TWI422099B - 全平面天線及其電磁能隙結構 - Google Patents

Description

全平面天線及其電磁能隙結構

本發明是有關於一種電磁能隙結構，且特別是有關於一種使用此電磁能隙結構之全平面天線。

由於科技通訊產業的快速發展，資訊產品的應用也隨之愈趨普及，例如筆記型電腦與個人數位助理等電子產品，頻繁地出現在日常周遭之中。而這不僅大幅提升生活上的便利性，亦更是在時間與空間上造成了壓縮，使得現代的每個人不再侷限制約於地理上的疆界，而能夠使彼此間更緊密的結合互動以及大量訊息知識的交流，使追求達成共同利益福祉最優化。是故，無線通訊中，天線儼然居中發揮重要功能，使得信息傳遞與知識交流更便捷、無阻礙。

在天線設計中，常使用一金屬平面做為天線的反射面或者接地平面，可以等效為一完全電導體(perfect electric conductor;PEC)。然而，倘若金屬平面與天線兩者之間距離越趨接近時，金屬平面上產生的鏡向電流(image current)，其電流方向與天線上的電流方向相反，使得電流相互抵銷，進而造成天線增益與輻射效率(radiation efficiency)不佳的結果。因此，天線與金屬接地層間的距離必須足夠大，除能有效增加天線增益(antenna gain)之外，並且能降低天線的背向輻射量(backward radiation)，進而減少不必要的能量損失。但由於現今通訊產品小型化的演進下，天線所能使用的高度往往取決於產品的整體高度，因而產生縮小化、低剖面的需求。其中，應用於筆記型電腦與個人數位助理等電子產品之內藏式天線設計，天線主要配置於顯示螢幕邊緣，天線可用的區域，通常是有限寬度的狹長面積，亦即天線與接地平面距離非常接近，因而往往導致輻射效率大幅降低，並影響通訊品質的問題產生。而先前技術方法係採用加入二維電磁能隙結構，等效為LC共振網路，當電容電感共振的時候，整個網路為開路，此時阻抗為無限大，因此能達成電磁能隙的功用。當高阻抗電磁表面的結構加入後，由於接地平面上之鏡向電流與天線同相位，因此不會影響天線本身的特性，所以可以達成低剖面的設計需求。然而，二維電磁能隙結構在使用上，必須為一整片面積，且當與天線一併設計使用時，將形成一3D立體結構。因此，二維電磁能隙結構的實用性顯得相當不足。

有鑒於此，目前所需求的是呈現一維結構的電磁能隙結構，用以等效為一完全磁導體(perfect magnetic conductor;PMC)，並根據其特性，將不僅有效縮短天線與接地層的間距，且保持天線之特性，更可整合於現今日趨規格縮小化的通訊產品中。

本發明一方面是提供一種電磁能隙結構，其具有依序排列之電磁能隙結構單元，並且於此電磁能隙結構之操作頻率下，等效為一電感電容並聯電路，使此電磁能隙結構進而可視作為一完全磁導體。

根據本發明之一實施方式，一種電磁能隙結構，包含電路板、接地層與複數個電磁能隙結構單元。電路板包含兩相對的一第一表面與一第二表面，而接地層位於第一表面上。複數個電磁能隙結構單元則形成於第一表面與第二表面上，彼此間隔排列且分別連接於接地層之一邊，其中每一電磁能隙結構單元包含一第一走線、一第二走線與一連通柱。第一走線形成於電路板之第一表面，並且第一走線具有一相對短線與一相對長線，而相對短細線則與相對長細線相互連接，其中相對短線更連接至接地層。第二走線則形成於該電路板之第二表面，其中第二走線部分對齊於相對長線。此外，連通柱貫穿電路板，使第二走線得以透過連通柱連接相鄰之電磁能隙結構單元的第一走線。

本發明之另一實施方式，一種電磁能隙結構包含電路板、接地層與複數個電磁能隙結構單元。電路板包含一表面，而接地層位於表面上。複數個電磁能隙結構單元形成於電路板之表面上，並且沿著接地層之一邊彼此相互連接，其中每一電磁能隙結構單元包含一走線與一晶片電容。走線形成於電路板之表面，並且具有一相對短線、一第一相對長線與一第二相對長線，其中相對短細線則與第一相對長細線相互連接，相對短線連接至接地層。而晶片電容則電性串接於第一相對長細線與第二相對長線之間。

本發明另一方面是提供一種具電磁能隙結構之全平面天線，其具有依序排列之電磁能隙結構單元，能有效的縮短天線與接地層的間距。

根據本發明之另一實施方式，一種具電磁能隙結構之全平面天線，包含一電路板、一接地層、複數個電磁能隙結構單元與一天線。電路板包含兩相對的一第一表面與一第二表面，而接地層位於第一表面上。複數個電磁能隙結構單元則形成於第一表面與第二表面上，彼此間隔排列且分別連接於接地層之一邊，其中每一電磁能隙結構單元包含一第一走線、一第二走線與一連通柱。第一走線形成於電路板之第一表面，並且第一走線具有一相對短線與一相對長線，而相對短細線與相對長細線相互連接，其中相對短線更連接至接地層。第二走線則形成於第二表面，其中第二走線部分對齊於相對長線。連通柱貫穿電路板，使第二走線得以透過連通柱連接相鄰之電磁能隙結構單元的第一走線。此外，天線則配置於電磁能隙結構單元上方。

請參照第1圖與第2圖。第1圖與第2圖係分別繪示依照本發明一實施方式之電磁能隙結構的第一面與第二面。如圖所示，電磁能隙結構600，包含電路板100、接地層300與複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(N)。當中，電路板100包含兩相對的一第一表面110與一第二表面120，而接地層300位於第一表面110上。複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(N)，則共同形成於第一表面110與第二表面120上，彼此間隔排列且分別連接於接地層300之一邊，其中每一電磁能隙結構單元均包含一第一走線210、一第二走線220與一連通柱230。第一走線210形成於第一表面110上，並且第一走線210具有一相對短線212與一相對長線214，而相對短細線212與相對長細線214相互連接，其中相對短線212更連接至接地層300。第二走線220則形成於第二表面120上，其中第二走線220與相對長線214部分對齊。此外，連通柱230貫穿電路板100，使得第二走線220透過連通柱230連接相鄰之電磁能隙結構單元的第一走線210。

請繼續參照第1圖與第2圖。如圖所示，電磁能隙結構600，更包含一第三走線240連接至接地層300，其中第三細走線240形成於第一表面110上並排列於最末個電磁能隙結構單元200(N)之旁。因此，第三走線240則經由最末個電磁能隙結構單元200(N)之連通柱230，以與最末個電磁能隙結構單元200(N)之第二細走線220相連接。另外，接地層300的尺寸大小則為適用於一般市面筆記型電腦或個人數位助理的接地層之規格。

上述之電磁能隙結構600中，接地層300具有一類矩形外觀。第一走線210與第二走線220則分別具有一類L形外觀與一類長條形外觀。而且，第三細走線240亦具有一類長條形外觀。另外，第一細走線210、第二細走線220與第三細走線240皆為電路板100上的印刷走線。

請參照第3圖與第4圖。第3圖係繪示依照本發明一實施方式之電磁能隙結構的上視圖，而第4圖係繪示沿著第3圖之3-3線的剖面圖。如圖所示，每一電磁能隙結構單元的相對長線214與第二走線220之對齊部分，即虛線標示處，將於此電磁能隙結構之操作頻段下，等效為一平行板電容，其中當相對長線214與該第二走線220對齊部分越多，則所對應之平行板電容的電容值越高。另外，每一第一走線210與第二走線220不相對齊之部分以及其相鄰接地層300的邊緣處，將於此電磁能隙結構之操作頻段下，等效為一電感，其中當第一走線210、第二走線220之長度越長時，則所對應等效電感之電感值越高。

因此，當一平面波正向入射時，上述複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(N)將等效為一電感電容並聯電路，並且具有高阻抗電磁表面(high impedance surface)與反射相位為0°的特性。是故，於電磁能隙結構之操作頻段下，此電磁能隙結構將可近似等效為完全磁導體。

請參照第5圖，其繪示依照本發明另一實施方式之具有晶片電感的局部電磁能隙結構圖。如圖所示，電磁能隙結構600包含晶片電感510，電性串接至第一走線210與第二走線220不相對齊之部分，用以改變其等效電路的電感值，進而調校電磁能隙結構600之操作頻率。惟本發明不限於圖式所示，上述之晶片電感510可依實際需求決定其個數以及配置方式。

請參照第6圖，其繪示依照本發明另一實施方式之電磁能隙結構圖。如圖所示，電磁能隙結構600包含電路板100、接地層300與複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(N)。電路板100包含一表面130，而接地層位於表面130上。複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(N)形成於電路板100之表面130上，並且沿著接地層300之一邊彼此相互連接，其中每一電磁能隙結構單元包含一走線250與一晶片電容520。走線250形成於表面130，並且具有一相對短線252、一第一相對長線254與一第二相對長線256，其中相對短細線252與第一相對長細線254相互連接，相對短線252連接至接地層300。而晶片電容520則電性串接於第一相對長細線254與第二相長細線256之間。

上述電磁能隙結構600中，走線250具有一類L形外觀，並且為電路板100上的印刷走線。接地層300則具有一類矩形外觀，其尺寸大小則適用於一般市面筆記型電腦或個人數位助理的接地層之規格。

此外，每一電磁能隙結構單元之走線250將於電磁能隙結構之操作頻段下，等效為一電感，其中當走線250的長度越長時，則所對應等效電感之電感值越高。並且藉由電性串接晶片電容520，進而等效形成一電感電容並聯電路，並且具有高阻抗電磁表面(high impedance surface)與反射相位為0°的特性。

第7圖係繪示根據第1圖之具有四個電磁能隙結構單元200的電磁能隙結構600，其中每一電磁能隙結構單元之第一長細線214的長度(L _L1 )與第二細走線220的長度(L ₂ )均為14.2毫米，並且每一電磁能隙結構單元200之長度(L _U )為20毫米。每一電磁能隙結構單元之第一短細線212的長度(L _S1 )與第三細走線240的長度(L ₃ )皆為4毫米。而接地層300之長(L _g )、寬(W _g )則分別為30毫米與153毫米，並且採用厚度為0.4毫米的纖維玻璃-環氧電路板(FR-4)，作為電路基板。

第8A圖係繪示第7圖之電磁能隙結構，藉以電磁模擬軟體Ansoft High Frequency Structure Simulator(HFSS)所得之S ₁₁ 參數大小值與S ₂₁ 參數大小值。其中，S ₁₁ 參數與S ₂₁ 參數可分別代表反射損失(Return Loss)與插入損失(Insertion Loss)。如圖所示，當頻率為900百萬赫茲(MHZ)時，S ₁₁ 參數接近為0dB，而S ₂₁ 參數則趨近於-20dB，其代表此電磁能隙結構，於其操作頻段下將呈現一高阻抗開路的狀態。

第8B圖係繪示第7圖之電磁能隙結構，以電磁模擬軟體(HFSS)所得之S ₁₁ 參數相位值。如8B圖所示，當頻率為900百萬赫茲時，所對應S ₁₁ 參數之相位為0°。因此，由上述第8A圖與第8B圖模擬S 參數可明瞭，本發明所提供之電磁能隙結構，於900百萬赫茲之操作頻率下，將可等效為一電感電容並聯電路，使進而視作為一完全磁導體。

請參照第9A圖與第9B圖。第9A圖與第9B圖係繪示依照本發明另一實施方式之具電磁能隙結構之全平面天線的上視圖及下視圖。如圖所示，具電磁能隙結構之全平面天線700，包含一電路板100、一接地層300、八個電磁能隙結構單元200(1)~200(8)與一天線400。電路板100包含兩相對的一第一表面110與一第二表面120，而接地層300位於第一表面110上。複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(8)，共同形成於第一表面110與第二表面120上，彼此間隔排列且分別連接於接地層300之一邊，其中每一電磁能隙結構單元均包含一第一走線210、一第二走線220與一連通柱230。第一走線210形成於第一表面110，並且第一走線210具有一相對短線212與一相對長線214，而相對短細線212與相對長細線214相互連接，其中相對短線212更連接至接地層300。第二走線220則形成於第二表面120，其中第二走線220與相對長線214部分對齊。連通柱230貫穿電路板100，使得第二走線220透過連通柱230連接相鄰之電磁能隙結構單元的第一走線210。此外，天線400配置於複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(8)上方。

請繼續參照第9A圖。如圖所示，電磁能隙結構更包含一第三走線240連接至接地層300，其中第三走線240形成於第一表面110上，並且排列於最末個電磁能隙結構單元200(8)之旁，第三走線240經由第8個電磁能隙結構單元200(8)之連通柱230，以與該第8個電磁能隙結構單元200(8)之第二細走線220相連接。並且，接地層300的尺寸大小為適用於一般市面筆記型電腦或個人數位助理的接地層之規格。另外，天線400則為一單極天線或一偶極天線。

而上述具電磁能隙結構之全平面天線700中，接地層300具有一類矩形外觀。第一走線210與第二走線220則分別具有一類L形外觀與一類長條形外觀。並且，第三細走線240亦具有一類長條形外觀。另外，第一細走線210、第二細走線220、第三細走線240與天線400皆為電路板100上的印刷走線。

然而，根據第8A圖與第8B圖的模擬數據及其說明可知，當一平面波正向入射時，此些複數個電磁能隙結構單元200(1)~200(8)將可等效為電感電容並聯電路，並且具有高阻抗電磁表面與反射相位為0°的特性，使得接地層300近似等效為完全磁導體。因此，根據電磁能隙結構之電磁特性，天線400上之電流將與接地層上的鏡向電流同向，進而在不影響天線400之場型及增益等特性的狀況下，使天線400與接地層300之距離大幅縮短。此外，上述實施方式雖僅以八個電磁能隙結構單元說明表達技術特徵，惟本發明並不受限於此，其適切之電磁能隙結構單元數目則端視實際應用時之需求。

請繼續參照第9A圖，如圖所示每一電磁能隙結構單元之相對長線214的長度(L _L1 )與第二走線220的長度(L ₂ )均為13.75毫米，而每一電磁能隙結構單元之相對短線212的長度(L _S1 )與第三細走線240的長度(L ₃ )皆為4毫米。接地層300之長(L _g )、寬(W _g )則分別為30毫米與153毫米，而天線400與接地層300的間隔距離長度(L _d )為9毫米，並且採用厚度為0.4毫米的纖維玻璃-環氧電路板(FR-4)，作為電路基板。天線400則為一偶極天線，其天線本體長度設計以對應於二分之一波長，因此，自天線饋入點至開路端的長度(L _a )為57毫米。

第10A圖係繪示根據第9A圖與第9B圖之具電磁能隙結構之全平面天線700，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之反射損失。由圖中所示之模擬數據與實際量測數據可知，此電磁能隙結構於其操作頻率下，將可等效為完全磁導體。

第10B圖係繪示未具電磁能隙結構之全平面天線，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之輻射場型。第10C圖係繪示根據第9A圖與第9B圖之具電磁能隙結構之全平面天線700，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之輻射場型。如第10B圖與第10C圖所示，由於此電磁能隙結構，於其操作頻率下，將可視為完全磁導體，使得接地層的鏡向電流與天線上的電流同向，進而保持其原有輻射場型。此外，更改善因為天線與接地層的間距過近，所導致輻射場型歪斜與輻射效率的問題。

然而，當具電磁能隙結構之全平面天線的接地層尺寸改變時，可藉由微調天線長度，以保持天線原有輻射場型特性。舉例而言，在一實施方式中，接地層的尺寸係設計以符合於一般市面筆記型電腦螢幕電路板之接地層規格，其中接地層300之長(L _g )、寬(W _g )分別為200毫米與288毫米，所以此時，自天線饋入點至兩端的長度(L _a )則需縮短為51毫米，以獲得相同天線特性。上述實施方式之具電磁能隙結構之全平面天線，其中，天線400皆可為單頻天線或雙頻天線。而於設計實務上，雙頻天線與接地層的距離，需至少滿足低頻操作，並可藉由電磁能隙結構以縮短之。另外，在高頻操作下時，由於波長與頻率成反比，其間距將足以使雙頻天線的高頻特性不受接地層所影響退化。

於本發明另一實施方式中，具電磁能隙結構之全平面天線的等效電容電感並聯電路，可透過晶片電感，電性串接於電磁能隙結構單元中，以改變其等效電感值，進而調校電磁能隙結構之操作頻率。然而，由於晶片電感之配置方式已在以上實施方式中具體揭露，因此不再重複贅述之。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．電路板

110．．．第一表面

120．．．第二表面

130．．．表面

200(1)~200(N)．．．電磁能隙結構單元

210．．．第一走線

212．．．相對短線

214．．．相對長線

220．．．第二走線

230．．．連通柱

240．．．第三走線

250．．．走線

252．．．相對短線

254．．．相對長線

256．．．相對長線

300．．．接地層

400．．．天線

510．．．晶片電感

520．．．晶片電容

600．．．電磁能隙結構

700．．．具電磁能隙結構之全平面天線

第1圖係繪示依照本發明一實施方式之電磁能隙結構的第一面。

第2圖係繪示依照本發明一實施方式之電磁能隙結構的第二面。

第3圖係繪示依照本發明一實施方式之電磁能隙結構的上視圖。

第4圖係繪示沿著第3圖之3-3線的剖面圖。

第5圖係繪示依照本發明另一實施方式之具有晶片電感的局部電磁能隙結構圖。

第6圖則繪示依照本發明另一實施方式之電磁能隙結構圖。

第7圖係繪示根據第1圖之具有四個電磁能隙結構單元之電磁能隙結構。

第8A圖係繪示第7圖之電磁能隙結構，以電磁模擬軟體(HFSS)所得之S ₁₁ 參數大小值與S ₂₁ 參數大小值。

第8B圖係繪示第7圖之電磁能隙結構，以電磁模擬軟體(HFSS)所得之S ₁₁ 參數相位值。

第9A圖係繪示依照本發明另一實施方式之具電磁能隙結構之全平面天線的上視圖。

第9B圖係繪示依照本發明另一實施方式之具電磁能隙結構之全平面天線的下視圖。

第10A圖係繪示根據第9A圖與第9B圖之具電磁能隙結構之全平面天線，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之反射損失。

第10B圖係繪未具電磁能隙結構之全平面天線，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之輻射場型。

第10C圖係繪示根據第9A圖與第9B圖之具電磁能隙結構之全平面天線，分別使用電磁模擬軟體(HFSS)與實際量測所得之輻射場型。

100．．．電路板

110．．．第一表面

200(1)~200(N)．．．電磁能隙結構單元

210．．．第一走線

212．．．相對短細線

214．．．相對長細線

230．．．連通柱

240．．．第三走線

300．．．接地層

600．．．電磁能隙結構

Claims (27)

1. 一種電磁能隙結構，包含：一電路板，包含兩相對的一第一表面與一第二表面；一接地層，位於該第一表面；以及複數個電磁能隙結構單元，依序沿著該接地層之一邊設置在該電路板上，其中每一該電磁能隙結構單元包含：一第一走線，形成於該電路板之第一表面上，該第一走線具有一第一細線與一第二細線，該第一細線之一端連接該第二細線形成一“L”型外觀，且該第一細線之另一端連接至該接地層；一第二走線，形成於該電路板之第二表面上，其中該第二走線部分覆蓋於相鄰另一電磁能隙結構單元之一第二細線上；以及一連通柱，形成於該第一細線連接該第二細線之連接處上並貫穿該電路板，其中該第二走線與相鄰另一電磁能隙結構單元之一第一走線連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，更包含：一第三走線，形成於該電路板之第一表面上，其中該第三走線連接該接地層，並且排列於該最末個電磁能隙結構單元之旁，而該第三走線經由該最末個電磁能隙結構單元之連通柱與該最末個電磁能隙結構單元之第二走線連接。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中該接地層具有一矩形外觀。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中該第二走線具有一長條形外觀。
5. 如申請專利範圍第2項所述之電磁能隙結構，其中該第三走線具有一長條形外觀。
6. 如申請專利範圍第2項所述之電磁能隙結構，其中該第一走線、該第二走線與該第三走線係該電路板上的印刷走線。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中該第二走線部分覆蓋於相鄰另一電磁能隙結構單元之一第二細線上之部分形成一電容。
8. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中每一該電磁能隙結構單元的該第一走線與該第二走線分別形成一電感。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中更包含至少一晶片電感，電性串接於該些電磁能隙結構單元，用以調校該電磁能隙結構之操作頻率。
10. 如申請專利範圍第1項所述之電磁能隙結構，其中該接地層為一筆記型電腦或一個人數位助理的接地層。
11. 一種電磁能隙結構，包含：一電路板，包含一表面；一接地層，位於該表面上；以及複數個電磁能隙結構單元，形成於該表面上，並且沿著該接地層之一邊彼此相互連接，其中每一該電磁能隙結構單元包含：一走線，形成於該電路板之表面上，該走線具有一第一細線、一第一第二細線與一第二第二細線，該第一細線與該第一第二細線相互連接，且該第一細線連接至該接地層；以及一晶片電容，電性串接於該第一第二細線與該第二第二細線之間。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電磁能隙結構，其中該走線具有一L形外觀。
13. 如申請專利範圍第11項所述之電磁能隙結構，其中該走線係該電路板上的印刷走線。
14. 如申請專利範圍第11項所述之電磁能隙結構，其 中每一該電磁能隙結構單元的該走線接分別形成一電感。
15. 如申請專利範圍第11項所述之電磁能隙結構，其中該接地層為一筆記型電腦或一個人數位助理的接地層。
16. 具電磁能隙結構之全平面天線，包含：一電路板，包含兩相對的一第一表面與一第二表面；一接地層，位於該第一表面；複數個電磁能隙結構單元依序沿著該接地層之一邊設置在該電路板上，其中每一該電磁能隙結構單元包含：一第一走線，形成於該電路板之第一表面，該第一走線具有一第一細線與一第二細線，並且該第一細線之一端與第二細線連接形成一“L”型外觀，其中該第一細線之另一端連接至該接地層；一第二走線，形成於該電路板之第二表面上，其中該第二走線部分覆蓋於相鄰另一電磁能隙結構單元之一第二細線上；以及一連通柱，形成於該第一細線連接該第二細線之連接處上並貫穿該電路板，其中該該第二走線與相鄰另一電磁能隙結構單元之一第一走線連接；一第三走線，形成於該電路板之第一表面上，其中該第三細走線連接該接地層，並且排列於該最末個電磁能隙結構單元之旁，該第三走線經由該最末個電磁能隙結構單元之連通柱與該最末個電磁能隙結構單元之第二走線連接；以及 一天線，配置於該些電磁能隙結構單元上方。
17. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該接地層具有一矩形外觀。
18. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該第二走線具有一長條形外觀。
19. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該第三走線具有一長條形外觀。
20. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該第一走線、該第二走線、該第三走線與該天線係該電路板上的印刷走線。
21. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該電磁能隙結構單元之長度至少大於該天線之長度。
22. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該電磁能隙結構單元的該第二細線與該第二走線之對齊部分形成一電容。
23. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構 之全平面天線結構，其中該第二走線部分覆蓋於相鄰另一電磁能隙結構單元之一第二細線上之部分形成一電感。
24. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中更包含至少一晶片電感，電性串接於該些電磁能隙結構單元，用以調校該具電磁能隙結構之全平面天線結構的操作頻率。
25. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該接地層為一筆記型電腦或一個人數位助理的接地層。
26. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該天線為一單極天線或一偶極天線。
27. 如申請專利範圍第16項所述之具電磁能隙結構之全平面天線結構，其中該天線為一單頻天線或一雙頻天線。