當連接至電感性負載(如感應耦合式電漿之驅動線圈)時，係忽略電感器21。當匹配至低於50歐姆之負載時，該並聯電容器20係連接於該匹配單元之輸入側(input side)上，並且當匹配至高於50歐姆之負載時，係位於該輸出側(output side)上。
第2圖係更詳細描繪該阻抗匹配電路控制系統之結構。每一個分別代表電壓和電流之輸入射頻訊號均供至個別放大器40、42，而經過放大之訊號係供至個別混頻器(mixer)44、46。頻率13.56MHz之初始射頻訊號亦供至鎖相迴路電路(phase lock loop circuit)48，該鎖相迴路電路48產生外差頻率(如上所描述)，該外差頻率之數值稍微不同於該輸入頻率，於此情況中，係13.5601MHz。此外差頻率接著藉由該等混頻器44、46與該電壓和電流代表訊號的每一者混合，以產生和與差訊號，該和與差訊號係供至個別低通濾波器50、52。該等濾波器50、52消除該「和」頻率並且通過該差頻率(於此情況中將係100Hz)，且來自該低通濾波器之輸出係供至一對處理放大器54、56之每一者。
處理放大器54產生強度大小錯誤訊號(magnitude error signal)，當電壓和電流之比例等於50歐姆時，該強度大小錯誤訊號將落至零。處理放大器56產生相位錯誤訊號(phase error signal)，當位於至該匹配單元之輸入之電壓和電流係於相位上(in phase)時，該相位錯誤訊號理想上係落於零。(實際上，所衍生之相位訊號並非準確匹配於零，而使用非零之控制參考數值。此數值起初藉由手動匹配進行選擇，並且指明所指示之偏移數值(offset value)。)交叉箭頭之右手側指示該設計具有自每一個控制訊號驅動每一個電容器位置之彈性。
如上所述，本發明所希望解決的問題之一係，該電漿
處理腔室10係供應超過一個激發頻率。考量到該第二激發頻率係400KHz之情況。在此事件中，該感測器36所偵測到的訊號將具有第3a圖及第3b圖所示之形式。在這些圖式中，該13.56MHz峰值(peak)之兩側邊頻帶係明顯的，並且對於所需要頻率進行濾波將會有困難。
藉由施加外差頻率轉換，於100Hz匹配所需要之訊號係經良好分離的，如第4圖所示，且能夠於第5圖中看得更清楚。簡易實施之低通濾波器接著隔離該所需之訊號，以驅動該阻抗匹配網路，而不具有來自邊頻帶元件之干擾或失真。
第6圖係描繪習知匹配網路操作於接近電漿產生器之頻率Fp1
。使用寬頻偵測器以擷取該必要資訊以驅動該等馬達，該必要資訊可能由於邊頻帶之存在而發生失真。
相較之下，第7圖係顯示外差所偵測之頻譜之結果，使得所偵測之頻譜發生頻率平移至較低頻率，導致經修正感測訊號，該經修正感測訊號係易於進行濾波以移除任何非所欲之邊頻帶干擾。
10‧‧‧電漿處理腔室
12‧‧‧電極
14‧‧‧射頻來源
15‧‧‧電纜
16‧‧‧共振匹配網路
18、20‧‧‧可變電容器
21‧‧‧電感器
26、28‧‧‧馬達
30‧‧‧阻抗匹配網路控制系統
36‧‧‧射頻偵測電路
37、38‧‧‧輸出埠
40、42‧‧‧放大器
44、46‧‧‧混頻器
48‧‧‧鎖相迴路電路
50、52‧‧‧低通濾波器
54、56‧‧‧處理放大器
現在將參考附加圖式對於根據本發明之訊號產生系統之範例進行描述，其中：第1圖係描繪電漿腔室系統之方塊圖式；第2圖係描繪第1圖所示之阻抗匹配電路控制系統之零件之方塊圖式；第3a圖及第3b圖係以圖形形式且分別自頻譜分析儀
如同照片般顯示13.56MHz訊號之典型頻譜，該13.56MHz訊號已混合有400KHz之LF訊號；
第4圖係顯示在已執行該外差頻率轉換後，相同於第3圖所示頻譜之頻譜；第5圖係顯示相同於第4圖之資訊，且較詳細注重於較低頻率；第6圖係描繪用以驅動該阻抗匹配網路之馬達之習知訊號；以及第7圖係描繪根據本發明用於驅動該阻抗匹配馬達之範例訊號。
10．．．電漿處理腔室
12．．．電極
14．．．射頻來源
15．．．電纜
16．．．共振匹配網路
18、20．．．可變電容器
21．．．電感器
26、28．．．馬達
30．．．阻抗匹配網路控制系統
36．．．射頻偵測電路
37、38．．．輸出埠
Claims (14)
- 一種訊號產生系統，包括：訊號產生器(14)，係用於在第一頻率產生電性訊號；阻抗匹配電路(16)，係配置以供應該電性訊號自該訊號產生器至反應性負載(10)；以及阻抗匹配電路控制系統(30)，係用於偵測該訊號產生器和該反應性負載間之該電性訊號，並且用於調整該阻抗匹配電路以達到預定條件，其中，該阻抗匹配電路控制系統包括：外差頻率產生器(48)，係耦接至該訊號產生器，以自該訊號產生器之該第一頻率產生第二外差頻率；混頻器(44、46)，其中該外差頻率係與所偵測到的訊號於該混頻器中混合，以產生和與差訊號；濾波器(50、52)，係用於通過該差訊號；以及處理器，係回應該差訊號而調整該阻抗匹配電路，以達到該預定條件；該訊號產生系統其特徵在於，來自該訊號產生器之該偵測的電性訊號係供至產生該外差頻率之該外差頻率產生器，以及該混頻器(44、46)。
- 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中，該阻抗匹配電路控制系統(30)係適於產生分別對應於該所偵測到訊號之電壓和電流的兩個訊號，且該電壓和電流之每一 者代表藉由該阻抗匹配電路控制系統(30)進行外差轉換之訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之系統，更包括第二訊號產生，係用於產生在不同於該第一頻率之第二頻率產生電性訊號，在該第一頻率所產生之該訊號與在該第二頻率所產生之該訊號皆施加至相同的該反應性負載(10)。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，其中，該外差頻率(FL0 )落在如下所定義之範圍內：0.9×FP1 =<FL0 <FP1 +(FP2 /2)其中，FP1 係由該訊號產生器(14)所產生之該訊號之頻率，而FP2 係由該第二訊號產生器所產生之該訊號之頻率，該訊號些皆施加至相同的該反應性負載(10)。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，其中，該阻抗匹配電路(16)包括一個或多個電抗(18、20)，且該阻抗匹配電路控制系統(30)之該處理器係適於根據該差訊號而改變該電抗或每一個電抗之數值。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，其中，該外差頻率產生器(48)產生外差頻率，且該外差頻率係導致低於20KHz之差訊號。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，該外差頻率產生器(48)產生外差頻率，且該外差頻率係導致為100Hz或低於100Hz之差訊號。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，其中，該預定條件係反射自該反應性負載之功率，該反應 性負載係低於該順向功率之1%。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之系統，其中，該訊號產生器(14)係於該射頻頻率範圍中，例如13.56MHz，產生電性訊號。
- 一種電漿腔室激發系統，係包括如申請專利範圍第1至9項中任一項之訊號產生系統。
- 一種電漿腔室系統，係包括電漿腔室(10)，該電漿腔室中係於使用中形成氣體電漿，該電漿腔室係與申請專利範圍第10項之電漿腔室激發系統耦接，用於激發該腔室內之電漿。
- 如申請專利範圍第11項所述之電漿腔室系統，復包括第二電漿腔室激發系統，用於將該電漿腔室(10)曝露於第二激發頻率，該第二激發頻率係不同於該一電漿腔室激發系統所產生之激發頻率。
- 如申請專利範圍第12項所述之電漿腔室系統，其中，該第二激發頻率具有低於藉由該一電漿腔室激發系統所產生激發頻率之頻率，例如，相較於13.56MHz較低之2MHz。
- 如申請專利範圍第12項所述之電漿腔室系統，其中，該第二激發頻率具有高於藉由該一電漿腔室激發系統所產生激發頻率之頻率，例如，相較於13.56MHz較高之41MHz。
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