TWI415274B - 半透明太陽光電膜 - Google Patents

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Description

半透明太陽光電膜
本發明是有關於一種半透明太陽光電膜,且特別是有關於一種輕、薄且可撓的半透明太陽光電膜。
太陽能是一種無污染且取之不盡的能源,因此在遭遇石化能源所面臨的污染與短缺之問題時,如何有效利用太陽能源已經成為最受矚目的焦點。其中,因太陽能電池(solar cell)可直接將太陽能轉換為電能,而成為目前運用太陽能源之發展重點。
然而太陽能至今不能普遍的最大因素,在於發電成本極高於其他發電方法,因此大多數研究者仍傾向於開發新的材料以及製程技術,以求降低成本。在眾多研究中,軟性太陽能模組由於具備可撓曲性,有方便收納以及卷對卷(roll to roll)快速製造的潛力,加上高能量對重量比的特性,非常適合運用在攜帶式能源;如果轉換效率以及產品壽命夠好,也非常適用在建築物上。
如果從市場的角度思考,特殊應用的產品多半具有比較高的價格,例如軟性太陽能電池具備質輕可撓的特性,應用在可攜式電子產品上,利潤便可提高。如果能研發出「半透明」的軟性太陽能模組,而開發出新的應用例如可隔熱又可發電的薄膜,可預期到這樣特殊的產品特性將很容易區隔出特定用途的市場(例如太陽能隔熱紙),利潤極 可能優於一般模組,並且”半透明+可塑型或可撓”這個新的模組特性可望帶來新的應用。
近來有研究是在玻璃上製作多晶矽薄膜,並且正負電極都使用透明電極,以藉由多晶矽的吸收係數較低、容易透光的特性,製作出半透明狀態的模組,如美國專利US 6180871、US 6320117與US 6509204。然而,這樣的構想的缺點是多晶矽薄膜的製造成本不但較高,且因為其吸收光譜特性使其光穿透效果在視覺上呈現藍色。另外,元件效率的損失不只是光吸收變少,還包括元件本身因為少了光多重反射表面構造以及吸收層厚度變薄,使得元件品質下降同時帶來更多的損耗。
因此,又有研究提出使用高能隙(不吸收可見光)的半導體材料(多半為金屬的氧化物)來製作透明的太陽能電池,以得到透明不色偏的太陽能電池,如美國專利公開號US 20080053518。但是,因為太陽光譜中大部分是可見光,而這種構想所欲吸收的紫外線在陽光穿透地球的大氣層之後僅佔極小的部分,所以可預期這樣的太陽能電池效率會非常低。
另外,還有研究是提出太陽能窗的構想,基本原理為將太陽光電元件組裝成模組時,與垂直面形成一角度,可遮陽可發電,其透視的效果就像百葉窗一般,如美國專利US 4137098、US 5221363和US 5258076以及美國專利公開號US 20080257403。然而,太陽能窗的體積龐大、外型不佳,所以在應用面上無法普及。
本發明提供一種半透明太陽光電膜,具有輕、薄和可撓的特性,能夠設計成可發電可遮陽的軟性光電膜,適於貼附在建築物。
本發明提出一種半透明太陽光電膜,包括軟性基板以及太陽光電元件。所述軟性基板包括一體成型的多數個第一平面部分與一第二平面部分,且第二平面部分與第一平面部分相連接並形成一角度。而太陽光電元件則是形成於軟性基板之第一平面部分的表面上。
本發明另提出一種半透明太陽光電膜,包括第一支撐基板、軟性基板以及太陽光電元件。所述第一支撐基板(support substrate)具有一第一鋸齒狀表面(zigzag surface)。所述軟性基板包括一體成型的數個第一平面部分與數個第二平面部分,且第二平面部分與第一平面部分相連接並形成一角度。其中軟性基板則壓合於第一支撐基板上,而第一平面部分係壓合於第一鋸齒狀表面上。而太陽光電元件則是形成於軟性基板之第一平面部分的表面上。
若壓合完成後第一支撐基板位於所製作之半透明太陽光電膜的受光面時,則第一支撐基板必須為透光基板。值得注意的是,透明在此定義為可見光的光穿透,而透光則定義為符合太陽光電元件吸收光譜的光穿透。
基於上述,本發明之半透明太陽光電膜是利用直射的太陽光多半來自於上方,而人的視覺方向多朝向水平方向的特點,且水平方向和下方的光線多為較弱的反射或散射 光,所以提出由一體成型軟性基板所形成的半透明太陽光電膜,以充分吸收運用直射太陽光將之轉化為電子,同時盡量讓水平和下方的光線穿透,造成視覺上透明的效果。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明之第一實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖。
請參照圖1,本實施例之半透明太陽光電膜100包括軟性基板102以及太陽光電元件104。所述軟性基板102包括一體成型的多數個第一平面部分106與一第二平面部分108,且第二平面部分108與第一平面部分106相連接並形成一角度α。亦即,於所述軟性基板102上形成第一平面部分106與第二平面部分108,使得第一平面部分106之一側端形成一連接端連接第二平面部分108,而第一平面部分之其它側端則與第二平面部分108分離,接著將第一平面部分106與第二平面部分108以連接端為軸而分離,使第一平面部分106與第二平面部分108形成上述角度。第二平面部分108可為一矩形框架結構,其內設置有多數第一平面部分106。以下各實施例之第二平面部分類似。第一平面部份106可為一矩形。以圖1為例,每一個太陽光電元件104都呈現橫向葉片狀地形成於第一平面部分106,並組合在第二平面部分108。
請再次參照圖1,軟性基板102可以是透光基板或不透光基板,其中所述透光基板例如塑膠或玻璃...等等;所述不透光基板例如金屬基板(如鋁基板、不鏽鋼基板、鉬基板...等等)或不透明塑膠基板(如PI基板...等等)。而太陽光電元件104則是形成於軟性基板102之第一平面部分106的表面106a上。太陽光電膜一般可依光射入方向的不同,將其結構分為覆板(Superstrate)以及基板(Substrate)兩種結構。所謂的覆板結構是先從基板下方鍍上透明電極(如TCO)開始,再依序鍍上光電轉化元件,最後再鍍上不透光電極(如金屬導電層);反之,基板結構則是先從基板上方鍍上不透光電極,再依序鍍上光電轉化元件,最後才鍍上透明電極。因此,上述太陽光電元件104為一種基板結構之太陽光電元件,因為光是從太陽光電元件104端射入,所以無論軟性基板102是透光基板或者不透光基板都可行。至於太陽光電元件104一般包括一不透光電極110、位於不透光電極110上的一透光電極112以及位於不透光電極110與透光電極112之間的一光電轉化元件114。
請繼續參照圖1,上述不透光電極110之材料例如金屬(如鋁、銀...等)或合金(如銀鋁合金...等)。而光電轉化元件114諸如非晶矽薄膜太陽能元件、CIGS薄膜太陽能元件、有機太陽能元件、CdTe薄膜太陽能元件...等。舉例來說,光電轉化元件114可以是由緩衝層(buffer layer)(如ZnO)、n-i-p非晶矽層與透明導電氧化物(TCO)(如IO、TO、ZO、ITO或IZO)所構成之非晶矽薄膜太陽能元件;光電轉 化元件114也可以是由鉬金屬電極、CIGS、CdS(或其它適當材料)以及ZnO所構成之CIGS薄膜太陽能元件;光電轉化元件114還可以是由緩衝層、聚合物共混物(polymer blend)或p/n雙層、緩衝層與透明導電氧化物(如IO、TO、ZO、ITO或IZO)所構成之有機太陽能元件;光電轉化元件114更可以是由CdTe、CdS與透明導電氧化物(如IO、TO、ZO、ITO或IZO)所構成之CdTe薄膜太陽能元件。
請再次參照圖1,每一第二平面部分108還可具有至少一透光開口120,以利光線穿透,特別是當軟性基板102是不透光基板的時候。此外,第二平面部分108還可具有一黏性表面108a,有助於擴展半透明太陽光電膜100之應用面,譬如可將半透明太陽光電膜100貼附於建築物外窗之類的設施,外窗可為一玻璃帷幕(牆),以吸收太陽光且不影響建築物的外觀。由於第一實施例之半透明太陽光電膜100可吸收來自於上方的太陽光,且水平的光線122和下方的光線124不會被遮蔽,而同時達到充分吸收太陽光與盡量讓水平和下方的光線穿透,造成視覺上透明的效果。
請繼續參照圖1,上述半透明太陽光電膜100還具有形成於軟性基板102上的多數條導線116和118,其中的導線116與每一太陽光電元件104之透光電極112連接,以增進導電率。由於上下相鄰的兩個第一平面部分106上的透光電極112都經由導線116互相連結,而不透光電極110都經由導線118互相連結,故可形成相同極性電極互相連結的並聯構造。
此外,圖2顯示第一實施例之另一種變形例。在圖2之半透明太陽光電膜200中,除了導線202的位置之外,其餘構造均與圖1相同。圖2之導線202連結上一太陽光電元件104的透光電極112以及下一太陽光電元件104的不透光電極110使其導通,故可形成相反極性電極互相連結的串聯構造。
圖3是依照本發明之第二實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖,其中使用與第一實施例相同的元件符號來代表相同的元件。
請參照圖3,本實施例之半透明太陽光電膜300中的太陽光電元件302為一種覆板(superstrate)結構之太陽光電元件,由於覆板結構是指光從基板端射入,所以軟性基板102必須是透光基板。若採用這個設計,則軟性基板102(透光基板)之第一平面部份106的表面106b上依序為透光電極112、光電轉化元件114以及不透光電極110。而第二平面部分108與第一平面部分106相連接並形成一角度α,且水平的光線122和下方的光線124不會被遮蔽,而同時達到充分吸收太陽光與盡量讓水平和下方的光線穿透,造成視覺上透明的效果。此外,圖3的太陽光電元件302是利用如圖2之導線202連接所形成的串聯構造,當然本發明並不侷限於此。
圖4是依照本發明之第三實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖,其中使用與第一實施例相同的元件符號來代表相同的元件。
請參照圖4,本實施例之半透明太陽光電膜400與第一實施例之最大差異在於不需要額外的導線(如圖1之116和118以及圖2之202),而是在第一平面部分106的表面106a上與第二平面部分108的表面108b上全面性地依序形成不透光電極110、光電轉化元件114和透光電極112,並直接以第二平面部分108的表面108b上的不透光電極110與透光電極112作為導線連接在不同第一平面部份106上之太陽光電元件104。此外,上述太陽光電元件104為底板結構之太陽光電元件,所以無論軟性基板102是透光基板或者不透光基板都可行。
圖5是依照本發明之第四實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖,其中使用與第二實施例相同的元件符號來代表相同的元件。
請參照圖5,本實施例之半透明太陽光電膜500與第二實施例之最大差異在於不需要額外的導線(如圖3之202),而是在第一平面部分106的表面106b上與第二平面部份108的表面108b上全面性地依序形成透光電極112、光電轉化元件114和不透光電極110,並直接以第二平面部份108的表面108b上的不透光電極110與透光電極112作為導線連接在不同第一平面部份106上之太陽光電元件302。
至於上述圖1~圖5之半透明太陽光電膜的製作,可以應用目前已經發展成熟的技術來進行。例如可以先在軟性基板600上形成所需的太陽光電元件(未繪示),然後利用 雷射切割或者機械式切割(mechanical cutting)出第一平面部份602,而第一平面部份602以外的就是第二平面部份604,如圖6A所示。至於軟性基板600的塑型則可藉由加熱或加壓而得到圖1~圖5之半透明太陽光電膜。或者,利用UV造模(molding)技術製作一個支撐基板608,其具有一鋸齒狀表面(zigzag surface)608a,如圖6B所示。接著,可藉由卷對卷(roll to roll)快速結合軟性基板600和支撐基板608,如圖6C所示。
以上製程只是可採行的其中一種技術,本發明並不侷限於此。如圖7A~圖7B則顯示另一種製作本發明之半透明太陽光電膜的技術,圖7A是在切割軟性基板600之後和已經塑型的支撐基板700、702進行結合。結合後形成嚴密封裝的半透明太陽光電膜,如圖7B。完成的半透明太陽光電膜之總厚度T在1mm~15mm之間。
圖8是依照本發明之第五實施例之一種半透明太陽光電膜的分解立體圖。
請參照圖8,本實施例之半透明太陽光電膜800包括第一支撐基板(support substrate)802、軟性基板804以及太陽光電元件806。所述第一支撐基板802具有一第一鋸齒狀表面(zigzag surface)802a。至於軟性基板804則壓合於第一支撐基板802的鋸齒狀表面802a上。第五實施例之軟性基板804被壓合後可為一鋸齒狀,係使其能配置於第一支撐基板802的鋸齒狀表面802a上。所述軟性基板804包括一體成型的多數個第一平面部分808與多數第二平面部分 810,且第二平面部分810與第一平面部分808彼此相鄰且連接形成一角度α。亦即第二平面部分810與第一平面部分808是間接性的設置連接在一起而形成鋸齒狀結構。而太陽光電元件806則是形成於軟性基板804之第一平面部分808的表面808a上。本實施例之軟性基板804與太陽光電元件806都可參照上述各實施例來選擇適當的材料與配置,因此不再贅述。至於本實施例之第一支撐基板802還具有相對第一鋸齒狀表面802a的一第一平面802b,且所述第一平面802b如為一黏性表面,則有助於擴展半透明太陽光電膜800之應用面,譬如可將其貼附於建築物外窗之類的設施,以吸收太陽光且不影響建築物的外觀。而且,每一第二平面部分810還具有至少一透光開口812,以利光線穿透,特別是當軟性基板804是不透光基板的時候。
此外,於第五實施例中,上述半透明太陽光電膜800還可包括一第二支撐基板814,其具有與第一支撐基板802之第一鋸齒狀表面802a互補的一第二鋸齒狀表面814a。而且,軟性基板804是被壓合於第一支撐基板802的第一鋸齒狀表面802a與第二支撐基板814的第二鋸齒狀表面814a之間。而第二支撐基板814也可具有相對第二鋸齒狀表面814a的一第二平面814b,且所述第二平面814b如為一黏性表面,同樣益於擴展半透明太陽光電膜800之應用面。在本實施例中,上述第一與第二支撐基板802與814可以是軟性材料,如塑膠或玻璃之類的材料。而且,位於半透明太陽光電膜800的受光面之第一與第二支撐基板 802與814其中之一必需是透光的。
本發明之半透明太陽光電膜的設計原則必須考慮光收集效率以及光穿透率。圖9為本發明之半透明太陽光電膜之剖面與陽光曝射的關係圖,其中L為第一平面部分的長度、H為第一平面部分到第一平面部分之間的垂直距離、Ha為受到陽光曝曬時第一平面部分在第二平面部分(垂直面)所造成的陰影長度、α為第一平面部分與第二平面部分所形成的角度、θ為入射光與第二平面部分的角度。圖10則為光能收集效率(實線)和水平方向光穿透率(虛線)對α角度的關係圖。從圖9可知中,太陽光強度I G (global irradiance)與第二平面部分的角度θ的關係是可用下列經驗式來表示是運用經驗公式(出處:Meinel A.B.,and Meinel M.P.,Applied Solar Energy,Addison Wesley Publishing Co.,1976.):
在上式中,AM定義為1/Cosθ,為光通過大氣層的距離和光從天頂入射時通過大氣層距離的比值。在這個計算裡面,θ改變的範圍從0°到90°,光能收集效率是以一個完全沒有空隙的第二平面部分在太陽從0°到90°移動時所收集到的總能量為100%來計算。值得注意的是,第一平面部分可以是平面,也可以是曲面,當為曲面時其計算的結果和上述結果相同,而L值的計算則從第一平面部分彎曲的起點到葉片末端的距離為準。
當第一平面部分與第二平面部分所夾的角度α為0° 時,第一平面部分之長度L對第一平面部分之間的間距H比(L/H)相當於透光開口(請見圖1之120)面積佔軟性基板總面積的比例。隨著角度α增加,水平方向的光穿透率呈現單調遞增的趨勢,而光能收集效率則存在一個極大值,這個極大值的位置隨著L/H值的增加,而向α=0°的方向移動,當L/H=1時極大值來到α=0°的點。故每個L/H的設計值,都對應到兩個特殊點,一個是光能收集效率的極大值(此設計著重於能量收集的效率,光穿透率的增加有限),以及光能收集效率等於α=0°時的效率值(此設計是在不降低光能收集效率的前提之下,把光穿透率最大化)。因此,本發明之半透明太陽光電膜的設計較佳是在包括這兩個點以及其間的範圍之內,除非另有考量。
請參考圖10,以L/H=0.7為例,當α=0°時光能收集效率為70%、光穿透率為30%;當α=28.8°時為光能收集效率之極大點,此時光能收集效率為87.1%、光穿透率為38.7%,光能收集效率比原來增加了17.1%的效率;當α=75.6°時為光穿透率之極大點,此時光能收集效率為70.7%、光穿透率為82.6%,在光能收集效率不變的前提下,光穿透率大幅度增加了52.6%。換言之,當L/H=0.7時,角度α較佳的範圍約在28.8°~75.6°。
綜上所述,本發明藉由太陽光多半來自於上方,而人的視覺方向多朝向水平方向的特點,使用由一體成型軟性基板所形成的半透明太陽光電膜,以充分吸收運用太陽光將之轉化為電子,同時盡量讓水平和下方的光線穿透。因 為本發明之半透明太陽光電膜具有輕、薄和可撓的特性,所以能夠設計成可發電可遮陽的軟性光電膜,適於大量生產並可應用於建築物上。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、800‧‧‧半透明太陽光電膜
102、600、804‧‧‧軟性基板
104、302、806‧‧‧太陽光電元件
106、602、808‧‧‧第一平面部分
106a、108b、808a‧‧‧表面
108、604、810‧‧‧第二平面部分
108a‧‧‧黏性表面
110‧‧‧不透光電極
112‧‧‧透光電極
114‧‧‧光電轉化元件
116、118、202‧‧‧導線
120、812‧‧‧透光開口
122‧‧‧水平的光線
124‧‧‧下方的光線
608、700、702、802、814‧‧‧支撐基板
608a、802a、814a‧‧‧鋸齒狀表面
802b、814b‧‧‧平面
L‧‧‧第一平面部分的長度
H‧‧‧第一平面部分到第一平面部分之間的垂直距離
T‧‧‧厚度
α‧‧‧角度
θ‧‧‧入射光與第二平面部分的角度
圖1是依照本發明之第一實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖。
圖2是第一實施例之另一種變形例。
圖3是依照本發明之第二實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖。
圖4是依照本發明之第三實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖。
圖5是依照本發明之第四實施例之一種半透明太陽光電膜的立體示意圖。
圖6A是本發明之半透明太陽光電膜的軟性基板。
圖6B是本發明之支撐基板。
圖6C是圖6A的軟性基板與圖6B之支撐基板快速結合的示意圖。
圖7A至圖7B顯示本發明之半透明太陽光電膜的另一種製作示意圖。
圖8是依照本發明之第五實施例之一種半透明太陽光電膜的分解立體圖。
圖9為本發明之半透明太陽光電膜之剖面與陽光曝射的關係圖。
圖10則為光能收集效率和水平方向光穿透率對α角度的關係圖。
100‧‧‧半透明太陽光電膜
102‧‧‧軟性基板
104‧‧‧太陽光電元件
106‧‧‧第一平面部分
106a‧‧‧表面
108‧‧‧第二平面部分
108a‧‧‧黏性表面
110‧‧‧不透光電極
112‧‧‧透光電極
114‧‧‧光電轉化元件
116、118‧‧‧導線
120‧‧‧透光開口
122‧‧‧水平的光線
124‧‧‧下方的光線
α‧‧‧角度

Claims (35)

  1. 一種半透明太陽光電膜,包括:一軟性基板,具有第一表面與第二表面,所述軟性基板包括一體成型的多數個第一平面部分與多數個第二平面部分,該些第一平面部分於一末端處與該些第二平面部分相連接並形成一角度;以及多數個太陽光電元件,分別形成於該軟性基板之每一該些第一平面部分的表面上,其中,該些第二平面部分包括多數個透光開口,該些透光開口從該軟性基板的該第一表面穿過該第二表面,且每一該些第一平面部分位於每一該些透光開口上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中該軟性基板包括一透光基板或一不透光基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半透明太陽光電膜,其中該透光基板包括塑膠或玻璃。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之半透明太陽光電膜,其中該不透光基板包括一金屬基板或一不透光塑膠基板。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中該些太陽光電元件包括覆板(superstrate)結構或基板(substrate)結構之太陽光電元件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中每一該些太陽光電元件包括:一不透光電極;一透光電極,位於該不透光電極上;以及 一光電轉化元件,位於該不透光電極與該透光電極之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半透明太陽光電膜,更包括多數條導線,形成於該軟性基板上並與每一該些太陽光電元件之該不透光電極以及/或是該透光電極相連。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半透明太陽光電膜,其中部份該些導線與每一該些太陽光電元件之該透光電極連接,另一部份該些導線與每一該些太陽光電元件之該不透光電極,以形成相同極性電極互相連結的並聯構造。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之半透明太陽光電膜,其中該些導線分別連結上一太陽光電元件的該透光電極以及下一太陽光電元件的該不透光電極,以形成相反極性電極互相連結的串聯構造。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中該軟性基板的該些第二平面部份具有一黏性表面。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中該半透明太陽光電膜之總厚度在1mm~15mm之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之半透明太陽光電膜,其中該軟性基板之該第一平面部分之一側端形成一連接端連接第二平面部分,而該第一平面部分之其它側端則與該第二平面部分分離,讓該第一平面部分與該第二平面部分以該連接端為軸而分離,使該第一平面部分與該第二平面部分形成該角度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之半透明太陽光電膜,其中該第二平面部分可為一矩形框架結構,其內設置有該些第一平面部分。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一平面部份可為一矩形。
  15. 一種半透明太陽光電膜,包括:一第一支撐基板,具有一第一鋸齒狀表面(zigzag surface);一軟性基板,壓合於該第一支撐基板上,其中該軟性基板包括一體成型的多數個第一平面部分與多數個第二平面部分,該些第二平面部分與該些第一平面部分相連接並形成一角度,而該第一平面部分係壓合於該第一鋸齒狀表面上;以及多數個太陽光電元件,形成於該軟性基板之該些第一平面部分的表面上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一支撐基板為透光基板。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一支撐基板具有相對該第一鋸齒狀表面的一第一平面。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一支撐基板的該第一平面為一黏性表面。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一支撐基板為軟性材料。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,更包括一第二支撐基板,其中該第二支撐基板具有與該第一支撐基板之該第一鋸齒狀表面互補的一第二鋸齒狀表面;以及該軟性基板壓合於該第一支撐基板的該第一鋸齒狀表面與該第二支撐基板的該第二鋸齒狀表面之間。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之半透明太陽光電膜,其中該第二支撐基板為軟性材料。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之半透明太陽光電膜,其中位在該半透明太陽光電膜的受光面之該第一支撐基板與該第二支撐基板其中之一是透光的。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之半透明太陽光電膜,其中該第二支撐基板具有相對該第二鋸齒狀表面的一第二平面。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之半透明太陽光電膜,其中該第二支撐基板的該第二平面為一黏性表面。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該半透明太陽光電膜之厚度在1mm~15mm之間。
  26. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該軟性基板包括一透光基板或一不透光基板。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之半透明太陽光電膜,其中該透光基板包括塑膠或玻璃。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之半透明太陽光電膜,其中該不透光基板包括一金屬基板或一不透明塑膠基 板。
  29. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中每一該些第二平面部分更包括至少一透光開口。
  30. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該些太陽光電元件包括覆板(superstrate)結構或基板(substrate)結構之太陽光電元件。
  31. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中每一該些太陽光電元件包括:一不透光電極;一透光電極,位於該不透光電極上;以及一光電轉化元件,位於該不透光電極與該透光電極之間。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之半透明太陽光電膜,更包括多數條導線,形成於該軟性基板上並與每一該些太陽光電元件之該透光電極相連。
  33. 如申請專利範圍第15項所述之半透明太陽光電膜,其中該軟性基板之該第一平面部分之一側端形成一連接端連接該第二平面部分,而該第一平面部分之其它側端則與該第二平面部分分離,讓該第一平面部分與該第二平面部分以該連接端為軸而分離,使該第一平面部分與該第二平面部分形成該角度。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之半透明太陽光電膜,其中該第二平面部分可為一矩形框架結構,其內設置有該些第一平面部分。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之半透明太陽光電膜,其中該第一平面部份可為一矩形。
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