TWI388073B - 光源裝置與其製造方法 - Google Patents

Description

光源裝置與其製造方法

本發明是有關於一種光源裝置(Light source device)與其製作方法，且特別是有關於一種具有高光汲取效率(high light extraction efficiency)的光源裝置與其製作方法。

隨著綠色科技的蓬勃發展，具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點的電致發光二極體(Electro-luminance light emitting diode,EL-LED)，已被廣泛地應用在平面顯示器的背光模組與一般照明等領域。然而，電致發光二極體仍面臨一些問題，主要是電能-光能之間的轉換效率低，以及電致發光二極體所放射的大部分光線會被侷限於組件的基板中。

在一般的電致發光二極體中，其外部效率(η_ex)可由內部量子效率(η_in)與光汲取效率(η_ext)等兩個因子來表示，亦即：η_ex=η_in˙η_ext

其中，內部量子效率(η_in)與電流注入效率有關，而電流注入效率與電致發光二極體的發光層、電極層等使用的材料有關。一般電致發光二極體的內部量子效率(η_in)已可達70%以上，進一步改善的空間較小。

另外，光汲取效率(η_ext)的高低，乃是取決於電致發 光二極體所放射的光線是否能有效地出射到電致發光二極體的外部。受限於全反射原理(total internal reflection)，習知的電致發光二極體所放射出的光線會被侷限在電致發光二極體的基板與導光層之內。也就是說，由電致發光二極體的發光層放射出的光線必須小於基板與導光層的臨界角(critical angle)，才可能離開電致發光二極體而進入空氣中。一般而言，習知的電致發光二極體的光汲取效率(η_ext)只有百分之十幾左右(約10%~18%)。因此，光汲取效率(η_ext)可以改善的空間相當地大，許多研究者均對此投入許多心力進行相關的研究。

已知的提高光汲取效率(η_ext)的方法，主要是在電致發光二極體的基板與導光層之間製作微型結構(micro-structure)，藉由破壞光線的全反射機制而使被侷限於基板內的光線散射到空氣中。相關的研究中有採用鋸齒狀紋理結構(sawtooth texture structure)、微透鏡(microlens)，或金字塔型(micro-pyrimid)等微型結構。

另外，亦有在電致發光二極體的表面製作週期性的次波長結構(sub-wavelength structure)(即光子晶體)，相關的研究中有採用三角型晶格，或方形晶格等二維光子晶體，以將高折射率材料中的導光模態(guided mode)耦合為出光模態(air mode)。

最近也有一些作法為利用奈米金屬結構。由於奈米金屬結構具有高光學散射效率的特性，所以能破壞全反射機制，使被束縛在電致發光二極體的基板或導光層內的光線 散射到空氣中。相關的研究中有採用在電致發光二極體的基板上製作奈米金屬線的做法；或者是，在美國專利公開號US 2006/0273327 A1，US 2007/0120136等中所提到的在電致發光二極體內製作奈米金屬光柵的做法。

由於奈米金屬結構的尺寸相當小(數十~數百奈米)，所以奈米金屬結構相對於先前的透明微型結構，可以更均勻地將光線從電致發光二極體的基板或導光層中汲取出來。然而，在上述製作奈米金屬結構(奈米金屬線、奈米金屬光柵)的方法中，必須採用昂貴的電子束微影技術及精密度高的乾式蝕刻機，以將電子束製作的圖案轉換到電致發光二極體的基板上。此種做法不但成本高、速度慢，且不適用於大面積的製造以及量產。

有鑑於此，本發明提供一種光源裝置的製造方法，具有低成本、製作簡單、可大面積均勻製造奈米金屬結構的優點，以製造出具有高光汲取效率(η_ext)的光源裝置。

本發明還提供一種光源裝置，利用上述的光源裝置的製造方法，可製造出具有高光汲取效率(η_ext)的光源裝置。

基於上述，本發明提出一種光源裝置的製造方法。首先，提供一基板，其具有一發光元件區及位於發光元件區周圍的一周邊區。繼之，於基板上方形成一奈米島狀圖案層。之後，於基板的發光元件區形成一發光元件，其中，發光元件放射出一光線，且部分光線於基板中進行傳輸， 而奈米島狀圖案層使在基板中傳輸的光線向基板的外部出射。

在本發明的一實施例中，上述形成奈米島狀圖案層的方法包括下列步驟。首先，於基板上形成一奈米材料層。接著，加熱奈米材料層，以使奈米材料層產生去濕潤(dewetting)作用，而形成非週期性地排列的多數個奈米島狀物。

在本發明的一實施例中，上述加熱奈米材料層的時間是10分鐘~60分鐘。

在本發明的一實施例中，上述加熱奈米材料層的溫度是200℃~400℃。

在本發明的一實施例中，上述於基板上形成奈米材料層的方法包括濺鍍法。

在本發明的一實施例中，上述奈米材料層的厚度為1奈米~20奈米。

在本發明的一實施例中，上述在基板上形成奈米材料層之前，更包括於基板上先形成發光元件的一第一電極層。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層形成於基板的發光元件區。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層形成於基板的周邊區。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層的材質包括金屬，上述金屬是選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。

本發明再提出一種光源裝置，包括基板、奈米島狀圖 案層以及發光元件。基板具有一發光元件區以及位於發光元件區周圍的一周邊區。奈米島狀圖案層配置於基板上方。發光元件設置於發光元件區，其中，發光元件放射出一光線，且部分光線於基板中進行傳輸，而奈米島狀圖案層使在基板中傳輸的光線向基板的外部出射。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層包括非週期性地排列的多數個奈米島狀物。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層設置於基板的發光元件區。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層設置於基板的周邊區。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層的材質包括金屬。上述金屬是選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。

在本發明的一實施例中，上述奈米島狀圖案層的厚度是介於1奈米~20奈米之間。

在本發明的一實施例中，上述發光元件包括第一電極、發光層以及第二電極。第一電極配置於基板上。發光層配置於第一電極的上方。第二電極配置於發光層的上方。

在本發明的一實施例中，上述第一電極的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

在本發明的一實施例中，上述第二電極的材質包括金屬。

在本發明的一實施例中，更包括一電洞傳輸層，設置於第一電極與發光層之間。此電洞傳輸層的材質包括N,N’- 兩(1-萘基)-N,N’兩-(苯基)-對二氨基聯苯(NPB)。

在本發明的一實施例中，更包括一電子傳輸層，設置於發光層與第二電極之間。此電子傳輸層的材質包括三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ₃)。

在本發明的一實施例中，上述發光層的材質包括經摻雜三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ₃)的混合發光材質。

本發明的光源裝置的製造方法，因利用加熱奈米材料層時，奈米材料層會產生去濕潤作用而自動形成奈米島狀圖案層的方法，藉此可簡單、快速且大面積均勻製造用於提高光汲取效率的奈米島狀圖案層。具有此奈米島狀圖案層的光源裝置，可良好地耦合出在光源裝置的基板內部傳輸的光線。相對於習知的電致發光二極體，本發明的光源裝置的整體發光效率可提昇約70%左右。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

光源裝置的製造方法

圖1A~圖1D為本發明較佳實施例的一種光源裝置的製造方法的製作流程示意圖。首先，請參照圖1A，提供一基板110，此基板110具有一發光元件區110a，以及位於發光元件區110a周圍的一周邊區110b。此基板110的材質可以是玻璃、石英或任何可耐高溫的透明材質。

接著，請同時參照圖1B與圖1C，於基板110上方形 成一奈米島狀圖案層120。如圖1B所示，在基板110上形成奈米島狀圖案層120之前，可以於基板110上先形成後續的發光元件130(繪示於圖1D中)的第一電極層130a。在形成第一電極層130a之後，再繼續於此第一電極層130a上形成奈米島狀圖案層120，如圖1C所示。形成此第一電極層130a的方法例如是濺鍍法，且第一電極130a的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。當然，奈米島狀圖案層120也可直接形成於基板110上，本發明並不限定奈米島狀圖案層120一定要形成於第一電極層130a上。

請繼續參照圖1C，奈米島狀圖案層120可形成於基板110的周邊區110b。當然，奈米島狀圖案層120也可形成於基板110的發光元件區110a(繪示於圖4中)，或是同時形成於基板110的發光元件區110a與周邊區110b(未繪示)。另外，奈米島狀圖案層120的材質包括金屬。當使用金屬作為奈米島狀圖案層120的材質時，金屬可選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。

以下將詳細說明本發明的奈米島狀圖案層120的製作流程。圖2A~圖2B為本發明較佳實施例的一種奈米島狀圖案層的製作流程示意圖。在此實施例中，是以直接於基板110上製作奈米島狀圖案層120來進行說明，當然，也可以於上述的第一電極層130a上進行類似的製程。

首先，請參照圖2A，於基板110上形成一奈米材料層120a。於基板110上形成奈米材料層120a的方法包括濺鍍法。可經由控制濺鍍法的製程時間來控制奈米材料層120a 的厚度，奈米材料層120a的厚度較佳為1奈米~20奈米。值得注意的是，可視需求於基板110上形成大面積的奈米材料層120a，以利於後續的加熱製程中形成大面積的奈米島狀圖案層120。

接著，請參照圖2B，加熱奈米材料層120a，以使奈米材料層120a產生去濕潤(dewetting)作用，而形成非週期性地排列的多數個奈米島狀物120b。由這些奈米島狀物120b即構成上述的奈米島狀圖案層120。上述加熱奈米材料層120a的時間較佳為10分鐘~60分鐘。並且，加熱奈米材料層120a的溫度較佳為200℃~400℃。

值得注意的是，奈米材料層120a的厚度控制相當重要，在對奈米材料層120a加熱時，具有適當厚度(即上述1奈米~20奈米)的奈米材料層120a可以順利地進行去濕潤作用，而形成多數個奈米島狀物120b。

圖3A~圖3D為本發明較佳實施例的奈米島狀圖案層在加熱過程中，於不同時間下的電子顯微照像圖。請先參照圖3A~3B，在加熱過程中，使得奈米材料層120a的原子的熱能增加。由於奈米材料層120a與基板110(繪示於圖2B)之間的附著性不足以支撐此擾動熱能，在減小表面能的物理作用機制下，會導致奈米材料層120a裂開。到最後，如圖3C與圖3D所示，奈米材料層120a會裂開，並凝聚成多個非週期性排列且外型不規則的奈米島狀物120b，此即利用去濕潤(dewetting)作用製作奈米島狀圖案層120的機制。

由上述可知，本發明的非週期性地排列的多數個奈米島狀物120b可說是因原子內聚力而自發成形的不規則島狀物。相對於習知具有週期性且規則圖案的奈米金屬線與奈米金屬光柵而言，本發明的奈米島狀圖案層120無須採用精密度高的製程與設備來製作特殊型態的奈米金屬結構，而具有成本低、製程簡單等優點。

請繼續參照圖1D，於基板110的發光元件區110a形成一發光元件130，其中，發光元件130放射出一光線L、且部分光線L於基板110中進行傳輸，而奈米島狀圖案層120使在基板110中傳輸的光線L向基板110的外部出射。至此，完成光源裝置100的製作。

特別是，由於本發明可以在基板110上形成大面積的奈米島狀圖案層120，所以相當適合用於製作具有大面積以及高亮度的光源裝置100。更詳細而言，上述的光源裝置100可以應用在大尺寸平面顯示器的背光模組的製作中。另外，由於奈米島狀圖案層120的製作過程相當簡單，使得本發明具有較高的生產效率與成本優勢。以下將繼續說明光源裝置100的詳細構造。

光源裝置

請繼續參照圖1D，此光源裝置100包括基板110、奈米島狀圖案層120以及發光元件130。基板110具有一發光元件區110a以及位於發光元件區110a周圍的一周邊區110b。奈米島狀圖案層120配置於基板110上方。發光元 件130設置於發光元件區110a，其中，發光元件130放射出一光線L，且部分光線L於基板110中進行傳輸，而奈米島狀圖案層120使在基板110中傳輸的光線L向基板110的外部出射。

請繼續參照圖1D，發光元件130例如是採用電致發光二極體。發光元件130包括第一電極130a、發光層130b以及第二電極130c。第一電極130a配置於基板110上。發光層130b配置於第一電極130a的上方。第二電極130c配置於發光層130b的上方。第一電極130a的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。第二電極130c的材質包括金屬。

由圖1D可知，第一電極130a與第二電極130c分別連接到正極(+)與負極(-)，所以第一電極130a提供電洞(未繪示)，第二電極130c提供電子(未繪示)。電子與電洞在發光層130b結合後，即形成光子(未繪示)出射到發光元件130的外部。

另外，發光元件130可更包括一電洞傳輸層130d，設置於第一電極130a與發光層130b之間。此電洞傳輸層130d的材質可以是N,N’-兩(1-萘基)-N,N’兩-(苯基)-對二氨基聯苯(NPB)。再者，發光元件130也可以更包括一電子傳輸層130e，設置於發光層130b與第二電極130c之間。此電子傳輸層130e的材質可以是三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ₃)。如此一來，可提昇電子與電洞在發光元件130內的傳輸效率，進一步提昇發光元件130的發光效率。

再者，發光層130b的材質可以是經摻雜三(8-羥基喹 啉)鋁(AlQ₃)的混合發光材質，亦即，可賦予發光層130b電子傳輸層130e的功能，而無需另外製作電子傳輸層130e以減少發光元件130整體的厚度。

上述發光元件130僅以電致發光二極體為例，實際上，發光元件130還可以是採用量子井的發光元件、冷陰極螢光燈或是任何可發光的發光元件。在此並不予以限定發光元件130的種類。

值得注意的是，請同時參照圖2B與圖3D，奈米島狀圖案層120包括非週期性地排列的多數個奈米島狀物120b。由於這些奈米島狀物120b是隨機地排列，所以可進一步提昇對於發光元件130所發出的光線L進行散射的效率。再者，製作這些奈米島狀物120b的方法相當簡單，已陳述於圖2A~圖2B、圖3A~圖3D的相關內容，因此，此光源裝置100相當容易量產。

還可配合光源裝置100的光學需求，進行奈米島狀圖案層120的設置位置的變換。圖4為本發明較佳實施例另一種光源裝置的示意圖。請參照圖4，此光源裝置100a與如圖1D所示的光源裝置100類似，二者主要的差異在於：如圖4所示的奈米島狀圖案層120是設置於基板110的發光元件區110a；而如圖1D所示的奈米島狀圖案層120是設置於基板110的周邊區110b。當然，也可同時於基板110的發光元件區110a與周邊區110b形成奈米島狀圖案層120(未繪示)。另外，奈米島狀圖案層120也不侷限於設置在發光元件130的結構內，也可設置在發光元件130的表面 (未繪示)。

此奈米島狀圖案層120具有相當高的光散射能力，能破壞光線L在基板110內所進行的全反射現象，而減少被束縛在基板110內的光線L的比例。圖5為圖4的光源裝置在不同位置的正向發光強度的曲線圖。請同時參考圖4與圖5，很明顯地，在光源裝置100a的發光元件區110a，光線L的發光強度提昇相當多。再者，在發光元件區110a與周邊區110b的交界處(位置為1~1.75mm左右；以及位置為3.25~4.0mm左右)也有部分的奈米島狀圖案層120的分佈，所以此處亦會產生額外的發光強度。

在一般沒有設置奈米島狀圖案層120的光源裝置(未繪示)中，光線(未繪示)會受限於全反射，而有較低的發光強度；但利用在發光元件區110a上設置奈米島狀圖案層120，可以有效地將束縛在基板110內的光線L取出。換言之，此奈米島狀圖案層120可提高光源裝置100、100a的光汲取效率(η_ext)，以增加被導出基板110的光線L的出光量。

上述奈米島狀圖案層120的材質選擇相當重要。圖6為不同材質的奈米顆粒的光散射效率的曲線圖。若以奈米球為例，光散射效率可由下述散射截面積C_sca(ω)的公式來進行評估：

其中，r為奈米球的半徑、λ為入射光的波長、ε_m為空氣的介電係數(=1)、ε_p為奈米球的介電係數、ε’_p為奈米球的介電係數ε_p的實部(real part)、ε”_p為奈米球的介電係數ε_p的虛部(imaginary part)，ω為2πf，而f為光的頻率。

ε_p的值與入射光的波長、奈米球的大小與形狀等相關。圖6是以金奈米球(Au nano-particle)與二氧化矽奈米球(SiO₂ nano-particle)為例，利用上述散射截面積公式，在入射光的波長為550nm時，分別計算金奈米球與二氧化矽奈米球在不同尺寸下的散射截面積。

由圖6可知，金奈米球(Au nano-particle)的光散射效率比二氧化矽奈米球(SiO₂ nano-particle)的光散射效率大100~1,000倍。由此可知，金奈米球是一種很強的光散射結構，可以更均勻地將光線L從基板110中汲取出來。亦即，當選用金屬作為奈米島狀圖案層120的材質時，可更有效地提昇光散射效率。奈米島狀圖案層120的材質較佳是金屬。金屬可以是選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。

圖7為奈米島狀圖案層在不同厚度下的發光強度的示意圖。請參照圖7，採用了金、銀等兩種材質進行奈米島狀圖案層120的製作，其中，橫座標代表奈米島狀圖案層120的厚度，縱座標代表光源裝置100、100a的發光強度。由圖7可以看出，當奈米島狀圖案層120的較佳厚度介於1奈米~20奈米之間，光源裝置100、100a可具有較佳的發光強度。

請繼續參照圖7，當奈米島狀圖案層120的厚度為0， 也就是不具有奈米島狀圖案層120的時候，此時的光源裝置(未繪示)的發光強度約為0.05。以此一數值作為基數(即0.05)，比較具有不同厚度的奈米島狀圖案層120的光源裝置100、100a的發光強度相對於此基數(即0.05)提昇了多少發光強度，即可計算發光效率的增加百分比。

更詳細而言，將具有不同厚度的奈米島狀圖案層120的光源裝置100、100a的發光強度減去0.05，再除以0.05並乘上100後，即發光效率的增加百分比。例如，當使用金材質製作的奈米島狀圖案層120且厚度為2奈米時，其發光強度約為0.09，可計算其發光效率的增加百分比為：(0.09-0.05)÷0.05×100%=80%。

由圖7可知，相較沒有設置奈米島狀圖案層120的光源裝置而言，整體來說，具有奈米島狀圖案層120的光源裝置100、100a的發光效率增加了約70%左右，此一數值與習知利用複雜的二維光子晶體結構、奈米金屬線與奈米金屬光柵等技術相當，但是本發明的奈米島狀圖案層120在結構上與製程上都來的相對容易且方便許多。

綜上所述，本發明的光源裝置及其製造方法具有以下優點：光源裝置具有奈米島狀圖案層，可以破壞光線在基板中的全反射機制而使光線向基板外部出射，故具有較高的光汲取效率與高亮度。再者，奈米島狀圖案層的製作相當簡單、快速且適於大面積的製作。另外，所形成的非週期性排列的多個奈米島狀物還可提昇光線散射效率。特別 是，本發明的光源裝置的製造方法，在製作奈米島狀圖案層時，不需採用昂貴的電子束微影技術，亦無須配合精密的乾蝕刻製程以將電子束製作的圖案轉換到基板上，故能大幅節省成本，簡化製程以提升競爭力。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、100a‧‧‧光源裝置

110‧‧‧基板

110a‧‧‧發光元件區

110b‧‧‧周邊區

120‧‧‧奈米島狀圖案層

120a‧‧‧奈米材料層

120b‧‧‧奈米島狀物

130‧‧‧發光元件

130a‧‧‧第一電極

130b‧‧‧發光層

130c‧‧‧第二電極

130d‧‧‧電洞傳輸層

130e‧‧‧電子傳輸層

L‧‧‧光線

圖1A~圖1D為本發明較佳實施例的一種光源裝置的製造方法的製作流程示意圖。

圖2A~圖2B為本發明較佳實施例的一種奈米島狀圖案層的製作流程示意圖。

圖3A~圖3D為本發明較佳實施例的奈米島狀圖案層在加熱過程中，於不同時間下的電子顯微照像圖。

圖4為本發明較佳實施例另一種光源裝置的示意圖。

圖5為圖4的光源裝置在不同位置的正向發光強度的曲線圖。

圖6為不同材質的奈米顆粒的光散射效率的曲線圖。

圖7為奈米島狀圖案層在不同厚度下的發光強度的示意圖。

100‧‧‧光源裝置

110‧‧‧基板

110a‧‧‧發光元件區

110b‧‧‧周邊區

120‧‧‧奈米島狀圖案層

120b‧‧‧奈米島狀物

130‧‧‧發光元件

130a‧‧‧第一電極

130b‧‧‧發光層

130c‧‧‧第二電極

130d‧‧‧電洞傳輸層

130e‧‧‧電子傳輸層

L‧‧‧光線

Claims (26)

1. 一種光源裝置的製造方法，包括：提供一基板，該基板具有一發光元件區、及位於該發光元件區周圍的一周邊區；於該基板上方形成一奈米島狀圖案層；以及於該基板的該發光元件區形成一發光元件；其中，該發光元件放射出一光線、且部分該光線於該基板中進行傳輸，而該奈米島狀圖案層使在該基板中傳輸的光線向該基板的外部出射。
2. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置的製造方法，其中形成該奈米島狀圖案層的方法包括：於該基板上形成一奈米材料層；以及加熱該奈米材料層，以使該奈米材料層產生去濕潤(dewetting)作用，而形成非週期性地排列的多數個奈米島狀物。
3. 如申請專利範圍第2項所述的光源裝置的製造方法，其中加熱該奈米材料層的時間是10分鐘~60分鐘。
4. 如申請專利範圍第2項所述的光源裝置的製造方法，其中加熱該奈米材料層的溫度是200℃~400℃。
5. 如申請專利範圍第2項所述的光源裝置的製造方法，其中於該基板上形成該奈米材料層的方法包括濺鍍法。
6. 如申請專利範圍第2項所述的光源裝置的製造方法，其中，該奈米材料層的厚度為1奈米~20奈米。
7. 如申請專利範圍第2項所述的光源裝置的製造方 法，其中，在該基板上形成該奈米材料層之前，更包括於該基板上先形成該發光元件的一第一電極層。
8. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置的製造方法，其中該奈米島狀圖案層形成於該基板的該發光元件區。
9. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置的製造方法，其中該奈米島狀圖案層形成於該基板的該周邊區。
10. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置的製造方法，其中該奈米島狀圖案層的材質包括金屬。
11. 如申請專利範圍第10項所述的光源裝置的製造方法，其中該金屬是選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。
12. 一種光源裝置，包括：一基板，具有一發光元件區、及位於該發光元件區周圍的一周邊區；一奈米島狀圖案層，配置於該基板上方；以及一發光元件，設置於該發光元件區；其中，該發光元件放射出一光線、且部分該光線於該基板中進行傳輸，而該奈米島狀圖案層使在該基板中傳輸的光線向該基板的外部出射。
13. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該奈米島狀圖案層包括非週期性地排列的多數個奈米島狀物。
14. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該奈米島狀圖案層設置於該基板的該發光元件區。
15. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該 奈米島狀圖案層設置於該基板的該周邊區。
16. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該奈米島狀圖案層的材質包括金屬。
17. 如申請專利範圍第16項所述的光源裝置，其中該金屬是選自於金、銀、鎳、鐵及其組合。
18. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該奈米島狀圖案層的厚度是介於1奈米~20奈米之間。
19. 如申請專利範圍第12項所述的光源裝置，其中該發光元件包括：一第一電極，配置於該基板上；一發光層，配置於該第一電極的上方；以及一第二電極，配置於該發光層的上方。
20. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，其中該第一電極的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
21. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，其中該第二電極的材質包括金屬。
22. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，更包括一電洞傳輸層，設置於該第一電極與該發光層之間。
23. 如申請專利範圍第22項所述的光源裝置，該電洞傳輸層的材質包括N,N’-兩(1-萘基)-N,N’兩-(苯基)-對二氨基聯苯(NPB)。
24. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，更包括一電子傳輸層，設置於該發光層與該第二電極之間。
25. 如申請專利範圍第24項所述的光源裝置，該電子 傳輸層的材質包括三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ₃)。
26. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，其中該發光層的材質包括經摻雜三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ₃)的混合發光材質。