TWI466721B - 帶有離子改性的黏合劑之觸媒 - Google Patents

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Description

帶有離子改性的黏合劑之觸媒
交叉參考的相關申請案
不適用。
本發明大體上關於一種與觸媒(諸如沸石觸媒)一起使用的黏合劑。
可將黏合劑添加至觸媒材料中,以形成改性之聚集體觸媒,諸如具有改良的物理性質。可以黏合劑材料改性的一種觸媒類型為分子篩類型觸媒,諸如沸石。
沸石為結晶狀鋁-矽酸鹽,熟知其於許多應用中的用途。尤其被用於脫烷基化、轉烷基化、異構化、裂煉、歧化及脫蠟法中。其有序化結構係由以氧原子連結的四面體AlO4 -5 及SiO4 -4 分子所組成,以形成通常大約3埃至10埃直徑的孔系統。這些孔產生大的內表面積且允許沸石以分子形狀及尺寸為基準選擇性地吸附某些分子,同時排除其他分子。因此,可將沸石歸類成分子篩。亦可將沸石稱為〝形狀選擇性觸媒〞。小孔可限制反應於某些過渡狀態或某些產物,防止不符合孔輪廓或尺寸的形狀。
在沸石中的孔通常被水分子及陽離子佔據。陽離子平衡由氧陰離子四面體配位之三價鋁陽離子所造成的負電荷。沸石可以其天然陽離子交換成其他陽離子,一個實例是鈉離子交換成鋁離子。在一些離子交換的形式中,諸如氫形式的沸石,觸媒為強酸性。酸活性位置有用於烷基化反應以及許多其他反應。例如,沸石可適任為夫里得-夸夫特(Friedel-Crafts)烷基化反應的固體酸觸媒,以取代傳統的三氯化鋁及其他可腐蝕且損害反應器的液體酸觸媒。
一種可使用沸石作為固體酸觸媒的烷基化反應為苯與乙烯形成乙苯的烷基化反應。乙苯為具有化學式C6 H5 CH2 CH3 之芳族烴;其由帶有單一附著之乙基的6碳芳族環所組成。其可進行脫氫反應以形成單體苯乙烯,由此單體製得聚苯乙烯。聚苯乙烯為可形成許多有用產品的塑膠,包括模塑產品及發泡產品,所有此等增加對製造苯乙烯前驅物(乙苯)之需求。
在苯的乙基化反應中,可將沸石歸類成不勻相酸觸媒,因為其處於不同於反應物的相內。沸石觸媒為固體且經常受載於氧化鋁或矽石黏合劑,以增加其在反應器床內部的機械穩定性。另一方面,反應物呈液相、蒸氣相或超臨界相。經由烷基化反應製造乙苯已由苯於氣相中達成,但是亦有可能使用需要較低溫度的液相烷基化反應。液相烷基化反應可在某些情況中更合乎經濟且可降低不想要的副產物製造。
然而,在液相烷基化反應所要求之較低溫下操作可具有增加觸媒對進料中的雜質敏感度的效應。在觸媒中的酸位置易傾向以含有氮、氧及硫官能基之極性分子去活化,尤其在液相反應中。觸媒的酸基團去活化降低觸媒效率。一種結果可能是觸媒的去活化速度增加,必須有更頻繁的觸媒再生及縮短觸媒的整體壽命。觸媒再生及置換二者可能需要使反應器的製程關閉,花費時間及金錢,因此希望不常進行這些再生及置換作用。
一種解決辦法是在進料與沸石觸媒接觸之前先濾除進料的極性毒物,諸如使進料流在進入主要的反應床之前先通過一或多個分子篩。然而,在許多例子中,少量的這些極性雜質仍到達沸石觸媒。
因為目前純化烷基化進料的技術無法完全防止少量的極性雜質進入反應床中,所以希望能抑制進入反應床的雜質與沸石觸媒的活性位置之間的接觸。希望抑制雜質與不論是沸石或其他的觸媒類型的觸媒活性位置之間的接觸。
發明總論
本發明之具體例大體上包括使用黏合劑作為機械支撐方式的觸媒,其中黏合劑係藉由金屬離子的包含(inclusion)而改性,以形成離子改性的黏合劑。離子改性的黏合劑可附著於反應床中存在的極性雜質,以此方式抑制極性雜質與觸媒之間的接觸。離子改性的黏合劑可附著於雜質,在反應條件下不會不利地影響觸媒或引起顯著的副產物形成。此外,離子改性的黏合劑可藉由防止極性雜質與觸媒接觸而延長整體觸媒壽命及降低觸媒的去活化速度。
離子改性的黏合劑可包含非晶形矽石或氧化鋁。矽石或氧化鋁係藉由添加金屬離子或類似物質而變成〝離子改性〞。一種添加金屬離子至黏合劑的方法是初濕含浸法(incipient wetness impregnation)。金屬離子可構成離子改性的黏合劑之從0.1重量%至50重量%,隨意地從0.1重量%至20重量%,隨意地從0.1重量%至5重量%。適合的金屬離子包括Co、Fe、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、V、Mn及類似物質,諸如金屬氧化物、奈米粒子或混合之金屬氧化物相,及其組合。任何可使黏合劑吸收極性雜質的金屬離子、類似物質或其組合可用於本發明。
離子改性的黏合劑可構成觸媒之從1重量%至80重量%,隨意地從5重量%至60重量%,隨意地從10重量%至30重量%。由觸媒及離子改性的黏合劑所組成的聚集體可藉由將觸媒與黏合劑在揮發物存在下混合及將混合物經由擠壓或其他方式定型以形成適合於反應床的形狀而製得。定型之形式可在從100℃至200℃之溫度下乾燥且可在實質上無水環境中從400℃至1000℃之溫度下煅燒。
以離子改性的黏合劑形成之觸媒屬於包含分子篩觸媒及固體酸觸媒的一般種類中任何一種。觸媒可為沸石。觸媒可被用於許多反應中,包括烷基化、脫烷基化、轉烷基化、異構化、裂煉、歧化、脫蠟及芳香化。
烷基化反應可發生在芳族受質與烷基化劑之間。在一個具體例中,芳族受質為苯及烷基化劑為乙烯。本發明可適用於苯與乙烯的烷基化反應,其中將乙烯及苯引入覆蓋有以離子改性的黏合劑形成之沸石觸媒的反應床中。發生反應,形成主要產物乙苯。烷基化反應可為蒸氣相、液相或超臨界相。可將乙烯及苯進料流在引入反應床之前先預處理;然而極性雜質仍可存在於進料流中。進入反應床的極性雜質可被離子改性的黏合劑吸收。
本發明之可替代具體例為一種製備觸媒的方法,其包括將金屬離子添加至黏合劑中,以形成離子改性的黏合劑,及將離子改性的黏合劑與觸媒混合,以形成離子改性的黏合劑觸媒聚集體。觸媒可被用於苯與乙烯的烷基化反應之反應床中。觸媒可為沸石觸媒,且黏合劑可經由初濕含浸法以離子改性。
金屬離子可構成離子改性的黏合劑之0.1重量%至50重量%。離子改性的黏合劑可構成觸媒之1重量%至80重量%。金屬離子可選自Co、Fe、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、Mn和V及其組合。離子改性的黏合劑可能可以附著於極性雜質且由此抑制極性雜質與沸石接觸。
詳細敘述
本發明關於用於觸媒(諸如沸石觸媒)之黏合劑改性,以抑制在反應床中的極性雜質與觸媒的交互作用。特定言之,黏合劑係藉由添加活性金屬離子或其他類似物質而改性,以捕捉極性雜質,以此方式抑制雜質接觸觸媒及抑制副產物形成。
沸石及其他觸媒的粉末形式可能不適合於反應器中使用,由於缺乏機械穩定性,使得烷基化反應及其他希望的反應有困難。為了使觸媒適合於反應器,可將觸媒與黏合劑混合以形成具有增加之機械穩定性及強度的聚集體,諸如沸石聚集體。接著可將聚集體定型或擠壓成適合於反應床的形式。黏合劑可合意地經得起溫度及機械應力,且理想地不干擾吸附至觸媒之反應物。黏合劑有可能形成比觸媒的孔尺寸還更大的巨孔,其可提供反應物進入觸媒的經改進之擴散入口。
適合於本發明之黏合劑材料包括(但不限於此)矽石、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅、氧化鎂、氧化硼、矽石-氧化鋁、矽石-氧化鎂、氧化鉻-氧化鋁、氧化鋁-氧化硼、矽石-氧化鋯、矽膠、黏土、類似物質及其任何組合。最常使用的黏合劑為非晶形矽石及氧化鋁,包括γ-、η-及θ-氧化鋁。應明白的是,黏合劑可與許多不同的觸媒使用,包括需要機械支撐的各種形式之沸石及非沸石觸媒。
根據本發明,將黏合劑改性,使得其提供機械支撐及進行黏合劑的其他典型功能,以及限制極性雜質與觸媒接觸。本發明之黏合劑係由氧化鋁或矽石或類似的非晶形材料所組成,且包括活性金屬離子或類似物質。活性金屬離子可為下列的非限制性實例的離子:Co、Fe、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、V、Mn或類似物質,諸如金屬氧化物、奈米粒子或混合之金屬氧化物相。可使用未提及之其他類似的金屬離子及物質,以及任何經提及及未經提及之金屬離子與類似物質的組合。
如本文所使用之術語〝金屬離子〞意謂著包括能夠添加至黏合劑中且能使該黏合劑附著於極性雜質而且不會在反應條件下不利地影響其載受之觸媒或引起顯著的副產物形成之所有活性金屬離子及類似物質,諸如金屬氧化物、奈米粒子及混合之金屬氧化物相。再者,如本文所使用之術語〝離子改性的黏合劑〞係指已經金屬離子改性以附著極性雜質之用於觸媒的黏合劑。希望金屬離子不會發生不利地影響其載受之觸媒或引起顯著的副產物形成。極性雜質通常包括極性分子,諸如那些帶有氮、氧及硫官能基之分子。在苯與乙烯的液相烷基化反應中遭遇之典型的極性雜質包括胺、腈、醛、醇、酸、硫物質及類似物。這些及類似的物質亦可能為除了苯與乙烯的烷基化反應以外的反應之雜質。
金屬離子可以為黏合劑重量之0.1重量%至50重量%,隨意地以0.1重量%至20重量%,隨意地以0.1重量%至5重量%的量添加至黏合劑中。金屬離子可以本技藝中已知的任何方式添加至黏合劑中。所使用的方法通常是初濕含浸法,其中將金屬離子前驅物添加至水溶液中,將該溶液倒在黏合劑上。在靜置指定的期間之後,將黏合劑乾燥及煅燒,使得金屬離子移出水且沉積在黏合劑表面上。接著可將離子改性的黏合劑與觸媒以本技藝中已知的任何方式混合。將混合物經由擠壓或一些其他方法定型成,諸如片形、粒形、圓筒形、四葉苜蓿形、啞鈴形、對稱和不對稱多葉形、球形的形狀或適合於反應床的任何其他形狀。接著經常將定型之形狀乾燥及煅燒。乾燥可發生在從100℃至200℃之溫度下。煅燒可發生在實質上無水環境中從400℃至1000℃之溫度下。所得觸媒聚集體可含有從1重量%至80重量%,隨意地從5重量%至50重量%,隨意地從10重量%至30重量%之濃度的離子改性的黏合劑。觸媒(其為黏合劑)之重量百分比多少係由將使用觸媒的反應區之溫度來決定。例如,在以沸石用於烷基化反應時,約50%之沸石及50%之黏合劑可被用在較高溫的烷基化觸媒床中,及約75%之沸石及25%之黏合劑可被用在較低溫的烷基化觸媒床中。
本發明中,受離子改性的黏合劑承載及保護之觸媒可為沸石,但亦可為非沸石。沸石通常為多孔的結晶狀鋁矽酸鹽,且其可以天然或合成方式形成。一種形成合成沸石的方法為使矽石、氧化鋁、鈉或其他烷基金屬氧化物及有機模板劑進行水熱分解反應。每個反應物的量及各種金屬氧化物的包含(inclusion)容可導致許多不同的合成沸石組成物。此外,沸石一般係經由各種方法的改變以調整其特性,諸如細孔大小、結構、活性、酸度及矽石/氧化鋁之莫耳比。因此,可取得許多不同形式的沸石。不同類別的沸石及似沸石觸媒包括下列類型:沸石A、沸石X、沸石Y、沸石L、沸石β、沸石ω、沸石Z、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-11、ZSM-12、ZSM-18、ZSM-20、ZSM-22、ZSM-23、ZSM-35、ZSM-38、ZSM-48、ZSM-50、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、MCM-58、MCM-68、ITQ-1、ITQ-2、PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ERB-3、NU-10、θ1、TS-1,以及八面沸石、絲光沸石、菱沸石、鉀沸石、斜髮沸石、毛沸石、喜希沸石(sihealite)及類似物。有可能產生不是鋁矽酸鹽,但是表現類似於沸石的晶體,包括鋁磷酸鹽,諸如ALPO-5及VPI-5;金屬矽磷酸鹽;矽鋁磷酸鹽,諸如SAPO-5、SAPO-31、SAPO-34、SAPO-37、SAPO-40及SAPO-41;多孔結晶狀矽酸鎂及鎢酸鹽改性的氧化鋯。亦已使用其他的元素(包括硼、鎵、鐵及鍺)置換在沸石框架結構中的鋁或矽。
另一改變沸石的方法係以離子交換。例如,氫形式的沸石可藉由以鋁離子與β沸石進行離子交換而製造。金屬離子亦可藉由離子交換或其他方法併入沸石中。此等金屬離子促進劑的實例包括鈰、鑭及來自鑭系元素的其他金屬。亦已記述〝如此合成〞的Na沸石可經離子交換,以包括IA、IIA或IIIA金屬,諸如鋰、鉀、鈣、鎂、鑭、鈰、鎳、鉑、鈀及類似物之離子。可與沸石使用的其他金屬包括來自IIB、III、IV、V、VI、VIIA和VIII族之金屬及類似物。特殊的非限制性實例包括元素週期表的IIA族(Mg、Ca、Sr、Ba)、IIIA族(B、Al、Ga、In)、IIIB族(Sc、Y及鑭系元素)、IVB族(Ti、Zr、Hf)、VB族(V、Nb、Ta)、VIB族(Cr、Mo、W)及VIIB族(Mn、Tc、Re)。鹵素亦有可能包含在沸石框架中。再者,沸石的矽石/氧化鋁之比可經由各種方法改變,諸如以噴蒸汽或酸洗之脫鋁作用,以增加矽石/氧化鋁之比。增加矽石相對於氧化鋁的量可具有增加觸媒疏水性的效應。矽石/氧化鋁之比可從少於0.5至500或更大為範圍。除了沸石以外的一些觸媒亦可與本發明之黏合劑一起使用,包括屬於分子篩及/或固體酸觸媒的一般種類之觸媒。
因此,各種沸石及非沸石可適合與本發明之離子改性的黏合劑結合使用。在前兩段中所提及之各種觸媒不意謂是詳細的清單,僅意謂著表明可使用離子改性的黏合劑之觸媒類型。觸媒的選擇取決於使用觸媒的反應類型及反應條件。熟習本技藝者可選擇符合意圖之反應的需求之任何沸石或非沸石觸媒,其先決條件係離子改性的黏合劑可被用於載受觸媒及抑制極性雜質干擾觸媒。
可使用離子改性的黏合劑之方法包括(但不限於此)氧化、還原、吸附、二聚合、寡聚合、聚合、醚化、酯化、水合、脫水、縮合、縮醛化、脫烷基化、環化、烷基化、加氫脫烷基化、廢氣淨化、轉烷基化、異構化、裂煉、歧化、脫蠟、加氫異構化、加氫裂煉、芳香化及使用分子篩或固體酸觸媒的任何方法,其中希望減少觸媒與極性雜質之間的接觸。一種常見的方法為烷基化方法。
許多不同形式的烷基化反應是可能的。通常,當由一或多個碳原子所組成的烷基化劑添加至可烷基化之受質中時,則發生烷基化反應。可在烷基化反應中使用的烷基化劑通常為烯烴。烯烴可為短鏈,如乙烯、丙烯、丁烯及戊烯,或可為帶有較多碳原子數的長鏈。其可為α烯烴、異構化烯烴、支鏈烯烴或其混合物。除了烯烴以外的烷基化劑包括炔烴、烷基鹵、醇、醚及酯。在一些例子中,在烷基化劑引入反應床之前,先將其以稀釋劑稀釋。尤其用於乙烯的稀釋劑,已經報導的有諸如惰性或無反應性氣體(如氮),稀釋劑的濃度大於被稀釋之進料流中的烷基化劑的濃度,隨意地約70%之稀釋劑及30%之烷基化劑。
可烷基化之受質經常為不飽和烴或芳族。若可烷基化之受質為芳族化合物,其可未經取代、經單取代或多取代,且其具有至少一個與芳族核或允許烷基化反應發生的一些其他位置直接鍵結的氫原子。芳族核可為苯或包含一個以上芳族環的化合物,如萘、蒽、並四苯、苝、蔻及菲。亦可使用具有芳族特性,但是在環中含有雜原子的化合物,其先決條件係彼等不造成不想要的副反應。在芳族核上的取代基可為烷基、羥基、烷氧基、芳基、烷芳基、芳氧基、環烷基、鹵化物及/或不干擾烷基化反應且包含1至20個碳原子的其他基團。可以烷基化劑烷基化之芳族受質包括甲苯、二甲苯、聯苯、乙苯、異丙苯、正丙苯、丁苯、戊苯、己苯、庚苯、辛苯、壬苯、十二烷基苯、十五烷基苯、己基甲苯、壬基甲苯、十二烷基甲苯、十五烷基甲苯、α-甲萘、三甲苯、杜烯、異丙甲苯、假茴香素、二乙苯、異戊苯、異己苯、五乙苯、五甲苯、四乙苯、四甲苯、三乙苯、三甲苯、丁基甲苯、二乙基甲苯、乙基甲苯、丙基甲苯、二甲萘、乙萘、二甲蒽、乙蒽、甲蒽、二甲菲、菲酚、甲酚、大茴香醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、戊氧基苯、己氧基苯,其任何異構物及類似物。可適用於本發明之一種常見的烷基化反應為苯與丙烯製造茴香素的烷基化反應。
可使用本發明之另一常見的烷基化反應為苯與乙烯在固體酸觸媒上的烷基化反應。用於苯的乙基化反應之反應物通常包括乙烯作為烷基化劑及苯作為可烷基化之受質。兩種反應物的來源通常是精煉的石油,但是每個亦可來自其他來源。取決於來源而定,反應物可具有不同的純度水平。乙烯通常係從烴裂煉而回收且經過重複的蒸餾循環,直到獲得希望的純度水平為止。純度可與聚合物等級的乙烯,99.5%,一樣高或更高。然而,可使用較低純度或稀釋的乙烯。例如,稀釋的乙烯可含有50%或更多的雜質,包括大部分的乙烷及少量氫或甲烷。如前文所述,乙烯亦可以惰性氣體稀釋。乙烯及苯二者可以諸如乙烷、混合之己烷、混合之丁烷及類似物的稀釋劑稀釋。亦可改變苯的純度水平。大部分的先前技藝的指示內容建議大於90%,隨意地大於98%或更高的純度。在苯進料流中的雜質可包括甲苯、乙苯及不可輕易從苯分離的C-7烴。
在含有反應物的進料流引入反應床之前,可先經處理以移出雜質。各種形式的進料流預處理可移出雜質,諸如烯烴、二烯烴、苯乙烯、含氧之有機化合物、含硫化合物、含氮化合物及寡聚合化合物。一種方法是在烷基化反應之前使用大孔分子篩觸媒移出雜質。可將分子篩放置在例如反應性防護床中,於此發生烷基化反應且同時捕捉雜質。此反應性防護床可裝配歧路,所以分子篩可進行再生而不干擾在主要的烷基化反應器床中的反應。儘管有預處理,一些極性雜質仍可到達反應床。
反應物乙烯及苯可經由單一入口或個別的入口進入反應器中。反應物可以氣相、液相、液相與氣相之組合、超臨界相或液相與超臨界相之組合輸送至反應床中。反應條件,包括反應器類型、壓力、溫度、每小時液體空間速度(LHSV)及苯對乙烯之比係部分取決於其中發生烷基化反應的相而定。
用於蒸氣相烷基化反應的反應條件通常包括從約270℃至400℃之溫度、從約200psig至600psig之壓力、從約10小時-1 至70小時-1 之LHSV及從約3:1至20:1之苯對乙烯之比。再者,氣相烷基化反應通常以下流模式操作的反應器進行,但是可使用其他流動類型的反應器。
用於液相烷基化反應的反應區係在基本上維持液相條件的條件及壓力下操作。用於製造乙苯的反應溫度可從約40℃至320℃為範圍,且通常介於約120℃與280℃之間。烷基化壓力通常保持足以確保液相的高壓力。在一個具體例中,壓力可從300psig至1600psig為範圍,或高達3000psig,在可替換的具體例中,壓力可從500psig至1000psig為範圍。流速通常可以每床從介於約1與100小時-1 之間的每小時液體空間速度(LHSV)及介於約1:1與100:1之間的芳族苯對乙烯之莫耳為範圍。在一個具體例中,使用每床介於約10與70小時-1 之間的LHSV及介於約2:1與50:1之間的苯對乙烯之莫耳比。在另一具體例中,可使用從約10至70小時-1 之LHSV及從約3:1至20:1之苯對乙烯之莫耳比。再者,液相烷基化反應通常以上流式反應器進行,但是可以其他流動類型反應器進行。若壓力不夠高,則反應物(特別為苯)可能部分呈液相及部分呈蒸氣相。
超臨界相烷基化反應的反應條件通常包括大於苯之臨界點的壓力及溫度條件。特定言之,在烷基化反應區中的溫度係在或大於280℃及壓力係在或大於550psig。反應條件通常可包含從約300℃至600℃之溫度、從約550psig至850psig之壓力、從約10小時-1 至150小時-1 之LHSV及從約1:1至15:1之苯對乙烯之比。在此等條件下,有可能有一些苯存在於液體及超臨界相二者中。
反應器設計通常可為本技藝中已知有用的任何一種設計。例如,可使用單階段反應器或具有數個串聯的反應器床之多階段反應器。多階段反應器有可能具有乙烯及苯之中間階段注射,以及在觸媒床之間的中間階段冷卻。反應可具有向上流動、向下流動或水平流動構型。反應床可為固定床、搖擺床、移動床或一些其他類型。反應器可隨意地包括熱交換器、熱電偶或本技藝中已知有用的任何其他補充裝置。其可包括用於反應產物的出口。此出口可引導至分離及回收區,乙苯及其他流出液(如未反應之乙烯或苯,及二乙苯和聚乙苯)於此分離,通常以蒸餾的方式。某些產物(諸如二乙苯及多乙基苯)可包括再循環流,返回主要的反應器床或引入用於轉烷基化反應的新反應器中。轉烷基化反應為可烷基化之受質(在此例中,其為苯)及多烷基化流出液(在此例子中,其為多乙苯)在分子篩上或固體酸觸媒(如沸石)上反應以形成單烷基化流出物(在此例子中,其為乙苯)的反應。轉烷基化反應可以液相或蒸氣相進行且可使用與烷基化觸媒相同或不同的觸媒。
在運轉烷基化反應的期間之後,可能發生觸媒的去活化。觸媒去活化可能由於煤焦形成於觸媒床上而發生,該煤焦形成部分係由於烷基化反應的放熱本性。去活化程度部分可藉由測量在從反應器入口端穿過觸媒床至反應器出口端時的放熱而測定。放熱可藉由例如測量在沿著反應床安置之相鄰的熱電偶之間的溫度差而測量。觸媒去活化的另一原因可為烯烴系烷基化劑(乙烯)的聚合作用。大的寡聚物不可能據散出在沸石材料中的含活性位置之孔外,且可造成沸石損失其催化活性。去活化亦可由先前已討論的極性雜質造成且為本發明之離子改性的黏合劑之目標。
沸石去活化通常需要進行再生程序。再生沸石的一些方法包括以加熱移出吸附之材料、以鈉離子交換移出不想要的陽離子或以加壓搖擺移出吸附之氣體。一種解決辦法包含以苯沖洗觸媒。其他的解決辦法通常包含在高溫下使用再生氣體及氧處理觸媒。根據一種程序,沸石β可藉由先將觸媒在無氧環境中加熱至超過300℃之溫度而再生。接著可將氧化性再生氣體供應至觸媒床,同時氧化一部分相當多孔性的煤焦組份,以產生穿過觸媒床的放熱。氣體的溫度或氧含量可漸進式增加,以氧化煤焦的多孔性組份。可再次供應再生氣體,其中氣體具有增加的氧含量或增加的溫度,以氧化煤焦之較少孔性的耐熱組份。再生法可藉由惰性氣體通過降溫下的觸媒床而完成。本發明之離子改性的黏合劑之一項優勢可以是若以氧活化之金屬離子存在於黏合劑中可增強再生。
在一方面中,本發明為用於乙苯之烷基化反應的沸石觸媒,其中沸石受載於離子改性的黏合劑。在另一觀點中,本發明為用於分子篩或固體酸觸媒之黏合劑,其中該黏合劑係經離子改性,使得其抑制在反應床中的極性雜質到達該觸媒且在反應條件下不導致顯著的副產物形成。在另一方面中,本發明為一種製備帶有離子改性的黏合劑之沸石觸媒的方法,其包含下列步驟:將金屬離子經由初濕含浸法添加至黏合劑中,將離子改性的黏合劑與觸媒混合以形成觸媒聚集體,將觸媒聚集體定型成適合於烷基化反應器床之形狀,及將定型之觸媒聚集體乾燥且煅燒。在又另一方面中,本發明為一種製造乙苯的方法,其包含下列步驟:將乙烯與苯在沸石觸媒存在下在液相反應區中接觸,其中該沸石受載於離子改性的黏合劑,及將乙苯流出液從反應區回收。
以離子改性的黏合劑製備之沸石觸媒可顯示改進的觸媒性能及觸媒壽命。再者,可降低去活化速度及副產物形成。這些改進可由於減少在觸媒與極性雜質之間的接觸而發生。下列的實例論證受載於離子改性的黏合劑之沸石觸媒的性質且例示製造該黏合劑及該觸媒的方法。此實例不意謂著縮減本發明的範疇,但僅為敘述一個特別的具體例。
製備兩種沸石觸媒,二者皆使用氧化鋁黏合劑。在一種觸媒中,將氧化鋁改性,其係藉由將硝酸鈷經由初濕含浸法添加至氧化鋁中,以形成離子改性的黏合劑。另一觸媒係以未改性的黏合劑形成,俾以充當參考。除了添加鈷離子至觸媒之一的黏合劑中以外,兩種觸媒係使用相同的成分及程序製備。參考觸媒在本文被稱為〝觸媒A〞,而含有離子改性的黏合劑之觸媒被稱為〝觸媒B〞。
參考觸媒或觸媒A係藉由將24公克Z-SAR300 H-β粉末及6公克γ氧化鋁(Alfa Aesar #39812,3微米,80-120平方公尺/公克)放入燒杯中及混合而製備。將0.3公克石墨粉添加至相同的燒杯中且混入。將水倒入含有1.25公克糖的另一個燒杯中,直到到達5公克總質量為止,以形成25%糖水溶液。將糖溶液逐滴添加至含有沸石及氧化鋁粉末的燒杯中,直到形成類似於泥餅混合物之稠度的黏溶液為止。使用13毫米壓模及Carver壓機使黏溶液形成片。接著將片放置在~115℃之煅燒爐中的陶瓷盤中初步煅燒1小時。在1小時結束時,將溫度以每30分鐘增加50℃,直到到達500℃之溫度為止,將溫度維持固定於此點2小時。接著將觸媒從爐移出、冷卻及貯存在密封瓶中。稍後,將觸媒壓碎及篩分成40-60篩目在烷基化反應中使用。
另一個觸媒(觸媒B)係根據相同的程序製備,除了使用6公克離子改性的黏合劑代替6公克未改性的γ氧化鋁以外。離子改性的黏合劑是0.5%之Co/γ氧化鋁。其係藉由將0.49公克Co(NO3 )2 -6H2 O添加至在燒杯中的16.1毫升去離子水中及攪拌直到溶解為止而製備。將溶液以每次數滴添加至含有20公克無水γ氧化鋁的另一燒杯中,同時均徹底混合。將混合物敞開於大氣中2小時。將混合物在100-120℃下經隔夜乾燥。在乾燥之後,將黏合劑在450℃煅燒4小時,並壓碎及篩分至小於350篩目。接著使用所得離子改性的黏合劑根據與前一段落中所述之相同程序製備沸石觸媒。
在實驗室反應器中評估用於苯與乙烯的液相烷基化反應之觸媒A及B。將以40-60篩目之觸媒填充的10毫升觸媒床裝載於上流式管狀反應器中。實驗條件為72小時-1 之LHSV、18之苯對乙烯之莫耳比、500psig之壓力、200℃之苯流動溫度及每日氣相層析術分析。反應係藉由使用放置在觸媒床的20%之區段上的熱電偶觀察放熱而監控。在每一區中所產生的放熱以相鄰的熱電偶中之溫度差(△T)評估。將觸媒A及B之初運轉數據顯示於圖1中及包括於表1中。
圖1例證沿著觸媒床放置之相鄰的熱電偶之溫度差。觸媒床百分比顯示於x-軸上及以℃計之△T顯示於y-軸上。沸石觸媒的放熱係以相鄰的熱電偶之溫度差評估且以顯示於圖中的曲線代表。
如圖1中所表明,兩種觸媒在所有的操作天數期間具有活性。觸媒B在第一及第二的兩天操作時達到比觸媒A更多放熱。觸媒B的較多且較寬的放熱可能由於稍微上升的乙烯流動。
再者,兩種觸媒在第二天操作時顯示一些去活化量,以第一與第二天操作之間的放熱差異表示。觸媒B顯示在第一與第二天操作之間的放熱差異比觸媒A更少,指明觸媒B在第二天時經歷比觸媒A更少的去活化作用。因此,含有離子改性的黏合劑之沸石觸媒比含有未改性的黏合劑之沸石觸媒更可抵抗去活化作用。
未以圖1表明的是參考觸媒A在第二天時製造出相對於乙苯的5.3%之二乙苯(DEB),而觸媒B僅製造出3.1%。DEB及其他的多烷基化苯為苯的烷基化反應所經常製造之副產物。通常希望減少此等副產物的數量且使離開反應床的產物百分比達到最大,此為希望的產物乙苯。帶有離子改性的黏合劑之觸媒B製造比觸媒A更少的DEB副產物,顯示更好的選擇性與其較慢的去活化速度。
觸媒A及B在反應器中使用稀釋的空氣(2%)在510℃下再生。離子改性的黏合劑之優勢在於若添加之金屬離子可活化氧,則可改進再生。鈷為已知具有此性質的一種金屬。在再生之後,根據與之前相同的反應條件重複烷基化反應。將結果展現於圖2中且包括於表1中。
圖2為類似於圖1之圖表,其例證沿著觸媒床之相鄰的熱電偶之溫度差。觸媒床百分比顯示於x-軸上及以℃計之△T顯示於y-軸上。沸石觸媒的放熱係以相鄰的熱電偶之溫度差評估且以顯示於圖表中的曲線代表。根據圖2,在進行再生之後,兩種觸媒在所有的操作天數內具有活性。以觸媒A而言,在操作的第一與第二天之間的放熱差異緩和,表明中等程度的去活化。以觸媒B而言,在操作的第一與第二天之間的放熱差異最小,表明若不是沒有去活化,便是非常低程度的去活化。
在第二天時觸媒A所製造之DEB百分比為4.1%,觸媒B為3.2%。在再生之後,實驗再表明觸媒B比觸媒A更具選擇性且更能抵抗去活化作用。
將觸媒A及B之實驗數據提及於表1中,溫度及溫度差係以℃計。
根據提供之實例,使用離子改性的黏合劑吸收極性雜質可改進觸媒性能及壽命,且亦可降低去活化速度及副產物形成。另外,在離子改性的黏合劑中使用氧活化性之金屬離子可增強再生。使用根據本發明的離子改性的黏合劑可適用於任何包含易被極性分子污染的沸石觸媒、分子篩觸媒及固體酸觸媒的方法。許多參數(諸如反應類型、沸石類型及反應條件)可經改變而不違背本發明的範疇。
術語〝去活化的觸媒〞係指已損失足夠的觸媒活性而在指明之方法中不再有效之觸媒。所述之效率係由個別的方法參數決定。
如本文所使用之術語〝離子改性的黏合劑〞係指用於觸媒之已經金屬離子改性的黏合劑。
術語〝分子篩〞係指具有經常為結晶狀的固定且開放式網絡狀結構之材料,可藉由選擇性包含一或多種成分而用於分離烴或其他混合物,或可用作為催化轉化法中的觸媒。
關於申請專利範圍之任何要素而使用的術語〝隨意地〞意圖指明主題要素係經要求的,或另一選擇係未經要求的。意圖以兩種替代方案包含於申請專利範圍內。應瞭解使用較廣義之術語(諸如包含、包括、具有等)係提供對較狹義之術語(諸如由...所組成、基本上由...所組成、實質上由...所組成等)的支持。
術語〝再生的觸媒〞係指再得到足夠的活性而在指明的方法中有效之觸媒。所述之效率係由個別的方法參數決定。
術語〝再生〞係指在觸媒活性已到達不可接受/無效的水平之後使觸媒活性復原及/或使觸媒可再使用的方法。此等再生的實例可包括例如以蒸汽通過觸媒床或燒掉碳残餘物。
術語〝轉烷基化反應〞係指將烷基從一個芳族分子轉移至另一芳族分子。
術語〝沸石〞係指含有矽酸鹽晶格之分子篩,例如其經常與一些鋁、硼、鎵、鐵及/或鈦締合。在下列的討論及整個揭示內容中,術語分子篩及沸石多少有些可交換使用。熟習本技藝者應認許與沸石有關的教導亦可適用於更多稱為分子篩之一般類別的材料。
取決於上下文而定,在本文以〝本發明〞的所有論述可在一些例子中僅指某些特殊的具體例。在其他的例子中,其可指在一或多個,但不必為所有的申請專利範圍內所引述之主題。雖然前述指向本發明所包括的具體例、變化形式及實例,其能使一般熟習本技藝者在組合本專利中的資訊與可取得的資訊及技術時製得且利用本發明,但是本發明不僅限於這些特別的具體例、變化形式及實例。本發明之其他及更多的具體例、變化形式及實例可由不違背其基本範疇及遵照申請專利範圍所決定之其範疇設計而來。
圖1繪製沿著使用帶有未改性的黏合劑之沸石觸媒的反應器床之相鄰的熱電偶之溫度差。
圖2繪製沿著使用帶有改性的黏合劑之沸石觸媒的反應器床之相鄰的熱電偶之溫度差。

Claims (53)

  1. 一種分子篩觸媒,其包含:觸媒組份;及提供該觸媒組份機械支撐的黏合劑組份;其中該黏合劑組份為帶有至少一種活性金屬物質之離子改性的黏合劑;其中該離子改性的黏合劑能夠附著於極性雜質且由此抑制該極性雜質與該觸媒組份接觸;其中金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至50重量%;及其中該金屬離子係選自Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、Mn及其組合。
  2. 如申請專利範圍第1項之觸媒,其中該黏合劑主要由非晶形矽石或氧化鋁所組成。
  3. 如申請專利範圍第1項之觸媒,其中該金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至20重量%。
  4. 如申請專利範圍第1項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之1重量%至80重量%。
  5. 如申請專利範圍第1項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之5重量%至60重量%。
  6. 一種沸石觸媒,其包含:觸媒組份;及提供該觸媒組份機械支撐的黏合劑組份;其中該黏合劑組份為帶有至少一種活性金屬物質之離 子改性的黏合劑;其中該離子改性的黏合劑能夠附著於極性雜質且由此抑制該極性雜質與該觸媒組份接觸;其中金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至50重量%;及其中該金屬離子係選自Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、Mn及其組合。
  7. 如申請專利範圍第6項之觸媒,其中該黏合劑主要由非晶形矽石或氧化鋁所組成。
  8. 如申請專利範圍第6項之觸媒,其中該金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至20重量%。
  9. 如申請專利範圍第6項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之1重量%至80重量%。
  10. 如申請專利範圍第6項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之5重量%至60重量%。
  11. 一種烷基化觸媒,其包含:摻有金屬離子的沸石觸媒組份,其中該摻在該沸石觸媒組份中之金屬離子係選自Ce、La、Li、K、Ca、Mg、Ni、Pt、Pd、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、和Re;及提供該觸媒組份機械支撐的黏合劑組份;其中該黏合劑組份包含帶有金屬離子之離子改性的黏合劑;其中該離子改性的黏合劑之金屬離子係選自Mn、 Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba及其組合。
  12. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑包含以該離子改性的黏合劑總重計0.1至50重量%之金屬離子。
  13. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑包含以該離子改性的黏合劑總重計0.1至20重量%之金屬離子。
  14. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑之含量以該觸媒總重計為1至80重量%。
  15. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑之含量以該觸媒總重計為5至60重量%。
  16. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該離子改性的黏合劑上之金屬離子改變該觸媒的空間結構。
  17. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該黏合劑包含非晶形矽石或氧化鋁。
  18. 如申請專利範圍第11項之觸媒,其中該觸媒是分子篩觸媒。
  19. 一種利用甲苯的烷基化反應而製造苯乙烯之方法,其包含:提供甲苯和C1源至一或多個反應器;及令該甲苯與該C1源於該一或多個反應器中反應以形成包含乙苯和苯乙烯的產物流;其中該一或多個反應器中之至少一者包含觸媒,且該觸媒包含提供該觸媒機械支撐的黏合劑組份。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該黏合劑組份是離子改性的黏合劑。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法,其中該離子改性的黏合劑改變該觸媒的形狀選擇性,導致產物選擇性比使用非離子改性的黏合劑時之產物選擇性增加。
  22. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該黏合劑包含非晶形矽石或氧化鋁。
  23. 如申請專利範圍第20項之方法,其中該離子改性的黏合劑包含以該離子改性的黏合劑總重計0.1至50重量%之金屬離子。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法,其中該金屬離子係選自Co、Mn、V、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba及其組合。
  25. 如申請專利範圍第20項之方法,其中該離子改性的黏合劑於該觸媒中之含量以該觸媒總重計為1至80重量%。
  26. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該觸媒是分子篩觸媒。
  27. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該觸媒是沸石。
  28. 如申請專利範圍第19項之方法,其中該C1源係選自甲醇和甲醛及其組合。
  29. 一種製備沸石烷基化觸媒的方法,其包含:將金屬離子以初濕含浸法添加至黏合劑中以形成離子 改性的黏合劑;及將該離子改性的黏合劑與沸石混合以形成沸石聚集體;處理該沸石聚集體以形成沸石烷基化觸媒;其中該沸石烷基化觸媒可應用於供甲苯與甲醇的烷基化反應用之反應床;及其中該離子改性的黏合劑上之金屬離子改變該沸石的空間結構。
  30. 如申請專利範圍第29項之方法,其中該金屬離子係選自Cu、Co、Zn、V、Sn、Pb、Bi、Ba及其組合。
  31. 如申請專利範圍第29項之方法,其中該離子改性的黏合劑改變該沸石的形狀選擇性。
  32. 一種烷基化方法,其包含:令可烷基化的受質與烷基化劑於一或多個反應器中反應以形成產物流;其中該一或多個反應器中之至少一者包含觸媒,且該觸媒包含觸媒組份及提供該觸媒組份機械支撐的黏合劑組份;其中該黏合劑組份為帶有至少一種活性金屬物質之離子改性的黏合劑,而該離子改性的黏合劑能夠附著於極性雜質且由此抑制該極性雜質與該觸媒組份接觸;其中金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至50重量%;及其中該金屬離子係選自Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、 Mn及其組合。
  33. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該可烷基化的受質係選自不飽和烴及芳族化合物。
  34. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該可烷基化的受質係選自苯、甲苯、二甲苯、聯苯、乙苯、異丙苯、正丙苯、丁苯、戊苯、己苯、庚苯、辛苯、壬苯、十二烷基苯、十五烷基苯、己基甲苯、壬基甲苯、十二烷基甲苯、十五烷基甲苯、α-甲萘、三甲苯、杜烯、異丙甲苯、假茴香素、二乙苯、異戊苯、異己苯、五乙苯、五甲苯、四乙苯、四甲苯、三乙苯、三甲苯、丁基甲苯、二乙基甲苯、乙基甲苯、丙基甲苯、二甲萘、乙萘、二甲蒽、乙蒽、甲蒽、二甲菲、菲酚、甲酚、大茴香醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、戊氧基苯、己氧基苯、及其組合。
  35. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該烷基化劑係選自C1源、烯烴、α烯烴、異構化烯烴、支鏈烯烴、炔、烷基鹵、醇、醚、酯、及其組合。
  36. 如申請專利範圍第35項之方法,其中該C1源係選自甲醇、甲醛及其組合。
  37. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該黏合劑包含非晶形矽石或氧化鋁。
  38. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該離子改性的黏合劑改變該觸媒的形狀選擇性,導致產物選擇性比使用非離子改性的黏合劑時之產物選擇性增加。
  39. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至20重量%。
  40. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之1重量%至80重量%。
  41. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之5重量%至60重量%。
  42. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該觸媒是固態酸觸媒。
  43. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該觸媒是分子篩觸媒。
  44. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該觸媒是沸石。
  45. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該可烷基化的受質包含甲苯,該烷基化劑包含C1源,及該產物包含乙苯或苯乙烯。
  46. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該可烷基化的受質包含苯,該烷基化劑包含乙烯,及該產物包含乙苯。
  47. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該可烷基化的受質包含苯,該烷基化劑包含丙烯,及該產物包含異丙苯。
  48. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該產物流包含苯,該烷基化劑包含丙烯,及該產物包含乙苯、苯乙烯、和異丙苯中至少一者。
  49. 如申請專利範圍第32項之方法,其中該黏合劑組份延長該觸媒組份的使用壽命。
  50. 如申請專利範圍第32項之方法,其中相較於不含有該離子改性的黏合劑之相同的觸媒,該觸媒具有較長的有效觸媒壽命。
  51. 一種烷基化方法,其包含:令可烷基化的受質與烷基化劑於一或多個反應器中反應以形成產物流;其中該一或多個反應器中之至少一者包含觸媒,且該觸媒包含觸媒組份和提供該觸媒組份機械支撐的黏合劑組份;其中該黏合劑組份為帶有至少一種活性金屬物質之離子改性的黏合劑,而該離子改性的黏合劑能夠附著於極性雜質且由此抑制該極性雜質與該觸媒組份接觸;其中該離子改性的黏合劑構成該觸媒之1重量%至80重量%;其中金屬離子構成該離子改性的黏合劑之0.1重量%至50重量%;其中該金屬離子係選自Cu、Zn、Sn、Pb、Bi、Ba、Mn及其組合;其中該可烷基化的受質係選自芳族化合物;其中該烷基化劑係選自C1源、烯烴、α烯烴、異構化烯烴、支鏈烯烴、炔、烷基鹵、醇、醚、酯、及其組合;及 其中該產物包含乙苯、苯乙烯、和異丙苯中至少一者。
  52. 如申請專利範圍第1項之觸媒,其中在將該黏合劑組份與該觸媒組份混合之前,將該金屬離子加至該黏合劑組份中。
  53. 如申請專利範圍第6項之觸媒,其中在將該黏合劑組份與該觸媒組份混合之前,將該金屬離子加至該黏合劑組份中。
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