TWI432676B - 發光模組 - Google Patents
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Description
本發明有關於一種發光模組,特別是有關一種用以改善導光板出光面之線性亮紋之發光模組。
現階段之發光模組中,含有線性凹溝或凸條之微結構圖案之導光板系統中,其一面間隔地配置有多個線性凹溝或凸條之微結構圖案。由於導光板發光時,出光面對應各線性凹溝或凸條之位置,會顯示出多條對應之線性亮紋,導致出光面整體之出光不均勻,必須使用更多的光學覆蓋片來彌補,相當耗費材料成本,有待加以進一步改良。
為此,若能提供一種發光模組的設計,可滿足上述之需求,或至少為具有此缺陷提供一種解決之道,即成為亟待解決之一重要課題。
本發明為揭露一種發光模組,用以改善導光板出光面非預期之線性亮紋,均勻化導光板出光面之出光亮度。
本發明所提供之一種發光模組,包含一第一光源及一導光板。導光板包含一第一入光面、一出光面、一反射面、多個第一立體單元群及一第二立體單元群。第一光源朝第一入光面發光。出光面包含多個線性立體單元相互平行且間隔地配置於出光面上。反射面與出光面相互對立。第一入光面介於出光面及反射面之間,第一入光面平行各線性立體單元。第一立體單元群分別一對一地位於反射面對應此些線性立體單元之一垂直投影位置內,各第一立體單元群包含多個相互平行之第一線性微結構,第一線性微結構皆平行線性立體單元。第二立體單元群位於反射面上除了第一立體單元群以外之其他區域。第二立體單元群係由多個相互平行之第二線性微結構所組成,第二線性微結構皆平行線性立體單元,第二線性微結構於反射面上之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係隨著第二線性微結構分別與第一入光面之距離大小成正比。第一線性微結構不同於第二線性微結構。
以下將以圖示及詳細說明清楚說明本發明之精神,如熟悉此技術之人員在瞭解本發明之實施例後,當可由本發明所教示之技術,加以改變及修飾,其並不脫離本發明之精神與範圍。
請參照第1圖所示,第1圖繪示本發明發光模組於第一實施例下之立體示意圖。
第一實施例中,發光模組100包含一第一光源200及一導光板300。第一光源200例如是發光二極體燈條(LED light bar),包含多個發光二極體元件210。導光板300包含相互對立之一出光面320及一反射面330,以及環繞其出光面320與反射面330之多個側邊,其中任一側邊的面積小於出光面320或反射面330之面積,且介於出光面320及反射面330之間。其中一側邊可當作一第一入光面310,以使第一光源200配置於第一入光面310之一旁,而可供朝第一入光面310發光。出光面320上平行且間隔地配置有多個線性立體單元321。線性立體單元321共同之長軸走向(如Y軸方向)與第一入光面310之長軸走向(如Y軸方向)平行。線性立體單元321於此實施例中為凸條(如V型凸條600B),然而,本發明於此實施例中並不限線性立體單元為凸條或凹溝。
線性立體單元321具有一垂直落差V及一最大寬度T及一分布密度。線性立體單元321之垂直落差V即凸條之垂直最高高度或凹溝之垂直最深深度。線性立體單元321之最大寬度T即凸條或凹溝之截面績之最大寬度。此些線性立體單元321之分布密度例如可視任二相鄰線性立體單元321間之距離S大小,其距離越小,密度越大,反之,小其距離越大,密度越小。線性立體單元321之垂直落差V、最大寬度T與分布密度(如距離S)至少其中之一彼此皆相同,此實施例中,線性立體單元321之垂直落差V、最大寬度T與分布密度(如距離S)彼此皆相同。
導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。此些第一立體單元群400分別一對一地充分位於此些線性立體單元321分別對應於反射面330之垂直投影位置330P內。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構410所組成。此些第一線性微結構410之長軸走向(如Y軸方向)相互平行,且也與線性立體單元321及第一入光面310之長軸走向(如Y軸方向)相互平行。
此些第一線性微結構410具有多種第一亮度影響變數,亮度影響變數意指可影響反射光線於反射面330之亮度的因子。第一亮度影響變數之種類例如包含此些第一線性微結構410於反射面330上之垂直落差及最大寬度及分布密度。此實施例中,各第一立體單元群400中之此些第一線性微結構410之第一亮度影響變數皆一致,即各第一立體單元群400中之此些第一線性微結構410於反射面330上之垂直落差H、最大寬度W及分布密度(如間距G)彼此皆一致(參閱第2A圖)。
第二立體單元群500位於反射面330上除了此些第一立體單元群400之其他區域。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510所組成。第二線性微結構510之長軸走向(如Y軸方向)皆與此些線性立體單元321、第一線性微結構410及第一入光面310之長軸走向(如Y軸方向)相互平行。
請參照第1圖所示,此些第二線性微結構510具有多種第二亮度影響變數,亮度影響變數意指可影響反射光線於反射面330之亮度的因子。第二亮度影響變數之種類例如包含此些第二線性微結構510於反射面330上之垂直落差及最大寬度及分布密度。此些第二亮度影響變數其中之一係隨著第二線性微結構510與第一入光面310之距離大小成正比,意即,第二線性微結構510與第一入光面310之距離越大,此第二亮度影響變數之值越大,可供反射光線之亮度越大,詳見後文。
請參照第2A圖~第2C圖所示,第2A圖繪示本發明發光模組101a於第一實施例於一變化下之側視圖。;第2B圖繪示本發明發光模組101b於第一實施例於另一變化下之側視圖;以及第2C圖繪示本發明發光模組101c於第一實施例於又一變化下之側視圖。
參閱第2A圖所示,此些第二線性微結構510a於反射面330上之垂直落差係隨著此些第二線性微結構510a分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第二線性微結構510a,其垂直落差將逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個第二線性微結構510a之一垂直落差H1小於較遠離第一入光面310之一個第二線性微結構510a之一垂直落差H2,而此垂直落差H2小於更遠離第一入光面310之其中一個第二線性微結構510a之垂直落差H3,即垂直落差H1<垂直落差H2<垂直落差H3。此外,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構410之垂直落差皆小於第二立體單元群500之第二線性微結構510a之垂直落差。
參閱第2B圖所示,此些第二線性微結構510b於反射面330上之最大寬度係隨著此些第二線性微結構510b分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第二線性微結構510b,其最大寬度逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個第二線性微結構510b之一最大寬度W1小於較遠離第一入光面310之一個第二線性微結構510b之一最大寬度W2,而此最大寬度W2小於更遠離第一入光面310之其中一個第二線性微結構510b之最大寬度W3,即最大寬度W1<最大寬度W2<最大寬度W3。此外,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構410之最大寬度皆小於第二立體單元群500之第二線性微結構之最大寬度510b。
參閱第2C圖所示,此些第二線性微結構510c於反射面330上之分布密度係隨著此些第二線性微結構510c分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第二線性微結構510c,其分布密度將逐漸轉變密集。舉例來說,較接近第一入光面310之二第二線性微結構510c之間距G1大於較遠離第一入光面310之二第二線性微結構510c之間距G2,而此間距G2大於更遠離第一入光面310之其中二第二線性微結構510c之間距G3,即間距G1>間距G2>間距G3。此外,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構410之間距皆大於第二立體單元群500之第二線性微結構510c之最大寬度,意即,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構410之分布密度皆小於第二立體單元群500之第二線性微結構510c之分布密度。
如此,由於此些第一線性微結構之多種第一亮度影響變數其中之一小於此些第二線性微結構之多種第二亮度影響變數其中之一,使得相對出光面之線性立體單元之其他部份便顯得較為相對明亮,此時,出光面之線性立體單元之線性亮紋便顯得較為淡化,進而產生均勻化出光面整體之亮度。
請參照第3A圖至第3C圖所示,第3A圖繪示本發明發光模組102a於第二實施例於一變化下之側視圖;第3B圖繪示本發明發光模組102b於第二實施例於另一變化下之側視圖;第3C圖繪示本發明發光模組102c於第二實施例於又一變化下之側視圖。
第二實施例中,發光模組100包含一第一光源200及一導光板300。導光板300包含一出光面320、一反射面330及第一入光面310,出光面320包含多個線性立體單元321。導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構411a~411c所組成。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510a~510c所組成。
第二實施例之第一光源200之特徵、導光板300之特徵、線性立體單元321之排列及第二線性微結構510a~510c之排列皆與第一實施例大致相同,以下僅就不同之處加以描述,其相同之處便不再加以贅述。
此第二實施例中,此些第一亮度影響變數其中之一係隨著第一線性微結構411a~411c與第一入光面310之距離大小成正比,意即,第一線性微結構411a~411c與第一入光面310之距離越大,此第一亮度影響變數之值越大,可供反射光線之亮度越大。意即,此些第一線性微結構411a~411c於反射面330上之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係隨著第一線性微結構411a~411c與第一入光面310之距離大小成正比。
參閱第3A圖所示,此些第一線性微結構411a於反射面330上之垂直落差係隨著此些第一線性微結構411a分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第一線性微結構411a,其垂直落差將逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個第一線性微結構411a之一垂直落差H4小於較遠離第一入光面310之一個第一線性微結構411a之一垂直落差H5,而此垂直落差H5小於更遠離第一入光面310之其中一個第一線性微結構411a之垂直落差H6,即垂直落差H4<垂直落差H5<垂直落差H6。此外,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構411a之垂直落差皆小於其兩相對側之第二立體單元群500內的此些第二線性微結構510a之垂直落差。
參閱第3B圖所示,此些第一線性微結構411b於反射面330上之最大寬度係隨著此些第一線性微結構411b分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第一線性微結構411b,其最大寬度逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個第一線性微結構411b之一最大寬度W4小於較遠離第一入光面310之一個第一線性微結構411b之一最大寬度W5,而此最大寬度W5小於更遠離第一入光面310之其中一個第一線性微結構411b之最大寬度W6,即最大寬度W4<最大寬度W5<最大寬度W6。此外,各第一立體單元群400之此些第一線性微結構411b之最大寬度皆小於其兩相對側之第二立體單元群500內的此些第二線性微結構510b之最大寬度。
參閱第3C圖所示,此些第一線性微結構411c於反射面330上之分布密度係隨著此些第一線性微結構411c分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之第一線性微結構411c,其分布密度將逐漸轉變密集。舉例來說,較接近第一入光面310之二第一線性微結構411c之間距G4大於較遠離第一入光面310之二第一線性微結構411c之間距G5,而此間距G5大於更遠離第一入光面310之其中二第一線性微結構411c之間距G6,即間距G4>間距G5>間距G6。各第一立體單元群400之此些第一線性微結構411c之分布密度皆大於其兩相對側之第二立體單元群500內的此些第二線性微結構510c之分布密度。
請參照第4A圖至第4C圖所示,第4A圖繪示本發明發光模組103a於第三實施例於一變化下之側視圖;第4B圖繪示本發明發光模組103b於第三實施例於另一變化下之側視圖;以及第3C圖繪示本發明發光模組103c於第三實施例於又一變化下之側視圖。
第三實施例中,發光模組100包含一第一光源200及一導光板300。導光板300包含一出光面320、一反射面330及第一入光面310,出光面320包含多個線性立體單元321。導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構412a~412c所組成。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510a~510c所組成。
第三實施例之第一光源200之特徵、導光板300之特徵、線性立體單元321之排列及第二線性微結構510之排列皆與第一實施例大致相同,以下僅就不同之處加以描述,其相同之處便不再加以贅述。
此第三實施例中,各第一立體單元群400中之所有該些第一線性微結構412a~412c之此些第一亮度影響變數其中之一係以位於中間位址之第一線性微結構412a~412c分別朝其兩旁第一線性微結構412a~412c之方向產生遞減。意即,各第一立體單元群400中之所有平行排列之第一線性微結構412a~412c(如N個)中之一中間順位(N/2或(N/2)+1)之第一線性微結構412a~412c,例如此第一立體單元群400之所有平行排列之第一線性微結構412a~412c為N個,中間順位之第一線性微結構為第N/2或(N/2)+1個。具體來說,此些第一線性微結構412a~412c於反射面330上之垂直落差V、最大寬度T及分布密度至少其中之一係隨著中間順位之第一線性微結構412a~412c分別朝其兩旁第一線性微結構412a~412c之方向產生遞減。此些第二線性微結構510a~510c於反射面330上之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一仍隨著第二線性微結構510a~510c與第一入光面310之距離大小成正比。
參閱第4A圖所示,任一第一立體單元群400中之此些第一線性微結構412a於反射面330上之垂直落差係隨著中間順位之第一線性微結構412a分別朝其兩旁第一線性微結構412a之方向產生遞減,意即,此些第一線性微結構412a中越遠離位於中間順位(位於一通過線性立體單元321頂點之假想中線C)之第一線性微結構412a,其垂直落差越小。舉例來說,中間順位之第一線性微結構412a之垂直落差H7大於其一旁之第一線性微結構412a之垂直落差H8。
參閱第4B圖所示,任一第一立體單元群400中之此些第一線性微結構412b於反射面330上之最大寬度係隨著中間順位之第一線性微結構412b分別朝其兩旁第一線性微結構412b之方向產生遞減,意即,此些第一線性微結構412b中越遠離位於中間順位(位於一通過線性立體單元321頂點之假想中線C)之第一線性微結構412b,其最大寬度越小。舉例來說,中間順位之第一線性微結構412b之最大寬度W7大於其一旁之第一線性微結構412b之最大寬度W8。
參閱第4C圖所示,任一第一立體單元群400中之此些第一線性微結構412c於反射面330上之分布密度
係隨著中間順位之二第一線性微結構412c分別朝其兩旁第一線性微結構412c之方向產生遞減,意即,此些第一線性微結構412c相鄰彼此間的間距中,越遠離位於中間順位(位於一通過線性立體單元321頂點之假想中線C)之第一線性微結構412c,其間距越大。舉例來說,中間順位之二第一線性微結構412c之間距G7小於其一旁之二第一線性微結構之間距G8。
請參照第5A圖至第5C圖所示,第5A圖繪示本發明發光模組104a於第四實施例於一變化下之側視圖;第5B圖繪示本發明發光模組104b於第四實施例於另一變化下之側視圖;以及第5C圖繪示本發明發光模組104c於第四實施例於又一變化下之側視圖。
第四實施例中,發光模組100包含一第一光源200及一導光板300。導光板300包含一出光面320、一反射面330及第一入光面310,出光面320包含多個線性立體單元321。導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構410所組成。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510所組成。
第四實施例之第一光源200之特徵、導光板300之特徵、第一線性微結構410之排列及第二線性微結構510之排列皆與第一實施例大致相同,以下僅就不同之處加以描述,其相同之處便不再加以贅述。
此實施例中,此些線性立體單元322a~322c之垂直落差V、最大寬度T與分布密度(如距離S)至少其中之一係隨著線性立體單元322a~322c分別與第一入光面310之距離大小成正比。
參閱第5A圖所示,此些線性立體單元322a於發光面320上之垂直落差係隨著此些線性立體單元322a分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之線性立體單元322a,其垂直落差將逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個線性立體單元322a之垂直落差V1小於較遠離第一入光面310之一個線性立體單元322a之垂直落差V2,而此垂直落差V2小於更遠離第一入光面310之其中一個線性立體單元322a之垂直落差V3,即垂直落差V1<垂直落差V2<垂直落差V3。
參閱第5B圖所示,此些線性立體單元322b於發光面320上之最大寬度係隨著此些線性立體單元322b分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之線性立體單元322b,其最大寬度將逐漸增大。舉例來說,較接近第一入光面310之一個線性立體單元322b之最大寬度T1小於較遠離第一入光面310之一個線性立體單元322b之最大寬度T2,而此最大寬度T2小於更遠離第一入光面310之其中一個線性立體單元322b之最大寬度T3,即最大寬度T1<最大寬度T2<最大寬度T3。
參閱第5C圖所示,此些線性立體單元322c於發光面320上之分布密度係隨著此些線性立體單元322c分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之此些線性立體單元322c,其分布密度將逐漸密集。舉例來說,較接近第一入光面310之二個線性立體單元322c之距離S1大於較遠離第一入光面310之二個線性立體單元322c之距離S2,而此距離S2大於更遠離第一入光面310之其中二個線性立體單元322c之距離S3,即距離S1<距離S2<距離S3。
請參照第6A圖至第6C圖所示,第6A圖繪示本發明發光模組105a於第五實施例於一變化下之側視圖;第6B圖繪示本發明發光模組105b於第五實施例於另一變化下之側視圖;以及第6C圖繪示本發明發光模組105c於第五實施例於又一變化下之側視圖。
第五實施例中,發光模組100包含一第一光源200及一導光板300。導光板300包含一出光面320、一反射面330及第一入光面310,出光面320包含多個線性立體單元322a~322c。導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構412a~412c所組成。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510a~510c所組成。
第五實施例之第一光源200之特徵、導光板300之特徵、第一線性微結構410之排列及第二線性微結構510之排列皆與第三實施例大致相同,以下僅就不同之處加以描述,其相同之處便不再加以贅述。
此實施例中,此些線性立體單元322a~322c之垂直落差V、最大寬度T與分布密度(如距離S)至少其中之一係隨著線性立體單元322a~322c分別與第一入光面310之距離大小成正比。
參閱第6A圖所示,此些線性立體單元322a於發光面320上之垂直落差係隨著此些線性立體單元322a分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之線性立體單元322a,其垂直落差將逐漸增大。可參考第5A圖之例子來說,較接近第一入光面310之一個線性立體單元322a之垂直落差V1小於較遠離第一入光面310之一個線性立體單元322a之垂直落差V2,而此垂直落差V2小於更遠離第一入光面310之其中一個線性立體單元322a之垂直落差V3,即垂直落差V1<垂直落差V2<垂直落差V3。
參閱第6B圖所示,此些線性立體單元於發光面上之最大寬度係隨著此些線性立體單元分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之線性立體單元,其最大寬度將逐漸增大。可參考第5B圖之例子來說,較接近第一入光面310之一個線性立體單元322b之最大寬度T1小於較遠離第一入光面310之一個線性立體單元322b之最大寬度T2,而此最大寬度T2小於更遠離第一入光面310之其中一個線性立體單元322b之最大寬度T3,即最大寬度T1<最大寬度T2<最大寬度T3。
參閱第6C圖所示,此些線性立體單元於發光面上之分布密度係隨著此些線性立體單元分別與第一入光面310之距離大小成正比,意即,沿著X軸方向,越遠離第一入光面310之此些線性立體單元,其分布密度將逐漸密集。可參考第5C圖之例子來說,較接近第一入光面310之二個線性立體單元322c之距離S1大於較遠離第一入光面310之二個線性立體單元322c之距離S2,而此距離S2大於更遠離第一入光面310之其中二個線性立體單元322c之距離S3,即距離S1<距離S2<距離S3。
請參照第7圖所示,第7圖繪示本發明發光模組於第六實施例之側視圖。
發光模組106包含一導光板300、一第一光源200及一第二光源22()。第一光源200與第二光源220例如是發光二極體燈條(LED light bar),包含多個發光二極體元件210a(同第1圖所示)。導光板300包含相互對立之一出光面320及一反射面330,以及環繞其出光面320與反射面330之多個側邊,其中任一側邊的面積小於出光面320或反射面330之面積,且介於出光面320及反射面330之間。其中兩相對側邊可當作一第一入光面310以及第二入光面312。第一光源200配置於第一入光面310之一旁,而可供朝第一入光面310發光。第二光源220配置於第二入光面312之一旁,而可供朝第二入光面312發光。出光面320上平行且間隔地配置有多個線性立體單元321。
導光板300之反射面330更包含多個第一立體單元群400及一第二立體單元群500。各第一立體單元群400係由多個第一線性微結構410所組成。第二立體單元群500係由多個相互平行之第二線性微結構510所組成。此些線性立體單元321彼此皆相同,即此些線性立體單元321之垂直落差、最大寬度與分布密度彼此皆相同。各第一立體單元群400中之所有第一線性微結構410彼此皆相同,即
各第一立體單元群400中之所有第一線性微結構410之垂直落差、最大寬度與分布密度彼此皆相同。此些第二線性微結構510之亮度影響變數(例如垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一)由出光面320之一假想中分線K分別朝第一入光面310與第二入光面312之方向逐漸遞減,意即越接近第一入光面310與第二入光面312之此些第二線性微結構510,其亮度影響變數越小,可供反射光線之亮度越小。上述假想中分線K係指出光面上與X軸方向垂直之一中心線,且此中心線分別至第一入光面與第二入光面之距離一致。舉例來說,最接近假想中分線K之一個第二線性微結構510所具之垂直落差H9便大於較遠離假想中分線K之另一個第二線性微結構510所具之垂直落差H10。
此外,各第一立體單元群400之第一線性微結構410之垂直落差(如H11,第7圖)小於第二線性微結構510之垂直落差(如H10,第7圖);或者/以及,各第一立體單元群400之第一線性微結構410之最大寬度小於第二線性微結構510之最大寬度(圖中未示);或者/以及,各第一立體單元群400之第一線性微結構410之分布密度小於第二線性微結構510之分布密度(圖中未示)。
第六實施例之第一光源200之特徵、第二光源200之特徵、導光板300之特徵、第一線性微結構410之排列及第二線性微結構510之排列皆與第一實施例大致相同,以下便不再加以贅述。
請參照第8A圖~第8D圖所示,第8A圖~第8D圖繪示本發明發光模組之線性立體單元或線性微結構之多種外型變化示意圖。
上述各實施例中之線性立體單元、第一線性微結構或第二線性微結構皆屬相同種類之線性光學微結構,其外型不限凸出線性光學微結構與凹陷之線性光學微結構。凸出線性光學微結構例如可為一V型凸條600B或U型凸條600C(第8C圖),然而,本發明不限於此。凹陷之線性光學微結構例如可一V型凹溝600A(第8A圖)或U型凹溝600D(第8D圖),然而,本發明不限於此。
此外,復請參閱第8A圖所示,V型凹溝600A之兩相對內壁呈凸弧狀,或著,復請參閱第8B圖所示,本發明線性立體單元之另一種外型,例如V型凸條600B之兩相對側壁呈凹弧狀。
需瞭解到,以下定義沿用於上述各實施例中:此些第一線性微結構(或第二線性微結構、線性立體單元)於反射面或出光面上所呈現出之垂直落差,係指此些第一線性微結構(或第二線性微結構、線性立體單元)自反射面或出光面表面朝其最遠凹/凸點之垂直距離。
此些第一線性微結構(或第二線性微結構、線性立體單元)於反射面或出光面上所呈現出之最大寬度,係指此些第一線性微結構(或第二線性微結構、線性立體單元)之截面積之最大寬度距離。
此些第一線性微結構(第二線性微結構或線性立體單元)於反射面或出光面上所呈現出之分布密度,係指單位面積下所具有相同數量之網點彼此之疏密程度,當此些第一線性微結構(第二線性微結構或線性立體單元)於反射面上之分布密度越大,此些第一線性微結構(第二線性微結構或線性立體單元)彼此之間越擁擠,彼此之間距越小;反之,當此些第一線性微結構(第二線性微結構或線性立體單元)於反射面上之分布密度越小,此些第一線性微結構(第二線性微結構或線性立體單元)彼此之間越疏遠,彼此之間距越大。
本發明所揭露如上之各實施例中,並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、101a~c、102a~c、103a~c、104a~c、105a~c、106...發光模組
200...第一光源
210...發光二極體
220...第二光源
300...導光板
310...第一入光面
312...第二入光面
320...出光面
321、322a、322b、322c...線性立體單元
330...反射面
330P...垂直投影位置
400...第一立體單元群
410、411a、411b、411c、412a、412b、412c...第一線性微結構
500...第二立體單元群
510、510a、510b、510c...第二線性微結構
600A...V型凹溝
600B...V型凸條
600C...U型凸條
600D...U型凹溝
V、V1、V2、V3...垂直落差
T、T1、T2、T3...最大寬度
S、S1、S2、S3...距離
H、H1~H11...垂直落差
W、W1~W8...最大寬度
G、G1~G8...間距
C...假想中線
K...假想中分線
X、Y、Z...長軸走向
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之詳細說明如下:
第1圖繪示本發明發光模組之立體示意圖。
第2A圖繪示本發明發光模組於第一實施例於一變化下之側視圖。
第2B圖繪示本發明發光模組於第一實施例於另一變化下之側視圖。
第2C圖繪示本發明發光模組於第一實施例於又一變化下之側視圖。
第3A圖繪示本發明發光模組於第二實施例於一變化下之側視圖。
第3B圖繪示本發明發光模組於第二實施例於另一變化下之側視圖。
第3C圖繪示本發明發光模組於第二實施例於又一變化下之側視圖。
第4A圖繪示本發明發光模組於第三實施例於一變化下之側視圖。
第4B圖繪示本發明發光模組於第三實施例於另一變化下之側視圖。
第4C圖繪示本發明發光模組於第三實施例於又一變化下之側視圖。
第5A圖繪示本發明發光模組於第四實施例於一變化下之側視圖。
第5B圖繪示本發明發光模組於第四實施例於另一變化下之側視圖。
第5C圖繪示本發明發光模組於第四實施例於又一變化下之側視圖。
第6A圖繪示本發明發光模組於第五實施例於一變化下之側視圖。
第6B圖繪示本發明發光模組於第五實施例於另一變化下之側視圖。
第6C圖繪示本發明發光模組於第五實施例於又一變化下之側視圖。
第7圖繪示本發明發光模組於第六實施例之側視圖。
第8A圖~第8D圖繪示本發明發光模組之線性立體單元或線性微結構之多種外型變化示意圖。
100...發光模組
200...第一光源
210...發光二極體
300...導光板
310...第一入光面
320...出光面
321...線性立體單元
330...反射面
330P...垂直投影位置
400...第一立體單元群
410...第一線性微結構
500...第二立體單元群
510...第二線性微結構
V...垂直落差
T...最大寬度
S...距離
X、Y、Z...長軸走向
Claims (15)
- 一種發光模組,包含:一第一光源;以及一導光板,包含:一出光面;多個線性立體單元,相互平行且間隔地配置於該出光面上;一反射面,與該出光面相互對立;一第一入光面,介於該出光面及該反射面之間,該第一入光面平行每一該些線性立體單元,其中該第一光源朝該第一入光面發光;多個第一立體單元群,分別一對一地充分位於該反射面對應該些線性立體單元之垂直投影位置內,每一該些第一立體單元群包含多個相互平行之第一線性微結構,該些第一線性微結構皆平行該些線性立體單元;以及一第二立體單元群,位於該反射面上除了該些第一立體單元群以外之其他區域,該第二立體單元群係由多個相互平行之第二線性微結構所組成,該些第二線性微結構皆平行該些線性立體單元,該些第二線性微結構於該反射面上之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係隨著該些第二線性微結構分別與該第一入光面之距離大小成正比,其中每一該些第一立體單元群之該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一 小於該些第二線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一。
- 如請求項1所述之發光模組,其中該些線性立體單元之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一彼此皆相同。
- 如請求項2所述之發光模組,其中每一該些第一立體單元群中之所有該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一彼此皆相同。
- 如請求項2所述之發光模組,其中每一該些第一立體單元群中之所有該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係隨著該些第一線性微結構分別與該第一入光面之距離大小成正比。
- 如請求項2所述之發光模組,其中每一該些第一立體單元群中之所有該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係以位於中間位址之該一第一線性微結構分別朝其兩旁該些第一線性微結構之方向產生遞減。
- 如請求項1所述之發光模組,其中該些線性立體單元之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一係隨著該些線性立體單元分別與該第一入光面之距離大小成正 比。
- 如請求項6所述之發光模組,其中該些第二線性微結構於該反射面上之垂直落差係隨著該些第二線性微結構分別與該第一入光面之距離大小成正比。
- 如請求項6所述之發光模組,其中每一該些第一立體單元群中之所有該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度及分布密度至少其中之一係以位於中間位址之該一第一線性微結構分別朝其兩旁之該些第一線性微結構之方向產生遞減。
- 如請求項1所述之發光模組,更包含一第二光源,且該導光板更包含一第二入光面,其中該第二入光面相對該第一入光面,且該第二光源朝該第二入光面發光。
- 如請求項9所述之發光模組,其中該些線性立體單元共同之一長軸走向與該第一入光面及該第二入光面之長軸走向相互平行,且該些線性立體單元之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一彼此皆相同,每一該些第一立體單元群中之所有該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一彼此皆相同,且每一該些第一立體單元群之該些第一線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一小於該些第二 線性微結構之垂直落差、最大寬度與分布密度至少其中之一。
- 如請求項1所述之發光模組,其中每一該些線性立體單元為一V型凹溝或U型凹溝。
- 如請求項1所述之發光模組,其中每一該些第一線性微結構為一V型凹溝或U型凹溝。
- 如請求項1所述之發光模組,其中每一該些第二線性微結構為一V型凹溝或U型凹溝。
- 如請求項11、12或13所述之發光模組,其中該V型凹溝之兩相對內壁呈凸弧狀。
- 如請求項11、12或13所述之發光模組,其中該V型凸條之兩相對側壁呈凹弧狀。
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