TWI398807B - 觸控裝置之定位裝置及其定位方法 - Google Patents

Description

觸控裝置之定位裝置及其定位方法

本發明是有關於一種定位裝置及其定位方法，且特別是有關於一種可提高觸控裝置定位觸碰位置之準確性的裝置及其方法。

隨著技術的日新月異，大多電子裝置，例如：筆記型電腦、手機或是可攜式多媒體播放器等電子裝置，通常配置有觸控面板，以取代傳統鍵盤作為新一代的輸入介面。觸控面板大致可區分為電阻式、電容式、紅外線式及超音波式等，其中以電阻式觸控面板與電容式觸控面板為最常見的產品。電容式觸控面板為經由手指或導體材質靠近或觸碰觸控面板，而使觸控面板的電容值產生變化。當觸控面板偵測到電容值變化時，便可判斷出手指或導體材質靠近或觸碰的位置，並且執行觸碰位置所對應之功能操作。電容式觸控面板具有多指觸控之特性，可提供人性化地操作，因而逐漸受到市場的青睞。

美國專利公告案號第5825352號提出一種多指接觸感測方法，其採用電容值變化曲線中的波峰及波谷來判斷所觸碰的位置。在此專利案中，先依序地將兩相鄰感測器所感測之電容值進行比較，並且依據電容值變化的趨勢為上升或下降來尋找波峰或波谷的位置。當掃描完單一軸向上(例如X軸或Y軸)的感測器後，便儲存所偵測到的波峰之值及其位置。倘若波峰之值大於參考臨界值時，便可判斷此波峰之位置受到觸碰。而將相鄰波峰之電容值及波峰之值加以運算，便可得知多指於觸控面板上的觸碰位置。

然而，觸控面板在未受觸碰的情況下，會因環境因素而使感測器所感測之電容值有微小的雜訊變化。上述處理程序為先偵測波峰及波谷再進行觸碰之判斷，因此雜訊所引起的電容值很可能被視為波峰而儲存起來，再進一步地判斷波峰之位置是否為觸碰位置。此時，對雜訊所引起的電容值進行運算不僅浪費系統運算資源，也造成無謂的系統耗電。而且，以往定位觸碰位置的計算方法為依據感測器所感測之電容值來求得質心位置，以作為觸碰位置。對某一感測器而言，在觸碰位置位於感測器中央及位於邊界的情況下，感測器所感測之電容值會有所不同，這也影響所計算之觸碰位置的準確性。

本發明提供一種觸控裝置之定位裝置及其定位方法，其可不受雜訊影響而偵測掃描線是否處於碰觸狀態，以降低觸碰判斷上的運算量。另外，依據掃描線所感測之電容值來計算出長度值並據以計算觸碰位置，以提高觸控裝置之定位準確性。

本發明提出一種觸控裝置之定位方法，其中觸控裝置具有多條掃描線。首先，感測此些掃描線上之電容值。接著，選取第i掃描線以及其相鄰的掃描線子集合上所感測之電容值。當第i掃描線上之電容值大於掃描線子集合之電容值，則判斷第i掃描線上之電容值為波峰電容值。依據波峰電容值及掃描線子集合之電容值計算觸碰位置。

在本發明之一實施例中，上述之依據波峰電容值及掃描線子集合之電容值計算觸碰位置的步驟更包括：依據波峰電容值及掃描線子集合之第i＋1電容值及第i-1電容值，分別計算出第i長度值、第i＋1長度值及第i-1長度值；當第i長度值小於次長度值與參考係數之加權值時，計算第i長度值及次長度值之第一權重和作為觸碰位置，其中次長度值為第i-1長度值及第i＋1長度值之最大值。

在本發明之一實施例中，上述之依據波峰電容值及掃描線子集合之電容值計算觸碰位置的步驟更包括：當第i長度值大於或等於次長度值與參考係數之加權值時，計算第i-1長度值、第i長度值及第i＋1長度值之第二權重和作為觸碰位置。

本發明另提出一種觸控裝置之定位裝置，其中觸控裝置具有多個感測器。此定位裝置包括多工器及處理單元。多工器耦接觸控裝置，用以選取第i掃描線以及其相鄰的掃描線子集合所分別感測之電容值。處理單元包括峰值檢測器及位置檢測器。峰值檢測器耦接多工器。峰值檢測器於第i掃描線大於掃描線子集合所感測之電容值，判斷第i掃描線所感測之電容值為波峰電容值。位置檢測器耦接多工器及峰值檢測器。當第i掃描線所感測之電容值為波峰電容值時，位置檢測器依據波峰電容值及掃描線子集合之電容值計算觸碰位置。

在本發明之一實施例中，上述之位置檢測器依據波峰電容值及掃描線子集合之第i＋1電容值及第i-1電容值，分別計算出第i長度值、第i＋1長度值及第i-1長度值。當第i長度值小於次長度值與參考係數之加權值時，位置檢測器計算第i長度值及次長度值之第一權重和作為觸碰位置，其中次長度值為第i-1長度值及第i＋1長度值之最大值。

在本發明之一實施例中，當第i長度值大於或等於次長度值與參考係數之加權值時，位置檢測器計算第i-1長度值、第i長度值及第i＋1長度值之第二權重和作為觸碰位置。

上述之定位方法及定位裝置，在本發明之一實施例中參考係數相關於觸控工具之面積。

本發明將掃描線所感測之電容值與碰觸臨界值進行比較，以判斷掃描線是否處於碰觸狀態。藉此，可以免除雜訊所引起之電容值影響定位的不必要運算，以及降低系統運算資源之消耗。另外，當處於碰觸狀態之掃描線所感測之電容值為波峰電容值時，便依據掃描線及其相鄰之掃描線子集合所感測之電容值計算出多個長度值，並據以計算觸控位置。藉此，可提高觸碰位置定位之準確性。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明之一實施例之一觸控裝置1的示意圖。請參照圖1，觸控裝置1包含一觸控面板50及一定位裝置100。觸控面板50為一電容式觸控面板，其在X軸及Y軸上，以軸交錯方式(interleaved)進行菱形狀電極矩陣的配置。其中，X軸上每一掃描線CIN0~CIN7上之電極係電性導通，且Y軸上每一掃描線CIN8~CIN15上之電極亦是電性導通。定位裝置100包括多工器110、轉換器單元120以及處理單元130。

多工器110耦接觸控面板50。當觸控工具(例如：手指或觸控筆)接觸到觸控面板50時，菱形狀電極與觸控工具形成電容耦合而使感測器所感測之電容值產生變化。因此，當進行觸控面板50之碰觸偵測時，多工器110便依據掃描順序，依序地驅動轉換單元120感測各掃描線上之電容值。舉例來說，掃描順序依序地為掃描線CIN0→CIN1...→CIN7→CIN8→CIN9...→CIN15→CIN0...，經由偵測觸碰位置位於X軸及Y軸的座標，便可以二維座標定位觸碰位置。

轉換單元120為一類比數位轉換器(analog to digital converter,ADC)，例如為一電容數位轉換器(capacitance to digital converter,CDC)，其耦接多工器110與處理單元130之間。轉換單元120用以將類比格式之電容值轉換為數位格式之電容值，以便於處理單元130判讀及處理。

處理單元為一微控制器(micro-controller)，其包括碰觸檢測器131、峰值檢測器132及位置檢測器133。碰觸檢測器131耦接轉換單元120，其依據轉換單元120所感測之電容值與一碰觸臨界值之比較結果，來判斷電容值之變化為觸控工具碰觸(或接近)觸控面板50所引起或者為雜訊所引起，以避免對雜訊所造成之電容值變化進行不必要的運算。峰值檢測器132耦接轉換單元120及碰觸檢測器131。當觸控工具碰觸或接近觸控面板50時，轉換單元120針對各掃描線所感測之電容值會形成具有波峰波谷的曲線。本實施例採用一移動視窗來選取一掃描線以及其相鄰的掃描線子集合上所感測之電容值，以進行波峰判斷，其中移動視窗逐一地位移一掃描線，當選取的掃描線之電容值大於其掃描線子集合之電容值，則判斷為波峰。

位置檢測器133耦接轉換單元120及峰值檢測器132。位置檢測器133依據波峰的位置來判斷受碰觸之掃描線座標，接著定位出觸碰位置。一般而言，感測到波峰電容值之掃描線座標會很接近觸碰位置。受限於菱形狀電極之尺寸設計，觸控面板顯示之解析度通常高於電極矩陣配置之解析度。菱形狀電極尺寸越大，相對地會降低偵測出觸碰位置的解析度。

舉例來說，圖2為本發明實施例圖1中轉換單元120所感測之電容值的示意圖。請參考圖1及圖2，當使用者利用觸控工具(例如手指、觸控筆等)於圖1所示之觸碰位置A及B上碰觸觸控面板50時，掃描線CIN0~CIN7所感測之電容值分別為圖2所示之電容值C0~C7。參考移動視窗210，首先選取掃描線CIN0上所感測之電容值C0及其相鄰之掃描線CIN1上所感測之電容值C1。由於電容值C0小於碰觸臨界值C_TH ，因此碰觸檢測器131判斷感測電容值C0不處於碰觸狀態。這也意味著觸碰位置不位於電容值C0所對應之掃描線CIN0位置，故無需對電容值C0及C1進行運算來定位觸碰位置。接著，將移動視窗210向右位移一掃描線，以選取掃描線CIN1上所感測之電容值C1及其相鄰的掃描線子集合上所感測之電容值，例如兩側相鄰之掃描線CIN0及CIN2上所感測之電容值C0及C2。由於電容值C1亦小於碰觸臨界值C_TH ，故碰觸檢測器131判斷感測電容值C1亦不處於碰觸狀態，無需對電容值C0、C1及C2進行運算來定位觸碰位置。

接下來，移動視窗211選取掃描線CIN2上所感測之電容值C2及其兩側相鄰之掃描線CIN1及CIN3上所感測之電容值C1及C3。此時，電容值C2大於碰觸臨界值C_TH ，表示電容值C2為觸碰工具碰觸或接近觸控面板50所引起的，故碰觸檢測器131會判斷感測電容值C2處於碰觸狀態。接著，峰值檢測器132依據電容值C1~C3，可檢測出電容值C2高於相鄰之電容值C1及C3，進而判斷電容值C2為波峰電容值。也就是說，觸碰位置為接近或者位於電容值C2所對應之掃描線座標上。同樣地，經由計算觸碰位置A位於掃描線CIN10上的Y軸座標，便可以二維座標D(x,y)來定位觸碰位置A，相關運算於後說明。

參考移動視窗212選取掃描線CIN3上所感測之電容值C3及其兩側相鄰之掃描線CIN2及CIN4上所感測之電容值C2及C4。雖然電容值C3所對應之掃描線CIN3會因電容值C3大於碰觸臨界值C_TH 而判斷為碰觸狀態，但是依據電容值C2~C4之間的比較結果，可以得知電容值C3不為波峰電容值，這也表示觸碰位置接近但不位於電容值C3所對應之掃描線座標上，因而不對電容值C2~C4進行運算來定位觸碰位置。接著，在移動視窗212向右位移一掃描線而選取電容值C3、C4及C5的情況下，以及移動視窗212更向右位移一掃描線而選取電容值C4、C5及C6的情況下，因為電容值C4及C5不大於碰觸臨界值C_TH ，故處理方式如電容值C0及C1相同，無須對所擷取之電容值進行運算來定位觸碰位置。

接著，參考移動視窗213而選取掃描線CIN6上所感測之電容值C6及其兩側相鄰之掃描線CIN5及CIN7上所感測之電容值C5及C7。由於電容值C6大於碰觸臨界值C_TH ，且電容值C6大於相鄰之電容值C5及C7而為波峰電容值，因此位置檢測器133判斷觸碰位置為接近或者位於電容值C6所對應之掃描線座標上，相關運算於後說明。在本實施例中，經由比較所擷取之電容值與碰觸臨界值之方式，以及分析所擷取之電容值是否為波峰電容值之方式，可以免除定位觸碰位置時不必要的運算，可有效地降低運算量。

依據上述說明，在此可歸納為下列的方法流程。圖3為本發明之一實施例之觸控裝置之定位方法的流程圖。請參照圖3，首先感測第i掃描線以及與第i掃描線相鄰的掃描線子集合上之電容值(步驟S301)，其中掃描線子集合包括相鄰的第i-1掃描線及第i＋1掃描線。接著，依據第i掃描線上所感測之電容值及碰觸臨界值，判斷第i掃描線是否處於碰觸狀態(步驟S302)，並且當第i掃描線處於碰觸狀態時，進一步地依據上述所感測之電容值，判斷第i掃描線上所感測之電容值是否為波峰電容值(步驟S303)。當第i掃描線上所感測之電容值為波峰電容值，則依據所感測之電容值來計算觸碰位置(步驟S304)。相反地，當第i掃描線不處於碰觸狀態，或者當第i掃描線上所感測之電容值不為波峰電容值時，無須對所擷取之電容值進行運算來定位觸碰位置。以下詳細敘述定位觸碰裝置之運算。

圖4為本發明實施例圖3之計算觸碰位置的流程圖。一般而言，電容值正比於菱形狀電極與觸控工具電容耦合的面積。由於對應某一軸向的座標位置為一維的長度資訊而非二維的面積資訊，因此以往直接採用電容值進行質心座標之運算來作為觸碰位置的方式，往往與實際的觸碰位置有較大的誤差。因此，位置檢測器133依據第i掃描線所感測之電容值C_i 以及掃描線子集合所感測之電容值C_i＋1 及C_i-1 ，計算電容值C_i 、C_i＋1 及C_i-1 的長度值，並據以定位觸碰位置。舉例來說，長度值可以為掃描線上所感測之電容值的平方根。

另外，由於觸控工具碰觸觸控面板50之面積影響感測有電容值變化之掃描線數量，為了提高定位觸碰位置之準確性，位置檢測器133更依據相關於觸控工具面積之參考係數α，以進行定位觸碰位置之運算，其中參考係數α與觸控工具之面積成反比且大於1。此參考係數α會依據電路結構及設計而有所不同，對觸控筆而言，參考係數例如為1.4，且對觸碰面積大於觸控筆的手指而言，參考係數例如為1.15。

以移動視窗211所選取之電容值C1~C3為例，位置檢測器133依據電容值C2及其相鄰之電容值C1及C3，分別計算出電容值C1~C3的長度值，其中電容值C2為波峰電容值，且電容值C3次於電容值C2，即電容值C2大於電容值C1。接著，位置檢測器133將長度值與由長度與參考係數α計算得來之加權值進行比較(步驟S401)，其中圖4中所示之表示次於波峰電容值之電容值所運算獲得長度值可能是長度值或長度值，需視實際情況而定。

當長度大於或者等於長度值與參考係數α之加權值時，表示觸控面板50受到碰觸的範圍較有可能涵蓋電容值C2及C3所對應之掃描線，因此位置檢測器133計算長度及長度值之權重和W1作為觸碰位置(步驟S402)，其中P_i 表示電容值C_i 所對應之掃描線位於觸控裝置之位置索引。相反地，當長度值小於長度與參考係數α之加權值，表示觸控面板50受到碰觸的範圍較有可能涵蓋電容值C1~C3所對應之掃描線，因此位置檢測器133計算長度之權重和W2作為觸碰位置(步驟S403)。

此外，可由電容值計算出的權重和作為觸碰位置，以下再提一實施例值說明。圖5為本發明實施例圖3之計算觸碰位置的另一流程圖。請參照圖4及圖5，其不同之處為步驟S502及S503。當長度值大於或者等於長度值與參考係數α之加權值時，位置檢測器133計算電容值C2及C3之權重和W1作為觸碰位置(步驟S502)，其中P_i 表示電容值C_i 所對應之掃描線位於觸控裝置之位置索引。相反地，當長度值小於長度值與參考係數α之加權值，位置檢測器133計算電容值C1、C2及C3之權重和W2作為觸碰位置(步驟S503)。

綜上所述，上述實施例之定位裝置及其定位方法可將掃描線所感測之電容值與碰觸臨界值進行比較，以判斷掃描線是否處於碰觸狀態。另外，當處於碰觸狀態之掃描線所感測之電容值為波峰臨界值時，便依據掃描線及其相鄰之掃描線子集合所感測之電容值，計算這些電容值之長度值，並據以計算觸控位置，或者依據掃描線及其相鄰之掃描線子集合所感測之電容值計算觸控位置。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1．．．觸控裝置

50．．．觸控面板

10、20．．．菱形狀電極

100．．．定位裝置

110．．．多工器

120．．．轉換單元

130．．．處理單元

131．．．碰觸檢測器

132．．．峰值檢測器

133．．．位置檢測器

210~213．．．移動視窗

A、B．．．觸碰位置

C_TH ．．．碰觸臨界值

D(x,y)‧‧‧座標

S301~S304‧‧‧本發明之一實施例之觸控裝置之定位方法的步驟

S401~S403、S501~S503‧‧‧本發明之一實施例之計算觸碰位置的步驟

圖1為本發明之一實施例之一觸控裝置1的示意圖。

圖2為本發明實施例圖1中轉換單元120所感測之電容值的示意圖。

圖3為本發明之一實施例之觸控裝置之定位方法的流程圖。

圖4為本發明實施例圖3中計算觸碰位置的流程圖。

圖5為本發明實施例圖3中計算觸碰位置的另一流程圖。

S301~S304．．．本發明一實施例的觸控裝置之定位方法的步驟

Claims (26)

1. 一種觸控裝置之定位方法，其中該觸控裝置具有多條掃描線，該定位方法包括以下步驟：感測該些掃描線上之電容值；選取該些掃描線之一第i掃描線以及其相鄰的一掃描線子集合上所感測之電容值；當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合之電容值，則判斷該第i掃描線上之電容值為一波峰電容值；依據該波峰電容值及該掃描線子集合之一第i+1電容值及一第i-1電容值，分別計算出一第i長度值、一第i+1長度值及一第i-1長度值；以及當該第i長度值小於一次長度值與一參考係數之一加權值時，計算該第i長度值及該次長度值之一第一權重和作為該觸碰位置，其中該次長度值為該第i-1長度值及該第i+1長度值之最大值。
2. 如申請專利範圍第1項所述之定位方法，其中該參考係數相關於一觸控工具之面積。
3. 如申請專利範圍第2項所述之定位方法，其中該參考係數大於1，且該參考係數與該觸控工具之面積成反比。
4. 如申請專利範圍第1項所述之定位方法，其中該第一權重和W 1=(×P _{i ±1} +×P _i )/(+)，其中為該次長度值，、及分別為該第i-1長度值、該第i長度值及該第i+1長度值，且P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對 應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
5. 如申請專利範圍第1項所述之定位方法，其中該依據該波峰電容值及該掃描線子集合之電容值計算該觸碰位置的步驟，更包括：當該第i長度值大於或等於該次長度值與該參考係數之該加權值時，計算該第i-1長度值、該第i長度值及該第i+1長度值之一第二權重和作為該觸碰位置。
6. 如申請專利範圍第5項所述之定位方法，其中該第二權重和W 2=(×P _{i -1} +×P _i +×P _{i +1} )/(++)，其中、及分別為該第i-1長度值、該第i長度值及該第i+1長度值，且P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
7. 如申請專利範圍第1項所述之定位方法，其中該選取該第i掃描線以及其相鄰的該掃描線子集合上所感測之電容值之步驟，更包括：依據該第i掃描線所感測之電容值及一碰觸臨界值，判斷該第i掃描線是否處於一碰觸狀態；以及當該第i掃描線處於該碰觸狀態，進行該當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合之電容值，則判斷該第i掃描線上之電容值為該波峰電容值之步驟。
8. 一種觸控裝置之定位方法，其中該觸控裝置具有多條掃描線，該定位方法包括以下步驟： 感測該些掃描線上之電容值；選取該些掃描線之一第i掃描線以及其相鄰的一掃描線子集合上所感測之電容值；當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合之電容值，則判斷該第i掃描線上之電容值為一波峰電容值；依據該波峰電容值及該掃描線子集合之一第i-1電容值及一第i+1電容值，分別計算出一第i長度值、一第i-1長度值及一第i+1長度值；以及當該第i長度值小於一次長度值與一參考係數之一加權值時，計算該波峰電容值及一次電容值之一第一權重和作為該觸碰位置，其中該次長度值為該第i-1長度值及該第i+1長度值之最大值，且該次電容值為該第i-1電容值及該第i+1電容值之最大值。
9. 如申請專利範圍第8項所述之定位方法，其中該第一權重和W 1=(C _{i ±1} ×P _{i ±1} +C _i ×P _i )/(C _{i ±1} +C _i )，其中C_i±1 為該次電容值，P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
10. 如申請專利範圍第8項所述之定位方法，其中該依據該波峰電容值及該掃描線子集合之電容值計算該觸碰位置的步驟，更包括：當該第i長度值大於或等於該次長度值與該參考係數之該加權值時，計算該波峰電容值、該第i電容值及該第i+1電容值之一第二權重和作為該觸碰位置。
11. 如申請專利範圍第10項所述之定位方法，其中該第二權重和W 2=(C _{i -1} ×P _{i -1} +C _i ×P _i +C _{i +1} ×P _{i +1} )/(C _{i -1} +C _i +C _{i +1} )，其中P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
12. 如申請專利範圍第8項所述之定位方法，其中該選取該第i掃描線以及其相鄰的該掃描線子集合上所感測之電容值之步驟，更包括：依據該第i掃描線所感測之電容值及一碰觸臨界值，判斷該第i掃描線是否處於一碰觸狀態；以及當該第i掃描線處於該碰觸狀態，進行該當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合之電容值，則判斷該第i掃描線上之電容值為該波峰電容值之步驟。
13. 一種觸控裝置之定位裝置，其中該觸控裝置具有多條掃描線，包括：一多工器，耦接該觸控裝置，用以選取該些掃描線中一第i掃描線以及其相鄰的一掃描線子集合所分別感測之電容值；以及一處理單元，包括：一峰值檢測器，耦接該多工器，當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合所感測之電容值，判斷該第i掃描線所感測之電容值為一波峰電容值；以及一位置檢測器，耦接該多工器及該峰值檢測器，當該第i掃描線所感測之電容值為該波峰電容值時，依據 該波峰電容值及該掃描線子集合之電容值計算一觸碰位置，其中該位置檢測器依據該波峰電容值及該掃描線子集合之一第i+1電容值及一第i-1電容值，分別計算出一第i長度值、一第i+1長度值及一第i-1長度值，當該第i長度值小於一次長度值時與一參考係數之一加權值時，該位置檢測器計算該第i長度值及該次長度值之一第一權重和作為該觸碰位置，其中該次長度值為該第i-1長度值及該第i+1長度值之最大值。
14. 如申請專利範圍第13項所述之定位裝置，其中該參考係數相關於一觸控工具之面積。
15. 如申請專利範圍第14項所述之定位裝置，其中該參考係數大於1，且與該觸控工具之面積成反比。
16. 如申請專利範圍第13項所述之定位裝置，其中該第一權重W 1=(×P _{i ±1} +×P _i )/(+)，其中為該次長度值，、及分別為該第i-1長度值、該第i+1長度值及該第i長度值，且P_i-1 、P_i+1 及P_i 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該第i+1電容值C_i+1 及該波峰電容值C_i 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位址索引。
17. 如申請專利範圍第13項所述之定位裝置，其中當該第i長度值大於或等於該次長度值與該參考值之該加權值時，該位置檢測器計算該第i-1長度值、該第i長度值及該第i+1長度值之一第二權重和作為該觸碰位置。
18. 如申請專利範圍第17項所述之定位裝置，其中該第二權重和W 2=(×P _{i -1} +×P _i +×P _{i +1} )/(++)，其中、及分別為該第i-1長度值、該第i長度值以及該第i+1長度值，P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為第i-1電容值Ci-1、波峰電容值Ci及第i+1電容值Ci+1所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位址索引。
19. 如申請專利範圍第13項所述之定位裝置，其中該處理單元更包括一碰觸檢測器，其耦接於該多工器與該峰值檢測器之間，用以依據該第i掃描線所感測之該電容值及一碰觸臨界值，判斷該第i掃描線是否處於一碰觸狀態，並且當該第i掃描線處於該碰觸狀態時，該峰值檢測器則判斷該第i掃描線所感測之電容值是否為該波峰電容值。
20. 如申請專利範圍第13項所述之定位裝置，更包括：一轉換單元，耦接於該多工器與該處理單元之間，用以將具有一類比格式之該些電容值轉換為具有一數位格式之該些電容值。
21. 一種觸控裝置之定位裝置，其中該觸控裝置具有多條掃描線，包括：一多工器，耦接該觸控裝置，用以選取該些掃描線中一第i掃描線以及其相鄰的一掃描線子集合所分別感測之電容值；以及一處理單元，包括：一峰值檢測器，耦接該多工器，當該第i掃描線上之電容值大於該掃描線子集合所感測之電容值，判斷該 第i掃描線所感測之電容值為一波峰電容值；以及一位置檢測器，耦接該多工器及該峰值檢測器，當該第i掃描線所感測之電容值為該波峰電容值時，依據該波峰電容值及該掃描線子集合之電容值計算一觸碰位置，其中該位置檢測器依據該波峰電容值及該掃描線子集合之一第i+1電容值及一第i-1電容值，分別計算出一第i長度值、一第i+1長度值及一第i-1長度值，當該第i長度值小於一次長度值時與一參考係數之一加權值時，該位置檢測器計算該波峰電容值及一次電容值之一第一權重和作為該觸碰位置，其中該次長度值為該第i-1長度值及該第i+1長度值之最大值，且該次電容值為該第i-1電容值及該第i+1電容值之最大值。
22. 如申請專利範圍第21項所述之定位裝置，其中該第一權重和W 1=(C _{i ±1} ×P _{i ±1} +C _i ×P _i )/(C _{i ±1} +C _i )，其中C_i±1 為該次電容值，P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
23. 如申請專利範圍第21項所述之定位裝置，其中當該第i長度值大於或等於該次長度值與該參考值之該加權值時，該位置檢測器計算該第i-1電容值、該波峰電容值及該第i+1電容值之一第二權重和作為該觸碰位置。
24. 如申請專利範圍第23項所述之定位裝置，其中該第二權重和W 2=(C _{i -1} ×P _{i -1} +C _i ×P _i +C _{i +1} ×P _{i +1} )/(C _{i -1} +C _i +C _{i +1} )，其中P_i-1 、P_i 及P_i+1 分別為該第i-1電容值C_i-1 、該波峰電容值 C_i 及該第i+1電容值C_i+1 所對應之該些掃描線位於該觸控裝置之位置索引。
25. 如申請專利範圍第21項所述之定位裝置，其中該處理單元更包括一碰觸檢測器，其耦接於該多工器與該峰值檢測器之間，用以依據該第i掃描線所感測之該電容值及一碰觸臨界值，判斷該第i掃描線是否處於一碰觸狀態，並且當該第i掃描線處於該碰觸狀態時，該峰值檢測器則判斷該第i掃描線所感測之電容值是否為該波峰電容值。
26. 如申請專利範圍第21項所述之定位裝置，更包括：一轉換單元，耦接於該多工器與該處理單元之間，用以將具有一類比格式之該些電容值轉換為具有一數位格式之該些電容值。