TWI391315B - 用於積體電路封裝內的mems開關的方法和系統 - Google Patents

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Description

用於積體電路封裝內的MEMS開關的方法和系統
本發明涉及無線通訊，更具體地說，涉及一種用於設置在積體電路封裝內的MEMS(微機電系統)開關的方法和系統。
移動通訊技術在一定程度上改變了人們的通訊方式，並且移動電話已經從奢侈品逐漸轉變為日常生活必需品。移動電話的使用已經不會再受到地點以及技術的限制，而是取決於實際情況。隨著語音通話填補了人們的基本通訊要求，並且移動語音連接正逐步融入人們生活中，移動通訊革命的下一個時代將會是移動互聯網時代。移動互聯網正成為人們時常生活資訊的重要來源，並且對該網路的接入操作也逐漸簡單化、通用化。
隨著適用有線和/或無線通訊技術的電子設備與日俱增，對這些電子設備能效的提高也顯得愈發重要。例如，大部分通訊設備都是移動無線設備並且這些設備都是依靠電池進行供電。因此，這些設備中的發射和/或接收電路通常消耗掉了設備的能量的絕大部分。此外，在一些傳統通訊系統中，便攜設備中的發射器和/或接收器與設備中的其他模組相比往往都是低能效的。因此，這些發射器和/或接收器會對移動無線設備的電池壽命起到顯著影響。
比較本發明後續將要結合附圖介紹的系統，現有技術的其他局限性和弊端對於本領域的普通技術人員來說是顯而易見的。
本發明提供了一種用於設置在積體電路封裝內的MEMS開關的方法和系統，結合至少一幅附圖進行了充分的展現和描述，並在申請專利範圍中得到了更完整的闡述。
根據本發明的一個方面，本發明提供一種無線通訊方法，包括：提供與積體電路相連接的多層封裝，所述多層封裝包括有 RF元件以及一個或多個MEMS開關陣列，且所述RF元件以及MEMS開關陣列是分散設置於所述多層封裝中的多層結構；選擇性地對所述多層封裝內的MEMS開關陣列進行操作，以使所述多層封裝內的RF元件與所述積體電路內的元件相連接；以及進而對所述多層封裝內的RF元件的頻率進行調諧。
優選地，所述MEMS開關陣列是靜電啟動的。
優選地，所述MEMS開關陣列是磁啟動的。
優選地，所述RF元件與所述積體電路內的一個或多個電容器陣列相連。優選地，所述RF元件包括變壓器。
優選地，所述RF元件包括電感器。
優選地，所述RF元件包括MEMS開關配置傳輸線。
優選地，所述RF元件包括微帶和/或共面波導濾波器。
優選地，所述RF元件包括表面貼裝器件。
優選地，所述積體電路通過覆晶接合技術與所述多層封裝相接合。
根據本發明另一方面，本發明提供一種無線通訊系統，包括：積體電路；以及與所述積體電路相連接的多層封裝，其中，所述多層封裝包括有RF元件以及一個或多個MEMS開關陣列，且所述RF元件以及MEMS開關陣列是分散設置於所述多層封裝中的多層結構；其中所述MEMS開關陣列是選擇性地將所述RF元件與所述積體電路內的元件連接，以使所述多層封裝內的RF元件的頻率進行調諧。
優選地，所述一個或多個RF元件通過所述一個或多個MEMS開關陣列和/或所述積體電路來進行調諧。
優選地，所述一個或多個RF元件通過所述一個或多個MEMS開關陣列和/或所述積體電路來進行切換。
優選地，所述MEMS開關陣列是靜電啟動的。
優選地，所述MEMS開關陣列是磁啟動的。
優選地，所述RF元件與所述積體電路內的一個或多個電容器陣列相連。
優選地，所述RF元件包括變壓器。
優選地，所述RF元件包括電感器。
優選地，所述RF元件包括MEMS開關配置傳輸線。
優選地，所述RF元件包括微帶和/或共面波導濾波器。
優選地，所述RF元件包括表面貼裝器件。
優選地，所述積體電路通過覆晶接合技術與所述多層封裝相接合。
本發明的各種優點、各個方面和創新特徵，以及其中所示例的實施例的細節，將在以下的描述和附圖中進行詳細介紹。
本發明的具體方面涉及用於設置在積體電路封裝內的MEMS開關的方法和系統。本發明具體實施方面包括與積體電路電連接的多層封裝，集成在該多層封裝內的RF元件以及一個或多個MEMS開關。MEMS開關可以是靜電啟動或者磁啟動的。所述RF元件通過一個或多個MEMS開關與積體電路電連接。RF元件與積體電路內的一個或多個電容器陣列相連。所述RF元件包括：變壓器、電感器、傳輸線、微帶和/或共面波導濾波器和/或表面貼裝器件。所述積體電路通過覆晶接合技術與所述多層封裝相接合。
圖1是本發明一實施例採用MEMS開關陣列的多帶無線系統的結構示意圖。如圖1所示，圖中示出無線系統150，包括：RF接收器153A以及153B、RF發射器154A以及154B、MEMS開關陣列152、數位基帶處理器159、處理器155、記憶體157、雙工機163以及天線151A、151B、151C和151D。天線151A以及151B中的一個或多個與MEMS開關陣列152或者雙工機153通信連接，並且每個天線經配置可處理特定頻率範圍內的信號。
MEMS開關陣列152可包括由單獨可定址的MEMS開關構成的開關陣列，用於將RF發射器154A和154B和/或RF接收器153A和153B與適當的天線151A和/或151B或151C和/ 或151D通過雙工機163選擇性地連接。MEMS開關陣列152可根據系統頻率要求將適當的發射器154A或154B與無線系統150內的天線連通。MEMS開關陣列152可根據應用需要將天線151A、151B、151C和151D中的一個或多個與適當的接收器153A或153B相連。其中的MEMS開關陣列將會在圖2~4中作進一步描述。
天線151A以及151B可用于EDGE/GSM應用，並且天線151C以及151D可通過雙工機應用於WCDMA。
RF接收器153A和153B可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用於對接收到的RF信號進行處理。RF接收器153A和153B可接收各種無線通訊系統所使用的不同頻帶內的RF信號，例如，藍牙、WLAN、GSM和/或WCDMA。MEMS開關陣列152可根據實際應用和/或頻率要求將接收器153A和/或153B與適當的天線相連。
數位基帶處理器159可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用於處理基帶信號。因此，數位基帶處理器159可對從RF接收器153A和153B接收的信號和/或由RF發射器通過無線通訊媒體發射的信號進行處理。數位基帶處理器159還可基於來自處理的信號的資訊，為RF接收器153A和153B以及RF發射器154A和154B提供控制和/或反饋資訊。數位基帶處理器159可將來自處理信號的資訊和/或資料傳送給處理器155和/或記憶體157。此外，數位基帶處理器159可從處理器155和/或記憶體157處接收資訊，該資訊經處理後會被傳送到RF發射器154A和154B以供傳輸至無線通訊媒體。
RF發射器154A和154B可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用於對傳輸的RF信號進行處理。RF發射器154A和154B可對不同無線通訊系統所使用的各種頻帶內的RF信號進行傳輸，例如，藍牙、WLAN、GSM和/或WCDMA，實現頻率可調以及標準可選。在本發明的實施例中，每個RF發射器154A和154B可根據特定的應用、頻率和/或功率等級進行 配置。因此，為實現特定的傳輸，MEMS開關陣列152可與適當的RF發射器相連。RF發射器和接收器的數量並不局限於圖1所述。因此，無線系統150中可依據無線標準、頻率和/或功率等級集成任意數目的RF發射器和接收器。
處理器155可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用於對無線系統150進行控制和/或資料處理。處理器155可用於對RF接收器153A和153B、RF發射器154A和154B、數位基帶處理器159、和/或記憶體157的至少一部分進行控制。因此，處理器155可生成至少一個信號來控制無線系統150的操作。
記憶體157可包括適當邏輯器件、電路和/或代碼以用於對無線系統150利用的資料和/或其他資訊進行存儲。例如，記憶體157可用於將數位基帶處理器159和/或處理器155生成的處理後資料進行存儲。記憶體157還可用於將對無線系統150中至少一個模組進行控制所用的配置資訊進行存儲。例如，記憶體157還包括對RF接收器153A和/或153B進行配置以使得所述接收器能夠接收適當頻帶內的信號所需的資訊。
MEMS開關陣列152包括由單獨可定址的MEMS開關構成的開關陣列，用於將RF發射器154A和154B和/或RF接收器153A和153B與適當的天線151A和/或151B或151C和/或151D通過雙工機163選擇性地連接。其中的MEMS開關陣列將會在圖2~4中作進一步描述。
雙工機163可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用於將兩個信號進行合併，即，將由RF發射器154A和154B生成的輸出信號以及由天線151C和/或151D接收到的信號合併成一個信號，以使得能夠在同一根天線上同時完成通訊的發射與接收操作。在需要採用多種頻帶的情況下，雙工機163可包括多個雙工機，並且還可用在需要進行全雙工通訊的情況中，比如WCDMA。
在操作過程中，RF發射器154A和154B中的一個或兩個 可生成一個或多個放大的RF信號。根據採用的無線通訊標準，所述信號可通過MEMS開關陣列152傳送給天線151A和151B中的一個或兩個。在本發明的另一實施例中，信號可通過雙工機163以及MEMS開關陣列152傳送給天線151C和151D中的一個或兩個。雙工機163實現信號的雙向通訊，實現同步收發。
在本發明的另一實施例中，在不需要進行雙工通訊的情況下，由RF發射器154A或154B生成的信號可通過MEMS開關陣列152傳送給選定的天線151A和/或151B。
在本發明的實施例中，無線系統150的各元件可以集成在與多層封裝相連的積體電路或晶片上，其中該多層封裝在其頂部、底部以及內部包含多個元件，如圖2所示。所述封裝可包括多層結構，所述積體電路可與該多層結構達成覆晶接合。在所述積體電路上進一步集成RF元件例如濾波器、電感器、電容器和開關的難度隨著設備運行頻率增至10GHz和/或降至1 GHz範圍而逐漸增大。此外，將RF元件集成在積體電路上將會增加晶片尺寸和成本。通過將RF元件集成在多層封裝中，能夠大幅度減小設備尺寸，這對於無線系統150運行在60GHz或低於1 GHz的頻率範圍時是至關重要的。
圖2是本發明一實施例集成有MEMS開關的多層封裝的截面視圖。圖中示出晶片201、絕緣層203、MEMS開關陣列205和225、金屬層207、209A、209B、209C、215A、215B、215C、217、223A和223B、錫球211、多層封裝213、表面貼裝器件219和熱環氧樹脂層221。
晶片201或積體電路，可包括圖1中所示無線系統150，或者還可包括其他需要濾波元件和/或器件的積體電路。晶片201可以利用錫球211與多層封裝213進行凸塊接合(bump-bonded)或者覆晶接合。因此，在晶片201以及多層封裝213之間無需採用焊線，從而有效減小和/或消除因焊線產生的雜散電感效應。此外，採用錫球211以及熱環氧樹脂層221能夠顯著改善 晶片201外的導熱性。熱環氧樹脂221是電絕緣的，但是是導熱的，卻能夠將晶片201內的熱量導出至熱容更大的多層封裝213中。
MEMS開關陣列205和225可包括設置在多層封裝213內和/或上的一列MEMS開關。各個MEMS開關是單獨可定址的，並可用於將晶片201內的元件與集成在多層封裝213內和/或上的RF元件相連接。通過將MEMS開關以及RF元件設置在多層封裝上而非晶片201上，由於分散的RF器件和MEMS開關與片上CMOS對應件相比有著較高的Q值以及較低的插入損耗，因此晶片所需的使用表面積顯著降低並且性能顯著提高。
金屬層207、209A、209B、209C、215A、215B、215C、217、223A和223B包括用於刻劃出RF元件的沈積金屬層，該RF元件可以是例如電感器、變壓器、平衡轉換器、電容器、天線、傳輸線、微帶濾波器或共面波導。金屬層209形成為用於將晶片201內的功率放大器與天線例如圖1中所示天線151A~D進行阻抗匹配的傳輸線。在本發明的另一實施例中，金屬層207以及217可包括微帶結構，該微帶結構的阻抗是可調節的。
在本發明的其他實施例中，金屬層223A和223B以及MEMS開關陣列225可包括長度可調的傳輸線或微帶濾波器，其中可利用多個MEMS開關來接通和切斷傳輸線或微帶的各段。因此，傳輸線或微帶的阻抗是可調節的，調節所述元件的共鳴頻率。金屬層217包含設置在多層封裝上的天線。類似地，當MEMS開關陣列集成在金屬層217內的情況下，金屬層217的各段可與電路接通或切斷，從而得到可調的天線。
在本發明的實施例中，一個或多個金屬層為用於定義器件諸如變壓器、電感器、平衡轉換器、隔離器、迴圈器和迴旋器的鐵磁性和/或亞鐵磁性材料。因此，金屬層209A、209B、209C以及215A可具有一變壓器，用於為RF濾波器提供阻抗，或 者用於將功率放大器與天線連接的平衡轉換器。
金屬層215B和215C可通過錫球211提供表面貼裝器件219與晶片201之間的電接觸。金屬層的數量並不僅限於圖2中所述207、209A、209B、209C、215A、215B、215C、217、223A和223B。因此，可根據與錫球211相連的晶片201的觸頭數目以及設置在多層封裝213內和/或上的RF元件的數目來確定多層封裝內的金屬層數目。
錫球211可包括金屬球，實現晶片201以及多層封裝213之間的電接觸、熱接觸以及物理接觸。為了能夠與錫球211相接觸，晶片需要使用足夠的力來對金屬球進行一定程度的擠壓，並且需要在一定的高溫下執行才能具有合適的電阻性以及物理結合強度。熱環氧樹脂層221用於填充錫球211之間的空間並且為晶片201內部熱量提供高效的熱導出通道。錫球211還可用於實現多層封裝213與包含圖1中無線系統150其他部件的印刷電路板之間的電接觸、熱接觸以及物理接觸。
表面貼裝器件219可包括多個離散電路元件，比如電阻器、電容器、電感器以及二極體。表面貼裝器件219可與多層封裝213相焊接以相互電接觸。
在操作過程中，晶片201為一無線系統，例如圖1中所示無線系統150，用於發射、接收和處理RF信號。晶片201與設置在多層封裝213內和/或上的RF元件或器件電連接，例如變壓器、平衡轉換器、傳輸線、電感器、電容器、微帶濾波器、共面波導濾波器、MEMS開關陣列以及表面貼裝器件。來自晶片201的熱量會通過熱環氧樹脂層221以及錫球211傳遞至多層封裝。MEMS開關陣列205將設置在多層封裝213內和/或上的RF器件與晶片201內的相關器件相連接。
在本發明的實施例中，晶片201內的電容器陣列可以與設置在多層封裝213內和/或上的RF元件相配合使用，以得到低帶寬、頻率精細可調的設備。例如，與使用寬帶寬濾波器來覆蓋多個頻率或頻率範圍從而引入更多不想要的信號的傳統系 統相比，濾波器性能可以得到顯著提高。
圖3是本發明一實施例MEMS開關的結構示意圖。如圖3所示，圖中示出設置在圖2所示多層封裝213上的MEMS開關300。MEMS開關300包括金屬線輸入301、金屬線輸出303、橋接膜片305以及絕緣層307。多層封裝213上覆蓋有電隔離層，例如圖2中的絕緣層203。
金屬線輸入301以及金屬線輸出303可以是沈積在多層封裝213上的沈積金屬層並形成為圖示結構。橋接膜片305包括導體層，未處於閉合位置時，該導體層支承在金屬線輸入301的兩端並且懸置於絕緣層307上方。MEMS開關300的開關操作會在圖4中進一步闡述。
絕緣層307包括介電層，例如矽氫化物，該介電層在MEMS開關300處於閉合狀態時將金屬線輸出303與橋接膜片305相隔開。
在工作過程中，通過在金屬線輸入301與金屬線輸出303上施加偏壓，使得MEMS開關閉合，在這種情況下，橋接膜片305會被朝著絕緣層307下拉。由金屬線輸入301、絕緣層307以及金屬線輸出303形成的電容器提供RF信號從金屬線輸入301到金屬線輸出303的電容性耦合。
MEMS開關可利用靜電力產生機械運動，以實現RF傳輸線內的開路或短路。這些開關表現出來的優點在於低插入損耗、高度隔離以及無能耗，這使得這些開關非常適合用於無線設備中。
在本發明的其他實施例中，橋接膜片305可為鐵磁性材料，因而在磁力而非靜電力的作用下會使得其發生偏轉。磁場的產生可通過對位於MEMS開關300下方的電感線圈施加電流來實現。
圖4是本發明一實施例MEMS開關操作的示意圖。如圖4所示，圖中示出MEMS開關400處於斷開(上圖)狀態以及處於閉合(下圖)狀態的截面圖。MEMS開關400包括金屬線輸入 301、金屬線輸出303、橋接膜片305、絕緣層307以及電隔離層401，該電隔離層401與絕緣層307大體類似。金屬線輸入301、金屬線輸出303以及橋接膜片305如圖3所述。
在操作過程中，如果在金屬線間不存在直流偏壓或者僅存在低直流偏壓，橋接膜片基本上處於水平狀態，因而此時MEMS開關處於斷開狀態。當在金屬線輸出303以及金屬線輸入301之間施加上足夠高的直流偏壓時，橋接膜片會通過靜電力被吸引至絕緣層307，因而使得MEMS開關閉合。
圖5是本發明一實施例將MEMS開關設置在積體電路封裝內的步驟流程圖。流程開始於步驟501，隨後進入步驟503。在步驟503中，在多層封裝內嵌入金屬導電層以及鐵磁層。在步驟505中，在多層封裝的上部和/或底部表面設置RF元件以及MEMS開關。在步驟507中，將晶片以覆晶方式接合到多層封裝上，然後在步驟509中，將所述多層封裝通過覆晶接合方式與印刷電路板相連，其中利用熱環氧樹脂對晶片和封裝之間的錫球間的空隙進行填充，流程於步驟511結束。
圖6是本發明一實施例利用集成的MEMS開關陣列對RF元件進行控制的步驟流程圖。流程開始於步驟601，隨後進入步驟603。在步驟603中，通過對適當的MEMS開關的操作將RF元件與積體電路內的適當電路元件相連接。在步驟605中，將積體電路中的可選擇的電容器啟動以將其與RF元件相連，在步驟607中，利用適當的MEMS開關對RF元件的頻率進行調諧。流程於步驟609結束。
在本發明的實施例中，公開一種將多層封裝213連接至積體電路201的方法和系統。在多層封裝213內集成有RF元件以及一個或多個MEMS開關陣列205和225。所述RF元件通過一個或多個MEMS開關陣列205和225與積體電路電連接。MEMS開關陣列205和225可以是靜電啟動或者磁啟動的。RF元件與積體電路201內的一個或多個電容器陳列相連。所述RF元件包括：變壓器209A/209B/209C、電感器、傳輸線 223A和223B、微帶和/或共面波導濾波器223A/223B和/或表面貼裝器件219。所述積體電路201通過覆晶接合技術與所述多層封裝213相連。
本發明的一個實施例還提出了一種機器可讀記憶體，其上存儲有電腦程式。該程式至少包含一段用於無線通訊的代碼，所述至少一段代碼由機器執行使得該機器能夠執行本申請中所述的方法步驟。
因此，本發明可應用於硬體、軟體、韌體或其各種組合。本發明可以在至少一個電腦系統的集中模式下實現，或者在分散式模式下實現，在所述分散式模式下，不同元件分佈在幾個互聯的電腦系統中。採用任何適用于執行本發明介紹的方法的電腦系統或者其他設備都是合適的。一種硬體、軟體和韌體的典型組合是具有電腦程式的通用電腦系統，當程式被載入和執行時，控制所述電腦系統以使其執行本申請描述的方法。
本發明的一個實施例可以實現為板級產品、單晶片、專用積體電路(ASIC)或者作為單獨的部件與系統的其他部分以不同的集成度集成在單晶片中。所述系統的集成度將主要取決於速度和成本考慮。由於如今成熟的處理器技術，利用一個現有的商用處理器是可能的，所述處理器可以實現在本發明的ASIC實現的外部。或者，如果所述處理器是以ASIC核或者邏輯塊存在的，那麼現有的商業處理器可以被用來實現為ASIC設備的一部分，用韌體方式實現其多種功能。
本發明還可以嵌入到電腦程式產品內，所述電腦程式包含能夠實現本發明方法的全部特徵，當其安裝到電腦系統中時，通過運行，可以實現本發明的方法。本文件中的電腦程式所指的是：可以採用任何程式語言、代碼或符號編寫的一組指令的任何運算式，該指令組使系統具有資訊處理能力，以直接實現特定功能，或在進行下述一個或兩個步驟之後實現特定功能：a)轉換成其他語言、編碼或符號；b)以不同的格式再現。然而，本領域技術人員能夠理解的電腦程式的其他含義也被本發明 所包含。
雖然本發明是通過幾個具體實施例進行說明的，本領域技術人員應當明白，在不脫離本發明範圍的情況下，還可以對本發明進行各種變換及等同替代。另外，針對特定情形或具體情況，可以對本發明做各種修改，而不脫離本發明的範圍。因此，本發明不局限於所公開的具體實施例，而應當包括落入本發明申請專利範圍內的全部實施方式。
150‧‧‧無線系統
151A、151B、151C、151D‧‧‧天線
152‧‧‧微機電系統(MEMS)開關陣列
153A、153B‧‧‧RF接收器
154A、154B‧‧‧RF發射器
155‧‧‧處理器
157‧‧‧記憶體
159‧‧‧數位基帶處理器
163‧‧‧雙工機
201‧‧‧晶片
203‧‧‧絕緣層
205、225‧‧‧MEMS開關陣列
207、209A、209B、209C、215A、215B、215C、217、223A、223B‧‧‧金屬層
211‧‧‧錫球
213‧‧‧多層封裝
219‧‧‧表面貼裝器件
221‧‧‧熱環氧樹脂層
300‧‧‧MEMS開關
301‧‧‧金屬線輸入
303‧‧‧金屬線輸出
305‧‧‧橋接膜片
307‧‧‧絕緣層
400‧‧‧MEMS開關
401‧‧‧電隔離層
圖1是本發明一實施例採用MEMS開關陣列的多帶無線系統的結構示意圖；圖2是本發明一實施例集成有MEMS開關的多層封裝的截面視圖；圖3是本發明一實施例MEMS開關的結構示意圖；圖4是本發明一實施例MEMS開關操作的示意圖；圖5是本發明一實施例將MEMS開關設置到積體電路封裝內的步驟流程圖；圖6是本發明一實施例利用集成MEMS開關陣列對RF元件進行控制的步驟流程圖。
201‧‧‧晶片
203‧‧‧絕緣層
205、225‧‧‧MEMS開關陣列
207、209A、209B、209C、215A、215B、215C、217、223A、223B‧‧‧金屬層
211‧‧‧錫球
213‧‧‧多層封裝
219‧‧‧表面貼裝器件
221‧‧‧熱環氧樹脂層

Claims (9)

  1. 一種無線通訊方法，其特徵在於，所述方法包括：提供與積體電路相連接的多層封裝，所述多層封裝包括有RF元件以及一個或多個MEMS開關陣列，且所述RF元件以及MEMS開關陣列是分散設置於所述多層封裝中的多層結構；選擇性地對所述多層封裝內的MEMS開關陣列進行操作，以使所述多層封裝內的RF元件與所述積體電路內的元件相連接；以及進而對所述多層封裝內的RF元件的頻率進行調諧。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述MEMS開關陣列是靜電啟動的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述MEMS開關陣列是磁啟動的。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述RF元件與所述積體電路內的一個或多個電容器陣列相連。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述RF元件包括變壓器。
  6. 一種無線通訊系統，其特徵在於，所述系統包括：積體電路；以及與所述積體電路相連接的多層封裝，其中，所述多層封裝包括有RF元件以及一個或多個MEMS開關陣列，且所述RF元件以及MEMS開關陣列是分散設置於所述多層封裝中的多層結構；其中所述MEMS開關陣列是選擇性地將所述RF元件與所述積體電路內的元件連接，以使所述多層封裝內的RF元件的頻率進行調諧。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的系統，其中，所述RF元件為變壓器、電感器、傳輸線、微帶、共面波導濾波器和/或表面貼裝器件。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的系統，其中，所述積體電路是覆晶接合於所述多層封裝。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的系統，其中，所述積體電路包括有與所述多層封裝內的RF元件相配合使用的電容器陣列。
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