TWI456617B - 保護元件及電子裝置 - Google Patents

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Chung Hsiung Wang
Hung Ming Lin
Kuo Shu Chen
Wen Shiang Luo
Lang Yi Chiang
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Cyntec Co Ltd
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Claims (25)

  1. 一種保護元件,包含:一基板,具有彼此相對的一第一表面與一第二表面;一上電極,配置於該基板的該第一表面上,包含一第一子電極及彼此相對的一第三子電極與一第四子電極,其中該第一子電極具有一本體部以及與該本體部相連接的一第一延伸部;一下電極,配置於該基板的該第二表面上;一端電極,連接該上電極與該下電極;一金屬塊,配置於該基板的該第一表面上,且連接該第三子電極與該第四子電極;一加熱器,配置於該基板上,且電性連接該第一子電極,其中該加熱器在該基板之該第一表面上的正投影與該第一子電極的該第一延伸部在該基板之該第一表面上的正投影至少部份重疊;以及一第一絕緣層,配置於該基板的該第一表面上,該基板的熱傳導係數大於該第一絕緣層的熱傳導係數,且在通過一第一間距的截面上該第一絕緣層具有不相連的一第一低熱傳導部以及一第二低熱傳導部,在該截面上該第一低熱傳導部與該第二低熱傳導部之間存在該第一間距,其中該第一低熱傳導部位於該加熱器與該第三子電極之間,而該第二低熱傳導部位於該加熱器與該第四子電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,其中該第一延伸部配置於該第一間距中。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之保護元件,其中該第一延 伸部的一部分位於該第一間距中,而該第一延伸部的另一部分位於該第一低熱傳導部與該第二低熱傳導部上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之保護元件,其中該第一延伸部具有一凹槽結構位於該第一間距中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,更包含一金屬線,配置於該金屬塊的上方並部分接觸於該金屬塊,且固定於該第一子電極上,且該金屬線在該基板之該第一表面上的正投影與該第一子電極在該基板之該第一表面上的正投影至少部份重疊。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,更包含一助熔劑,配置於該基板的該第一表面上,並位於該第一子電極與該第三子電極之間以及位於該第一子電極與該第四子電極之間,至少覆蓋部分該第一絕緣層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,其中該加熱器位於該基板的該第二表面上,且連接該下電極。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之保護元件,其中該第一低熱傳導部位於該基板與該第三子電極之間,該第二低熱傳導部位於該基板與該第四子電極之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,更包含一第二絕緣層,配置於該加熱器與該第一子電極之間,其中該第二絕緣層之熱傳導係數大於該第一絕緣層之熱傳導係數。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之保護元件,其中該第一低熱傳導部與該第二低熱傳導部延伸至該加熱器上,且該第一低熱傳導部與該第二低熱傳導部之間存在一第二間距,而該第二絕緣層配置於該第二間距中。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之保護元件,其中該第一絕緣層更包含一第三低熱傳導部以及一第四低熱傳導部,該第三低熱傳導部與該第四低熱傳導部配置於該第二絕緣層上,且該第三低熱傳導部與該第四低熱傳導部之間存在一第二間距,而該第一子電極的該第一延伸部配置於該第二間距中。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之保護元件,其中該第二絕緣層的材質包含一陶瓷材料。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之保護元件,其中該第二絕緣層的熱傳導係數範圍介於8W/(m.K)至80W/(m.K)之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,其中該第一絕緣層的材質包含一玻璃材料或一高分子材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之保護元件,其中該第一絕緣層的熱傳導係數小於2W/m.K。
  16. 一種保護元件,包含:一基板,具有相連的一第一絕緣區塊與一第二絕緣區塊以及彼此相對的一第一表面與一第二表面,其中該第一絕緣區塊的熱傳導係數大於該第二絕緣區塊的熱傳導係數;一上電極,配置於該基板的該第一表面上,包含一第一子電極及彼此相對的一第三子電極與一第四子電極,其中該第一子電極位於該第一絕緣區塊,該第三子電極與該第四子電極位於該第二絕緣區塊;一下電極,配置於該基板的該第二表面上;一端電極,連接該上電極與該下電極;一金屬塊,配置於該基板的該第一表面上,且連接該第三 子電極與該第四子電極;以及一加熱器,配置於該基板的該第一絕緣區塊上,且電性連接該第一子電極,其中該加熱器在該基板之該第一表面上的正投影與該第一子電極在該基板之該第一表面上的正投影至少部份重疊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第一子電極具有一本體部以及與該本體部相連接的一第一延伸部,且該第一延伸部配置於該第三子電極與該第四子電極之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之保護元件,其中該第一絕緣區塊與該第二絕緣區塊之間具有一凹槽,該第一延伸部的一部分位於該凹槽中,而該第一延伸部的另一部分位於該第二絕緣區塊上。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第一絕緣區塊與該第二絕緣區塊實質上共平面。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第一絕緣區塊的材質包含一陶瓷材料。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第一絕緣區塊的熱傳導係數範圍介於8W/m.K至80W/m.K之間。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第二絕緣區塊的材質包含一玻璃材料或一高分子材料。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,其中該第二絕緣區塊的熱傳導係數小於2W/m.K之間。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之保護元件,更包含一金屬線,配置於該金屬塊的上方並部分接觸於該金屬塊,且固定於 該第一子電極上,且該金屬線在該基板之該第一表面上的正投影與該第一子電極在該基板之該第一表面上的正投影至少部份重疊。
  25. 一種電子裝置,包含:如申請專利範圍第1項或第16項所述之保護元件;一電池,耦接至該保護元件;以及一偵測控制器,耦接至該保護元件與該電池,其中當該偵測控制器偵測到一過電壓狀態時,該偵測控制器會提供一電壓至該保護元件,而驅動該保護元件的該加熱器通電發熱,以熔斷該金屬塊。
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