TWI456358B - 從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法 - Google Patents
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- 一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其包含下列步驟:提供一光罩;判定來自該光罩的一曝光結果之曝光資訊的複數個曝光資料,其中該曝光資料係藉由將該曝光結果的一影像資料與該曝光結果的一數位資料作比對而獲得,該曝光資料包含至少一第一取樣資料、一第二取樣資料、一第三取樣資料以及一第四取樣資料,其中該第一取樣資料是一曲線圖案的最長直徑或最短直徑的其中一者,該第二取樣資訊至該第四取樣資訊係分別得自該曲線圖形的該最長半徑與該最短半徑的其中一者上的2n 個不對稱點,該些不對稱點中的第k點是從下列公式所定義出之群組中選出:k /2n 其中n為一大於2的自然數而k為一小於2n 的奇數;提供對應該曝光結果且從複數個原始模擬參數所產生的一原始模擬結果;檢驗從該原始模擬結果及從該曝光結果所獲得的一原始誤差值是否位於一預定範圍內;調整該些原始模擬參數以獲得調整後的模擬參數及一調整後的模擬結果,並在該原始誤差值未位於該預定範圍內時檢驗從該調整後模擬結果以及從該曝光結果所獲 得的一調整後誤差值;調整該調整後模擬參數,使得該調整後誤差值位於該預定範圍內,以獲得該調整後誤差值位於該預定範圍內的該調整後模擬參數;將該原始模擬參數的一第一參數調至一最小值;檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內;在該第一參數為該最小值的該調整後誤差值小於該原始誤差值時使該第一參數保持不變;在該第一參數為該最小值的該調整後誤差值大於該原始誤差值時將該第一參數調至一最大值並檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內;當該第一參數為該最大值的該調整後誤差值仍大於該原始誤差值時退出該第一參數的調整步驟;收集該調整後誤差值位於該預定範圍內的該調整後模擬參數,以獲得用以在光罩上輸出圖形的一光學鄰近修正模型;以及根據該光學鄰近修正模型在光罩上輸出該圖形。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中該點是從3/2n 到(2n -3)/2n 的群組中所選出。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰 近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中該原始模擬結果包含至少一第一原始模擬資料、一第二原始模擬資料、一第三原始模擬資料、以及一第四原始模擬資料,該些原始模擬資料係分別對應到該曝光資料的該第一取樣資料、該第二取樣資料、該第三取樣資料、以及該第四取樣資料。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中該原始誤差值為一方均根值。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中調整該原始模擬參數的步驟包含:將該原始模擬參數的一第一參數調整為一第一可能值的一半;以及檢驗該調整後誤差值是否為於該預定範圍內。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中該第一可能值為一最小值與一最大值的其中一者。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,更包含: 在該調整後誤差值小於該原始誤差值時使該第一參數保持不變。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,更包含:將該第一參數調整為一第二可能值的一半,並在該第一參數的該調整後誤差值大於該原始誤差值時檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內。
- 如申請專利範圍第8項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法,其中該第二可能值為一最小值與一最大值的其中一者,且該第一可能值與該第二可能值不同。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI228642B (en) * | 2001-10-09 | 2005-03-01 | Asml Masktools Inc | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
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Family Cites Families (3)
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US20100251202A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Christophe Pierrat | Lithography Modelling And Applications |
US20110202898A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Mentor Graphics Corporation | Contour Alignment For Model Calibration |
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