TWI387133B - 發光元件 - Google Patents

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Description

發光元件
本發明係關於一發光元件之結構及其製作方法。
半導體發光元件之應用頗為廣泛，例如可應用於交通號誌、Blue－DVD高密度儲存、HD－DVD、綠光RCLED(可適用於車用塑膠光纖的內部通訊與控制系統)、以及醫療裝置(UV LEDs)等。發光元件效能的提昇，將使發光元件應用的層面更為廣泛，例如可應用於光學顯示裝置(RGB edge－lit back light units)或背投影電視(Rear－projection TV)。因此，提昇元件效能為目前主要的研究課題。
因發光二極體的發光沒有方向性，在光學模組的應用上，由於光展量(Etendue)的影響，光使用效率亦受到限制。因此使發光二極體發光具有方向性，進而降低發散角，也是發光二極體效能的提昇的方式之一。E.Yablonovitch及S.John在1987年提出具有以電磁波波長尺度1/2為週期排列之介質，也就是遠紅外線到可見光之波長大小(300~700nm)，可使得電磁波在此具有高度排列秩序的材料中之行為有如電子在晶體中般可被介質的空間結構、排列週期、結構形式以及介電常數所控制，因此不需要改變介質本身的化學結構，僅需在介質的波長尺度以及光子能隙進行設計便可製 造出具有不同光特性的元件，此種新式的人工晶體稱為光子晶體(Photonic Crystal，PC)。若應用在發光二極體，於其表面蝕刻出二維光子晶體的孔洞狀結構，可使得侷限於發光二極體中的光不再向任意方向發射，大幅增加了光導向上方發射機會，進而降低發光二極體發散角並提升其效率。
一光子晶體其組成會在x－y平面呈現週期性的變化，將此結構以二維等校折射率平面觀察，如第1圖所示，將此結構之等校折射率以二維方式呈現，其中n1 為量子井內部擴散效應後的折射率，n2 為量子井內部擴散效應前的折射率。我們將等校折射率差值(n1 －n2 )定義為△n，△n＝nr ＋j*ni (1－1)其中nr 為等校折射率差值的實部，ni 為等校折射率差值的虛部。活性層材料組成呈現週期性的變化，其nr 與ni 兩參數會同時存在。nr 影響的是發光二極體光取出效率(light extraction efficiency)，ni 值則會影響發光二極體內部量子效應(internal efficiency)。一習知作法係在發光二極體表面蝕刻出二維光子晶體形成類似的二維等校折射率平面，但其△n只存在nr (ni 為零)，所以此結構只能影響發光二極體的光取出效率及發散角。
另一已知作法係使用傳統雷射全像術曝光裝置(Laser holography apparatus)，並利用半導體製程曝光、顯影與蝕刻的方法於一發光元件之歐姆接觸層上形成一奈米級島狀結構 (nano－sized islands)，以增加發光元件之光取出效率。
本發明提供一種具有光子晶體結構之發光元件，以發光二極體為例，其活性層材料的組成會在X－Y平面呈現週期性的變化，能同時增加發光二極體的內部量子效應和光取出效率。此外，其折射率的週期性變化發生在活性層，而不是發光二極體表面，依據光子的分布情形，此光子晶體發光二極體只需微量的折射率變化量即可有效提升其內部量子效應和光取出效率。
為了避免蝕刻過程對磊晶結構中活性層區域造成傷害，現以一如第2圖所示之新型全像術曝光系統說明本發明實施例。以1比1分光鏡(Splitter)203取代傳統系統中的光延展器(Beam Expander)，並將晶圓承座旋轉架208設於精密雙軸電控器(X－Y Motion Controller)207上。具有光程差的兩道入射光a與b，會在發光二極體晶圓211表面形成一維週期性的光強度分佈，如第3圖所示。光強度分佈的週期Λ，可由1－2式所決定。其中，λlaser 為雷射之波長，d1 為1比1分光鏡與100%紫外光鏡之距離，n 為分 光所造成的光程差因子，m 為兩道光干涉的階數，n 與m 為整數。λ Laser ＝2m [(d 1 /λ Laser )－n －Λcosθ] (1－2)製作前，須將兩道入射光的干涉條紋紀錄於光阻上(固定θ且m＝1)，並藉由AFM量測干涉週期Λ，反推光程差因子n ，再藉由旋轉器A(Rotator)209改變角度θ決定週期Λ，其中θ可介於20－80度。
本發明使用兩道入射光干涉，達到週期為200 nm~1000 nm的光強度變化，再藉由控制光強度以及入射光時間的長短，以控制不同程度的能隙變化量與折射率的變化量。當入射光穿透一光電元件之侷限層且被量子井吸收，使得量子井局部迅速升溫，造成內部的各成分原子因吸熱而變得不穩定，當原子吸收過多的熱能時，會掙脫原本束縛的共價鍵，開始往濃度較低處擴散，此效應稱為量子井內部擴散效應(Quantum Well Interdiffusion，QWI)。一般而言，活性層中量子井的能帶圖為矩形井狀(如第4(a)圖)，在經過內部擴散效應後，量子井的能帶分佈呈較平滑的圓弧形狀(如第4(b)圖)，而能帶差Eg ’也變得較大。發光波長往短波長方向移動，折射率也會隨之變小。兩道入射光干涉會產生一維且週期相等之光強度分佈，若要製作二維光子晶體，可進行兩次干涉步驟，並利用圖2之旋轉器B(Rotator)210決定兩次量子井內部擴散效應之夾角Ψ(可介於20－90度)，同時藉由控制光強度，使重複量子井內部擴散效應的區域(交錯處)有較大能量差(如第5圖之c 點區域)，進而產生折射率的變化量。此變化量具有二維空間週期性，且此二維的週期並不需要一致。依此法製作二維光子晶體發光二極體時，需控制兩次干涉之間所相隔的時間差以避免時間差過久造成降溫而影響量子井內部擴散效應。此外，亦可在發光二極體晶圓的載具上加溫，提升量子井內部擴散效應的效果。一般雷射光束的大小約在1 mm等級，所能造成量子井內部擴散效應的面積有限，因此於另一實施例中，係將發光二極體晶圓承座旋轉架設於精密雙軸電控器上，以步進式的方式製作大面積的光子晶體發光二極體，如第6(b)圖所示。第7圖為發光元件經過一次量子井內部擴散效應後的活性層組成(y)隨X軸分布情形。由於光能量分佈會隨空間(X－Y)呈現週期且漸變的變化情形，所以經過二次量子井內部擴散效應後的活性層組成(y)也會隨空間(X－Y)呈現週期且漸變的變化情形，進而增加發光二極體的光侷限(optical confinement)與電流侷限(current confinement)。
(實施例一)
如第6(a)圖所示，於一成長基板1，其材料可為砷化鎵、矽、碳化矽、氧化鋁、磷化銦、磷化鎵、氮化鋁或氮化鎵等，不限制成長基板是透光基板或吸光基板；以有機金屬化學氣相磊晶法依序成長n型半導體層2(如n－GaN，n－AlGaInP)、多重量子井活性層3(如InGaN，AlGaInP)、p型半導體層4(如p－GaN，p－AlGaInP) 等層，以形成一發光二極體磊晶結構，其中n型半導體層、p型半導體層可作為侷限層。再利用第2圖之新型全像術曝光系統結構，將兩道入射光直接打在發光二極體整個結構表面形成干涉條紋，當所選用的雷射光源波長介於侷限層4(p型半導體層)與多重量子井活性層結構3所對應波長之間(λcladding <λlaser <λQW )，入射光會穿透侷限層(p型半導體層)且被多重量子井活性層吸收，使得局部量子井迅速升溫，造成晶片內部的各成分原子因吸熱而變得不穩定，當原子吸收過多的熱能時，會掙脫原本束縛的共價鍵，開始往濃度較低處擴散，產生量子井內部擴散效應。此兩道入射光干涉可達到周期為200 nm－1000 nm的光強度變化，再藉由控制光強度以及入射光時間的長短，可控制不同程度的能隙變化與折射率的變化量。再依需求利用旋轉器(Rotator)B決定兩次量子井內部擴散效應之夾角Ψ(可介於20－90度)，同樣藉由控制光強度，使重複量子井內部擴散效應的區域(交錯處)有較大能量差，進而產生折射率的變化量。此變化量具有二維空間週期性，且此二維的週期並不需要一致，即形成一光子晶體發光元件(如第6(b)圖)。再於p型半導體層之上形成一電流散佈層7，由電流散佈層往下蝕刻至n型半導體層後，分別在電流散佈層及n型半導體層之上形成一p型電極9及一n型電極8，即形成一光子晶體發光二極體元件，如第8圖所示。
(實施例二)
如第6(a)圖所示，於一成長基板1，其材料可為砷化鎵、矽、碳化矽、氧化鋁、磷化銦、磷化鎵、氮化鋁或氮化鎵等，不限制成長基板是透光基板或吸光基板；以有機金屬化學氣相磊晶法依序成長n型半導體層2(如n－GaN，n－AlGaInP)、多重量子井活性層3(如InGaN，AlGaInP)、p型半導體層4(如p－GaN，p－AlGaInP)等層，以形成一發光二極體磊晶結構，其中n型半導體層、p型半導體層可作為侷限層。再利用第2圖之新型全像術曝光系統結構，將兩道入射光直接打在發光二極體整個結構表面形成干涉條紋，當所選用的雷射光源波長小於侷限層4(p型半導體層)所對應波長(λlaser <λcladding )，入射光則會被侷限層(p型半導體層)表面吸收產生局部高溫，藉由熱擴散產生量子井內部擴散效應。此兩道入射光干涉可達到周期為200 nm－1000 nm的光強度變化，再藉由控制光強度以及入射光時間的長短，可控制不同程度的能隙變化與折射率的變化量。再依需求利用旋轉器(Rotator)B決定兩次量子井內部擴散效應之夾角Ψ(可介於20－90度)，同樣藉由控制光強度，使重複量子井內部擴散效應的區域(交錯處)有較大能量差，進而產生折射率的變化量。此變化量具有二維空間週期性，且此二維的週期並不需要一致，即形成一光子晶體發光元件(如第6(b)圖)。再於p型半導體層之上形成一電流散佈層7，由電流散佈層往下蝕刻至n型半導體層後，分別在電流散佈層及n型半導體層之上形成一p 型電極9及一n型電極8，即形成一光子晶體發光二極體元件，如第8圖所示。
(實施例三)
如第6(a)圖所示，於一成長基板1，其材料可為砷化鎵、矽、碳化矽、氧化鋁、磷化銦、磷化鎵、氮化鋁或氮化鎵等，不限制成長基板是透光基板或吸光基板；以有機金屬化學氣相磊晶法依序成長n型半導體層2(如n－GaN，n－AlGaInP)、多重量子井活性層3(如InGaN，AlGaInP)、p型半導體層4(如p－GaN，p－AlGaInP)等層，以形成一發光二極體磊晶結構，其中n型半導體層、p型半導體層可作為侷限層。再利用第2圖之新型全像術曝光系統結構，將兩道入射光直接打在發光二極體整個結構表面形成干涉條紋，當所選用的雷射光源波長小於多重量子井活性層結構3所對應波長(λlaser <λQW )，此兩道入射光干涉可達到周期為200nm－1000nm的光強度變化，再藉由控制光強度以及入射光時間的長短，可控制不同程度的能隙變化與折射率的變化量。再依需求利用旋轉器(Rotator)B決定兩次量子井內部擴散效應之夾角Ψ(可介於20－90度)，同樣藉由控制光強度，使重複量子井內部擴散效應的區域(交錯處)有較大能量差，進而產生折射率的變化量。此變化量具有二維空間週期性，且此二維的週期並不需要一致，即形成一光子晶體發光元件(如第6(b)圖)。再於p型半導體層之上形成一電流散佈層 7，由電流散佈層往下蝕刻至n型半導體層後，分別在電流散佈層及n型半導體層之上形成一p型電極9及一n型電極8，即形成一光子晶體發光二極體元件，如第8圖所示。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧成長基板
2‧‧‧n型半導體層
3‧‧‧多重量子井結構
4‧‧‧p型半導體層
5‧‧‧量子井內部擴散效應前的組成
6‧‧‧量子井內部擴散效應後的組成
7‧‧‧電流散佈層
8‧‧‧n型電極
9‧‧‧p型電極
201‧‧‧雷射光源(laser source)
202‧‧‧1比10分光鏡(splitter)
203‧‧‧1比1分光鏡(splitter)
204‧‧‧100%紫外光鏡(UV mirror)
205‧‧‧電源監控器(power monitor)
206‧‧‧自動快門(automatic shutter)
207‧‧‧雙軸電控器(X－Y motion controller)
208‧‧‧晶圓承座旋轉架(rotation stage)
209‧‧‧旋轉器A(rotator)
210‧‧‧旋轉器B(rotator)
211‧‧‧晶圓試片
a‧‧‧入射光1
b‧‧‧入射光2
c‧‧‧高光強度區域
d‧‧‧低光強度區域
d1 ‧‧‧1比1分光鏡與100%紫外光鏡之距離
Ec ‧‧‧傳導帶能量
Ev ‧‧‧價電帶能量
Eg 、Eg ’‧‧‧能帶差
n1 ‧‧‧量子井內部擴散效應後之折射率
n2 ‧‧‧量子井內部擴散效應前之折射率
Λ‧‧‧光強度分佈之週期
Ψ‧‧‧二次量子井內部擴散效應之夾角
第1圖係顯示發光二極其增益區材料的組成會在X－Y平面呈現週期性的變化圖；第2圖係顯示本發明設計之新型全像術曝光系統結構圖；第3圖係顯示本發明入射光導致局部量子混合效應圖；第4(a)圖係顯示量子井內部擴散效應前能帶分佈圖；第4(b)圖係顯示量子井內部擴散效應後能帶分佈圖；第5圖係顯示本發明光場強度分佈圖；第6(a)圖係顯示本發明實施例之發光二極體磊晶結構圖；第6(b)圖係顯示本發明實施例之光子晶體發光二極體； 第7圖係顯示本發明實施例發光二極體中活性層組成隨X軸方向分佈圖；第8圖係顯示本發明實施例之光子晶體發光二極體結構側面圖。
1‧‧‧成長基板
2‧‧‧n型半導體層
3‧‧‧量子井結構
4‧‧‧p型半導體層
5‧‧‧量子井內部擴散效應前的組成
6‧‧‧量子井內部擴散效應後的組成
7‧‧‧電流散佈層
8‧‧‧n型電極
9‧‧‧p型電極

Claims (11)

  1. 一發光元件，包含：一基板；以及一半導體磊晶結構位於該基板之上，其中該半導體磊晶結構係具有一Gay In1-y N量子井活性層，且該Gay In1-y N量子井活性層係包含一於一維或二維空間具有週期性的y組成變化之光子晶體結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該光子晶體結構係以一全像術曝光技術為基礎結合兩道入射光干涉於該量子井活性層造成內部擴散效應所形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該半導體磊晶結構更包含：一第一電性半導體層形成於該基板與該量子井活性層之間；及一第二電性半導體層形成於該量子井活性層之上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中該第一電性半導體層及/或該第二電性半導體層可作為一侷限層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該基板可為透光基板或吸光基板。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該介電常數變化具 有一一維空間週期性，其範圍為200nm-1000nm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該介電常數變化具有一二維空間週期性，其範圍為200nm-1000nm，且該二維的週期並不需要一致。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中該全像術曝光技術之雷射波長需小於該量子井活性層所產生光的波長。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中該光子晶體結構係以一全像術曝光技術為基礎結合兩道入射光干涉於該量子井活性層造成內部擴散效應所形成，且該全像術曝光技術之雷射波長需小於該第一半導體層或該第二半導體層所對應之波長。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，其中該全像術曝光技術之雷射波長係介於該第一半導體層或該第二半導體層與該量子井所對應之波長之間。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中該光子晶體結構經一二次兩道入射光干涉所造成二次量子井內部擴散效應，且該二次量子井內部擴散效應之夾角介於20-90度，可形成一二維光子晶體結構。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105353556B (zh) * 2015-12-09 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置
CN108594345B (zh) * 2018-04-26 2021-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种光子晶体、qled装置、显示面板、眼镜
CN109473522B (zh) * 2018-11-28 2020-07-07 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
CN114664173B (zh) * 2022-03-14 2024-01-16 复旦大学 一种冷链运输可视化光子晶体时温联合监测标签、制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060284187A1 (en) * 2005-06-17 2006-12-21 Lumileds Lighting U.S, Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6704343B2 (en) * 2002-07-18 2004-03-09 Finisar Corporation High power single mode vertical cavity surface emitting laser
US7206488B1 (en) * 2004-09-22 2007-04-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Coupled photonic crystal resonator array arrangements and applications
CN1877872A (zh) 2005-06-09 2006-12-13 中国科学院半导体研究所 光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法
US7349613B2 (en) * 2006-01-24 2008-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic crystal devices including gain material and methods for using the same
WO2008024991A2 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Hongxing Jiang Er doped iii-nitride materials and devices synthesized by mocvd
JP5352787B2 (ja) 2006-08-28 2013-11-27 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶熱輻射光源
WO2008066712A2 (en) * 2006-11-15 2008-06-05 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials
JP4347369B2 (ja) * 2007-07-31 2009-10-21 キヤノン株式会社 面発光レーザの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060284187A1 (en) * 2005-06-17 2006-12-21 Lumileds Lighting U.S, Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices

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Publication number Publication date
US7968867B2 (en) 2011-06-28
US8502194B2 (en) 2013-08-06
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US20110253979A1 (en) 2011-10-20
TW200947742A (en) 2009-11-16

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