TWI465124B - 投音機 - Google Patents

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TWI465124B TW099112980A TW99112980A TWI465124B TW I465124 B TWI465124 B TW I465124B TW 099112980 A TW099112980 A TW 099112980A TW 99112980 A TW99112980 A TW 99112980A TW I465124 B TWI465124 B TW I465124B
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Li Qian
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Description

投音機
本發明涉及一種投音機。
近來,能夠給於家庭用戶置身現場感的,具有影院所能展現的影音功效的家庭影院系統開始受到大眾喜愛。所述家庭影院系統通常的設計係環繞聽者位置設置複數音箱。所述複數音箱構成一多聲道音頻環繞系統。然而,該種音頻環繞系統對房間的面積及形狀有著較高的要求,不係任何人的房間都可佈置完整的多聲道音頻環繞系統。另一方面,該種多聲道音頻環繞系統繁複之佈線要求也讓很多追求傢俱環境簡潔美觀的人叫苦不迭。因此,該種家庭影院系統的上述缺點限制了其被廣大家庭用戶採用。
先前技術中,提供了一種使用面板式揚聲器陣列裝置的投音機,其通過將複數揚聲器以二維方式設置在一面板表面而實現。所述投音機通過對揚聲器發出的聲波進行延遲控制,使揚聲器所發出之聲波集中在空間中的某一單點上,這樣就形成了聲束。所形成的聲束沿著規定方向被牆面反射,以便形成環繞聽者之虛擬聲源,從而實現使用設置在所述聽者前方的揚聲器陣列形成多通道音頻環繞系統。
然而,上述投音機中的揚聲器之發聲原理為電-力-聲之轉換原理。由於該種揚聲器的結構較為複雜,因此,使得應用該種揚聲器 的投音機的結構受限,不利於投音機向小型化與輕薄化的方向發展。
有鑒於此,實為必要提供一種結構簡單,輕薄化的投音機。
一種投音機,其包括:一絕緣面板;複數發聲單元,該複數發聲單元相互間隔地設置於絕緣面板的表面,所述發聲單元包括一發聲元件、一第一電極及一第二電極,所述第一電極及第二電極間隔設置、且與發聲元件電連接;一訊號處理裝置,所述訊號處理裝置用於提供具有預定時間差的音頻電訊號給於複數發聲單元;其中,該發聲元件為一奈米碳管膜狀結構,所述奈米碳管膜狀結構將音頻電訊號轉換為熱能,從而加熱周圍氣體介質發出聲波,所述第一電極和第二電極設置在絕緣面板表面,所述奈米碳管膜狀結構設置在第一電極和第二電極的表面,並通過第一電極和第二電極懸空設置而與絕緣面板間隔。
與先前技術相比較,本發明所提供的投音機具有以下優點:第一,由於本發明所提供的投音機所使用的發聲單元中的發聲元件僅由奈米碳管膜狀結構組成,無需磁鐵等其他複雜結構,故該發聲單元的結構較為簡單,從而使得投音機的結構較為簡單;第二,由於本發明所提供的投音機所使用的發聲單元僅由奈米碳管膜狀結構、第一電極及第二電極構成,因此,該發聲元件的整體厚度較薄、質量較輕,故可使所述投音機輕薄化。
1‧‧‧投音機
2‧‧‧機殼
3‧‧‧絕緣面板
4‧‧‧卡槽
5‧‧‧訊號處理裝置
6‧‧‧訊號源裝置
7‧‧‧第一導線
10‧‧‧發聲單元
14‧‧‧發聲元件
30‧‧‧通孔單元
32‧‧‧第一通孔
34‧‧‧第二通孔
142‧‧‧第一電極
143‧‧‧奈米碳管片段
144‧‧‧第二電極
圖1係本發明提供的投音機的內部前視圖。
圖2係本發明提供的投音機的內部俯視圖。
圖3係本發明提供的第一種絕緣面板的立體圖。
圖4係本發明提供的第二種絕緣面板的立體圖。
圖5係本發明提供的投音機中的發聲單元中的奈米碳管拉膜的掃描電鏡照片。
圖6係本發明提供的投音機中的發聲單元中的奈米碳管拉膜結構示意圖。
為了對本發明作更進一步的說明,舉以下具體實施例並配合附圖詳細描述如下。
請參閱圖1及圖2,本發明第一實施例提供一種投音機1。該投音機1包括機殼2、一絕緣面板3、陣列形式排列於所述絕緣面板3表面的複數發聲單元10及一訊號處理裝置5。所述絕緣面板3、複數發聲單元10及訊號處理裝置5均設置於機殼2的內部。所述投音機1內部的訊號處理裝置5通過一第一導線7與機殼2外部的一訊號源裝置6電連接。
所述機殼2的形狀不限,可為長方體、正方體、圓柱體或棱柱體等。本實施例中所述機殼2的形狀為長方體。該長方體具有六個面板,其中面對聽者的一面板為前壁,與前壁相對的一面板即背對聽者的一面板為後壁,其餘四個位於前壁和後壁之間的面板為四個側壁。優選地,機殼2的前壁為一可拆卸結構,該可拆卸的前壁具有一方形的,中空的框架,一透聲布設置在框架的中央,如此可使投音機1發出的聲音更好地被聽者收聽。機殼2的後壁及四個側壁的材料為吸音性能好並具有一定強度的材料,如:木質 、金剛石、玻璃、石英、陶瓷、塑膠或樹脂等。
所述複數發聲單元10以陣列的形式排列在絕緣面板3的表面。所述複數發聲單元10在絕緣面板3的表面可排列成一維線陣列或二維面陣列。發聲單元10均勻地且相互間隔地設置在絕緣面板3的表面。按照發聲需求,複數發聲單元10中可包括高頻發聲單元、中頻發聲單元及低頻發聲單元。
所述絕緣面板3以平行於機殼2的前壁的方式固定到機殼2的側壁上。絕緣面板3固定的位置靠近機殼2的前壁。所述絕緣面板3可通過黏結劑、卡槽、釘紮結構等方式固定設置於機殼2的側壁上。本實施例中,所述機殼2在相對的二側壁的靠近前壁的一側設置一卡槽4。所述機殼2通過卡槽4與絕緣面板3相結合,該卡槽4的作用為可使絕緣面板3以平行於前壁的方式嵌入卡槽4中從而使絕緣面板3固定在機殼2的內部。
所述發聲單元10設置於所述絕緣面板3的表面。所述發聲單元10包括一發聲元件14、一第一電極142及一第二電極144。所述第一電極142及第二電極144間隔設置,且與發聲元件14電連接。所述第一電極142及第二電極144通過第二導線149與所述訊號處理裝置5電連接。訊號處理裝置5處理過的音頻電訊號通過第二導線149輸送給第一電極142及第二電極144。發聲元件14將音頻電訊號轉換為熱能,從而加熱周圍氣體介質發出聲波。
所述發聲單元10設置於絕緣面板3表面的方式包括兩種,以下分別描述該兩種設置方式。第一種設置方式為:請參閱圖3,所述絕緣面板3具有複數第一通孔32。發聲單元10中的發聲元件14與第一通孔32的位置一一對應。發聲單元10中的第一電極142及第 二電極144設置在第一通孔32的兩側。本實施例中發聲元件14為奈米碳管膜狀結構,奈米碳管膜狀結構與第一通孔32對應,對應於第一通孔32的奈米碳管膜狀結構懸空設置。絕緣面板3靠近機殼2前壁的表面為前表面,靠近機殼2後壁的表面為後表面。奈米碳管膜狀結構設置於絕緣面板3的前表面或後表面,並通過第一通孔32懸空設置。第一電極142及第二電極144設置在奈米碳管膜狀結構的兩側,第一電極142及第二電極144可對奈米碳管膜狀結構起到固定的作用。或者,發聲單元10中第一電極142及第二電極144可設置在絕緣面板3的表面,奈米碳管膜狀結構設置於第一電極142及第二電極144的表面並通過第一電極142及第二電極144的支撐懸空設置。進一步地,由於第一電極142及第二電極144通過第二導線149與訊號處理裝置5電連接,因此可於絕緣面板3對應於第一電極142及第二電極144的位置處分別設置第二通孔34,第二導線149可穿過第二通孔34從而電連接發聲元件14與訊號處理裝置5。可以理解,發聲元件14及訊號處理裝置5也可通過其他方式電連接。第二種設置方式為:請參閱圖4,所述絕緣面板3為一實心的絕緣面板3,表面沒有任何通孔。發聲單元10中的第一電極142及第二電極144設置於絕緣面板3的前表面。發聲單元10中的發聲元件14設置於第一電極142及第二電極144的表面,並通過第一電極142及第二電極144懸空設置,並與絕緣面板3間隔一定距離。第一電極142及第二電極144的高度範圍為1微米到1厘米。本實施例中,第一電極142及第二電極144的高度為15微米。
所述發聲元件14包括一奈米碳管膜狀結構。該奈米碳管膜狀結構為一具有自支撐結構的奈米碳管膜狀結構。所述自支撐結構為奈米碳管膜狀結構不需要大面積的載體支撐,而只要相對兩邊提供 支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態,即將該奈米碳管膜狀結構置於(或固定於)間隔一定距離設置的二支撐體上時,位於二支撐體之間的奈米碳管膜狀結構能夠懸空保持自身膜狀狀態。所述自支撐主要通過奈米碳管膜狀結構中存在連續的通過凡德瓦爾力相連延伸排列的奈米碳管而實現。
本實施例中,奈米碳管膜狀結構為由若干奈米碳管組成的自支撐結構。所述若干奈米碳管為基本沿同一方向擇優取向排列。所述擇優取向係指在奈米碳管膜狀結構中大多數奈米碳管的整體延伸方向基本朝同一方向。而且,所述大多數奈米碳管的整體延伸方向基本平行於奈米碳管膜狀結構的表面。進一步地,所述奈米碳管膜狀結構中多數奈米碳管係通過凡德瓦爾力首尾相連。具體地,所述奈米碳管膜狀結構中基本朝同一方向延伸的大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰的奈米碳管通過凡德瓦爾力首尾相連。當然,所述奈米碳管膜狀結構中存在少數隨機排列的奈米碳管,這些奈米碳管不會對奈米碳管膜狀結構中大多數奈米碳管的整體取向排列構成明顯影響。具體地,所述奈米碳管膜狀結構中基本朝同一方向延伸的多數奈米碳管,並非絕對的直線狀,可適當的彎曲;或者並非完全按照延伸方向上排列,可適當的偏離延伸方向。因此,不能排除奈米碳管膜狀結構的基本朝同一方向延伸的多數奈米碳管中並列的奈米碳管之間可能存在部份接觸。
請參閱圖5及圖6,具體地,所述奈米碳管膜狀結構包括複數連續且定向排列的奈米碳管片段143。該複數奈米碳管片段143通過凡德瓦爾力首尾相連。每一奈米碳管片段143包括複數相互平行的 奈米碳管145,該複數相互平行的奈米碳管145通過凡德瓦爾力緊密結合。該奈米碳管片段143具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。所述奈米碳管膜狀結構的厚度為0.5奈米至100微米,寬度與拉取出該奈米碳管膜狀結構的奈米碳管陣列的尺寸有關,長度不限。該奈米碳管膜狀結構中的奈米碳管145沿同一方向擇優取向排列。所述奈米碳管膜狀結構具有較高的透光性。單層奈米碳管膜狀結構的透光率達90%以上。所述奈米碳管膜狀結構及其製備方法具體請參見申請人於2007年2月12日申請的,於2008年8月16日公開的公開號為200833862的中華民國專利申請“奈米碳管膜結構及其製備方法”。為節省篇幅,僅引用於此,但上述申請所有技術揭露也應視為本發明申請技術揭露的一部份。
所述奈米碳管膜狀結構不限於上述結構,所述奈米碳管膜狀結構還可包括複數相互纏繞的奈米碳管的結構。該種奈米碳管膜狀結構中,奈米碳管為各向同性,均勻分佈,無規則排列。所述奈米碳管的長度大於10微米。所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網路狀結構,進而形成大量的微孔。該微孔的孔徑小於10微米。大量微孔的存在可確保所述發聲元件14具有較大的比表面積。所述奈米碳管可為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或數種。所述單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米至50奈米,所述雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米至50奈米,所述多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米至50奈米。所述奈米碳管膜狀結構的長度及寬度不限,可根據實際需求製備。所述奈米碳管膜狀結構的厚度為0.5奈米至1毫米。另外,由於奈米碳管相互纏繞,因此所述奈米碳管膜狀結構具有很好的韌性,可以彎曲折疊成任意形狀而不破裂。當由該奈米碳管膜狀結構組成的發聲元 件14的厚度比較小時,例如小於10微米,該發聲元件14具有較高的透明度,故採用該發聲元件14的發聲單元10為透明發聲單元10。
所述奈米碳管膜狀結構不限於上述兩種結構,所述奈米碳管膜狀結構還可包括複數相互平行的奈米碳管的結構。相鄰的兩個奈米碳管之間通過凡德瓦爾力緊密結合。所述奈米碳管膜狀結構中的相鄰兩個奈米碳管之間的距離小於5微米。所述複數奈米碳管從奈米碳管膜狀結構的一端延伸至另一端。優選地,所述奈米碳管膜狀結構的長度為奈米碳管膜狀結構中單根奈米碳管的長度。所述奈米碳管膜狀結構的寬度不限。所述奈米碳管膜狀結構的厚度為0.5奈米至100微米。所述奈米碳管膜狀結構的長度為1微米至30毫米。
上述奈米碳管膜狀結構可進一步經過揮發性有機溶劑處理,處理後的奈米碳管膜狀結構的表面體積比減小,黏性降低,且其機械強度及韌性得到增強。所述奈米碳管膜狀結構的厚度可為0.5奈米至100微米。所述發聲元件14的厚度可為0.5奈米至1毫米。
可以理解,所述發聲元件14也可由複數層層疊設置的奈米碳管膜狀結構組成,相鄰的奈米碳管膜狀結構之間通過凡德瓦爾力緊密結合。該發聲元件14中的奈米碳管膜狀結構的層數不限,且相鄰兩層奈米碳管膜狀結構中的奈米碳管的排列方向之間具有一交叉角度α,α大於等於0度且小於等於90度,具體可依據實際需求製備。當所述發聲元件14包括複數層奈米碳管膜狀結構時,由於相鄰兩層奈米碳管膜狀結構之間通過凡德瓦爾力緊密結合,故所述由複數層層疊設置的奈米碳管膜狀結構組成的發聲元件14也具 有自支撐結構。
所述發聲元件14的單位面積熱容可小於2×10-4焦耳每平方厘米開爾文。優選地,所述發聲元件14的單位面積熱容小於1.7×10-6焦耳每平方厘米開爾文。所述奈米碳管膜狀結構中的奈米碳管可為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或數種。所述由至少一層奈米碳管膜狀結構組成的發聲元件14的長度及寬度不限,具體可根據實際需求製備。本發明實施例中,所述發聲元件14的長度為3厘米,寬度為3厘米,厚度為50奈米。當該發聲元件14的厚度比較小時,例如小於10微米,該發聲元件14具有較高的透明度。
所述第一電極142及第二電極144由導電材料形成,其具體形狀結構不限。具體地,所述第一電極142及第二電極144的材料可選擇為金屬、導電膠、金屬性奈米碳管、銦錫氧化物(ITO)等。所述第一電極142及第二電極144可為片狀或層狀,即第一電極142及第二電極144的厚度較小,此時發聲元件14可貼合於所述第一電極142及第二電極144的表面。另外,所述第一電極142及第二電極144還可為棒狀、塊狀或其他形狀。所述發聲元件14分別與所述第一電極142及第二電極144電連接,並通過所述第一電極142及第二電極144固定。當所述發聲元件14為一奈米碳管膜狀結構時,所述第一電極142及第二電極144可設置於奈米碳管膜狀結構的表面,優選地,所述第一電極142及第二電極144設置於奈米碳管膜狀結構的兩端,從而使發聲元件14位於第一電極142及第二電極144之間的部份加熱空氣而發聲。本實施例中,所述第一電極142及第二電極144為塊狀金屬電極,所述第一電極142及第 二電極144間隔設置固定在所述發聲元件14兩端。由於所述第一電極142及第二電極144間隔設置,所述發聲元件14應用於發聲單元10時能接入一定的阻值避免短路現象產生。由於奈米碳管具有極大的比表面積,在凡德瓦爾力的作用下,該奈米碳管膜狀結構本身有很好的黏附性,故採用該至少一層奈米碳管膜狀結構作發聲元件14時,所述第一電極142及第二電極144與所述發聲元件14之間可直接黏附固定,並形成很好的電接觸。
進一步地,所述第一電極142及第二電極144與所述發聲元件14之間還可進一步包括一導電黏結層(圖未示)。所述導電黏結層可設置於所述發聲元件14的表面。所述導電黏結層在實現第一電極142及第二電極144與所述發聲元件14電接觸的同時,還可使所述第一電極142及第二電極144與所述發聲元件14更好的固定。本實施例中,所述導電黏結層為一層銀膠。
所述訊號處理裝置5通過第一導線7與訊號源裝置6電連接。所述訊號處理裝置5對訊號源裝置6接收到的音頻訊號進行處理,並依據發聲單元10所在的位置,將音頻訊號進行一定的時間延遲並輸送給對應的發聲單元10。投音機所述訊號處理裝置5通過第二導線149與發聲單元10電連接,從而將訊號處理裝置5處理過的音頻電訊號輸送給發聲單元10。
所述訊號處理裝置5可控制複數發聲單元10的聲波的時間延遲從而使發聲單元10發出的聲波集結成投射方向不同的複數音線。所述訊號處理裝置5通過將具有預定時間差的訊號提供給以陣列形式排列的複數發聲單元10,以對發聲單元10發射的聲波進行指向性控制從而形成複數音線。即,使得複數音線能夠同時到達設定 在三維空間中的所期望的指定點,從而能夠獲得指定聲音好像均沿朝向焦點的方向發射的效果。本實施例中的發聲元件14為奈米碳管膜狀結構,發聲單元10發出的聲波沿著垂直於奈米碳管膜狀結構的表面的方向傳播。該種發聲單元10發出的聲音的指向性較好,從而投音機1發出的音線的指向性也較好。通過採用含有奈米碳管膜狀結構的發聲單元10,投音機1具有清晰地音線及較好地環繞效果。所述訊號處理裝置5與先前技術中投音機中的訊號處理裝置相同。所述訊號處理裝置5輸出的訊號為音頻電訊號。
所述訊號處理裝置5通過精確計算好音線入射點的位置,音線在牆面及天花板反射後形成反射音線,反射音線從聽者的正面、兩側及後部投射到聽者的位置處,從而使聽者收聽到環繞的音線。因為複數音線經過延遲控制及牆面反射後精確聚焦,所以能夠形成更為寬廣的音場空間,直射音線及反射音線營造出了多聲道環繞聲。所述複數音線可為5個音線,即將複數發聲單元10發出的聲波集結成5個音線,該5個音線可分別從聽者的正前方、左前方、右前方、左後方及右後方投射到聽者的位置處,可使聽者聽到環繞聲音效果。所述投音機可安裝在牆上、傢俱上或者專用機櫃上,也可與顯示器或投影儀搭配。所述顯示器與投音機可整體結合在一起。顯示器與投音機也可使用不同的外殼來構成,並適當地組合在一起。
另外,本發明所提供的投音機具有以下優點:第一,由於本發明所提供的投音機所使用的發聲單元中的發聲元件僅由奈米碳管膜狀結構組成,無需磁鐵等其他複雜結構,故該發聲單元的結構較為簡單,從而使得投音機的結構較為簡單;第二,由於本發明所 提供的投音機所使用的發聲單元僅由奈米碳管膜狀結構、第一電極及第二電極構成,因此,該發聲元件的整體厚度較薄、質量較輕,故可使所述投音機輕薄化。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
1‧‧‧投音機
2‧‧‧機殼
3‧‧‧絕緣面板
4‧‧‧卡槽
10‧‧‧訊號處理裝置
14‧‧‧發聲元件
142‧‧‧第一電極
144‧‧‧第二電極

Claims (10)

  1. 一種投音機,其包括:一絕緣面板;複數發聲單元,該複數發聲單元相互間隔地設置於絕緣面板的表面,所述發聲單元包括一發聲元件、一第一電極及一第二電極,所述第一電極及第二電極間隔設置、且與發聲元件電連接;一訊號處理裝置,所述訊號處理裝置用於提供具有預定時間差的音頻電訊號給於複數發聲單元;其中,該發聲元件為一奈米碳管膜狀結構,所述奈米碳管膜狀結構將音頻電訊號轉換為熱能,從而加熱周圍氣體介質發出聲波,所述第一電極和第二電極設置在絕緣面板表面,所述奈米碳管膜狀結構設置在第一電極和第二電極的表面,並通過第一電極和第二電極懸空設置而與絕緣面板間隔。
  2. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述複數發聲單元為一陣列設置。
  3. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述奈米碳管膜狀結構為自支撐結構。
  4. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述奈米碳管膜狀結構的厚度為0.5奈米至100微米,奈米碳管膜狀結構的單位面積熱容小於2×10-4焦耳每平方厘米開爾文。
  5. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述奈米碳管膜狀結構包括若干奈米碳管,所述若干奈米碳管基本沿同一方向擇優取向排列。
  6. 如請求項第5項所述之投音機,其中,奈米碳管膜狀結構中基本朝同一方向延伸的大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰的奈米碳 管通過凡德瓦爾力首尾相連。
  7. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述絕緣面板具有複數第一通孔,發聲單元的中的發聲元件與第一通孔的位置一一對應設置,發聲元件對應於第一通孔的部份懸空設置。
  8. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述每個發聲單元中的第一電極及第二電極分別與訊號處理裝置電連接,訊號處理裝置將音頻電訊號通過第一電極及第二電極提供給發聲元件。
  9. 如請求項第7項所述之投音機,其中,所述絕緣面板具有複數第二通孔,發聲單元中的第一電極及第二電極分別與一第二通孔對應,第二導線穿過第二通孔連接第一電極、第二電極及訊號處理裝置。
  10. 如請求項第1項所述之投音機,其中,所述絕緣面板為實心面板。
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