TWI460989B - 能改善音頻信號突波的放大電路 - Google Patents

Description

能改善音頻信號突波的放大電路

本發明係有關於一種能改善音頻信號突波的放大電路，尤指一種能改善積分模組所輸出的音頻信號突波的放大電路。

請參照第1圖，第1圖係為先前技術說明音頻信號的放大電路100的示意圖。放大電路100包含一積分模組102、一比較模組104、一三角波產生器106、一輸出模組109、一回授電阻111及一低通濾波器112。積分模組102接收一輸入信號VIN後，產生並輸出一第一電壓信號V1至比較模組104；比較模組104比較第一電壓信號V1與產生自三角波產生器106的三角波信號VT，以產生一比較信號VPWM；輸出模組109根據比較信號VPWM，產生一輸出信號DOUT，其中輸出信號DOUT經由回授電阻111回授至積分模組102；低通濾波器112係耦接於輸出模組109，用以轉換並濾波輸出信號DOUT成為一音頻信號VA。一揚聲器114係耦接於低通濾波器112，用以將音頻信號VA轉換成一聲音。

請參照第2A圖和第2B圖，第2A圖係為說明當輸入信號VIN的振幅愈來愈大時，音頻信號VA出現突波的示意圖，第2B圖係為說明當輸入信號VIN的振幅愈來愈大時，輸出信號DOUT停止脈衝寬度調變的示意圖。如第2A圖所示，當輸入信號VIN的振幅愈來愈大時，在音頻信號VA的正半週期及負半週期會產生大的突波。而突波會讓聽眾在聆聽音樂時，產生不悅耳的雜音。另外，如第2B圖所示，輸出信號DOUT會在輸入信號VIN的振幅愈來愈大時，停止脈衝寬度調變，亦即輸出信號DOUT會持續保持高電位或是低電位。而持續保持高電位或是低電位的輸出信號DOUT經由回授電阻111回授到積分模組102，導致第一電壓信號V1飽和至高電位或是低電位。請參照第3圖，第3圖係為說明積分模組102輸出的第一電壓信號V1飽和至高電位或是低電位的示意圖。如第3圖所示，當輸入信號VIN回復到正常工作範圍時，積分模組102輸出的第一電壓信號V1需要一段時間從高電位或是低電位回復至三角波信號VT的振幅範圍，導致音頻信號VA出現突波。

本發明的一實施例提供一種能改善音頻信號突波的放大電路。該放大電路包含一積分模組、一比較模組、一輸出模組、一回授模組及一限制模組。該積分模組係用以接收一輸入信號並對應地產生一第一電壓信號；該比較模組係耦合至該積分模組，用以接收該第一電壓信號與一參考信號，及產生一比較信號；該輸出模組係耦合至該比較模組，根據該比較信號產生一音頻信號；該回授模組係耦合於該輸出模組與該積分模組之間，用以回授一輸出信號至該積分模組；該限制模組係耦接於該積分模組與該回授模組之間，限制該比較信號之值於一預定範圍之間。

本發明提供一種能改善音頻信號突波的放大電路。該電路係利用一限制模組限制一積分模組的第一電壓信號在一固定範圍，亦即該積分積分模組的第一電壓信號不會飽和至一高電位以及一地端的電位。因此，本發明可改善該放大電路的低通濾波器所輸出的音頻信號產生的突波現象且該音頻信號的失真變小。另外，本發明亦能提昇該放大電路的最大輸出功率。

請參照第4圖，為本發明的一實施例說明能改善音頻信號突波的放大電路400的示意圖。放大電路400包含一積分模組4022、一比較模組4026、一輸出模組4027、一回授模組4032及一限制模組404。積分模組4022係用以接收一輸入信號VIN並對應地產生一第一電壓信號V1；比較模組4026耦合至積分模組4022，接收第一電壓信號V1與一參考信號VREF，用以產生一比較信號VPWM，其中參考信號VREF是為一三角波信號，由一三角波產生器4024所產生，且比較信號VPWM是為一脈衝寬度調變電壓；輸出模組4027耦合至比較模組4026，根據比較信號VPWM產生一音頻信號VA，其中音頻信號VA係用以驅動一揚聲器406；回授模組4032耦合於輸出模組4027與積分模組4022之間，回授一輸出信號VOUT至積分模組4022，其中輸出信號VOUT是為一脈衝寬度調變電壓；限制模組404係耦接於積分模組4022與回授模組4032之間，限制比較信號VPWM之值於一預定範圍之間。

積分模組4022包含一積分器4023。積分器4023之第一端是用以接收輸入信號VIN，積分器4023之第二端是用以接收產生自回授模組4032之一回授電壓VFB，積分器4023之第三端是用以輸出一對應於輸入信號VIN的第一電壓信號V1，及積分器4023之第四端是耦接於一地端GND，其中積分器4023係為一一階積分器，但本發明並不受限於一階積分器，亦即積分器4023亦可為其他階積分器。

比較模組4026包括一比較器4025。比較器4025的第一端是耦接於積分器4023的第三端，比較器4025的第二端是耦接於三角波產生器4024，及比較器4025的輸出端是用以輸出比較信號VPWM，其中比較器4025是用以比較第一電壓信號V1與三角波信號VT，以輸出比較信號VPWM，且比較器4025係為一遲滯比較器。

輸出模組4027包括一閘極驅動器4028、一輸出級電路4029及一低通濾波器4030。閘極驅動器4028的第一輸入端是耦接於比較器4025的輸出端，用以接收比較信號VPWM，閘極驅動器4028的第一輸出端是用以輸出一第一輸出信號VO1，及閘極驅動器4028的第二輸出端是用以輸出一第二輸出信號VO2。閘極驅動器4028係根據比較信號VPWM，產生第一輸出信號VO1及第二輸出信號VO2。輸出級電路4029的第一輸入端是耦接於閘極驅動器4028的第一輸出端，輸出級電路4029的第二輸入端是耦接於閘極驅動器4028的第二輸出端，及輸出級電路4029的輸出端是用以輸出輸出信號DOUT。輸出級電路4029是用以根據第一輸出信號VO1或第二輸出信號VO2，產生輸出信號DOUT，且輸出信號DOUT是為一脈衝寬度調變電壓。回授模組4032是耦接於輸出級電路4029的輸出端及積分器4023的第二端之間，用以回授輸出信號DOUT並產生回授電壓VFB至積分器4023的第二端。低通濾波器4030是耦接於輸出級電路4029，用以轉換並濾波輸出信號DOUT成為音頻信號VA。

請參照第5A圖和第5B圖，第5A圖係為說明限制模組404的功能方塊的示意圖，第5B圖係為說明限制模組404的電路架構的示意圖。如第5A圖所示，限制模組404包含一電壓偵測電路4042及一電流鏡電路4044。電壓偵測電路4042是耦合至積分模組4022。電壓偵測電路4042的第一輸入端是用以接收一參考高電壓信號VREFH，電壓偵測電路4042的第二輸入端是用以接收一參考低電壓信號VREFL，電壓偵測電路4042的第三輸入端是用以接收第一電壓信號V1，電壓偵測電路4042的第一輸出端是用以抽取(sink)一放電電流Id1，及電壓偵測電路4042的一第二輸出端是用以輸出一充電電流Ic1。電流鏡電路4044的第一端是耦接於電壓偵測電路4042的第一輸出端，電流鏡電路4044的第二端是耦接於電壓偵測電路4042的第二輸出端，及電流鏡電路4044的輸出端是耦接於回授模組4032。

如第5B圖所示，電壓偵測電路4042包含一N型金氧半電晶體40422及一P型金氧半電晶體40424。N型金氧半電晶體40422的第一端是耦接於放電電流Id1，N型金氧半電晶體40422的第二端是耦接於參考低電壓信號VREFL，及N型金氧半電晶體40422的第三端是耦接於第一電壓信號V1。P型金氧半電晶體40424的第一端是耦接於第一電壓信號V1，P型金氧半電晶體40424的第二端是耦接於參考高電壓信號VREFH，及P型金氧半電晶體40424的第三端是耦接於充電電流Ic1。

電流鏡電路4044包含一第一P型金氧半電晶體40442、一第二P型金氧半電晶體40444、一第三P型金氧半電晶體40446、一第四P型金氧半電晶體40448、一第三N型金氧半電晶體40450、一第四N型金氧半電晶體40452、一第五N型金氧半電晶體40454及一第六N型金氧半電晶體40456。第一P型金氧半電晶體40442的第一端是用以接收一第二電壓VDD，第一P型金氧半電晶體40442的第二端是N型金氧半電晶體40422的第一端，及第一P型金氧半電晶體40442的第三端，耦接於第一P型金氧半電晶體40442的第二端。第二P型金氧半電晶體40444的第一端是用以接收第二電壓VDD，和第二P型金氧半電晶體40444的第二端是耦接於第一P型金氧半電晶體40442的第二端。第三P型金氧半電晶體40446的第一端是用以接收第二電壓VDD，和第三P型金氧半電晶體40446的第二端是耦接於第三P型金氧半電晶體40446的第三端。第四P型金氧半電晶體40448的第一端是用以接收第二電壓VDD，第四P型金氧半電晶體40448的第二端是耦接於該第三P型金氧半電晶體40446的第二端，及第四P型金氧半電晶體40448的第三端是耦接於回授模組4032；第三N型金氧半電晶體40450的第一端是耦接於充電電流Ic1，第三N型金氧半電晶體40450的第二端是耦接於第三N型金氧半電晶體40450的第一端，及第三N型金氧半電晶體40450的第三端是耦接於地端GND；第四N型金氧半電晶體40452的第一端是耦接於第三P型金氧半電晶體40446的第三端，第四N型金氧半電晶體40452的第二端是耦接於第三N型金氧半電晶體40450的第二端，及第四N型金氧半電晶體40452的第三端是耦接於地端GND。第五N型金氧半電晶體40454的第一端是耦接於第二P型金氧半電晶體40444的第三端，第五N型金氧半電晶體40454的第二端是耦接於第五N型金氧半電晶體40454的第一端，及第五N型金氧半電晶體40454的第三端是耦接於地端GND。第六N型金氧半電晶體40456的第一端是耦接於回授模組4032，第六N型金氧半電晶體40456的第二端是耦接於第五N型金氧半電晶體40454的第二端，及第六N型金氧半電晶體40456的第三端是耦接於地端GND。

限制模組404中的電壓偵測電路4042和電流鏡電路4044係根據式(1)、式(2)、式(3)運作：

VREFL-Vthn1>V1　(1)

V1>VREFH+Vthp1　(2)

VREFL-Vthn1>V1>VREFH+Vthp1　(3)

其中Vthn1係為N型金氧半電晶體40422的閥值，Vthp1係為P型金氧半電晶體40424的閥值。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(1)，亦即第一電壓信號V1太低時，N型金氧半電晶體40422開啟並抽取放電電流Id1。而放電電流Id1會透過電流鏡電路4044內的第一P型金氧半電晶體40442、第二P型金氧半電晶體40444、第五N型金氧半電晶體40454及第六N型金氧半電晶體40456所組成的電流鏡對積分器4023的第二端放電，導致回授電壓VFB下降。因為回授電壓VFB下降，所以第一電壓信號V1會經由積分器4023的負回授而提高。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(2)，亦即第一電壓信號V1太高時，P型金氧半電晶體40424開啟並輸出充電電流Ic1。而充電電流Ic1會透過電流鏡電路4044內的第三P型金氧半電晶體40446、第四P型金氧半電晶體40448、第三N型金氧半電晶體40450、第四N型金氧半電晶體40452所組成的電流鏡對積分器4023的第二端充電，導致回授電壓VFB上升。因為回授電壓VFB上升，所以經由積分器4023的負回授將降低第一電壓信號V1。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(3)，限制模組404將不動作。

請參照第6A圖和第6B圖，第6A圖係為說明積分器4023所輸出的第一電壓信號V1的波形的示意圖，第6B圖係為說明低通濾波器4030所輸出的音頻信號VA的波形的示意圖。如第6A圖所示，第一電壓信號V1的上下界限會被限制在“參考高電位VREFH加上P型金氧半電晶體40424的閥值Vthp1”及“參考低電位VREFL扣除N型金氧半電晶體40422的閥值Vthn1”之間。因此，如第6B圖所示，低通濾波器4030所輸出的音頻信號VA不會出現突波且音頻信號的失真變小，所以放大電路400的最大輸出功率亦將提升。

請參照第7圖，第7圖係為本發明的另一實施例說明限制模組704的電路架構的示意圖。限制模組704包含電壓偵測電路7042及一電流鏡電路7044，其中電壓偵測電路7042和電流鏡電路7044的耦接關係和第5A圖中的電壓偵測電路4042和電流鏡電路4044的耦接關係相同，在此不再贅述。電壓偵測電路7042包含一第一N型金氧半電晶體70422及一第二N型金氧半電晶體70424。第一N型金氧半電晶體70422的第一端是用以抽取一放電電流Id2，第一N型金氧半電晶體70422的第二端是耦接於參考低電壓信號VREFL，及第一N型金氧半電晶體70422的第三端是耦接於第一電壓信號V1。第二N型金氧半電晶體70424的第一端是用以抽取一充電電流Ic2，第二N型金氧半電晶體70424的第二端是耦接於第一電壓信號V1，及第二N型金氧半電晶體70424的第三端是耦接於參考高電壓信號VREFH。

電流鏡電路7044包含一第一P型金氧半電晶體70442、一第二P型金氧半電晶體70444、一第三P型金氧半電晶體70446、一第四P型金氧半電晶體70448、一第三N型金氧半電晶體70450及一第四N型金氧半電晶體70452。第一P型金氧半電晶體70442的第一端是用以接收第二電壓VDD，第一P型金氧半電晶體70442的第二端是耦接於第一N型金氧半電晶體70422的第一端；及第一P型金氧半電晶體70442的第三端是耦接於第一P型金氧半電晶體70442的第二端。第二P型金氧半電晶體70444的第一端是用以接收第二電壓VDD，第二P型金氧半電晶體70444的第二端是耦接於第一P型金氧半電晶體70442的第二端，及第二P型金氧半電晶體70444的第三端。第三P型金氧半電晶體70446的第一端是用以接收第二電壓VDD，和第三P型金氧半電晶體70446的第三端是耦接於第三P型金氧半電晶體70446的第二端與第二N型金氧半電晶體70424的第一端。第四P型金氧半電晶體70448的第一端是用以接收第二電壓VDD，第四P型金氧半電晶體70448的第二端是耦接於第三P型金氧半電晶體70446的第二端，及第四P型金氧半電晶體70448的第三端，耦接於回授模組4032。第三N型金氧半電晶體70450的第一端是耦接於第二P型金氧半電晶體70444的第三端，第三N型金氧半電晶體70450的第二端是耦接於第三N型金氧半電晶體70450的第一端，及第三N型金氧半電晶體70450的第三端是耦接於地端GND。第四N型金氧半電晶體70452的第一端是耦接於第四P型金氧半電晶體70448的第三端，第四N型金氧半電晶體70452的第二端是耦接於第三N型金氧半電晶體70450的第二端，及第四N型金氧半電晶體70452的第三端是耦接於地端GND。

限制模組704中的電壓偵測電路7042和電流鏡電路7044係根據式(4)、式(5)、式(6)運作：

VREFL-Vthn 2>V1　(4)

V1>VREFH+Vthn 3　(5)

VREFL-Vthn2>V1>VREFH+Vthn3　(6)

其中Vthn2係為第一N型金氧半電晶體70422的閥值，Vthn3係為第二N型金氧半電晶體70424的閥值。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(4)，亦即第一電壓信號V1太低時，第一N型金氧半電晶體70422開啟並抽取放電電流Id2。而放電電流Id2會透過電流鏡電路7044內的第一P型金氧半電晶體70442、第二P型金氧半電晶體70444、第三N型金氧半電晶體70450及第四N型金氧半電晶體70452所組成的電流鏡對積分器4023的第二端放電，導致回授電壓VFB下降。因為回授電壓VFB下降，所以第一電壓信號V1會經由積分器4023的負回授而提高。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(5)，亦即第一電壓信號V1太高時，第二N型金氧半電晶體70424開啟並抽取充電電流Ic2。而充電電流Ic2會透過電流鏡電路7044內的第三P型金氧半電晶體70446及第四P型金氧半電晶體70448所組成的電流鏡對積分器4023的第二端充電，導致回授電壓VFB上升。因為回授電壓VFB上升，所以經由積分器4023的負回授將降低第一電壓信號V1。當積分器4023輸出的第一電壓信號V1滿足式(6)，限制模組704將不動作。

綜上所述，本發明所提供的能改善音頻信號突波的放大電路係利用限制模組限制積分模組的第一電壓信號在固定範圍，亦即積分模組的第一電壓信號不會飽和至第二電壓以及地端的電壓。因此，由低通濾波器所輸出的音頻信號不會出現突波消失且音頻信號的失真變小。另外，本發明亦能提昇放大電路的最大輸出功率。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100、400．．．放大電路

102、4022．．．積分模組

104、4026．．．比較模組

106、4024．．．三角波產生器

109、4027．．．輸出模組

111．．．回授電阻

112、4030．．．低通濾波器

114、406．．．揚聲器

404、704．．．限制模組

4023．．．積分器

4025．．．比較器

4028．．．閘極驅動器

4029．．．輸出級電路

4032．．．回授模組

4042、7042．．．電壓偵測電路

4044、7044．．．電流鏡電路

40422．．．N型金氧半電晶體

40424．．．P型金氧半電晶體

40442、70442．．．第一P型金氧半電晶體

40444、70444．．．第二P型金氧半電晶體

40446、70446．．．第三P型金氧半電晶體

40448、70448．．．第四P型金氧半電晶體

40450、70450．．．第三N型金氧半電晶體

40452、70452．．．第四N型金氧半電晶體

40454．．．第五N型金氧半電晶體

40456．．．第六N型金氧半電晶體

70422．．．第一N型金氧半電晶體

70424．．．第二N型金氧半電晶體

DOUT．．．輸出信號

GND．．．地端

Ic1、Ic2．．．充電電流

Id1、Id2．．．放電電流

V1．．．第一電壓信號

VA．．．音頻信號

VDD．．．第二電壓

VFB．．．回授電壓

VIN．．．輸入信號

VREF．．．參考信號

VO1．．．第一輸出信號

VO2．．．第二輸出信號

VPWM．．．比較信號

VREFH．．．參考高電壓信號

VREFL．．．參考低電壓信號

VT．．．三角波信號

Vthn1、Vthp1．．．閥值

第1圖係為先前技術說明音頻信號的放大電路的示意圖。

第2A圖係為說明當輸入信號的振幅愈來愈大時，音頻信號出現突波的示意圖。

第2B圖係為說明當輸入信號的振幅愈來愈大時，輸出電壓停止脈衝寬度調變的示意圖。

第3圖係為說明積分模組輸出的第一電壓信號飽和至高電位或是低電位的示意圖。

第4圖係為本發明的一實施例說明能改善音頻信號突波的放大電路的示意圖。

第5A圖係為說明限制模組的功能方塊的示意圖。

第5B圖係為說明限制模組的電路架構的示意圖。

第6A圖係為說明積分器所輸出的第一電壓信號的波形的示意圖。

第6B圖係為說明低通濾波器所輸出的音頻信號的波形的示意圖。

第7圖係為本發明的另一實施例說明限制模組的電路架構的示意圖。

400．．．放大電路

404．．．限制模組

406．．．揚聲器

4022．．．積分模組

4023．．．積分器

4024．．．三角波產生器

4025．．．比較器

4026．．．比較模組

4027．．．輸出模組

4028．．．閘極驅動器

4029．．．輸出級電路

4030．．．低通濾波器

4032．．．回授模組

DOUT．．．輸出信號

GND．．．地端

V1．．．第一電壓信號

VA．．．音頻信號

VFB．．．回授電壓

VIN．．．輸入信號

VREF．．．參考信號

VO1．．．第一輸出信號

VO2．．．第二輸出信號

VPWM．．．比較信號

Claims (9)

1. 一種能改善音頻信號突波的放大電路，包含：一積分模組，用以接收一輸入信號並對應地產生一第一電壓信號；一比較模組，耦合至該積分模組，用以接收該第一電壓信號與一參考信號，及產生一比較信號；一輸出模組，耦合至該比較模組，根據該比較信號產生一音頻信號；一回授模組，耦合於該輸出模組與該積分模組之間，用以回授一輸出信號至該積分模組；及一限制模組，包含：一電壓偵測電路，耦合至該積分模組，其中該電壓偵測電路之第一輸入端接收一參考高電壓信號，其中該電壓偵測電路之第二輸入端接收一參考低電壓信號，其中該電壓偵測電路之第三輸入端接收該第一電壓信號，其中該電壓偵測電路之第一輸出端，用以抽取(sink)一放電電流，及該電壓偵測電路之第二輸出端，用以輸出一充電電流；及一電流鏡電路，其中該電流鏡電路的第一端耦接於該電壓偵測電路的第一輸出端，其中電流鏡電路之第二端耦接於該電壓偵測電路的第二輸出端，其中該電流鏡電路之輸出端，耦接於該回授模組。
2. 如請求項1所述之放大電路，其中該積分模組包括一積分器，其中該積分器之第一端，用以接收該輸入信號，其中該積分器之第二端，用以接收產生自該回授模組之一回授電壓，其中該積分器之第三端，用以輸出一對應於該輸入信號的第一電壓信號，以及該積分器之第四端，耦接於一地端；其中該參考信號是為一三角波信號，由一三角波產生器所產生；其中該比較模組包括一比較器，其中該比較器之第一輸入端，耦接於該積分器之第三端，其中該比較器之第二端，耦接於該三角波產生器，其中該比較器之輸出端，用以輸出該比較信號，其中該比較器比較該第一電壓信號與該三角波信號，以輸出該比較信號。
3. 如請求項1所述之放大電路，其中該輸出模組包括：一閘極驅動器，根據該比較信號，產生一第一輸出信號及一第二輸出信號，其中該閘極驅動器的第一輸入端，耦接於該比較器之輸出端，接收該比較信號，該閘極驅動器之第一輸出端，用以輸出該第一輸出信號，該閘極驅動器之第二輸出端，用以輸出該第二輸出信號；一輸出級電路，其中該輸出級電路之第一輸入端，耦接於該閘極驅動器之第一輸出端，該輸出級電路之第二輸入端，耦接於該閘極驅動器的第二輸出端，及該輸出級電路之輸出端，耦接於該回授模組，用以輸出該輸出信號；以及一低通濾波器，耦接於該輸出級電路，用以轉換並濾波該輸出 信號成為該音頻信號。
4. 如請求項1所述之放大電路，其中該電壓偵測電路包含：一N型金氧半電晶體，包含一第一端，耦接於該放電電流，一第二端，耦接於該參考低電壓信號，及一第三端，耦接於該第一電壓信號；及一P型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第一電壓信號，一第二端，耦接於該參考高電壓信號，及一第三端，耦接於該充電電流。
5. 如請求項4所述之放大電路，其中該電流鏡電路包含：一第一P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收一第二電壓，一第二端，耦接於該N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端，耦接於該第一P型金氧半電晶體的第二端；一第二P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，耦接於該第一P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端；一第三P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，及一第三端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端；一第四P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該回授模組； 一第三N型金氧半電晶體，包含一第一端，耦接於該充電電流，一第二端，耦接於該第三N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端，耦接於該地端；一第四N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接於該第三N型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該地端；一第五N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接於該第五N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端，耦接於該地端；及一第六N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該回授模組，一第二端，耦接於該第五N型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該地端。
6. 如請求項1所述之放大電路，其中該電壓偵測電路包含：一第一N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該放電電流，一第二端，耦接於該參考低電壓信號，及一第三端，耦接於該第一電壓信號；及一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該充電電流，一第二端，耦接於該第一電壓信號，及一第三端，耦接於該參考高電壓信號。
7. 如請求項6所述之放大電路，其中該電流鏡電路包含：一第一P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收一第二電 壓，一第二端，耦接於該第一N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端，耦接於該第一P型金氧半電晶體的第二端；一第二P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，耦接於該第一P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端；一第三P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，及一第三端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端與該第二N型金氧半電晶體的第一端；一第四P型金氧半電晶體，包含一第一端，用以接收該第二電壓，一第二端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該回授模組；一第三N型金氧半電晶體，包含一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接於該第三N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端，耦接於該地端；及一第四N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第四P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接於該第三N型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該地端。
8. 如請求項1所述之放大電路，其中該輸出信號係為一脈衝寬度調變電壓。
9. 如請求項1所述之放大電路，其中該比較信號係為一脈衝寬度調變電壓。