TWI447374B - 電子顯微鏡試片及其製備方法與點膠裝置 - Google Patents

Description

電子顯微鏡試片及其製備方法與點膠裝置

本發明係有關於一種電子顯微鏡試片及其製作方法與製作裝置，特別是有關於利用熱熔膠保護層來製備電子顯微鏡試片之技術。

隨著半導體元件製程持續地微小化，半導體結構中各種缺陷(例如顆粒、析出物、差排、界面等)對於元件之電性或機械性質的影響更為顯著。為了有效控管或調整深次微米的半導體製程及其研發，需對半導體元件中各材料層進行原子尺度的微觀結構觀察與成份分析。

穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscopy,TEM)與掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy)是重要的微電子材料結構及界面的分析工具，其可協助製程監控、技術開發、還原工程(reverse engineering)、或故障分析等。尤其，穿透式電子顯微鏡具有極高的放大倍率與解析度，特別適於對微小尺寸的半導體結構進行觀察與分析。穿透式電子顯微鏡之功能還包括能提供選區繞射(selected area diffraction,SAD)、明視野影像(bright－field image,BFI)、暗視野影像(dark－field image)、晶格影像(lattice image)、及化學元素分析等。

雖然穿透式電子顯微鏡對於微結構分析的功能強大，然為使電子束能順利穿透待測試片而作各種分析， 需將待測試片薄化至約100~200奈米或更小的厚度。電子顯微鏡試片之製備，直接影響分析的結果與品質。除了需製備夠薄的試片，還要能避免對待觀察部分的結構造成傷害。特別是針對元件結構重複性不高之情形，試片製備的品質與成功率相形重要。試片的製備過程中，需避免待觀察特徵(如顆粒或析出物等缺陷)受到破壞，並需使薄試片具有足夠的強度以避免發生變形而影響分析結果。

因此，業界亟需一種新穎的電子顯微鏡試片的製備技術，以因應日漸增加的電子顯微鏡分析需求。

本發明提供一種電子顯微鏡試片的點膠裝置，包括導熱基板，包含試片放置區與熱熔膠放置區，試片放置區用以放置試片，熱熔膠放置區用以放置熱熔膠，以及加熱單元，用以加熱導熱基板。

本發明另提供一種製備電子顯微鏡試片的方法，包括提供包括待觀察特徵之待測試片，於待測試片上形成標記，用以標示出待薄化區，其中待觀察特徵位於待薄化區中，以及將熔融的熱熔膠點膠至待薄化區，經冷卻後於待觀察特徵上形成熱熔膠保護層。

本發明又提供一種電子顯微鏡試片，包括待測試片，其包括待觀測特徵，以及位於待觀測特徵上之熱熔膠保護層。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

本發明在此提供一種電子顯微鏡試片及其製作方法與製作裝置，特別是有關於利用熱熔膠保護層來製備電子顯微鏡試片。為了實施數個實施例之不同特徵，以下提供許多不同實施例。以下將討論元件與配置方式的特定實施方式以簡化本發明之敘述。當然，這些實施例僅用以舉例而非用以限定本發明。例如，敘述中若提及形成第一材料層於第二材料層上時，可能包括第一材料層與第二材料層直接接觸的實施方式，並亦可能包括第一材料層與第二材料層間形成有額外材料層，使得第一材料層與第二材料層並非直接接觸的實施方式。此外，在本發明之敘述中，不同實施例可能重複使用相同或相似的標號。重複使用係為了簡化與清楚化本發明之敘述，不代表不同實施例及/或結構間之關聯。

在進入本發明的說明之前，以下先配合第1A－1B圖、第2圖、及第3A－3C圖說明本案發明人所知的一種電子顯微鏡試片及其製備流程。但應注意的是，以下的說明並非此技術領域之公知常識，僅用來顯示發明人所發現的問題。

請參照第1A圖，其顯示待測試片100之上視立體圖。待測試片100包括待觀察特徵102(例如是顆粒)於其上。將待測試片100導入聚焦離子束(focused ion beam,FIB)設備中，並利用聚焦離子束轟擊待測試片100以於待觀察特徵 102附近形成標記104(例如數個圓形凹洞)以標示出待薄化區106。待薄化區106中之部分待測試片將於後續製程中被切割移除或薄化，以製得包含待觀察特徵102之薄化的電子顯微鏡試片。

如第1B圖所示，由於切割移除或薄化待薄化區106以製備薄化的電子顯微鏡試片時，需使用聚焦離子束進行切割與研磨，為了避免聚焦離子束對待觀察特徵102造成傷害並提供切割過程中所需強度，需於待薄化區106上形成AB膠層108與覆蓋層110(例如鉑覆蓋層)。請同時參照第2圖，其顯示以沿a－a切線觀察第1B圖之待測試片100時的側邊剖面圖。如第1B圖與第2圖所示，利用吸針(未顯示)吸取AB膠並將其點膠至待薄化區106上而形成AB膠層108。接著，於AB膠層108上形成覆蓋層110(例如鉑覆蓋層)。如第2圖所示，AB膠層108可避免聚焦離子束及覆蓋層110傷害待觀察特徵102，而覆蓋層110可提供薄化後之電子顯微鏡試片較高的強度以避免試片變形。

在形成AB膠層108與覆蓋層110後，便可對標記104所定義出之待薄化區106進行各種切割與薄化製成而製備電子顯微鏡試片。

前述之方法雖可用以於電子顯微鏡試片上形成保護待觀察特徵102之AB膠層108，然而實際操作中會面臨問題而使電子顯微鏡試片之製備成功率與品質不佳。

如第3A圖所示，在實際的操作中，當將AB膠點膠至標記104所標示出之待薄化區106以形成AB膠層108時， 往往無法如第1B圖所示般順利。實際上，由於AB膠流動性高且凝固時易收縮，容易造成AB膠層108蓋住標記104或無法一點到定位。當AB膠層108因凝固而收縮而無法覆蓋於待觀察特徵102上時，需重複點膠直至順利蓋於待觀察特徵102上，相當耗時費工。而且，在AB膠點膠過程中，很容易溢流至待薄化區106外而蓋在標記104上。由於AB膠凝固速度很快，一旦流至標記104上將難以清除。第3B圖顯示待測試片100之剖面圖，其中AB膠層108溢流至標記104上方而凝固。第3C圖顯示第3A圖與第3B圖所示AB膠層108蓋住標記104之上視照片。一旦標記104被蓋住，將難以以標記104為參考位置而定義出待薄化區106，使電子顯微鏡試片之製作難以進行。AB膠層108一旦凝固會造成電子顯微鏡試片的消耗，尤其對於部分珍貴的稀少試片，影響更鉅。此外，即使AB膠點膠時未發生溢流而沒有蓋住標記104，以AB膠製備電子顯微鏡試片仍會有其他問題。例如，AB膠層108與待觀察特徵102之間的界面不容易分辨，且AB膠層108在聚焦離子束切割試片的過程中，易產生大氣泡，影響試片的強度與觀察結果。此外，AB膠層108還有厚度不易控制的問題。

為了改善以AB膠形成AB膠層108來保護待觀察特徵102所遭遇之問題，本發明提供一種新穎的電子顯微鏡試片及其製備方法與一種電子顯微鏡試片的點膠裝置。本發明實施例透過以熱熔膠保護層取代AB膠層，可改善製備電子顯微鏡試片時所遭遇的點膠困難。

第4A－4F圖及第5A－5C圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡試片及其製備流程，其中相似元件仍繼續以相同的標號標示。請參照第4A圖，其顯示待測試片100之上視立體圖。首先，提供待測試片100，其包括待觀察特徵102(例如包括顆粒、析出物、差排、界面、或開口等)於其上。接著，於待測試片100上形成標記104以標示出待薄化區106，其中待觀察特徵102位於待薄化區106中。在一實施例中，可將待測試片100導入聚焦離子束(focused ion beam,FIB)設備中，並利用聚焦離子束轟擊待測試片100以於待觀察特徵102附近形成標記104(例如數個圓形凹洞)以標示出待薄化區106。待薄化區106中之部分待測試片將於後續製程中被切割移除或薄化，以製得包含待觀察特徵102之薄化的電子顯微鏡試片。

如第4B圖所示，由於切割移除或薄化待薄化區106以製備薄化的電子顯微鏡試片時，需使用聚焦離子束進行切割與研磨，為了避免聚焦離子束對待觀察特徵102造成傷害並提供切割過程中所需強度，且避免前述使用AB膠層108所造成點膠困難與試片品質不佳之問題，本發明實施例係於待薄化區106上形成熱熔膠保護層408以取代AB膠層108。請同時參照第5A圖，其顯示沿a－a切線觀察第4B圖之待測試片100時的側邊剖面圖。如第4B圖與第5A圖所示，將熔融的熱熔膠點膠至待薄化區106，經冷卻後於待觀察特徵102上形成熱熔膠保護層408而完成本發明實施例中初步的電子顯微鏡試片之製作。例如，可利用吸 針(未顯示)吸取熔融的熱熔膠並將其點膠至待薄化區106上而形成熱熔膠保護層408。

適合本發明之熱熔膠的材質較佳為黏稠度可隨溫度調控之材質，例如包括石臘，其熔融溫度或軟化溫度約介於40℃－120℃之間。熱融膠的點膠範圍或厚度可經由控制熔融的熱熔膠之溫度，而使熔融的熱熔膠之流動性可透過溫度而獲得控制，例如可升高溫度以提高流動性或降低溫度以降低流動性。因而，使熱熔膠保護層408之點膠範圍可控制在待觀察特徵102上，而不覆蓋於標記104上，並能較輕易地控制熱熔膠保護層408之厚度。可有效地避免例如第3A－3C圖所示的溢流問題。此外，萬一不慎將熔融的熱熔膠點膠在標記104上或者點膠位置錯誤，可進行一重工步驟來重新點膠。有效地避免AB膠層108點膠失敗而凝固所造成之試片毀損。重工步驟例如包括加熱熱熔膠保護層408使其熔融而流動性提高，並將其移除。接著，可再次將熔融的熱融膠點膠至待薄化區106，經冷卻後便可於待觀察特徵102上再次形成熱熔膠保護層408。熱熔膠保護層408經由控制其溫度或視情況使用重工步驟，可正確地點膠於待觀察特徵102上，而不覆蓋於標記104上，使後續之電子顯微鏡試片之製備可順利進行。

在一些實施例中，熱熔膠保護層408之形成可於本發明實施例之電子顯微鏡的點膠裝置上進行。第6圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡的點膠裝置上視圖。如第6圖所示，點膠裝置600包括導熱基板602，包含試片放置區604 與熱熔膠放置區606，分別用以放置待測試片100與熱熔膠408a。點膠裝置600還包括加熱單元608，用以加熱導熱基板602。點膠裝置600中各元件之配置、位置、及形狀不限於第6圖所示之方式。加熱單元608不限於位於導熱基板602旁，舉凡加熱單元608提供之熱能可順利傳遞至導熱基板602之配置方式，皆在本發明實施例之涵蓋範圍內。例如，加熱單元608可位於導熱基板602的正下方。導熱基板602之材質可包括任何導熱良好的材質，如鋁、銅、銀、金、或前述之組合。加熱單元608可包括電阻式加熱器，可透過調整輸入之電源而控制導熱基板602之溫度。在一實施例中，熱熔膠放置區606中更包括放置了熱熔膠408a，其材質例如可包括石臘。

在一實施例中，可將第4A圖所示之待測試片100放置於第6圖所示之點膠裝置600的試片放置區604上。接著，利用加熱單元608加熱導熱基板602而使熱熔膠放置區606上之熱熔膠熔融。接著，可如上述利用吸針610將熔融的熱熔膠點膠至待薄化區106上。並透過加熱單元608調整熱熔膠之溫度，使其經由冷卻而形成熱熔膠保護層408(如第4B圖)所示。此外，吸針610可直接架設於點膠裝置600上，用來吸取熱熔膠放置區606之熱熔膠408a，並將其點膠至待測試片100上的特定位置上。

接著，可選擇性地於熱熔膠保護層408上形成覆蓋層110(例如鉑覆蓋層、鎢覆蓋層、或前述之組合)以進一步加強電子顯微鏡試片之強度以及加強對於待觀察特徵102之 保護。覆蓋層110例如可以物理氣相沉積之方式形成。如第5A圖所示，熱熔膠保護層408可避免聚焦離子束及覆蓋層110傷害待觀察特徵102，而覆蓋層110可提供薄化後之電子顯微鏡試片較高的強度以避免試片變形。

此外，在一些實施例中，在將熔融的熱熔膠點膠至待薄化區106前，可視情況於待薄化區106上先形成界面層(未顯示)。例如，當待觀察特徵102包括在電子顯微鏡之觀察下，不易與熱熔膠保護層408區分之材質時(例如氧化物)，薄的界面層可輔助區分待觀察特徵102與熱熔膠保護層408。可例如以物理氣相沉積法形成鉑之薄層以作為界面層。

在形成熱熔膠保護層408及覆蓋層110後，請接著參照第4C圖，其顯示待薄化片狀結構116之形成。為簡化圖式，熱熔膠保護層408與覆蓋層110未繪於第4C圖中。首先，於待薄化區106之兩側分別形成第一凹槽112與相對之第二凹槽114以形成待薄化片狀結構116。例如，可利用聚焦離子束於待薄化區106之兩側分別移除部份的待測試片100以形成第一凹槽112及第二凹槽114。第一凹槽112及第二凹槽114之切割位置與大小係參考標記104之相對位置，因而形成包含待觀察特徵102之待薄化片狀結構116。

請接著參照第4D圖，其顯示沿b－b切線觀察第4C圖之待測試片100及待薄化片狀結構116時的側邊剖面圖。如第4D圖所示，待薄化片狀結構116與待測試片100之 間具有底部接合118與側壁接合120。接著，如第4E圖所示，於待薄化片狀結構116之側壁進行U型切割(例如使用聚焦離子束)以形成貫穿第一凹槽112與第二凹槽114之U型溝槽121。U型溝槽121完全分離待薄化片狀結構116與待測試片100間之底部接合118，並部分分離側壁接合120。第5B圖顯示沿a－a切線觀察第4E圖之待測試片100及待薄化片狀結構116時的側邊剖面圖。此時，待薄化片狀結構116透過餘留側壁接合120a與待測試片100連結而懸掛於第一凹槽112與第二凹槽114之間。

最後，請參照第4F圖與第5C圖(沿a－a切線觀察第4F圖之待測試片100及薄化的電子顯微鏡試片422時的側邊剖面圖)。將待薄化片狀結構116薄化，例如可使用聚焦離子束將待薄化片狀結構116薄化至厚度約100~200奈米或更小的厚度。接著，完全分離側壁接合而獲得薄化的電子顯微鏡試片。例如，可以聚焦離子束切割移除餘留側壁接合120a，以製得薄化的電子顯微鏡試片422。薄化的電子顯微鏡試片422可以細玻璃管吸出(例如透過静電力)。薄化的電子顯微鏡試片422可放置於鍍有導電膜之銅網上以進行穿透式電子顯微鏡之分析。

本發明實施例之電子顯微鏡試片包括待測試片，其包括待觀測特徵以及位於待觀測特徵上之熱熔膠保護層。待測試片可為如第4B或5A圖所示尚未切割與薄化之試片，亦可為如第4F或5C圖所示的薄化試片。此外，本發明實施例之電子顯微鏡試片除了包括穿透式電子顯微鏡試片 外，亦可為以相似之方法製備掃描式電子顯微鏡試片。例如，一實施例之電子顯微鏡試片僅需於其上點膠形成熱熔膠保護層而保護待觀察特徵，可不需進一步的切割與薄化便能用作掃描式電子顯微鏡試片。

本發明實施例具有許多優點，熱熔膠保護層408經由控制其溫度或視情況使用重工步驟，可正確地點膠於待觀察特徵102上，而不覆蓋於標記104上，可有效避免AB膠點膠容易失敗的問題，且能較輕易地控制熱熔膠保護層408之厚度。此外，熱熔膠保護層408(例如石臘)之使用還可進一步避免AB膠層108與待觀察特徵之間的界面不容易分辨，且易產生大氣泡的問題。熱融膠保護層408可提供清楚的界面辨識，且於切割試片時不會產生大氣泡而影響試片之強度。第7A－7D圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡試片與使用AB膠之試片的TEM照片比較圖。第7A－7B圖顯示當待觀察特徵是一顆粒時，使用AB膠之試片(第7A圖)與使用材質為石臘之熱熔膠保護層之試片(第7B圖)的TEM照片。第7C－7D圖顯示當待觀察特徵是一介層窗開口時，使用AB膠之試片(第7C圖)與使用材質為石臘之熱熔膠保護層之試片(第7D圖)的TEM照片。比較第7A圖與第7B圖可知，石臘保護層(白色)可較輕易地與顆粒上的金屬層(黑色)區別，使顆粒之觀察較容易。若使用AB膠(第7A圖)，AB膠(黑色)與顆粒間之界面不易區別。請再比較第7C圖與第7D圖，使用熱熔膠保護層之試片不會產生大氣泡而提供較佳的保護，而使用AB膠之試片會產生許多 大氣泡。因此，本發明實施例之電子顯微鏡試片及其製法，可提供成功率較高且品質較好的電子顯微鏡觀察，並能透過重工步驟以避免電子顯微鏡試片之消耗。本發明實施例之點膠裝置，更可輔助電子顯微鏡試片的製備。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧待測試片

102‧‧‧待觀察特徵

104‧‧‧標記

106‧‧‧待 薄化區

108‧‧‧AB膠層

110‧‧‧覆蓋層

112‧‧‧第一凹槽

114‧‧‧ 第二凹槽

116‧‧‧待薄化片狀結構

118‧‧‧底部接合

120‧‧‧側 壁接合

121‧‧‧U型溝槽

120a‧‧‧餘留側壁接合

422‧‧‧薄化的 電子顯微鏡試片

408‧‧‧熱熔膠保護層

600‧‧‧點膠裝置

602‧‧‧ 導熱基板

604‧‧‧試片放置區

606‧‧‧熱熔膠放置區

408a‧‧‧ 熱熔膠

608‧‧‧加熱單元

610‧‧‧吸針

第1A－1B圖顯示本案發明人所知的一種電子顯微鏡試片及其製備流程。

第2圖顯示本案發明人所知的一種電子顯微鏡試片製備流程中的側邊視角圖。

第3A－3C圖分別顯示本案發明人所知的一種電子顯微鏡試片製備流程中之上視立體圖、側邊視角圖、及上視照片。

第4A－4F圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡試片及其製備流程。

第5A－5C圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡試片及其製備流程的側邊視角圖。

第6圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡的點膠裝置上視圖。

第7A－7D圖顯示本發明實施例之電子顯微鏡試片與使用AB膠之試片的TEM照片比較圖。

100‧‧‧待測試片

102‧‧‧待觀察特徵

104‧‧‧標記

106‧‧‧待 薄化區

408‧‧‧熱熔膠保護層

110‧‧‧覆蓋層

Claims (27)

1. 一種電子顯微鏡試片的點膠裝置，包括：一導熱基板，包含一試片放置區與一熱熔膠放置區，該試片放置區用以放置試片，該熱熔膠放置區用以放置熱熔膠；以及一加熱單元，用以加熱該導熱基板並使該熱熔膠放置區升溫，其中該熱熔膠放置區所放置之該熱熔膠用於對該試片放置區上之該試片的一待薄化區點膠，並經冷卻後於該試片之一待觀察特徵上形成一熱熔膠保護層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置，其中該加熱單元包括電阻式加熱器。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置，其中該導熱基板包括鋁、銅、銀、金、或前述之組合。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置，其中該熱熔膠放置區更包括一熱熔膠。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置，其中該熱熔膠包括石臘。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置，更包括一吸針，用以吸取該熱熔膠放置區之一熱熔膠，並將該熱熔膠點膠至該試片放置區之一試片上的特定位置。
7. 一種製備電子顯微鏡試片的方法，包括：提供一待測試片，包括一待觀察特徵； 於該待測試片上形成一標記，用以標示出一待薄化區，其中該待觀察特徵位於該待薄化區中；以及將一熔融的熱熔膠點膠至該待薄化區，經冷卻後於該待觀察特徵上形成一熱熔膠保護層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，更包括將該待測試片放置於如申請專利範圍第1項所述之電子顯微鏡試片的點膠裝置上，並利用該加熱單元加熱該熱熔膠放置區上之一熱熔膠以產生該熔融的熱熔膠。
9. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中將該熔融的熱熔膠點膠至該待薄化區之步驟包括以一吸針吸取該熔融的熱熔膠，並將該熔融的熱熔膠點膠至該待薄化區上。
10. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中形成該標記之步驟包括使用聚焦離子束轟擊該待測試片，以於該待薄化區附近形成該標記。
11. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該熔融的熱熔膠包括石臘。
12. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該熱熔膠保護層不覆蓋於該標記上。
13. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，更包括一重工步驟，包括加熱該熱熔膠保護層，使該熱熔膠保護層熔融並將其移除，並再次將該熔融的熱熔膠點膠至該待薄化區，經冷卻後於該待觀察特徵上再次 形成該熱熔膠保護層。
14. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，在將該熔融的熱熔膠點膠至該待薄化區前，更包括於該待薄化區上形成一界面層。
15. 如申請專利範圍第14項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該界面層包括鉑。
16. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，更包括於該熱熔膠保護層上形成一覆蓋層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該覆蓋層包括鉑、鎢、或前述之組合。
18. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，更包括：於該待薄化區之兩側分別形成一第一凹槽與一相對之第二凹槽，以形成一待薄化片狀結構，該待薄化片狀結構與該待測試片之間具有一底部接合與一側壁接合；於該待薄化片狀結構的側壁進行一U型切割，以於該待薄化片狀結構的側壁形成貫穿該第一凹槽與該第二凹槽之U型溝槽，該U型溝槽完全分離該底部接合並部分分離該側壁接合；將該待薄化片狀結構薄化；以及完全分離該側壁接合而獲得一薄化的電子顯微鏡試片。
19. 如申請專利範圍第18項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該第一凹槽與第二凹槽之形成、該U型切 割、該待薄化片狀結構之薄化、或該側壁接合之完全分離包括使用聚焦離子束來進行。
20. 如申請專利範圍第7項所述之製備電子顯微鏡試片的方法，其中該待觀測特徵包括顆粒、缺陷、或開口。
21. 一種電子顯微鏡試片，包括：一待測試片，包括一待觀測特徵；以及一熱熔膠保護層，位於該待觀測特徵上。
22. 如申請專利範圍第21項所述之電子顯微鏡試片，其中該熱熔膠保護層包括石臘。
23. 如申請專利範圍第21項所述之電子顯微鏡試片，其中該待測試片包括薄化的電子顯微鏡試片。
24. 如申請專利範圍第21項所述之電子顯微鏡試片，更包括一界面層，位於該待觀測特徵與該熱熔膠保護層之間。
25. 如申請專利範圍第24項所述之電子顯微鏡試片，其中該界面層包括鉑。
26. 如申請專利範圍第21項所述之電子顯微鏡試片，更包括一覆蓋層，位於該熱熔膠保護層上。
27. 如申請專利範圍第26項所述之電子顯微鏡試片，該覆蓋層包括鉑、鎢、或前述之組合。