TWI456422B - 後繞線佈局之微影熱點之更正方法及系統 - Google Patents

Claims (28)

1. 一種後繞線佈局之微影熱點之更正方法，包含：接受一晶片之後繞線佈局之微影檢查而得到複數個熱點之資料；針對各該熱點所在之局部區域內選取可改變幾何尺寸或位置之至少一個二維圖案，並定義該幾何尺寸或位置之改變方式為複數個變化模式；根據各該變化模式於允許範圍內之改變量，得到對應之空間影像強度值；依照該空間影像強度之前述複數個空間影像強度值以決定各該變化模式對應該熱點之最佳變化量；以及就各該熱點所在該局部區域之該二維圖案分別取得一組最佳變化模式及各該最佳變化模式之最佳變化量。
2. 根據請求項1之更正方法，其另包含就各該熱點所在之局部區域執行該二維圖案對應該組最佳變化模式及各該最佳變化模式之最佳變化量之步驟。
3. 根據請求項1之更正方法，其另包含決定各該變化模式對應該熱點之變化量後，檢查該變化模式及其最佳變化量是否違反設計規則檢查或佈局對應於構圖之步驟。
4. 根據請求項3之更正方法，其中當違反該設計規則檢查或該佈局對應於構圖時，則修改該變化模式及其最佳變化量以滿足該設計規則檢查或該佈局對應於構圖之規定。
5. 根據請求項4之更正方法，其中該修改後之變化模式係將違反該設計規則檢查或該佈局對應於構圖之該二維圖案之部份尺寸或部份位置改變以滿足該規定，又該部份尺寸或部份位置之變化量係不同於該最佳變化量。
6. 根據請求項1之更正方法，其中該幾何尺寸之改變方式包含長度伸展、長度收縮、寬度變寬及寬度變窄。
7. 根據請求項1之更正方法，其中該位置之改變方式係包含兩垂直方向之位移。
8. 根據請求項7之更正方法，其中各該二維圖案之最佳變化模式係指比較前述不同變化模式中選出一種變化模式，其對應該熱點之最佳變化量優於其他未被選出變化模式之最佳變化量。
9. 根據請求項1之更正方法，其中各該變化模式對應該熱點之最佳變化量係為改善各該熱點所造成之短路或線路過窄之問題。
10. 一種後繞線佈局之微影熱點之更正方法，包含：接受一晶片之後繞線佈局之微影檢查而得到複數個熱點之資料；針對各該熱點所在之局部區域內選取可改變幾何尺寸或位置之至少一個二維圖案，並定義該幾何尺寸或位置之改變方式為複數個變化模式；根據各該變化模式於允許範圍內之改變量，並根據一組空間影像強度之光學模擬模型單元得到對應之空間影像強度值；依照該空間影像強度之前述複數個空間影像強度值以決定各該變化模式對應該熱點之最佳變化量；以及就各該熱點所在該局部區域之該二維圖案分別取得一組最佳之變化模式及其最佳變化量。
11. 根據請求項10之更正方法，其中該組空間影像強度之光學模擬模型單元係由下列步驟建立：設定基本模擬參數；應用一致性的加總系統結構計算以取得複數個基本幾何圖型之空間影像強度之二維分佈數值；依照該二維分佈數值所在區域分割各該二維分佈數值為複數之次數值組；以二元多項式函數擬合各該次數值組之曲面；以及儲存各該基本幾何圖型所對應該空間影像強度之該二維分佈數值之函數係數為各該光學模擬模型單元。
12. 根據請求項11之更正方法，其中該基本幾何圖型係一端固定及另一端無窮延伸之長條狀圖型。
13. 根據請求項11之更正方法，其中該基本幾何圖型係兩相互垂直之邊界固定及另兩相互垂直之邊界無窮延伸之矩形。
14. 根據請求項10之更正方法，其中該基本幾何圖型之空間影像強度之二維分佈數值係位於該空間影像強度之梯度變化較大之適當範圍內。
15. 根據請求項14之更正方法，其中該適當範圍分割為複數個次區域，又各該次區域內二維分佈數值即為各該次數值組。
16. 根據請求項11之更正方法，其中該基本模擬參數包含光波長、數值孔徑及同調因子。
17. 根據請求項16之更正方法，其中該光波長為120nm、該數值孔徑為0.8及該同調因子σcenter =0.825及σwidth =0.25。
18. 根據請求項11之更正方法，其另包含就各該熱點所在之局部區域執行該二維圖案對應該組最佳之變化模式及其最佳變化量之步驟。
19. 根據請求項11之更正方法，其另包含決定各該變化模式對應該熱點之最佳變化量後，檢查該變化模式及其最佳變化量是否違反設計規則檢查或佈局對應於構圖之步驟。
20. 根據請求項19之更正方法，其中當違反該設計規則檢查或該佈局對應於構圖時，則修改該變化模式及其最佳變化量以滿足該設計規則檢查或該佈局對應於構圖之規定。
21. 根據請求項20之更正方法，其中該修改後之變化模式係將違反該設計規則檢查或該佈局對應於構圖之該二維圖案之部份尺寸或部份位置改變以滿足該規定，又該部份尺寸或部份位置之變化量係不同於該最佳變化量。
22. 根據請求項11之更正方法，其中該幾何尺寸之改變方式包含長度伸展、長度收縮、寬度變寬及寬度變窄。
23. 根據請求項11之更正方法，其中該位置之改變方式係包含兩垂直方向之位移。
24. 根據請求項23之更正方法，其中各該二維圖案之最佳變化模式係指比較前述不同變化模式中選出一種變化模式，其對應該熱點之最佳變化量優於其他未被選出變化模式之最佳變化量。
25. 根據請求項11之更正方法，其中各該變化模式對應該熱點之最佳變化量係為改善各該熱點所造成之短路或線路過窄之問題。
26. 一種後繞線佈局之微影熱點之更正系統，包含：一熱點檢查裝置，接受一晶片之後繞線佈局之微影檢查得到複數個熱點之資料；一圖案選取裝置，針對各該熱點所在之局部區域內選取可改變幾何尺寸或位置之至少一個二維圖案，並定義該幾何尺寸或位置之改變方式為複數個變化模式；一強度計算裝置，根據各該變化模式於允許範圍內之改變量，並根據一組空間影像強度之光學模擬模型單元得到對應之空間影像強度值；一比較裝置，依照該複數個空間影像強度值以決定各該變化模式對應該熱點之最佳變化量；以及一更正裝置，就各該熱點所在該局部區域之該至少一二維圖案分別取得及執行一組最佳之變化模式及各該最佳變化模式之最佳變化量。
27. 根據請求項26之更正系統，其另包含一建立該組光學模擬模型單元之模型建立裝置，該模型建立裝置係接受一組設定基本模擬參數，並應用一致性的加總系統結構計算以取得複數個基本幾何圖型之空間影像強度之二維分佈數值，再依照該二維分佈數值所在區域分割各該二維分佈數值為複數個之次數值組，且分別以一二元多項式函數擬合各該次數值組之曲面，並儲存各該基本幾何圖型所對應該空間影像強度之該二維分佈數值之函數擬合係數為各該光學模擬模型單元。
28. 根據請求項26之更正系統，其另包含一檢查該變化模式及其最佳變化量是否違反設計規則檢查或佈局對應於構圖之繞線檢查裝置。