TWI456358B - 從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法 - Google Patents
從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI456358B TWI456358B TW101111708A TW101111708A TWI456358B TW I456358 B TWI456358 B TW I456358B TW 101111708 A TW101111708 A TW 101111708A TW 101111708 A TW101111708 A TW 101111708A TW I456358 B TWI456358 B TW I456358B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- simulation
- parameter
- original
- error value
- adjusted
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Claims (9)
- 一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其包含下列步驟：提供一光罩；判定來自該光罩的一曝光結果之曝光資訊的複數個曝光資料，其中該曝光資料係藉由將該曝光結果的一影像資料與該曝光結果的一數位資料作比對而獲得，該曝光資料包含至少一第一取樣資料、一第二取樣資料、一第三取樣資料以及一第四取樣資料，其中該第一取樣資料是一曲線圖案的最長直徑或最短直徑的其中一者，該第二取樣資訊至該第四取樣資訊係分別得自該曲線圖形的該最長半徑與該最短半徑的其中一者上的2n 個不對稱點，該些不對稱點中的第k點是從下列公式所定義出之群組中選出：k /2n 其中n為一大於2的自然數而k為一小於2n 的奇數；提供對應該曝光結果且從複數個原始模擬參數所產生的一原始模擬結果；檢驗從該原始模擬結果及從該曝光結果所獲得的一原始誤差值是否位於一預定範圍內；調整該些原始模擬參數以獲得調整後的模擬參數及一調整後的模擬結果，並在該原始誤差值未位於該預定範圍內時檢驗從該調整後模擬結果以及從該曝光結果所獲 得的一調整後誤差值；調整該調整後模擬參數，使得該調整後誤差值位於該預定範圍內，以獲得該調整後誤差值位於該預定範圍內的該調整後模擬參數；將該原始模擬參數的一第一參數調至一最小值；檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內；在該第一參數為該最小值的該調整後誤差值小於該原始誤差值時使該第一參數保持不變；在該第一參數為該最小值的該調整後誤差值大於該原始誤差值時將該第一參數調至一最大值並檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內；當該第一參數為該最大值的該調整後誤差值仍大於該原始誤差值時退出該第一參數的調整步驟；收集該調整後誤差值位於該預定範圍內的該調整後模擬參數，以獲得用以在光罩上輸出圖形的一光學鄰近修正模型；以及根據該光學鄰近修正模型在光罩上輸出該圖形。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中該點是從3/2n 到(2n -3)/2n 的群組中所選出。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰 近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中該原始模擬結果包含至少一第一原始模擬資料、一第二原始模擬資料、一第三原始模擬資料、以及一第四原始模擬資料，該些原始模擬資料係分別對應到該曝光資料的該第一取樣資料、該第二取樣資料、該第三取樣資料、以及該第四取樣資料。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中該原始誤差值為一方均根值。
- 如申請專利範圍第1項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中調整該原始模擬參數的步驟包含：將該原始模擬參數的一第一參數調整為一第一可能值的一半；以及檢驗該調整後誤差值是否為於該預定範圍內。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中該第一可能值為一最小值與一最大值的其中一者。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，更包含： 在該調整後誤差值小於該原始誤差值時使該第一參數保持不變。
- 如申請專利範圍第5項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，更包含：將該第一參數調整為一第二可能值的一半，並在該第一參數的該調整後誤差值大於該原始誤差值時檢驗該調整後誤差值是否位於該預定範圍內。
- 如申請專利範圍第8項所述之一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光罩上輸出圖形的方法，其中該第二可能值為一最小值與一最大值的其中一者，且該第一可能值與該第二可能值不同。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/239,409 US20130080981A1 (en) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Method for improving optical proximity simulation from exposure result |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201314375A TW201314375A (zh) | 2013-04-01 |
| TWI456358B true TWI456358B (zh) | 2014-10-11 |
Family
ID=47912683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101111708A TWI456358B (zh) | 2011-09-22 | 2012-04-02 | 從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130080981A1 (zh) |
| CN (1) | CN103019027B (zh) |
| TW (1) | TWI456358B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114578661A (zh) * | 2016-12-28 | 2022-06-03 | Asml荷兰有限公司 | 在制造过程中引导过程模型和检查的方法 |
| CN106873315B (zh) * | 2017-03-16 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种通孔层opc建模方法 |
| CN109212897A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法 |
| CN115066657A (zh) * | 2020-02-12 | 2022-09-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于控制制造过程的方法和关联设备 |
| CN113438425B (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-19 | 深圳市大道智创科技有限公司 | 一种自动曝光调整方法及系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI228642B (en) * | 2001-10-09 | 2005-03-01 | Asml Masktools Inc | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
| US20100251202A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Christophe Pierrat | Lithography Modelling And Applications |
| US20110202898A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Mentor Graphics Corporation | Contour Alignment For Model Calibration |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1258695C (zh) * | 2003-07-15 | 2006-06-07 | 南亚科技股份有限公司 | 接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法 |
| CN102662309B (zh) * | 2005-09-09 | 2014-10-01 | Asml荷兰有限公司 | 采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法 |
| CN102096309B (zh) * | 2009-12-15 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近校正方法 |
-
2011
- 2011-09-22 US US13/239,409 patent/US20130080981A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-04-02 TW TW101111708A patent/TWI456358B/zh active
- 2012-05-31 CN CN201210174744.6A patent/CN103019027B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI228642B (en) * | 2001-10-09 | 2005-03-01 | Asml Masktools Inc | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
| US20100251202A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Christophe Pierrat | Lithography Modelling And Applications |
| US20110202898A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Mentor Graphics Corporation | Contour Alignment For Model Calibration |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103019027A (zh) | 2013-04-03 |
| TW201314375A (zh) | 2013-04-01 |
| CN103019027B (zh) | 2014-07-30 |
| US20130080981A1 (en) | 2013-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI456358B (zh) | 從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法 | |
| JP6509225B2 (ja) | 要件に対するターゲット及びプロセス感度の分析 | |
| JP2005184814A5 (zh) | ||
| TWI456420B (zh) | 以模型化光罩轉角變圓作用，決定改良製程模型的方法與其電腦可讀取儲存媒體 | |
| SG129366A1 (en) | Method of selecting a grid model for correcting a process recipe for grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using thesame | |
| JP2014007262A5 (zh) | ||
| JP2016004547A (ja) | 算出装置、算出方法及び算出プログラム | |
| CN103163728A (zh) | 基于光刻工艺窗口的opc修正方法 | |
| CN105824187B (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| CN108153984A (zh) | 一种基于流场密度阶跃的高精度间断迦辽金人工粘性激波捕捉方法 | |
| JP2010182718A (ja) | 露光方法及び露光システム | |
| JP2013120290A5 (zh) | ||
| CN103258082A (zh) | 用于面曝光快速成形系统的制作参数优化方法 | |
| CN116167323A (zh) | 一种opc修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质 | |
| JP2004062096A5 (zh) | ||
| JP2015045731A5 (ja) | 音響信号のアライメント装置、アライメント方法及びコンピュータプログラム | |
| CN103744265A (zh) | 改善工艺窗口的光学临近修正方法 | |
| TWI829315B (zh) | 一種光刻模型優化方法 | |
| CN110688736B (zh) | Opc光学模型筛选方法及其筛选系统 | |
| JP2019204058A5 (zh) | ||
| CN106528899B (zh) | 用于光源-掩膜优化的图形选择方法 | |
| JP2013135194A5 (zh) | ||
| US8883373B2 (en) | Method for manufacturing photo mask, method for manufacturing semiconductor device, and program | |
| JP2022068832A5 (zh) | ||
| CN111611759B (zh) | 一种掩模辅助图形的优化方法、计算机可读介质及系统 |