TWI428529B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI428529B TW99146390A TW99146390A TWI428529B TW I428529 B TWI428529 B TW I428529B TW 99146390 A TW99146390 A TW 99146390A TW 99146390 A TW99146390 A TW 99146390A TW I428529 B TWI428529 B TW I428529B
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Description

發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置。
隨著科技的進步,人們對於發光裝置的需求日益提升,不僅要求高發光效能,更要求低耗電量,因此發光二極體(LED)便漸漸取代傳統的發光裝置。
發光二極體是一種半導體元件。發光二極體的優點在於發光效率高、反應時間快、以及不含汞。除此之外,還有耐機械衝擊、體積小、色域廣泛等優點。隨着白光發光二極體的出現,人們發現其最大的商業應用潛力即在於照明,使發光二極體儼然成為21世紀的新型光源。
但是,一般的發光二極體的出光角度約為120度,亦即發光二極體發光面法線+/-60度的立體角範圍。相較於一般傳統的光源,例如傳統燈泡或日光燈,發光二極體的出光角度明顯不足,而這也限制了發光二極體在一般照明上的應用。
本發明之一目的係提供一種發光裝置,俾能具有良好的出光均勻性以及絕佳的出光角度範圍。
根據本發明之實施例,此發光裝置包含一反射器以及一第一光源。反射器包含一第一凹面以及一第二凹面。第一凹面與第二凹面鄰接,第一及第二凹面鄰接處形成一凸脊,此凸脊之稜線大致朝一方向延伸。第一光源配置於第一凹面之相對於凸脊的一側。第一光源具有一第一發光面,第一發光面朝向凸脊。凸脊之頂部向上延伸超越第一發光面之底部,但未超越第一發光面之頂部。
如上所述之發光裝置,第一發光面具有一高度,凸脊之頂部向上延伸超越此高度的約三分之一,但未超越此高度的約三分之二。
如上所述之發光裝置,第一凹面具有一開口距離,且此第一發光面具有一高度,開口距離為此高度的約2.8倍至約5.8倍。
如上所述之發光裝置,其中第一發光面大致位於第一凹面之邊緣,第一凹面之一橫截面形狀包含一拋物線之一部,此拋物線由第一凹面之邊緣向下延伸,而在第一凹面上形成一拋物曲面。
如上所述之發光裝置,其中此拋物線之頂點位於第一發光面上,且拋物線之焦距為開口距離的約0.3倍至約0.6倍。
如上所述之發光裝置,其中第一凹面上具有複數突起結構,配置在低於第一發光面底部的位置。每一該些突起結構具有一稜線,其大致平行於凸脊之稜線。
如上所述之發光裝置,其中每一突起結構至少鄰接此些突起結構中之另一突起結構,而在第一凹面上形成一波浪狀表面。
如上所述之發光裝置,更包括一第二光源配置於第二凹面之相對於凸脊之一側,第二光源具有一第二發光面朝向凸脊。
如上所述之發光裝置,其中凸脊頂部之相對兩側形成一夾角為約100度至約140度。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備,下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述;但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各種實施方式或實施例,在有益的情形下可相互組合或取代,也可在一實施例中附加其他的實施例,而無須進一步的記載或說明。
第1圖繪示本發明一實施方式之發光裝置100的立體示意圖。第2圖繪示第1圖中沿2-2’線段之剖面示意圖。如第1圖所示,發光裝置100包含反射器110以及第一光源120。
反射器110包含第一凹面111以及第二凹面112,且第一凹面111鄰接於第二凹面112。第一凹面111與第二凹面112鄰接處形成一凸脊113,凸脊113之稜線151大致朝方向D延伸。在一實施例中,第二凹面112與第一凹面111為鏡像對稱的結構。反射器110係用以反射第一光源120所發出之光線。反射器110可為一空心殼體的結構或者為一實心的結構。在一實施例中,反射器110為塑膠材料製成的殼體,且在第一凹面111與第二凹面112上鍍有諸如銀或鋁等反射層,用以反射光線。在另一實施例中,反射器110為實心結構,其可為鋁或其他金屬所製成。
請同時參見第1圖及第2圖,第一光源120配置在第一凹面111的側邊,且第一光源120位在與凸脊113相對的位置。第一光源120具有一第一發光面121,且第一發光面121面向凸脊113。第一光源120可例如為一發光二極體(LED)燈條或其他的光源裝置。在一實施例中,第一發光面121大致與凸脊113之稜線151的延伸方向D平行。凸脊113的頂部113a向上延伸超越第一發光面121的底部121b,但不超越第一發光面121的頂部121a,如第2圖所示。
在一實施方式中,發光裝置100可更包括一第二光源130,配置在第二凹面112的一側,並與凸脊113相對。第二光源130具有一第二發光面132朝向凸脊113。在一實施例中,第二光源130大致與第一光源120平行配置,且第一發光面121與第二發光面132相對。在本發明中,第二光源130並非必要,或者第二光源130可置換為一反射鏡。
在發光裝置100包含有第一光源120以及第二光源130的實施方式中,第一光源120與第二光源130可為相同或不同的光源。舉例而言,第一光源120與第二光源130可為不同顏色的光源,並可藉由反射器110而達成混光的效果。
第一光源120朝向凸脊113的方向放射出光線。凸脊頂部113a的高度並不超越第一發光面的頂部121a,因此一部分光線將由凸脊頂部113a上方越過,而另一部分光線將被凸脊113左側的第一凹面111部分反射向上。所以,發光裝置100可以兼顧向上方向的照明以及側邊的照明。凸脊113的高度會影響向上反射光線的比例,因此可以根據實際需求而改變凸脊113的高度設計,使發光裝置100具有良好的照明均勻性以及出光角度。
在一實施例中,凸脊113的頂部113a向上延伸超越第一發光面121高度H的約三分之一處,但未超越該高度H的約三分之二處。例如,頂部113a的高度位置大致位於高度H的二分之一處。在一實施例中,凸脊頂部113a之相對兩側形成一夾角θ,此夾角θ為約100度至約140度。在另一實施例中,夾角θ為約115度至約135度。
第一凹面111、第二凹面112以及凸脊113是用來反射第一光源120及/或第二光源130所發出的光線。因此,本發明的諸多實施方式中,第一凹面111、第二凹面與凸脊113本身的形狀和尺寸特徵,以及其與第一光源120之間的相對位置或維度比例的關係,係經縝密的設計,並非不具技術意義之形狀或維度的簡單改變。從而使整體發光裝置100具有較佳的照度或亮度均勻性。
在本文中,開口距離A定義為凸脊113的最高點至第一凹面111邊緣的水平距離,如第2圖所示,此處第一凹面111邊緣是指第一凹面111配置有第一光源側的邊緣。在一實施方式中,開口距離A為第一發光面高度H的約2.8倍至約5.8倍。例如可為3倍、4倍或5倍。
開口距離A與第一發光面高度H兩者的比例,會影響發光裝置100的出光均勻性。若兩者比例設計不當,可能發生在某些出光角度上的光線強度特別弱,但在某些出光角度上的光線又特別強的現象。當開口距離A為第一發光面高度H的約2.8倍至約5.8倍時,可以在各出光角度上得到較佳的出光強度均勻性。但是,對於某些特別需求的發光裝置,例如需要特別強化某些特定方向上的出光強度,則開口距離A對第一發光面高度H的比例可能不在上述範圍。因此,本發明並不限於此。
第一凹面111的設計是重要的,其可提高發光裝置100在各出光角度上的光強度均勻性,並能有效利用第一光源120所發出之光線。舉例而言,若以LED燈條作為第一光源120,一般LED燈條的出光角度約為120度(亦即法線+/-60度的立體角),第一凹面111可用以控制第一發光面121下半部發出光線的反射方向,從而提高整體發光裝置100在各出光角度上的光強度均勻性。如果反射器110僅設計有反射凸脊,而沒有第一凹面111,則整體發光裝置的光強度均勻性並不理想。
在一實施方式中,第一凹面111的橫截面形狀包含一拋物線P的一部分,且第一發光面121大致位於第一凹面111的邊緣處。具體而言,拋物線P大致由第一凹面111靠近第一發光面121的邊緣向下延伸,而在第一凹面111上形成一拋物曲面C,如第1圖及第2圖所示。在一實施例中,拋物線P的頂點位於第一發光面121的左側,如第2圖所示,而使拋物線P大約通過第一發光面的底部121b。在另一實施例中,拋物線P的頂點可位於第一發光面121上,且拋物線P之焦距G為該開口距離A的約0.3倍至約0.6倍,例如為約0.35倍、0.4倍、0.45倍、0.5倍或0.55倍。在此,焦距G定義為拋物線P的焦點F至拋物線P的頂點的直線距離。在上述實施方式中,拋物線P的頂點不一定位在第一發光面121高度的二分之一處,拋物線P的頂點可位在第一發光面121的上半部或下半部。此外,拋物線P的軸並不一定是水平線,亦即拋物線P的頂點與焦點F可設計在不同的高度。拋物曲面C的設計有助於提高發光裝置100各出光角度上的光強度均勻性。
在另一實施方式中,第一凹面111上具有複數突起結構114,用以造成光線散射。在一實施例中,突起結構114大致朝方向D延伸,亦即每一突起結構114具有一稜線152,其大致平行於凸脊之稜線151。突起結構114具有一底部寬度W為約1 mm至約2 mm,且突起結構114的高度為底部寬度W的約四分之一至約四分之三。每一凸起結構114可以具有不同的外觀尺寸,例如可為兩種不同高度的突起結構相互交錯排列。在另一實施例中,突起結構114是配置在第一凹面111上的低於第一發光面底部121b的位置。
在又一實施例中,每一個突起結構114至少鄰接另一突起結構114,而在第一凹面111上形成一波浪狀表面。波浪狀表面銜接拋物曲面C,銜接處至第一凹面111邊緣的水平距離B為開口距離A的約0.2倍至約0.4倍。此些複數突起結構114係用以造成光線局部散射,從而改善第一凹面111向上反射光線時,在各出光角度上的均勻性。在其他實施例中,拋物曲面C與波浪狀表面的銜接處大致位於第一凹面111的最低點。
通常,LED燈條雖然具有一發光面,但是整體外觀較接近線光源。根據本發明實施例之發光裝置,可以將例如LED燈條的發光源轉變為一平面光源。此外,根據本發明實施例之發光裝置,因反射器同時設計凸脊與凹面,使發光裝置具有絕佳的出光角度範圍以及光線強度均勻性。
第3圖繪示本發明另一實施方式之發光裝置300的立體示意圖。發光裝置300包括有第一光源310、第二光源320、第三光源330、第四光源340以及反射器350。
在本實施方式中,反射器350包含有第一凸脊352以及第二凸脊356。第一凸脊352的第一稜線354大致與第二凸脊356的第二稜線358相互垂直,因此在反射器350上形成四個凹面,分別為第一凹面361、第二凹面362、第三凹面363以及第四凹面364。上述第一至第四凹面是用以反射第一、第二、第三以及第四光源(310、320、330、340)所發出的光線。
如第3圖所示,第一、第二、第三以及第四光源(310、320、330、340)配置在反射器350的週緣,且上述光源的發光面朝向反射器350。第一光源310、第二光源320大致與第一稜線354平行配置;第三光源330、第四光源340大致與第二稜線358平行配置。
第一光源310、第二光源320以及第一凸脊352的位置相對關係以及尺寸維度可與第2圖繪示之實施方式相似。簡言之,第一凸脊352之頂部向上延伸超越第一光源310以及第二光源320的底部,但是不超越第一光源310及第二光源320的頂部。
同理,第三光源330、第四光源340以及第二凸脊356的位置相對關係以及尺寸維度可與第2圖繪示之實施方式相似。因此,第二凸脊356之頂部向上延伸超越第三光源330以及第四光源340的底部,但是不超越第三光源330以及第四光源340的頂部。
此外,第一凹面361、第二凹面362、第三凹面363以及第四凹面364的形狀特徵及維度可與第2圖繪示之實施方式相似。例如,第一凹面361、第二凹面362、第三凹面363以及第四凹面364上可具有複數突起結構(未繪示);以及上述各個凹面(361、362、363、364)的橫截面形狀可包含拋物線的一部分。
在本實施方式中,第一、第二、第三以及第四光源(310、320、330、340)可為相同或不同顏色的光源。若第一、第二、第三以及第四光源(310、320、330、340)包含有兩種不同顏色的光源,則可藉由反射器350達成混合光線的效果。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100...發光裝置
110...反射器
111...第一凹面
112...第二凹面
113...凸脊
113a...頂部
114...突起結構
120...第一光源
121...第一發光面
121a...頂部
121b...底部
130...第二光源
132...第二發光面
151、152...稜線
300...發光裝置
310...第一光源
320...第二光源
330...第三光源
340...第四光源
350...反射器
352...第一凸脊
354...第一稜線
356...第二凸脊
358...第二稜線
361...第一凹面
362...第二凹面
363...第三凹面
364...第四凹面
2-2’...線段
A...開口距離
B...水平距離
C...拋物曲面
D...方向
F...焦點
G...焦距
H...高度
P...拋物線
W...寬度
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:
第1圖係繪示本發明一實施方式之發光裝置的立體示意圖。
第2圖係繪示第1圖中沿2-2’線段之剖面示意圖。
第3圖係繪示本發明另一實施方式之發光裝置的立體示意圖。
100...發光裝置
110...反射器
111...第一凹面
112...第二凹面
113...凸脊
114...突起結構
120...第一光源
121...第一發光面
130...第二光源
151、152...稜線
2-2’...線段
C...拋物曲面
D...方向

Claims (10)

  1. 一種發光裝置,包含:一反射器,包含一第一凹面以及鄰接該第一凹面之一第二凹面,該第一凹面與該第二凹面之鄰接處形成一凸脊,該凸脊之一稜線大致朝一方向延伸;以及一第一光源,配置於該第一凹面之相對於該凸脊之一側,其中該第一光源具有一第一發光面朝向該凸脊,且該凸脊之一頂部向上延伸超越該第一發光面之一底部,但未超越該第一發光面之一頂部;其中該第一凹面具有一開口距離,且該第一發光面具有一高度,該開口距離為該高度的約2.8倍至約5.8倍。
  2. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一發光面具有一高度,該凸脊之頂部向上延伸超越該高度的約三分之一,但未超越該高度的約三分之二。
  3. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一發光面大效位於該第一凹面之邊緣。
  4. 如請求項3所述之發光裝置,其中該第一凹面之一橫截面形狀包含一拋物線之一部分,該拋物線由該邊緣向下延伸,而在該第一凹面上形成一拋物曲面。
  5. 如請求項4所述之發光裝置,其中該拋物線之頂點位於該第一發光面上,且該拋物線之焦距為該開口距離的約0.3倍至約0.6倍。
  6. 如請求項1所述之發光裝置,其中該第一凹面上具有複數突起結構,配置在低於該第一發光面底部的位置。
  7. 如請求項6所述之發光裝置,其中每一該些突起結構具有一稜線,其大致平行於該凸脊之稜線。
  8. 如請求項7所述之發光裝置,其中每一該些突起結構至少鄰接該些突起結構中之另一突起結構,而在該第一凹面上形成一波浪狀表面。
  9. 如請求項1所述之發光裝置,更包括一第二光源配置於該第二凹面之相對於該凸脊之一側,其中該第二光源具有一第二發光面朝向該凸脊。
  10. 如請求項1所述之發光裝置,其中該凸脊頂部之相對兩側形成一夾角,該夾角為約100度至約140度。
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