TWI456166B - 結構體鉛直測定裝置及測定方法 - Google Patents

Claims (30)

1. 一種結構體鉛直測定裝置，其測定對象的結構體包含：一上面；相對於該上面的一下面；以及接續於該上面與該下面之間的一軸線，對於該結構體標記第一直線以及第二直線，該第一直線係通過該軸線且與該軸線垂直，靠近該下面，該第二直線係通過該軸線且與該軸線垂直，靠近該上面，沿該軸線的軸向觀察時，該第二直線與該第一直線重疊，該結構體以該下面一側立於一建設面，該結構體鉛直測定裝置包含：一標定器，包含：一光源，可調整射出的光沿鉛直方向行進；以及一靶件，具有相背向的一正面與一反面，包含：一標靶，標示於該正面，該第一直線於該下面附近的水平面鉛直投影一第一投影線，將該光源設置於該第一投影線的延伸方向上，至該軸線為第一距離的位置；將該靶件水平地設置靠近該上面，該標靶中心對向該光源，位於該第二直線鉛直投影於水平面的一第二投影線上且至該軸線為該第一距離的位置，當該光源沿鉛直方向射出的光射於標靶中心時，該結構體以該軸線鉛直立於該建設面。
2. 如申請專利範圍第1項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該標定器進一步包含：一基座，用以放置該光源，包含： 一第一方向標線，標示於該基座上面，用以對齊該第一直線，當該光源放置於該基座的預定位置時，該光源的發光口係鉛直投影於該第一方向標線；以及複數個腳墊，分布於該基座底面，調整該基座的水平。
3. 如申請專利範圍第1項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該靶件包含一靶件標線，至少標示於該反面，且通過該標靶中心的投影於該反面的點。
4. 如申請專利範圍第3項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該靶件包含複數個孔部，沿該靶件標線設置。
5. 一種結構體鉛直測定裝置，其測定對象的結構體包含：一上面；相對於該上面的一下面；以及位於該上面與該下面之間且連續接續的一第一側面與一第二側面，該第一側面與該第二側面之間成為一第一夾角，該第一夾角係於不為0度或180度，該第一側面與該第二側面接續的邊為一接續直線，該結構體以該下面一側立於一建設面，該結構體鉛直測定裝置包含：一標定器，包含：一光源，可調整射出的光沿鉛直方向行進；以及一靶件，具有相背向的一正面與一反面，包含：一標靶，標示於該正面，將該光源設置靠近該下面，且位於距該第一側面與該 下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線第二距離，距該第二側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線第三距離的位置；將該靶件以該正面對向該光源，水平地設置靠近該上面，且該標靶的中心位於距該第一側面的延伸面該第二距離，距該第二側面的延伸面該第三距離的位置，當該光源沿鉛直方向射出的光射於該標靶中心時，該結構體以該接續直線鉛直立於該建設面。
6. 如申請專利範圍第5項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該標定器進一步包含：一基座，用以放置該光源，包含：一第二方向標線，平行於該第一側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線，標示於該基座上面；以及一第三方向標線，平行於該第二側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線，標示於該基座上面，當該光源放置於該基座的預定位置時，該光源的發光口係鉛直投影於該第二方向標線與該第三方向標線的交點；以及複數個腳墊，分布於該基座底面，調整該基座的水平。
7. 如申請專利範圍第6項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該基座進一步包含： 二臂體，分別向該第二方向標線與該第三方向標線的延伸方向，從放置該光源的預定位置延伸而出。
8. 如申請專利範圍第7項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該二臂體分別包含至少一間隔件，設於該二臂體相對向的一面，調整伸出各臂體的距離。
9. 如申請專利範圍第7項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該二臂體分別包含一伸縮套，可沿該臂體伸縮移動地套合於該臂體。
10. 如申請專利範圍第9項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該二伸縮套分別包含至少一間隔件，設於該二伸縮套相對向的一面，調整伸出各臂體的距離。
11. 如申請專利範圍第9項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該二臂體分別包含伸縮尺標，用以標示該伸縮套伸縮於該臂體的距離，該二伸縮套分別包含一固定件，用以固定該伸縮套與該臂體的相對位置。
12. 如申請專利範圍第9項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該二伸縮套分別包含至少一腳墊，與分布於該基座底面的腳墊協同調整該基座的水平。
13. 如申請專利範圍第7至12項之任一項所述的結構 體鉛直測定裝置，其中該二臂體以該第二方向標線與該第三方向標線的交點為軸心轉動，改變該二臂體所成的夾角。
14. 如申請專利範圍第5項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該靶件包含一靶件尺標，標示於該正面與該反面之任一面，用以標示該標靶中心距該第一側面延伸面的距離以及距該第二側面延伸面的距離。
15. 如申請專利範圍第14項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該靶件包含複數個孔部，沿該靶件尺標設置。
16. 如申請專利範圍第1或5項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該靶件包含一遮罩，圍繞於該靶件外緣。
17. 如申請專利範圍第1或5項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該光源係點狀光源。
18. 如申請專利範圍第5項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該光源係十字狀光源，從該十字狀光源射出的十字狀光之交叉點調整為沿鉛直方向行進。
19. 如申請專利範圍第18項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該第一夾角係90度或270度，該十字狀光源設置成為十字狀光的二光線分別平行於該第一側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線，以及該第二側面 與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線。
20. 如申請專利範圍第19項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該標靶係十字狀標靶。
21. 如申請專利範圍第20項所述的結構體鉛直測定裝置，其中該十字狀標靶設置成為十字狀標靶的二靶線分別平行於該第一側面與該第二側面。
22. 一種結構體鉛直測定方法，其測定對象的結構體包含：一上面；相對於該上面的一下面；以及接續於該上面與該下面之間的一軸線，該結構體鉛直測定方法係包含：標記第一直線，該第一直線通過該軸線且與該軸線垂直，靠近該下面；標記第二直線，該第二直線通過該軸線且與該軸線垂直，靠近該上面，沿該軸線的軸向觀察時，該第二直線與該第一直線重疊；將該結構體以該下面一側立於一建設面；設置一光源於一第一投影線的延伸方向上，該第一投影線係該第一直線鉛直投影於該下面附近的水平面者；求取該第一投影線上該光源至該軸線的第一距離；水平地設置一靶件靠近該上面，該靶件的標靶中心對向該光源，位於該第二直線鉛直投影於水平面的一第二投影線上且至該軸線為該第一距離的位置；調整該光源射出的光沿鉛直方向行進；以及 當該光源射出的光射於標靶中心時，該結構體以該軸線鉛直立於該建設面。
23. 一種結構體鉛直測定方法，其測定對象的結構體包含：一上面；相對於該上面的一下面；以及位於該上面與該下面之間且連續接續的一第一側面與一第二側面，該第一側面與該第二側面之間成為一第一夾角，該第一夾角係不為0度或180度，該第一側面與該第二側面接續的邊為一接續直線，該結構體鉛直測定方法係包含：將該結構體以該下面一側立於一建設面；設置一光源靠近該下面，且位於距該第一側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線第二距離，距該第二側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線第三距離的位置；水平地設置一靶件靠近該上面，該靶件的標靶中心對向該光源，位於距該第一側面的延伸面第二距離，且距該第二側面的延伸面第三距離的位置；調整該光源射出的光沿鉛直方向行進；以及當該光源射出的光射於標靶中心時，該結構體以該接續直線鉛直立於該建設面。
24. 如申請專利範圍第23項所述的結構體鉛直測定方法，其中該光源係十字狀光源，從該十字狀光源射出的十字狀光之交叉點調整為沿鉛直方向行進。
25. 如申請專利範圍第24項所述的結構體鉛直測定方法，其中該第一夾角係90度或270度，該十字狀光源設置成為十字狀光的二光線分別平行於該第一側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線，以及該第二側面與該下面接續的邊緣鉛直投影於該建設面的延伸線。
26. 如申請專利範圍第25項所述的結構體鉛直測定方法，其中該標靶係十字狀標靶。
27. 如申請專利範圍第26項所述的結構體鉛直測定方法，其中該十字狀標靶設置成為十字狀標靶的二靶線分別平行於該第一側面與該第二側面，當該十字狀光源射出的十字狀光與十字狀標靶的二靶線重疊時，該結構體以該接續直線鉛直立於該建設面。
28. 如申請專利範圍第23項所述的結構體鉛直測定方法，其中該第二距離等於該第三距離。
29. 一種結構體鉛直測定方法，其測定對象的結構體包含：一上面；相對於該上面的一下面；以及位於該上面與該下面之間且連續接續的一第一側面與一第二側面，該第一側面與該第二側面之間成為一第一夾角，該第一夾角係於大於0度、小於等於90度的範圍，該第一側面與該第二側面接續的邊為一接續直線，該結構體鉛直測定方法係包含： 將該結構體以該下面一側立於一建設面；設置一光源靠近該下面，且位於該第一夾角的分角線上，至該接續直線為第六距離的位置；水平地設置一靶件靠近該上面，該靶件的標靶中心對向該光源，位於該第一夾角的分角線上，至該接續直線為第六距離的位置；調整該光源射出的光沿鉛直方向行進；以及當該光源射出的光射於標靶中心時，該結構體以該接續直線鉛直立於該建設面。
30. 如申請專利範圍第22、23或29之任一項所述的結構體鉛直測定方法，其中更包含遮蔽靶件周圍的步驟。