TWI404109B - 離子植入之劑量封閉迴路控制 - Google Patents

Description

離子植入之劑量封閉迴路控制

本發明整體相關於離子植入系統，更特別地相關於用來控制及調整劑量的系統及方法。

在半導體元件的製造中，用離子植入來將半導體以雜質或是以摻雜劑摻雜。使用離子植入機以離子束處理矽晶圓，產生n或是p型非本徵材料的摻雜或是在積體電路的製造期間形成鈍化層。當用於半導體摻雜時，離子束植入器注入一種選定的離子種類以產生期望的非本徵材料。例如從銻、砷或是磷的源材料產生植入離子而產出”n型”非本徵材料晶圓，而如果期望”p型”非本徵材料晶圓可以用例如由硼、鎵或是銦的源材料產生的離子進行植入。

典型離子植入機包括一個離子源，其用來從可電離源材料中產生正電荷離子。這些產出的離子形成束線並且沿著預定的束線路徑導引到植入站。離子束植入器可以包括束線形成以及成型架構，其在離子源以及植入站之間延伸。束線形成以及成型架構維持離子束並且圍住延伸的內部空腔或是通路，通過它束線經過途中到植入站。當操作植入機時，可以清空通路以降低離子因氣體分子碰撞而偏斜預定束線路徑的可能性。

質量相對於離子電荷(也就是荷質比)影響離子因電場或是磁場在它軸向以及橫向的加速程度。因此，由於不受歡迎之分子重量的離子將偏斜到一個遠離束線的位置，到達期望半導體晶圓區域或是其他的目標的束線可以很純，因此避免植入期望材料以外之材料。選擇性分離期望及非期望荷質比之離子的過程稱為質量分析。

質量分析器典型地使用產生二磁極磁場的質量分析磁鐵，透過在精確通路中的磁偏斜將離子束中的各種離子偏斜，使不同荷質比例的離子有效地分離。劑量測量係測量植入晶圓或其他工件中的離子。在植入離子的劑量控制觀點中，典型地利用封閉回路回饋控制系統動態地調整植入以得到植入工件中的均勻性。在一個範例中，控制系統利用即時處理的電流監控以控制慢掃描速度。一個法拉第盤或是法拉第杯週期地測量並調整慢掃描速度以確保恆定的摻雜。頻繁的測量允許劑量控制系統對束線電流中的變化迅速作出回應。法拉第杯可以是固定、良好防護並且靠近晶圓的附近，使其對實際上摻雜到晶圓的束線電流很敏感。

法拉第杯僅僅測量電流。離子束以及例如從光阻逸出之氣體間的相互作用在植入期間可以使束線內的一些摻雜劑離子中性化。結果，量測的通量或是束線電流可能對實際束線之電流或是通量錯誤表達。植入的中性粒子對晶圓接收的劑量產生貢獻，但對法拉第杯的測量沒有產生貢獻。結果，晶圓可能超過劑量以及/或是有極大劑量的均勻性。

對付這種變化的傳統機制除了使用法拉第杯讀數以外的壓力讀數來完成，然後使用法拉第杯測量以調整束線電流。然而，壓力補償機制可能無法應付變化，例如氣體成份、束線能量、種類、劑量水準等等，並且可能無法以選定的水準及劑量提供合適、均勻的植入。

下面提供本發明的簡化概要以提供一些本發明觀點的基本理解。概要不是本發明的廣泛綜述，也不打算指定本發明的關鍵或是重要元素，也不打算用來描繪本發明的範圍。替代地，概要的目的是以一個簡化的形式表達本發明的一些概念，作為以後更詳細描述之介紹的前奏。

本發明的觀點彌補離子植入期間因氣體釋出產生的束線電流變化。得到或是導出一個終端回流電流，其表示或是指出在中性化之前的全束線電流，用來檢測或是確定束線中的電流變化。法拉第杯不能計算中性化的離子或是摻雜劑，因此可能無法檢測到以及/或是表示束線的電流變化以及/或是檢測或是表示當沒有它們時的變化。

終端回流電流可以由測量一或更多外殼、外罩、電極等等的電流而得到，其由通過的離子束產生。可以處理個別電流到終端回流電流裡。替代地，分離架構或是外殼可以定位到最接近質量分析器的緊鄰下游以測量終端回流電流。一旦得到，可以使用終端回流電流調整劑量或是離子束掃描以促進束線電流以及越過晶圓的均勻植入。下面的描述以及伴隨的附圖詳盡說明了本發明的特定說明性觀點以及實施例。這些是各種本發明可以使用之原理方法中的一些方法。

本發明現在將參考附圖來描述，其中相似參考數字用來指出全文的相同元件，並且在其中所說明的架構不一定按比例繪製。

溢氣，例如光阻溢氣是離子植入系統的問題。溢氣增加在系統中的真空壓力並且使離子束的一些離子改變為中性粒子。這些中性粒子傳統上不能被檢測到並且因此造成劑量的問題。它在高電流離子植入系統中因為在其中沒有彎曲而特別有問題。結果，傳統系統的劑量控制是有問題的。稱為壓力補償的一個傳統技術至少在一些範例中不足以處理上述的中性化問題。

本發明的觀點使用一個終端回流電流，也稱作為調整晶圓掃描速度的上游電流量測。終端回流電流可以包括例如束線導引電流、電能供應電流以及其他個別的上游電流量測。終端回流電流可以表示例如離子束在磁鐵裡面損失的百分比，並且用來調整在一或更多方向例如水平、垂直、慢、快等等的晶圓掃描速度，並且從而改進劑量。終端回流電流以及掃描控制用在閉路系統中。

得到或是導出終端回流電流並且在中性化之前指出及代表全束線電流可以用來檢測或是指出束線電流中的變化。一個法拉第杯僅僅在植入期間的一部份測量電流並且定位在目標晶圓的下游。法拉第杯不能計算中性化的離子或是摻雜劑，因此可能無法檢測以及/或是表示束線之電流變化，以及/或是檢測到或是表示變化不存在。

可以透過測量一或更多外殼、外罩、電極等等由離子束通過產生的電流得到或是導出終端回流電流。個別電流可以處理為終端回流電流。替代地，可以將分離的架構或是外殼定位在質量分析器的的緊鄰下游以測量終端回流電流。一旦得到終端回流電流之後，可以用它調整劑量或是離子束的掃描以促進越過晶圓的束線電流及植入均勻性。

圖1說明具有一個終端12、束線總成14以及末端站16的範例離子植入系統10平面圖。

範例系統10適合執行本發明的一或更多的觀點。應理解本發明的觀點可以用於其他離子植入系統的實施。

終端12包括一個由高電壓電能供應器22供電的離子源20，其產生及導引離子束24到束線總成14。離子源20產生從來源20抽取的帶電荷離子並且形成離子束24，其沿著束線總成14中的一個束線路徑導引到末端站16。束線總成14具有一個束線導引32、一個質量分析器26，在其中建立二磁極磁場以使適當荷質比的離子通過解析孔隙34、掃描系統35以及平行器38。

離子植入系統10也可以包括各種在離子源20以及末端站16之間延伸的形成及成型架構，其維持離子束24並且包住延伸的內部空腔或是通路，穿過它將束線24傳輸到在末端站16支撐的工件30。典型地將離子束傳輸通路清空以降低離子因空氣分子碰撞而從束線路徑偏斜的可能性。

植入器可以使用不同型的掃描系統。例如在所顯示的靜電場系統中，連接一個高電壓電能供應器以掃描平板。調整平板上的電壓以掃描束線。在磁系統中，把一個高電流供應連接在電磁體的線圈上。調整磁場以掃描束線。為了本發明的目的，所有不同型的掃描系統都等同因而使用靜電場系統進行描述。

掃描系統35包括掃描器36以及電能供應器50，其耦合到掃描器平板或是電極36a及36b，其中掃描器36沿著束線路徑從分析器26接收已質量分析的離子束並且沿著束線路徑提供一個掃描束線24到平行器38。此時平行器38導引掃描束線24到末端站16，因此束線24以通常恆定的入射角撞擊劑量系統52的測量感測器。

掃描器36接收一個具有相對狹窄的剖面(例如在說明之系統10中的”鉛筆形”束線)之已質量分析離子束24，並且由電能供應器50提供電壓波形到掃描器平板36a以及36b，將其操作以在X方向(掃描方向)來回掃描束線24而使束線24展開為一個延伸的”緞帶”束線(也就是掃描束線24)，其具有在X方向的一個有效寬度至少為所欲工件的寬度或是更寬。然後掃描束線24通過平行器38將束線導引朝向末端站16，其通常與Z方向平行(也就是通常與工件表面垂直)。植入器10可以使用不同型態的末端站16。例如，在一個轉動支撐架構中可以同時支撐數個工件30的”批次型”末端站，其中工件30轉動通過離子束路徑，直到工所有件30都完全植入。另一方面，”序列“型的末端站沿著植入線路徑支撐單一工件30，其中數個工件30以序列方式一次植入一個，每一個工件30在開始植入下一個工件30之前被完全植入。

所說明的末端站16是”序列”型的末端站，其沿著束線植入路徑支撐單一工件30(也就是使用來自束線24的離子進行半導體晶圓、顯示器面板或是其他工件的植入)，其中一個劑量系統52放置於工件附近以在植入操作之前將測量校準。在校準期間，束線24通過劑量系統52。劑量系統52包括一或更多的剖面儀56，其可以連續跨越一個剖面路徑58，從而測量掃描束線的剖面。在說明的劑量系統52中，剖面儀56包括一個電流密度感測器，例如傳統法拉第杯以測量掃描束線的電流密度。電流密度感測器通常以相對垂直於掃描束線的方式運動因此典型地跨越帶狀束線的寬度。並且劑量系統52可操作地與一個控制系統54耦合以從其中接受命令信號並且提供測量值到其中。

控制系統54也從一個質量分析器26的附近或是下游區域得到一個終端回流電流，其也稱作上游電流或是合成上游電流。在一個範例中，在大量中性粒子因質量分析而在離子束24中出現以前，終端回流電流正比於射出質量分析器26的束線電流。應理解束線24的中性粒子可以在操作期間出現，特別是針對改變壓力的氣體釋出，例如與光阻一起發生。結果，終端回流電流可以促進束線電流的識別，因為其對這種以壓力為基礎的變化或是中性粒子的存在不易受影響。可以使用終端回流電流調整離子束植入24的掃描以及/或是產生，得到期望或是選定的均勻性並且避免變異。

終端回流電流可以包括一或更多個別上游電流的測量，例如電極、外罩電流、動力供應電流等等。在一個範例中，電流量測由測量例如在束線導引外殼或是其他構件上面的電荷得到，其由通過其中的正離子累積而建立。終端回流電流可以用定標因子、過濾器、阻抗匹配、多重電流的相加等等一起處理。定標因子等等可以在校準期間決定。

圖2說明一個根據本發明觀點的離子植入系統200及在系統200中的各種區域圖解。提供系統200作為一個範例以說明中性化在何處發生以及它對離子束的衝擊。

系統200包括一個離子源202其配合抽取電極204產生離子束203。離子源202包括例如電漿源以及相關的電能源。電漿源可以包括例如一個離子腔以及抽取光學設備，從其中的抽取一個聚焦並且成型的離子束。離子源202產生具有選定摻雜劑或是物種的離子束203。可選擇摻雜劑的一些範例包括例如p型的硼以及n型的磷。抽取電極204以一個初始能量從離子源抽取離子束203。

離子束203通過質量分析磁鐵206向下游運動。質量分析磁鐵206選擇性地使具有適當荷質比的離子通過。其他離子或是粒子沿著一個不同的路徑或是軌道通過磁鐵206並且離開束線203射出。質量分析磁鐵206的下游是一個總成或是部分208，其可以包括例如掃描器、加速/減速電極等等。

總成208的下游顯示了一個解析孔隙以及減速器210並且用於把非選定離子及粒子從束線203移除。將束線203向目標晶圓212導引。法拉第盤214定位在晶圓212的下游以測量束線電流或是通量。

注意到在離子植入期間可能發生釋出氣體，尤其是從光阻。在其中造成壓力變化並且增加中性化的發生以及/或是束線電流的改變。由於束線203內的中性粒子，盤法拉214可能無法正確地測量束線電流。

圖2也顯示系統200的三個區域。區域3從離子源202包圍的離子束203路徑並且從解析磁鐵206射出。在區域3，不具有選定的荷質比之中性化摻雜劑或是離子典型地無法通過磁鐵206，並且無法在束線203之內出現。區域2包圍從質量分析磁鐵206到解析孔隙210的離子束203路徑。在區域2，因為束線203以直線或是朝向目標晶圓212的瞄準線運動，中性化的摻雜劑或是離子保留在離子束203中。區域1包圍從解析孔隙210到目標晶圓212的離子束203路徑並且包括解析孔隙210。

與區域2相同，例如因為束線203以到達目標晶圓212之直線或是瞄準線運動，區域1具有中性化的摻雜劑或是離子傾向於保留在離子束內的特性。另外，由於它靠近目標晶圓212以及溢氣的出現，束線203內離子大量的中性化可能在區域1發生。

本發明的觀點辨識、測量以及/或是導出一個終端回流電流，也稱為一個上游電流，當其射出磁鐵206以及區域3時正比於離子束203的束線電流，其也稱為全電流。在那個點，摻雜劑或是離子的實質中性化量由於質量分析磁鐵206而不在束線中出現。因此可以使用終端回流電流以對束線電流變化進行調整而改進束線均勻性。

在圖2可以透過在區域1以及/或是區域2在質量分析磁鐵附近測量一或是更多電流以得到終端回流電流。例如，可以從圍住質量分析磁鐵206束線下游之架構/外殼的終端進行電流量測。電流量測可以從終端到地面。同樣地，也可以從抽取電極204、磁鐵206本身或是包含它的外罩等等中進行電流量測。可以將測量的電流處理並且設定以產出終端回流電流，其近似於以及/或是可表示離子束203的全束線電流。

圖3是根據本發明一個觀點，說明用於離子植入系統之終端回流電流系統300的區塊圖。省略了離子植入系統的各種細節以及構件以更完整說明本發明。

離子源302產生沿著路徑運動的離子束304。質量分析器306進行束線304的質量分析並且只讓具有選擇荷質比的粒子通過，其中包括所選定的摻雜劑。結果，如圖3以L1表示的一個全束線電流從質量分析器306射出。

一個法拉第杯310位於下游及目標晶圓的附近或是末端站(沒顯示)。法拉第杯310測量束線電流，但是如先前顯示其不能計算束線304內的中性化離子，並且結果不一定提供精確的束線電流量測。從法拉第杯測量的法拉第電流，在圖3以I3表示，不能計算離子束304之內的中性粒子。

一個測量裝置308測量以及/或是得到一個終端回流電流，如在圖3顯示為I2。測量裝置308從一個質量分析器306之分離架構以及/或是其他的部分測量一或更多個別上游電流以得到終端回流電流。上游電流的測量可以透過例如將連接終端設備到外殼、外罩等等以及測量由束線304之正離子通過其中所引起的電荷而導出。在另一個範例中，一個分離的導電TRC架構或是外殼定位在質量分析器之緊鄰下游。由於束線304的正離子通過其中，在TRC架構上累積電荷然後從中測量電荷以得到終端回流電流。

從物理學可以得到終端電流(I2)與全電流(II)以I1＝－I2相關。法拉第測量電流(I3)是全電流(I1)的一個函數，但是通常由於從離子源302到法拉第杯310的離子束304束線傳輸而小一點。另外，如上面陳述，法拉第測量電流(I3)不包括或是代表離子束304內的中性粒子。甚且，法拉第測量電流(I3)在離子植入過程中由一個晶圓阻擋很大的一部分。

直接測量完全束線電流(I1)而沒有改變或是打擾一個正在進行的離子植入過程可能是有問題的。因此，本發明的發明人得到終端回流電流(I2)，其可以在沒有打擾下得到。另外，終端回流電流(I2)不被晶圓阻擋並且在很大範圍上隨壓力線性變化。因此，終端回流電流(I2)可以在離子植入期間用作劑量控制。

圖4是根據本發明觀點說明的一個終端回流電流系統400區塊圖。系統400顯示一個範例架構，其從離子植入系統的幾個部分得到測量的電流值以導出終端回流電流。

系統400包括離子源外罩，其包含離子源404以及抽取/抑制電極405。離子源404提供離子束414，其包含選定的離子或是摻雜劑。束線導引外殼406包含幾個構件，例如質量分析磁鐵(沒顯示)，穿過它離子束414通過並且在其上進行質量分析。一個分離外殼408位於束線導引外殼406的下游並且可以包括例如解析孔隙、加速/減速電極以及掃描系統等等。目標晶圓410定位在離開外殼408的更下游並且一個法拉第杯定位在晶圓410後面。一個在圖4表示為I1的全電流射出外殼408沒有大量的中性粒子。法拉第杯412得到一個用圖4之I3表示的法拉第測量電流，其由於束線傳輸以及中性化而比全電流I1少。

一個源測量構件416與離子源404耦合並且測量一個抽取電流1_EXT。使一個電極測量構件418與一或更多抑制電極405耦合並且測得一個電極電流I_SUP。一個束線導引測量構件420測量一個束線導引電流I_BG。束線導引測量構件420在這個範例中可以在漂流及減速模式下操作。對於漂流模式，束線導引406使用短路棒424接地。至於減速模式，束線導引406由繼電器422連接在減速PS上。

然後可以使用電流I_EXT以及I_BG在離子植入期間即時導出一個終端回流電流12。電流I2是全電流I1的代表並且在植入期間可以用來調整劑量。

圖5是根據本發明觀點說明終端回流電流劑量控制系統500之一部份的區塊圖。系統500包括一個信號狀態構件502，其接收一或更多上游電流量測並且導出終端回流電流(TRC)。在這個觀點中，上游電流量測包括束線導引外殼測量(I_BG)、源抽取測量(I_EXT)、第一抑制電極測量(I_SUP1)以及第二抑制電極測量(I_SUP2)。然而，應理解本發明的替代觀點可以包括其他電流/電荷測量。

信號狀態構件502包括一個定標構件、一個過濾構件以及相加構件以及阻抗匹配構件。阻抗匹配構件彌補電流量測的阻抗變化。定標構件施加一個定標值到每一個電流量測。在校準期間或是設定過程中可以決定定標值，其在例如沒有晶圓的狀況下使用法拉第測量電流。

過濾構件過濾噪音以及/或是其他從電流量測來的不想要的信號。相加構件把定標以及過濾的電流量測結合到終端回流電流TRC。

圖6是根據本發明觀點說明一個離子植入系統600的圖解。系統600使用解析抑制電極以緩和下游次要電子對已導出終端回流電流之衝擊。

系統600包括離子源602以及抑制電極604，其提供具有選擇特性的一個離子束606。一個束線導引外殼608包括進行離子束606質量分析的束線導引部分。一個束線線總成610包括複數個構件，其包括但不限於解析孔隙、解析抑制電極、電漿電子湧入612、晶圓放置及束線角度測量構件614以及一個法拉第盤616。

電漿電子湧入612的操作以及/或是其他下游次要電子有可能影響電流量測，例如用來導出終端回流電流的束線導引外殼電流測量。結果，終端回流電流可能不精確。然而，本發明的發明人理解解析抑制電極(圖6的VR－SUP)的使用可以緩和這個效應並且改進終端回流電流的精確度。

圖7是用來導出離子束終端回流電流以及調整離子束劑量的方法700流程圖，其根據本發明的一個觀點依據終端回流電流進行調整。

方法在區塊開始702，其中一個初始終端回流電流以及一個初始法拉第電流在低壓力下導出/測量。這些值可以在沒有溢氣的低壓力下決定，因此法拉第電流更接近全電流。

在區塊704繼續，在低壓力下決定終端回流電流及法拉第電流的關係，並且包括得到初始終端回流電流以及法拉第電流值。也可以導出其他特性，包括例如用於電流量測的定標因子、過濾方向、相加公式、阻抗匹配等等。

在離子植入期間在區塊706得到一或更多的電流/電荷測量。一或更多的電流量測可以包括束線導引外殼電流、抑制電極電流等等。另外，電流量測可以包括單一測量或是由其組成，該量測從放置在質量分析磁鐵下游的外殼或是架構進行。可以選擇地使用解析抑制以降低電漿電子湧入以及/或是次要電子的影響。

在區塊708從一或更多電流量測得到終端回流電流。在一個範例中，該導出可以包括電流量測之定標、阻抗匹配、過濾電流量測以及電流量測的相加。可以在快速掃描的末端、在快速掃描期間的各個點等等連續地進行推導。另外，終端回流電流可以以先前的終端電流值平均、在一個快速掃描下平均等等。

根據在區塊710導出的終端電流調整快及慢掃描方向的掃描速率或是速度。在一個範例中，用於掃描系統之慢速掃描的控制信號係根據在區塊706得到的初始法拉第電流乘以在區塊702導出的終端回流電流除以在區塊702得到的初始終端回流電流來設置。在另一個範例中，根據導出的終端回流電流以及初始終端回流電流之間的差別加到初始法拉第電流，以設定或是調整一個控制信號。而在另一個範例中，根據一個壓力補償因子、初始終端回流電流、電流導出的終端回流電流以及初始法拉第電流設定了控制信號。本發明考慮其他合適的控制機制並且包括對快速及慢速掃描的掃描速度調整。另外，應理解本發明的替代觀點可以至少部分地根據導出的終端回流電流調整離子束劑量，該劑量由離子源產生。然後方法700可以繼續回到區塊704以進行進一步的測量及調整。

應理解可以省略方法700的幾個部分以及/或是可以以本發明的替代觀點完成其他額外的操作。另外，執行的次序可以與介紹的不同。

雖然本發明已經就一或更多的實施例說明及描述，可以對許多範例進行替代以及/或是修正而沒有離開申請專利範圍的精神以及範圍。特別是針對各種由上面描述之構件或是架構(區塊、單元、發動機、總成、裝置、電路、系統等等)所執行的功能，除非另外表示，用來描述的這種構件的術語(包括對”方法”的參考)打算對應於任何執行所描述構件之特定功能構件或是架構(也就是功能上相當)，即使架構上不等價於所揭露的架構，該架構執行在這裡說明之本發明範例實施例功能。

此外，儘管本發明的特定特性已經以只針對幾個實施例中的一個揭露，這些特性可以與其他實施例中的一或更多特性結合，例如一些期望得到以及對任何給定或是特定之應用有利的特性。如在這裡使用的術語”範例的”在這裡打算暗示一個與最好或是較佳相反的範例。

此外，在詳細描述以及申請專利範圍中的術語”包括，其、”包含”、”具有”、”有”、”帶有”或是其變體到一個程度係以隱含的方式與”由...組成”的術語類似。

10．．．離子植入系統

12．．．終端

14．．．束線總成

16．．．末端站

20．．．離子源

22．．．電能供應器

24．．．離子束

26．．．質量分析器

32．．．束線導引

34．．．解析孔隙

35．．．掃描系統

36．．．掃描器

36a及36b．．．掃描器平板或是電極

38．．．平行器

50．．．電能供應器

52．．．劑量系統

54．．．控制系統

56．．．剖面儀

58．．．剖面路徑

200．．．植入系統

202．．．離子源

203．．．離子束

204．．．抽取電極

206．．．質量分析磁鐵

208．．．總成

210．．．減速器

212．．．目標晶圓

214．．．法拉第盤

300．．．終端回流電流系統

302．．．離子源

304．．．離子束

306．．．質量分析器

308．．．測量裝置

310．．．法拉第杯

400．．．終端回流電流系統

404．．．離子源

405．．．抽取/抑制電極

406．．．束線導引外殼

408．．．外殼

410．．．目標晶圓

414．．．離子束

416．．．源測量構件

418．．．電極測量構件

420．．．束線導引測量構件

422．．．繼電器

424．．．短路棒

500．．．終端回流電流劑量控制系統

502．．．信號狀態構件

600．．．離子植入系統

602．．．離子源

604．．．抑制電極

606．．．離子束

608．．．束線導引外殼

610．．．束線線總成

612．．．電漿電子湧入

614．．．束線角度測量構件

616．．．法拉第盤

700．．．方法

圖1是說明適合實施本發明之一或更多觀點的範例離子植入平面圖。

圖2是根據本發明觀點說明一個離子植入系統200之各種系統內區域的圖解。

圖3是根據本發明觀點說明用於離子植入系統之終端回流電流的系統區塊圖。

圖4是根據本發明觀點說明的終端回流電流系統區塊圖。

圖5是根據本發明的觀點說明終端回流電流劑量控制系統的區塊圖。

圖6是根據本發明的觀點說明一個離子植入系統的圖解。

圖7是根據本發明的觀點說明離子束終端回流電流之導出以及根據終端回流電流調整離子束劑量的方法流程圖。

10．．．離子植入系統

12．．．終端

14．．．束線總成

16．．．末端站

20．．．離子源

22．．．電能供應器

24．．．離子束

26．．．質量分析器

32．．．束線導引

34．．．解析孔隙

35．．．掃描系統

36．．．掃描器

36a及36b．．．掃描器平板或是電極

38．．．平行器

50．．．電能供應器

52．．．劑量系統

54．．．控制系統

56．．．剖面儀

58．．．剖面路徑

Claims (4)

1. 一種離子植入系統，其包括：一離子源，其沿著束線路徑產生離子束；沿著束線路徑之外罩以及在離子源下游的束線導引；在束線導引下游之一掃描系統，其可控制地在快速以及/或是慢速方向掃描離子束；在束線導引下游的目標晶圓；一法拉第杯，其得到法拉第電流的測量；以及一終端回流電流系統，其包含複數個量測裝置用於量測來自束線線總成及/或質量分析組件之一或更多個別的上游電流以得到一個終端回流電流並且根據終端回流電流以改變該離子植入系統之一或更多個參數。
2. 根據申請專利範圍第1項的系統，其中終端回流電流系統測量一或更多個別的上游電流並且從一或更多的個別上游電流導出終端回流電流。
3. 一種調整離子植入系統操作的方法，其包括：得到一或更多的電流量測；透過一或更多的標度因子將一或更多的電流量測加以標度；過濾一或更多標度電流的測量；將過濾電流量測相加以導出一個終端回流電流；以及根據終端回流電流調整劑量。
4. 根據申請專利範圍第3項的方法，其中劑量的調整包括慢掃描速度的調整。