TWI398910B - 離子佈植機與對一晶圓進行離子佈植的方法 - Google Patents

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Description

離子佈植機與對一晶圓進行離子佈植的方法
本發明是有關於一種離子佈植機(ion implanter)與對一晶圓(wafer)進行離子佈植的方法，且特別是有關於一種可藉由對晶圓的不同部位進行不同摻雜濃度(doping density)的離子佈植，以補償一在先或後續製程的不均勻(non-uniformity)的離子佈植機與方法。
離子佈植製程(ion implantation process)為使用在半導體製作技術(semiconductor manufacturing technology)中的一項佈植製程(implanting process)。在離子佈植製程中，具有一固定離子束電流量(ion beam current)的一離子束(ion beam)被用來以一固定速度掃描一晶圓，以均勻地將離子佈植晶圓。然而，半導體製作技術中有許多製程。因此，若至少一後續製程或在先製程具有一不均勻的結果，則即使離子佈植製程可均勻地對晶圓進行離子佈植，晶圓中所形成的最終結果(net result)可能還是不均勻。舉例來說，在離子佈植之後的一蝕刻製程(etching process)可能會不均勻地蝕刻晶圓，使得均勻的摻雜結果會在晶圓上不均勻地被蝕刻。另外，在離子佈植之前的一沉積製程(depositing process)可能會沉積出具有一不均勻厚度的一層，使得均勻的摻雜結果會形成在一不均勻的沉積層上。因此，結合佈植製程與在先/後續製程的最終結果仍可能會不均勻。
為了達成一均勻的最終結果，一種手段為在佈植製程與在先/後續製程皆全面地提高均勻度，使得各製程的結果皆儘可能絕對地均勻。然而，其成本與難度可能會非常高，特別是部分特定的在先/後續製程會非常難以達成一高度均勻的結果。因此，若佈植製程的不均勻可以與在先或後續製程的不均勻適當地抵消掉時，並且特別是若可適當地預期及/或控制這兩個相關製程的不均勻時，另一種手段是以佈植製程的一第一不均勻結果來補償(offset)一在先或後續製程的一第二不均勻結果。
根據上述，由於此不均勻現象會散佈在晶圓各處，常見的作法是在晶圓具有或預期會有一不均勻的型態(topography)時，在佈植製程中使用一額外的遮罩(mask)。顯然地，額外的遮罩可遮擋(blank)晶圓的一特定部位(specific portion)，並且只允許對晶圓的其他部位進行離子佈植。因此，上述作法提供了一種簡單的方式，以在晶圓上產生一特定的不均勻摻雜結果。舉例來說，預期會在後續製程中不均勻地蝕刻晶圓時，可使用一額外的遮罩來對晶圓預期會被過度蝕刻(over-etched)的一特定部位佈植更多的離子，以藉由不均勻的離子佈植抵消掉不均勻蝕刻所造成的影響。舉例來說，在一在先製程中在晶圓上沉積有一層不均勻的厚度時，可使用另一額外的遮罩來對晶圓的一較厚部位佈植相對較多的離子。因此可修正最終結果。
然而，由於使用額外遮罩的製作成本較高。而且，調整在先及/或後續製程的實際參數值(parameter value)時會增加所需額外新遮罩的數量。因此，實有必要提出一種新的離子佈植機以及一種對一晶圓進行不均勻離子佈植的方法。
為了解決上述問題，本發明提供了一種離子佈植機與一種對一晶圓的不同部位進行不同摻雜濃度的離子佈植的方法。
本發明的一實施例提供了一種對一晶圓進行離子佈植的方法，其包括以下步驟。首先，提供包括有至少需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位的一晶圓。接著，以一離子束以一第一掃描速度(scan velocity)掃描第一部位，並且以一第二掃描速度掃描第二部位，其中第一摻雜濃度大於第二摻雜濃度，並且第一掃描速度不同於第二掃描速度。
本發明的另一實施例提供了另一種對一晶圓進行離子佈植的方法，其包括以下步驟。首先，提供包括有至少需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位的一晶圓。接著，以一離子束以一第一離子束電流量掃描第一部位，並且以一第二離子束電流量掃描第二部位，其中第一摻雜濃度大於第二摻雜濃度，並且第一離子束電流量不同於第二離子束電流量。
本發明的再一實施例提供了一種離子佈植機，其包括了一離子源(ion source)、一磁場分析單元(analyzer magnet unit)、一固持設備(holding apparatus)以及一控制器(controller)。離子源用以提供一離子束。磁場分析單元用以分析離子束，因而可濾除具有非所需荷質比(charge-mass ratio)的複數個離子。固持設備用以固持住要以離子束來進行離子佈植的一晶圓。另外，控制器用以控制離子佈植機的至少一部位，以執行以下步驟。首先，控制器可確認一晶圓上之至少需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位的分佈。接著，控制器可控制離子束以一第一掃描參數值(scanning parameter value)掃描第一部位，並且以一第二掃描參數值掃描第二部位，其中第一摻雜濃度大於第二摻雜濃度，並且第一掃描參數值不同於第二掃描參數值。
本發明可用來補償一半導體製程的在先及/或後續製程的不均勻。無論可在何時實質上測量到及/或評估出在先及/或後續製程的不均勻，皆可實質上計算出及/或評估出如何補償此不均勻現象。因此，藉由使用本發明所建議的方法及離子佈植機來簡單調整佈植製程的不均勻現象，可有效地補償所有的這些不均勻現象，於是半導體製程的最終結果可為實質上均勻。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉多個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
現在將參照本發明的具體實施例作出詳細說明。這些實施例的範例揭露於隨附圖式中。雖然本發明將伴隨這些具體實施例作描述，但應能了解的是本發明並不限於這些實施例。事實上，這裡指的是涵蓋了更動、調整與置換，也就是可將如所附申請專利範圍所定義的本發明的精神與範圍包括在內。在以下的描述中，所提出的數個具體的詳細說明是為了提供本發明一個全面性的了解。本發明在缺少部分或全部的下述具體詳細說明的情況下仍可據以實施。在其他的例子中，將不對常見的製程操作詳細描述，以避免混淆本發明。
圖1繪示出根據本發明一實施例的一種對一晶圓進行離子佈植的方法的一流程圖，而圖2繪示出一晶圓藉由一離子束以根據繪示於圖1中的方法來進行掃描。請參考圖1與2所示，具有至少一第一部位110以及一第二部位120的一晶圓100可藉由以下製程步驟進行離子佈植。首先，一離子束200以一第一掃描速度沿著一第一掃描路徑(scan route)210掃描第一部位110，接著離子束200再以不同於第一掃描速度的一第二掃描速度沿著一第二掃描路徑220掃描第二部位120。因此，第一部位110的一第一摻雜濃度將會不同於第二部位120的一第二摻雜濃度。另外，如圖2所示，離子束200可具有一點橫截面(spot cross-section)，並且離子束200的直徑Db小於晶圓100的直徑Dw。因此，於此實施例中，第一部位110的形狀可藉由調整用來掃描的掃描路徑210/220而作變化。
圖3繪示出繪示於圖2中的晶圓在被離子束掃描之前沿著線I-I的一剖視圖，其中一在先沉積製程不均勻地對晶圓進行沉積，而圖4繪示出繪示於圖3中的晶圓在被離子束掃描之後的一剖視圖，其中佈植製程不均勻地對晶圓進行摻雜(dope)。另外，圖5繪示出繪示於圖4中的晶圓在進行一後續蝕刻製程之後的一剖視圖，其中蝕刻製程本身不均勻地對晶圓進行蝕刻。此外，請參考圖3所示，若在先沉積製程並不完美，則晶圓100上可能會形成具有不均勻厚度的一材料層130。因此，請參考圖4與5所示，當後續蝕刻製程本身可不均勻地蝕刻時，上述佈植製程可用來形成具有均勻厚度的一摻雜材料層130a。而且，由於蝕刻速率(etching rate)可為摻雜濃度的一函數(function)，第一摻雜濃度對於第二摻雜濃度的比值可等比於一材料層130在第一部位110內厚度對於在第二部位120內厚度的一比值。
更詳細而言，請先參考圖3所示，材料層130沉積在第一部位110上的厚度會比沉積在第二部位120上的厚度更厚。因此，當蝕刻速率為摻雜濃度的一函數，並且後續蝕刻製程實質上可不均勻地進行蝕刻時，即有可能藉由對材料層130的不同部位(即不同厚度)進行不同摻雜濃度(對應到不同蝕刻速率)的離子佈植來移除材料層130的不均勻厚度。根據上述，請參考圖2所示，離子束200可用來以第一掃描速度沿著一第一掃描路徑210(以一較短的虛線繪示)掃描第一部位110，並且可以比第一掃描速度更快的第二掃描速度沿著一第二掃描路徑220(以一較長的虛線繪示)掃描第二部位120。因此，第一摻雜濃度將會比第二摻雜濃度更為稠密(denser)，其中第一摻雜濃度對於第二摻雜濃度的比值可等比於第二掃描速度對於第一掃描速度的比值。接著，請參考圖5所示，在蝕刻之後，材料層130的不同部位可藉由在不同部位之間的不同摻雜濃度所導致的不同蝕刻速度來進行蝕刻，然後當在材料層130不同部位上的不同蝕刻速率適當地在材料層130的不同部位上蝕刻不同的厚度時，材料層130a的厚度可為均勻的。
圖6與7依序繪示出一離子束根據繪示於圖1中的方法以一第一掃描速度以及一第二掃描速度掃描一晶圓的一示意圖。請參考圖6與7所示，於此實施例中，離子束200可用來先以第二掃描速度沿著繪示於圖6中的一第三掃描路徑230掃描第一部位110與第二部位120，然後再以第一掃描速度沿著繪示於圖7中的一第四掃描路徑240僅掃描第一部位110，其中第一掃描速度對於第二掃描速度的比值可等比於第二摻雜濃度對於第一摻雜濃度與第二摻雜濃度之間的一差值(difference)的一比值。因此，不僅第一摻雜濃度將會與繪示於圖4中的一樣比第二摻雜濃度更為稠密，而且沉積一離子佈植一蝕刻製程的最後結果可具有至少一均勻厚度。顯然地，兩個建議的實施例提供了掃描晶圓不同部位的不同方式，即本發明限定於如何以不同的摻雜濃度對一晶圓的不同部位進行離子佈植。
值得注意的是，於此實施例中，當晶圓100與離子束200其中之一固定不動時，掃描速度可藉由調整晶圓100與離子束200的另一的一移動速度來進行調整。另外，當晶圓100與離子束200二者皆未固定(free)時，掃描速度可藉由調整晶圓100與離子束200至少其中之一的移動速度來進行調整。
圖8繪示出根據本發明另一實施例的一種對一晶圓進行離子佈植的方法的一流程圖。請參考圖8所示，此方法相似於繪示於圖1中的方法，二者不同之處在於繪示於圖1中的方法的離子束的固定參數與調整參數不同於繪示於圖8中的方法。
更詳細而言，於上述實施例中，離子束200的掃描速度為可調整的，而離子束200的一離子束電流量則為固定的。然而，於此實施例中，掃描速度為固定的，而離子束電流量則為可調整的。換句話說，請參考圖2與8所示，離子束200可用來以一第一離子束電流量沿著第一掃描路徑210掃描第一部位110，並且以一第二離子束電流量沿著一第二掃描路徑220掃描第二部位120，其中第一離子束電流量大於第二離子束電流量，並且第一離子束電流量對於第二離子束電流量的一比值可等比於第一摻雜濃度對於第二摻雜濃度的比值。因此，此實施例中的摻雜結果可與上述實施例所揭露的相同。
於此，離子束200的離子束電流量可藉由以下方式及其組合來進行調整，關閉一離子源(ion source)(未繪示)所使用的一電漿源(source plasma)(未繪示)，在一磁場分析單元(未繪示)分析離子束200之前關閉離子束200，在離子束200投射到晶圓100上之前沿著離子束200加入一擋板(shutter)(未繪示)，減弱電漿源的功率以減少輸出之離子束200的離子束電流量，以及在磁場分析單元分析離子束200之前減少離子束200的離子束電流量。
相似地，於此實施例中，離子束200可用來先以第二離子束電流量沿著繪示於圖6中的一第三掃描路徑230掃描第一部位110與第二部位120，然後再以第一離子束電流量沿著繪示於圖7中的一第四掃描路徑240僅掃描第一部位110，其中第二離子束電流量對於第一離子束電流量的比值可等比於第二摻雜濃度對於第一摻雜濃度與第二摻雜濃度之間的一差值的比值。因此，此實施例中的摻雜結果亦可與上述實施例所揭露的相同。
此外，於上述實施例中，離子束200的掃描速度與離子束電流量其中之一為可調整的，而其另一則為固定的。然而，掃描速度與離子束電流量皆可為可調整的，其中離子束電流量在掃描速度降低時提高，並且離子束電流量在掃描速度提高時降低。另外，雖然於上述實施例中僅掃描速度與離子束電流量為可變化的，但本發明亦可藉由調整佈植製程的任何參數值來調整不同部位的摻雜濃度。
圖9繪示出根據本發明一實施例的一種離子佈植機的一示意圖。請參考圖9所示，離子佈植機300包括一離子源310、一磁場分析單元320、一固持設備330以及一控制器340。離子源310用以提供一離子束。磁場分析單元320用以分析離子束，以濾除具有非所需電荷質量比的複數個離子。固持設備330用以固持住要以離子束來進行離子佈植的晶圓。另外，控制器340用以控制離子佈植機300的至少一部位，以執行本發明的上述實施例與任何可能的變化。根據上述，所屬技術領域中具有通常知識者可使用離子佈植機300以本發明上述實施例與任何可能變化的方式對一晶圓進行離子佈植。
值得注意的是，於上述實施例中，揭露於此的不均勻沉積製程與均勻蝕刻製程僅為本發明的範例。換句話說，無論是在半導體製程的佈植製程之前或之後的任一特定製程的任何時候具有及/或預期會導致不均勻的結果，特定製程及佈植製程的最後結果皆可藉由使用本發明的上述離子佈植機與方法進行修正。
另外，若有必要的話，一熱處理製程(thermal process)可在後續製程之後進行，因而可降低摻雜濃度的非均勻分布。然而，若最終不均勻的程度遠大於如閘極(gate)等一半導體結構的尺寸，或是若最終不均勻的分布與如一插塞(plug)等一半導體結構的特性(property)不相關，則熱處理製程可完全地忽略。
除此之外，藉由不均勻的離子佈植來補償不均勻的分布可為可變化的。因此，具有一特定所需摻雜濃度的一個部位的輪廓可具有大主體(body)及/或小分支(branch)。也因此，為了對大主體有效地佈植離子，並且對小分支適當地佈植離子而對任何鄰近部位不適當地佈植離子，離子束的離子束尺寸最好是可調整的。
根據上述，如圖10中所示，本發明更可具有一調整裝置350，用以調整離子束370的離子束尺寸。於此，調整裝置350位於磁場分析單元320與固持設備330之間，使得即使在離子源310與磁場分析單元320的操作皆為固定的情況下亦可調整離子束370的離子束尺寸。另外，調整裝置350的詳細說明並非本發明的關鍵。調整裝置350可藉由機械手段或是藉由類似光學的手段來調整離子束370的離子束尺寸。於此，在機械手段方面，調整裝置350可為一可變光圈(variable aperture)，其一直徑為可調整的，或是一可移動光圈(movable aperture)，其可移進/出以調整離子束尺寸。於此，在類似光學的手段方面，離子束370的離子的傳遞(propagation)可藉由一透鏡(lens)對離子供應電磁力(electric-magnetic force)而進行調整。因此，調整裝置350可為一電動透鏡(electrical lens)或是一磁動透鏡(magnetic lens)。
綜合上述，當使用本發明中所揭露的離子佈植機或方法來兌一晶圓進行離子佈植時，晶圓的不同部位可以不同的摻雜濃度進行離子佈植。因此，已完成離子佈植的晶圓的不同部位可具有不同的物理及/或化學特性。於是，即使將被加工的晶圓為均勻的，並且後續製程幾乎可具有一均勻結果，不同的特性仍可導致一後續製程的不均勻結果。值得注意的是，所導致的不均勻結果可用來補償在佈植製程之前或之後可預期會導致不均勻結果的任一特定製程所產生的一不均勻。
雖然本發明的特定實施例已描述如上，但任何所屬技術領域中具有通常知識者應能了解的是，還是有等效於上述實施例的其他實施例。據此，應能了解的是，本發明並不限於所揭露的特定實施例，當視後附的申請專利範圍所界定的範圍為準。
100．．．晶圓
110、120．．．部位
130、130a．．．材料層
200、370．．．離子束
210、220、230、240．．．掃描路徑
300．．．離子佈植機
310．．．離子源
320．．．磁場分析單元
330．．．固持設備
340．．．控制器
350．．．調整裝置
Db、Dw．．．直徑
圖1繪示出根據本發明一實施例的一種對一晶圓進行離子佈植的方法的一流程圖。
圖2繪示出一晶圓藉由一離子束以根據繪示於圖1中的方法來進行掃描。
圖3繪示出繪示於圖2中的晶圓在被離子束掃描之前沿著線I-I的一剖視圖，其中一在先沉積製程不均勻地對晶圓進行沉積。
圖4繪示出繪示於圖3中的晶圓在被離子束掃描之後的一剖視圖，其中佈植製程不均勻地對晶圓進行摻雜。
圖5繪示出繪示於圖4中的晶圓在進行一後續蝕刻製程之後的一剖視圖，其中蝕刻製程不均勻地對晶圓進行蝕刻。
圖6繪示出一離子束根據繪示於圖1中的方法以一第一掃描速度掃描一晶圓的一示意圖。
圖7繪示出一離子束根據繪示於圖1中的方法以一第二掃描速度掃描一晶圓的一示意圖。
圖8繪示出根據本發明另一實施例的一種對一晶圓進行離子佈植的方法的一流程圖。
圖9繪示出根據本發明一實施例的一種離子佈植機的一示意圖。
圖10繪示出根據本發明另一實施例的一種用來調整一離子束的離子束尺寸的調整設備，使得離子束可適當地佈植晶圓的一個小區域。
100．．．晶圓
110、120．．．部位
200．．．離子束
210、220．．．掃描路徑
Db、Dw．．．直徑

Claims (29)

  1. 一種對一晶圓進行離子佈植的方法，包括：提供一晶圓，其至少包括需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位；以一離子束以一第一掃描速度掃描該第一部位；以及以該離子束以一第二掃描速度掃描該第二部位；其中該第一摻雜濃度大於該第二摻雜濃度，並且該第一掃描速度不同於該第二掃描速度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該離子束具有一點橫截面，並且該點橫截面的一直徑小於該晶圓的一直徑。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包括在該離子束投射到該晶圓上之前調整該離子束的一離子束尺寸的一調整步驟，使得該第一部位與該第二部位可分別為該晶圓的一個可變的小區域。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其可藉由在該晶圓與一離子源之間設置以下至少其中之一來達成該調整步驟：一可變光圈、一可移動光圈、一電動透鏡以及一磁動透鏡。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該第一掃描速度對於該第二掃描速度的一比值等比於該第二摻雜濃度對於該第一摻雜濃度的一比值。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包括先以該第二掃描速度一併掃描該第一部位與該第二部位，然後再以該第一掃描速度僅掃描該第一部位。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的方法，其中該第一掃描速度對於該第二掃描速度的一比值等比於該第二摻雜濃度對於該第一摻雜濃度與該第二摻雜濃度之間的一差值的一比值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該離子束的一掃描速度藉由以下製程步驟至少其中之一來進行調整：當該離子束固定不動時，調整該晶圓的一移動速度；當該晶圓固定不動時，調整該離子束的一移動速度；以及當該離子束與該晶圓皆未固定時，一併調整該晶圓的一移動速度與該離子束的一移動速度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該離子束的一掃描速度與一離子束電流量之間的一相對關係選自以下至少其中之一：當該離子束一併掃描該第一部位與該第二部位時，固定該離子束的該離子束電流量；以及當該離子束一併掃描該第一部位與該第二部位時，調整該離子束的該離子束電流量，其中該離子束電流量在該掃描速度降低時提高，並且該離子束電流量在該掃描速度提高時降低。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該第一部位與該第二部位至少其中之一所導致的一不均勻用來補償在佈植該晶圓之前或之後所執行的其他半導體製程至少其中之一所導致的另一不均勻。
  11. 一種對一晶圓進行離子佈植的方法，包括：提供一晶圓，其包括需要一第一摻雜濃度的至少一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位；以一離子束以一第一離子束電流量掃描該第一部位；以及該離子束以一第二離子束電流量掃描該第二部位，其中該第一摻雜濃度大於該第二摻雜濃度，並且該第一離子束電流量不同於該第二離子束電流量。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該離子束具有一點橫截面，並且該點橫截面的一直徑小於該晶圓的一直徑。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的方法，更包括在該離子束投射到該晶圓上之前調整該離子束的一離子束尺寸的一調整步驟，使得該第一部位與該第二部位可分別為該晶圓的一個可變的小區域。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的方法，其可藉由在該晶圓與一離子束源之間設置以下至少其中之一來達成該調整步驟：一可變光圈、一可移動光圈、一電動透鏡以及一磁動透鏡。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該第一離子束電流量對於該第二離子束電流量的一比值等比於該第一摻雜濃度對於該第二摻雜濃度的一比值。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的方法，更包括先以該第二離子束電流量一併掃描該第一部位與該第二部位，然後再以該第一離子束電流量僅掃描該第一部位。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中該第二離子束電流量對於該第一離子束電流量的一比值等比於該第二摻雜濃度對於該第一摻雜濃度與該第二摻雜濃度之間的一差值的一比值。
  18. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該離子束的一離子束電流量藉由以下製程步驟至少其中之一來進行調整：關閉一離子源所使用的一電漿源；在一磁場分析單元分析該離子束之前關閉該離子束；在該離子束投射到該晶圓上之前沿著該離子束加入一擋板；減弱該電漿源的功率；以及在該磁場分析單元分析該離子束之前減少該離子束的數量。
  19. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該離子束的一離子束電流量與一掃描速度之間的一相對關係選自以下至少其中之一：當該離子束一併掃描該第一部位與該第二部位時，固定該離子束的該掃描速度；以及當該離子束一併掃描該第一部位與該第二部位時，調整該離子束的該掃描速度，其中該掃描速度在該離子束電流量降低時提高，並且該掃描速度在該離子束電流量提高時降低。
  20. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該第一部位與該第二部位至少其中之一所導致的一不均勻用來補償在佈植該晶圓之前或之後所執行的其他半導體製程至少其中之一所導致的另一不均勻。
  21. 一種離子佈植機，包括：一離子源，用以提供一離子束；一磁場分析單元，用以分析該離子束，以濾除具有非所需電荷質量比的複數個離子；一固持設備，用以固持住要以該離子束來進行離子佈植的一晶圓；以及一控制器，用以控制該離子佈植機的至少一部位，以執行以下步驟：確認一晶圓上之至少需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位的分佈；該離子束以一第一掃描參數值掃描該第一部位；以及該離子束以一第二掃描參數值掃描該第二部位，其中該第一摻雜濃度大於該第二摻雜濃度，並且該第一掃描參數值不同於該第二掃描參數值。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的離子佈植機，其中該第一掃描參數值為一第一掃描速度而該第二掃描參數值為一第二掃描速度，並且該第一掃描速度小於該第二掃描速度。
  23. 如申請專利範圍第21項所述的離子佈植機，其中該第一掃描參數值為一第一離子束電流量而該第二掃描參數值為一第二離子束電流量，並且該第一離子束電流量大於該第二離子束電流量。
  24. 如申請專利範圍第21項所述的離子佈植機，其中該控制器控制該離子佈植機的至少一部位，以執行以下步驟：以該第二掃描參數值一併掃描該第一部位與該第二部位；以及以該第一掃描參數值僅掃描該第一部位。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的離子佈植機，其中該第一掃描參數值為一第一掃描速度而該第二掃描參數值為一第二掃描速度，並且該第一掃描速度對於該第二掃描速度的一比值等比於該第二摻雜濃度對於該第一摻雜濃度與該第二摻雜濃度之間的一差值的一比值。
  26. 如申請專利範圍第24項所述的離子佈植機，其中該第一掃描參數值為一第一離子束電流量而該第二掃描參數值為一第二離子束電流量，並且該第二離子束電流量對於該第一離子束電流量的一比值等比於該第二摻雜濃度對於該第一摻雜濃度與該第二摻雜濃度之間的一差值的一比值。
  27. 如申請專利範圍第21項所述的離子佈植機，更包括一調整裝置，用以在該離子束投射到該晶圓上之前調整該離子束的一離子束尺寸，其中該調整裝置位於該磁場分析單元與該固持設備之間。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的離子佈植機，其中該調整裝置選自以下至少其中之一：一可變光圈、一可移動光圈、一電動透鏡以及一磁動透鏡。
  29. 如申請專利範圍第21項所述的離子佈植機，其中該第一部位與該第二部位至少其中之一所導致的一不均勻用來補償在佈植該晶圓之前或之後所執行的其他半導體製程至少其中之一所導致的另一不均勻。
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