TWI386617B - 反射式膜厚量測方法 - Google Patents

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Description

反射式膜厚量測方法
本發明係有關一種量測薄膜厚度的方法，特別是一種反射式顯微膜厚量測方法。
薄膜的應用在產業上非常的廣泛，例如以平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)產業為例，其應用的彩色濾光片(Color Filter)即包含了許多膜層，且各有不同之用途，例如：紅綠藍色彩濾光膜(R,G,B color filter)、間隙材料(PS，Photo spacer)、多籌垂直排列材料(MVA，Multi-domain Vertical Alignment)及氧化銦錫膜(ITO,Indium Tin Oxide)等等；其中色彩濾光膜主宰了色彩的表現、PS的膜厚則影響液晶的操作表現、MVA的膜厚更影響了液晶面板的視角表現；因此，能精確檢測各膜層的厚度及均勻性為舉足輕重的關鍵技術。
薄膜厚度量測技術已發展多年且應用甚廣，近年來量測樣品面積愈來愈大、製程速度愈來愈快，快速且精準的量測變得越來越重要。而在現有的薄膜厚度量測技術中，多使用單點量測方法，要量測整個樣品的膜厚均勻性時，必須二維移動探頭或樣品，此種方式量測時間太久；再者，隨著製程技術的不斷發展，小區域之膜厚(如Pixel size)量測、監控也日趨重要；因此，能發 展出快速正確檢測大面積樣品之膜厚均勻性，並同時兼顧小區域膜厚監控之量測方法，將是產業界所急需的品管技術。
膜厚量測技術中的光譜反射式(Spectral Reflectance)量測方法係測量光源入射方向垂直於樣品時的反射光譜。當一寬頻光源(Broadband light source)垂直入射樣品後，膜層底面的反射光折射至空氣中，與膜層表面的反射光產生干涉(interference)，如「第1圖」之反射光譜示意圖所示，圖中水平軸為光波長(wavelength)，單位為奈米(nm)，垂直軸為折射率(Reflectance)。當從膜層底面反射的光線與膜層表面的反射光線為同相(in phase)時，即會產生建設性干涉，反射率有極大值，此時即為「第1圖」中之波峰10位置；但是當兩者為反相(out of phase)時，即產生破壞性干涉，反射率有極小值如，「第1圖」中之波谷12位置； 由於干涉與光程差(OPD；Optical Path Difference)有關，而光程差又與膜層厚度與膜質折射率有關，且折射率為波長的函數，因此，在相同膜質的條件下，隨著膜層厚度的增加，反射率曲線的波峰(peak)數目即會增多，此點可從「第2A圖、第2B圖與第2C圖」中見悉，「第2A圖」係為厚度為500埃(Å，10-10米)之反射光譜圖，「第2B圖」係為厚度為5000埃(Å) 之反射光譜圖，「第2C圖」係為厚度為20,000埃(Å)之反射光譜圖，從比較中即可明顯看出，當厚度愈厚時，在同一個波長區間內，其波峰波谷的數目也愈多，因此，藉由將已知厚度之反射光譜圖與所測量之反射光譜圖進行曲線擬合(Curve fitting)，即可得知所量測之膜層的厚度。
雖然上述反射式薄膜厚度之量測方式可以得知薄膜之厚度，不過在實務量測時，所讀到的反射光譜圖會因為光學像差而使得光譜解析度與空間解析度不佳，意即，假若以一個單波長之光源，經過量測系統照射到薄膜並反射到光偵測元件，此時光偵測元件讀取到的光譜理論上應為所發出去的單波長反射光線，但是實務上，單波長光源在經過整個量測系統之光路徑後，即會因光學像差之因素而在光偵測元件上讀取到遠大於單波長寬度之反射干涉光譜圖，請參考「第3圖」，從圖中可以見悉此反射干涉光譜圖中的光波長範圍擴散到約4奈米左右，此範圍會因不同的量測系統而有所差異。
因此，當一個寬頻光譜的光源經由量測系統而量測薄膜厚度時，光偵測元件所讀到的反射干涉光譜圖，將會產生擴散現象，如「第4圖」所示，此擴散現象是由每一單一波長之光源累加形成的，如此一來，所量測到的光譜解析度即因光學像差因素而下降(變差、惡化)；除此之外，同樣的情形亦發生在空間影像解析度上。
為解決前述光譜解析度及空間影像解析度之不足，本發明提出一種反射式顯微膜厚量測方法。
依據本發明之一實施範例，提出一種反射式膜厚量測方法，係包含下述步驟，讀取一寬頻光源經過一量測系統量測一薄膜而得之一寬頻反射率波長函數M(λ)；將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)；將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
依據本發明之另一實施範例，提出一種提高空間解析度之光譜影像處理方法，係以一顯微影像系統來讀取一影像，該方法包含讀取該影像以一寬頻光源經該顯微影像系統而得之一原始光譜影像；及將該原始光譜影像與一擴散函數PSF(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像。
依據本發明之再一實施範例，提出一種反射式膜厚量測方法，係結合前述兩實施範例而得到同時提高空間解析度與光譜解析度之膜厚，其係依序讀取一影像以一寬頻光源經一顯微影像系統而得之一原始光譜影像；將該原始光譜影像與一擴散函數PSF(λ,h)進行反迴旋積 (Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像；自該還原光譜影像擷取一寬頻反射率波長函數M(λ)；將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)；將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
本發明之又一實施範例係提出一反射式膜厚量測方法，其包含讀取以一寬頻光源經一量測系統量測一薄膜而得之一原始光譜影像I(λ,h)，該原始光譜影像I(λ,h)係包含對應該顯微影像系統中一狹縫之各個物高與對應該寬頻光源各個波長之反射率值；將該原始光譜影像I(λ,h)與一二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像I’(λ,h)；自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應一特定物高的一理想反射率波長函數S(λ)；以及將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜對應該特定物高之一厚度。
藉由上述反射式膜厚量測方法之量測，即可將光學像差從讀取到之擴散光譜中適當移除，並取得一較為精確之膜厚厚度量測值，而藉由本發明之光譜空間軸方向影像處理方法，亦可消除光學像差所產生之擴散情形， 獲得高空間解析度之光譜影像。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉依據本發明之實施範例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明之反射式膜厚量測方法係藉一量測系統(例如顯微影像系統)來量測一薄膜之厚度，此量測系統之一實施範例可從「第5圖」中見悉，圖中光譜影像量測系統包含了用以收集薄膜20之光能量220的像方遠心鏡22、光狹縫240、用以準直來自該光狹縫240之光束的非球面鏡24、用以承接準直後光束並將之色散成子光束之波長色散元件26、用以聚焦子光束之消色差鏡28、以及用以偵測子光束光強度的光偵測元件29，其中前述波長色散元件係用以將該光束的不同波長色散成不同出射角度之子光束；而波長色散元件26可為一穿透式繞射光柵(Diffraction Grating)，而光偵測元件29可由複數個以二維陣列方式排列之光偵測器所構成，例如但不限於影像式光譜儀。
前述之量測系統可用在穿透式薄膜膜厚量測架構以及反射式薄膜膜厚量測架構，關於此點請同時參閱「第6A圖」與「第6B圖」，「第6A圖」是反射式薄膜膜厚量測架構示意圖，請配合圖中之箭頭閱覽之，圖中可以見悉該架構是以一個寬頻光源30照射至薄膜20表 面，光線經由薄膜20反射後，即被影像式光譜儀32所收集與讀取，影像式光譜儀32則利用所讀取之反射干涉光譜圖進行薄膜20之膜厚分析以得到膜厚。
請配合「第6B圖」及圖中之箭頭閱讀之，「第6B圖」係為一穿透式薄膜膜厚量測架構示意圖，圖中可以看出寬頻光源30照射至薄膜20表面，光線穿透過薄膜20後，即被影像式光譜儀32所收集及讀取，影像式光譜儀32則利用所讀取之反射干涉光譜圖進行薄膜20之膜厚分析以得到膜厚。
關於本發明之反射式膜厚量測方法之流程圖請參閱「第7圖」，圖中可以見悉本發明之反射式膜厚量測方法包含了下述步驟：步驟40-讀取一寬頻光源經過一量測系統量測一薄膜而得之一寬頻反射率波長函數M(λ)；步驟42-將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；步驟44-將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)；步驟46-將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及步驟48-將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
前述步驟40所述之讀取寬頻反射率波長函數M(λ)，係指如「第6A圖」或「第6B圖」之量測架構中所讀取到的反射干涉光譜圖，圖中橫軸為波長，縱軸為 反射率，此寬頻反射率波長函數M(λ)亦可稱為寬頻光譜函數，此反射干涉光譜圖即如「第4圖」所示之因光學像差而擴散之實際讀取到的反射干涉光譜示意圖，圖中可以見悉在每個之波峰10與波谷12之間還有一個振幅較小的次波峰11與次波谷13，此次波峰11與次波谷13即是因為光學像差所引起的訊號，此訊號即會使得光譜解析度變差。
前述讀取到的反射干涉光譜圖中的資訊即可轉換為一寬頻反射率波長函數M(λ)，如「第9圖」所示，而前述寬頻之範圍可以是但不限於350奈米至850奈米(nm)，「第9圖」中之波長範圍是以400奈米至1000奈米為例；其次即進行步驟42，係將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)，此一波長轉換為頻率之轉換方式可為但不限於傅式轉換(Fourier Transform，或Fast Fourier Transform)；接著進行步驟44：將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)。此單一波長頻率函數h(f)係可經由下述步驟得到：首先，讀取一單波長光源經過前述量測系統而得之一單波長反射率波長函數h(λ)，如「第10圖」所示；其次，將該單波長反射率波長函數h(λ)轉換為該單波長頻域函數h(f)。
此處之單波長反射率波長函數h(λ)即是「第3圖」 反射干涉光譜圖中的反射率波長函數h(λ)，「第3圖」係為單波長光源經過前述量測系統而被讀取到的因光學像差而擴散之反射干涉光譜圖，此一單波長反射率波長函數h(λ)是代表單一波長光源經過此一量測系統時，因光學像差所產生之擴散程度；前述將該單波長反射率波長函數h(λ)轉換為該單波長頻域函數h(f)所採用之轉換方式可為但不限於傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)。
因此，經過步驟44之將該寬頻頻域函數M(f)除以單波長頻域函數h(f)後，即可得到理想頻域函數S(f)之實部與虛部，即如「第11圖」與「第12圖」所示，其中「第11圖」係為理想頻域函數S(f)之實部之函數示意圖，而「第12圖」則為理想頻域函數S(f)之虛部之函數示意圖，其中該二圖式之水平軸為能量頻譜振幅(Power Spectral Amplitude)之頻率，垂直軸代表能量頻譜振幅(Power Spectral Amplitude)之振幅。
最後進行步驟48：將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度；前述之反射率波長厚度通式係為一基於夫瑞奈方程式(Fresnel Equation)所推導而得的之一波長與膜厚之函數通式。
關於利用夫瑞奈方程式(Fresnel Equation)來擬 合(Curve Fitting)而得到薄膜的厚度之方法，茲簡述如下：在膜層光學參數中較為重要的包括折射率(n)、消光係數(k)、厚度(d)，其中，由於材質的折射率為複數形式，方便起見將材質折射率實數部分與虛數部分別稱為折射率(n)與消光係數(k)，根據夫瑞奈方程式(Fresnel Equation)，入射光波長(λ)為已知的條件下，調整夫瑞奈方程式所導出的函數中之參數值，畫出標準曲線(此即前述之反射率波長厚度通式之一)。當標準曲線與所讀取之曲線(在本發明中即前述之理想反射率波長函數S(λ))間的平均均方誤差(Mean Square Error)最小時，則參數值即為最佳解，意即參數中的厚度即為所量測之薄膜膜厚。
本發明前述方法係得以使光譜解析度提高，其原理茲說明如下，由迴旋積(Convolution)原理可知，假設理想反射率波長函數為S(λ)，而光學像差(因光狹縫與像差所產生的)之擴散函數(即前述單波長反射率波長函數為h(λ)，則量測所得之光譜(函數)即為
若將上述函數轉換成頻率，則為M(f)=S(f)．h(f)
因此，以本發明之方法，即可將之還原，而得到理想(未經擴散)之反射率波長函數為S(λ)，如「第13圖」所示，之後再進行曲線擬合(Curve Fitting)，即 可得到更為精準之膜厚量測值。
以本發明之方法進行膜厚量測，與Mission Peak公司所生產之MP100-ME型號經膜厚標準片係為美國家標準與科技機構(NIST，National Institute of Standards and Technology)之膜厚標準片校正後的膜厚量測儀所量測而得之膜厚進行準確性比對，量測結果請參考下表，由於MP100-ME之量測系統一次僅能做單點的量測，而本發明係應用本發明人先前提出之美國公開第2006/0077385號專利申請案(即台灣專利證書第I245114號專利)之量測系統，本發明人提出之量測系統是一次即可完成線形之量測，本實驗之比對是以兩系統針對測試片的同區域作檢測，MP100-ME系統針對2um標準片區域之7條長形區域進行量測，分別做了7次量測，而本發明系統亦對相同區域進行量測，量測結果比較如下表所示：
由上表中可以得知，量測之一致性與穩定性相當好，明顯解決習知光譜解析度不佳之問題。
再者，關於前述影像空間解析度因光學像差因素而不佳之問題，本發明提出一種提高空間解析度之光譜影像處理方法，此方法係以一顯微影像系統來讀取一影像，該顯微影像系統可以是但不限於前述之「第5圖」、「第6A圖」及「第6B圖」所示之顯微影像(量測)系統，此光譜影像處理方法包含：(請配合「第8圖」觀之)
步驟52-讀取一寬頻光源經該顯微影像系統而得之一原始光譜影像；以及步驟54-將該原始光譜影像與一擴散函數PSF(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像。此還原光譜影像即為一高空間解析度之光譜影像。
前述步驟52所讀取到的原始光譜影像茲說明如下，以前述光偵測元件29為例，但並不以此為限，光偵測元件29將讀取到對應光狹縫240各個物高位置(簡言之即為光狹縫240之各個位置，容後詳述)之光譜影像，而此光譜影像之水平軸為波長，垂直軸為空間軸，此空間軸由上而下即對應著該物高，若此光偵測元件29為一灰階讀取元件，則此光偵測元件29所讀到的每個點即對應著一個物高，而該點之灰階值即對應著(代 表)一個反射率值，因此，從此光譜影像之二維的點組合即代表著在不同物高、不同波長之反射率值，也就是說，對應一個物高(光狹縫的一個特定位置)即可得到一張前述寬頻反射率波長函數M(λ)，而此光譜影像即為對應各個物高之所有寬頻反射率波長函數M(λ)之集合。
前述擴散函數PSF(λ,h)之取得(Point Spread Function)，係以該寬頻光源之波長範圍內之各個波長對一特定物高範圍內之各個物高經過該顯微影像系統後所得到之空間軸點之該擴散函數PSF(λ,h)，意即若該寬頻光源之波長範圍是350-850nm，可以以每1奈米為一個波長間距，也可以以10奈米為一個波長間距，視所需精確度而言，以下以10奈米為例，而特定物高範圍是指前述光狹縫240不同高度所讀取到的影像(反射率值)，例如以6.6mm長度之光狹縫240為例，以光狹縫240最頂端位置為物高的原點(即0um)，每隔20um為一個間距往光狹縫240之最底端移，此間距之大小端視前述光偵測元件29之解析度與在影像讀取之光路徑中之各透鏡而定，因此，以前述每隔20um為例(亦可為10um,30um等等，並不以此為限，當製作前述擴散函數時，即各別以350nm,360nm,370nm,...,850nm之波長的光源經過前述顯微影像系統各別對物高為0um,20um,40um,...,6600um(6.6mm)進行擴散光譜影像之讀取，如此即可各別獲得不同波長不同物高之擴散光譜影 像，再經過數學運算，即可得到前述波長物高擴散函數，做為前述原始光譜影像之處理使用。
關於此提高空間影像解析度之原理係類似於前述提高光譜解析度之原理，故不再贅述。
再者，本發明之方法亦可同時提高光譜解析度與空間影像解析度，意即將前述本發明之光譜影像處理方法結合與反射式膜厚量測方法，意即使用者先將光譜影像以本發明進行處理後，再經由前述步驟40-48後，即可同時得到高空間影像解析度之影像及高光譜解析度之函數，再將光譜解析度之函數與前述通式進行擬合後，即可得到精確之膜厚。
關於上述結合本發明之方法的步驟茲敘述如下：先執行前述步驟52-讀取該影像以一寬頻光源經該顯微影像系統而得之一原始光譜影像、步驟54-將該原始光譜影像與一擴散函數PSF(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像，之後再執行步驟40，唯此步驟40需以前述還原光譜影像進行函數之擷取，意即-自該還原光譜影像擷取一寬頻反射率波長函數M(λ)；步驟42-將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；步驟44-將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)；步驟46-將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及步驟48- 將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
本發明之又一實施範例係先執行提高光譜解析度方法後進行提高空間影像解析度方法，如此可得到一更為精確之膜厚值，此又一實施範例係為一反射式膜厚量測方法，該方法包含下述步驟：步驟60-讀取以一寬頻光源經一量測系統量測一薄膜而得之一原始光譜影像I(λ,h)，該原始光譜影像I(λ,h)係包含對應該顯微影像系統中一狹縫之各個物高與對應該寬頻光源各個波長之反射率值；步驟62-將該原始光譜影像I(λ,h)與一二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像I’(λ,h)；步驟64-自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應一特定物高的一理想反射率波長函數S(λ)；以及步驟66-將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜對應該特定物高之一厚度。
前述寬頻光源可為但不限於350-850nm之波長範圍，而量測系統可以是但不限於顯微影像系統，此顯微影像系統之架構則可以是但不限於「第5圖」所示之光譜影像量測系統，其中之狹縫即對應為「第5圖」之光 狹縫240，而各個物高之涵意即為該光狹縫240在長軸向之位置，例如，若光狹縫240之狹縫長度若為6.6mm，從上而下以每隔40um為間隔，則各個物高即為0um,40um,80um,120um,...,6.6mm，因此，步驟60即是藉由前述光譜影像量測系統來量測寬頻光源照射到一薄膜(如「第15圖」所示)後反射回來之光訊號所形成的一個原始光譜影像，其中「第15圖」係為待測薄膜之實體影像示意圖，而圖中A-A所示之方框區域即為前述狹縫之視野，也就是單次讀取光譜影像之範圍，在「第15圖」中方框內之範圍所讀取到的即為前述步驟60之原始光譜影像圖，即「第16圖」所示之圖示，此原始光譜影像的水平軸是光波長，即對應該寬頻光譜之頻寬範圍(以「第16」圖為例即為1-1300pixel對應380 nm-960 nm)，而其垂直軸即為物高，也就是對應「第15圖」實體影像之垂直方向的高度。
從「第16圖」中可以看出，步驟60中的原始光譜影像包含了複數個像素，每個像數對應著一個物高與波長，同時每個像素亦有一個影像讀值，也就是說每一個物高對應每一個波長位置均有一個影像讀值，此影像讀值若以灰階影像為例，其灰階的程度即為該影像讀值，此灰階之程度所代表之物理意義為在該像素所對應的波長與物高位置的一個反射率值，如此一來，同一個物高位置之水平剖面(即在平行於波長軸上的橫切面)即會 有一張波長反射率曲線圖(關係圖)，以此「第16圖」中的B-B位置之物高為例，請參見「第17圖」，其係為「第16圖」之原始光譜影像在B-B物高之反射干涉光譜示意圖，圖中可以看出此圖波長反射率曲線之水平軸為前述寬譜波長範圍，而垂直軸則為反射率，此圖中的曲線即為波長反射率曲線，意即類同於前述之寬頻反射率波長函數M(λ)。
簡言之，執行步驟60後即會獲得一原始光譜影像I(λ,h)，此原始光譜影像為光波長λ與物高h之函數。
步驟62中的二維擴散整合函數PSF2(λ,h)是指空間軸(物高軸)維度的點擴散函數(PSF,Point Spread Function)與波長軸維度之點擴散函數的整合函數，前述波長軸維度之點擴散函數即為一個單一波長之光源經過量測系統後，所產生之擴散程度的函數，同前述的PSF(λ,h)，而同樣地，在物高維度(空間軸)上亦會有一點擴散函數，而二維擴散整合函數PSF2(λ,h)則是整合了物高維度的點擴散函數與波長軸維度的點擴散函數，如此即可以此二維擴散整合函數PSF2(λ,h)代表單一波長在波長軸與在空間軸(物高軸)二個維度方向的點擴散情形，也就是說該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)係為將前述擴散函數PSF(λ,h)與一單波長反射率波長函數h(λ)之迴旋積(Convolution)，意即PSF2(λ,h)=PSF(λ,h)*h(λ)。
以物理意義的角度說明，該擴散函數PSF(λ,h)係為以該寬頻光源之波長範圍內之各個波長對一特定物高範圍內之各個物高經過該顯微影像系統後所得到之空間軸點之該擴散函數PSF(λ,h)。其中該單波長反射率波長函數h(λ)係為經由讀取一單波長光源經過該顯微影像系統而得之反射率波長函數h(λ)。
前述步驟62之將該原始光譜影像I(λ,h)與一二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像I’(λ,h)之步驟包含(請同時參考「第18圖」閱覽之)：步驟620-將該光譜影像I(λ,h)轉換為一頻域影像I(f,k)；步驟622-將該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)轉換為一二維頻域整合函數PSF2(f,k)；步驟624-將該頻域影像I(f,k)除以該二維頻域整合函數PSF2(f,k)，以得到一還原頻域影像I’(f,k)；以及步驟626-將該還原頻域影像I’(f,k)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)。
其中步驟620之將該光譜影像I(λ,h)轉換為一頻域影像I(f,k)之步驟係為將該光譜影像I(λ,h)進行傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)而得到該頻域影像I(f,k)；步驟622之將該 二維擴散整合函數PSF2(λ,h)轉換為一二維頻域整合函數PSF2(f,k)之步驟係為將該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)而得到該二維頻域整合函數PSF2(f,k)；步驟626之將該還原頻域影像I’(f,k)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)之步驟係為將該還原頻域影像I’(f,k)以反傅式轉換(Inverse Fourier Transform)或快速反傅式轉換(Inverse Fast Fourier Transform)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)。
步驟624-將該頻域影像I(f,k)除以該二維頻域整合函數PSF2(f,k)，以得到一還原頻域影像I’(f,k)之做法即如同前述步驟44之作法，不再贅述，其目的同步驟44，在於消除寬頻光源經過該量測系統量測該薄膜所產生之空間軸(物高軸)與波長軸的點擴散情形，以得到理想之頻域影像函數。
步驟64之自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應一特定物高的一理想反射率波長函數S(λ)中的還原光譜影像I’(λ,h)係為已經消除空間軸(物高軸)與波長軸的點擴散情形後的光譜影像函數，此還原光譜影像之圖樣亦類同於「第14圖」之原始光譜影像示意圖，唯此還原光譜影像係已將空間軸(物高軸)與波長軸之點擴散情形消除了，因此，當擷取對應此還原光譜影像I’(λ,h)中一特定物高(一特定空間位置)之一理想反射率波長函數S(λ) 時，此物高所對應之理想反射率波長函數S(λ)亦已消除了波長軸之點擴散情形，此函數之示意圖亦可於「第13圖」中見悉。
而步驟66之將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜對應該特定物高之一厚度與前述步驟48相同，故不再重覆描述，此時即可得到該被量測的薄膜對應該物高之膜厚。
而為了得到更精確的薄膜厚度，則可以重覆步驟64與步驟66，擷取對應每個物高位置之理想反射率波長函數S(λ)，再經過曲線擬合後，可得到對應各個物高位置之薄膜厚度，之後再將各個薄膜厚度加總再平均，即可得到一平均之薄膜厚度，此作法之詳細步驟如下(係在步驟66之後再進行下述步驟，請同時參考「第19圖」閱讀之)：步驟680-自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應每一個該等物高的複數個該理想反射率波長函數S(λ)；步驟682-將該等理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到複數個該厚度；以及步驟684-將該等厚度平均後得到一平均厚度，做為該薄膜之該厚度。
經過上述步驟680-684後，除了可以計算出薄膜之 平均厚度，亦可得到其標準差或變異數等統計上的資訊，以更清楚了解到該薄膜在物高範圍內之平坦度及其他訊息，而若不將對應各個物高之薄膜厚度進行計算，其即代表該薄膜對應各個物高之厚度。
10‧‧‧波峰
11‧‧‧次波峰
12‧‧‧波谷
13‧‧‧次波谷
20‧‧‧薄膜
220‧‧‧光能量
22‧‧‧像方遠心鏡
240‧‧‧光狹縫
24‧‧‧非球面鏡
26‧‧‧波長色散元件
28‧‧‧消色差鏡
29‧‧‧光偵測元件
30‧‧‧寬頻光源
32‧‧‧影像式光譜儀
第1圖，係為習知反射干涉光譜示意圖；第2A、2B、2C圖，係為習知反射干涉光譜圖與膜層厚度之關係示意圖；第3圖，係為習知以單波長光源量測所得之因光學像差而擴散之反射干涉光譜示意圖；第4圖，係為習知以寬頻波長光源量測所得之因光學像差而擴散之反射干涉光譜示意圖；第5圖，係為習知光譜影像量測系統之結構示意圖；第6A圖，係為習知反射式薄膜膜厚量測架構示意圖；第6B圖，係為習知穿透式薄膜膜厚量測架構示意圖；第7圖，係為本發明反射式膜厚量測方法之流程圖之示意圖；第8圖，係為本發明光譜影像處理方法流程之示意圖；第9圖，係為本發明量測而得之寬頻反射率波長函數M(λ)之示意圖；第10圖，為本發明量測而得之單波長反射率波長函數h(λ)之示意圖；第11圖，為本發明計算而得之理想頻域函數S(f)之實 部示意圖；第12圖，為本發明計算而得之理想頻域函數S(f)之虛部示意圖；第13圖，為本發明計算而得之理想反射率波長函數S(λ)之示意圖；第14圖，為本發明反射式膜厚量測方法另一實施例之流程圖之示意圖；第15圖，為本發明反射式膜厚量測方法另一實施例所量測之薄膜之實體影像示意圖；第16圖，為本發明反射式膜厚量測方法另一實施例以寬頻光源經過一量測系統量測一薄膜所讀取到的原始光譜影像示意圖；第17圖，為「第16圖」之光譜影像在B-B物高之反射干涉光譜示意圖；第18圖，為本發明反射式膜厚量測方法另一實施例之步驟62之流程示意圖；以及第19圖，為本發明反射式膜厚量測方法另一實施例之計算薄膜平均厚度之流程示意圖。

Claims (25)

  1. 一種反射式膜厚量測方法，該方法包含：讀取一寬頻光源經過一量測系統量測一薄膜而得之一寬頻反射率波長函數M(λ)；將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)；將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之反射式膜厚量測方法，其中該單波長頻域函數h(f)係經由下述方法獲得：讀取一單波長光源經過該量測系統而得之一單波長反射率波長函數h(λ)；及將該單波長反射率波長函數h(λ)轉換為該單波長頻域函數h(f)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之反射式膜厚量測方法，其中該轉換係為傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之反射式膜厚量測方法，其中該轉換係為傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之反射式膜厚量測方法，其中該反轉換係為反傅式轉換(Inverse Fourier Transform)或快速反傅式轉換(Inverse Fast Fourier Transform)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之反射式膜厚量測方法，其中該反射率波長厚度通式係為一基於夫瑞奈方程式(Fresnel Equation)所推導而得的之一波長與膜厚之函數通式。
  7. 一種反射式膜厚量測方法，該方法包含：讀取一寬頻光源經一顯微影像系統而得之一原始光譜影像；將該原始光譜影像與一擴散函數PSF(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像；自該還原光譜影像擷取一寬頻反射率波長函數M(λ)；將該寬頻反射率波長函數M(λ)轉換為一寬頻頻域函數M(f)；將該寬頻頻域函數M(f)除以一單波長頻域函數h(f)，得到一理想頻域函數S(f)； 將該理想頻域函數S(f)反轉換為一理想反射率波長函數S(λ)；以及將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中該擴散函數PSF(λ,h)係以該寬頻光源之波長範圍內之各個波長對一特定物高範圍內之各個物高經過該顯微影像系統後所得到之空間軸點之該擴散函數PSF(λ,h)。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中擴散函數PSF(λ,h)係為一空間軸點擴散函數PSF(λ,h)。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中顯微影像系統係為一影像式光譜儀。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中該單波長頻域函數h(f)係經由下述方法獲得：讀取一單波長光源經過該顯微影像系統而得之一單波長反射率波長函數h(λ)；及將該單波長反射率波長函數h(λ)轉換為該單波長頻域函數h(f)。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之反射式膜厚量測方 法，其中該轉換係為傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中該轉換係為傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中該反轉換係為反傅式轉換(Inverse Fourier Transform)或快速反傅式轉換(Inverse Fast Fourier Transform)。
  15. 如申請專利範圍第7項所述之反射式膜厚量測方法，其中該反射率波長厚度通式係為一基於夫端奈方程式(Fresnel Equation)所推導而得的之一波長與膜厚之函數通式。
  16. 一種反射式膜厚量測方法，該方法包含：讀取一寬頻光源經一量測系統量測一薄膜而得之一原始光譜影像I(λ,h)，該原始光譜影像I(λ,h)係包含對應該顯微影像系統中一狹縫之各個物高與對應該寬頻光源各個波長之反射率值；將該原始光譜影像I(λ,h)與一二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算後，得到一還原光譜影像I’(λ,h)；自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應一特定物高的一理想反射率波長函數S(λ)；以及 將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜對應該特定物高之一厚度。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之反射式膜厚量測方法，其中該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)係為空間軸(物高軸)維度的點擴散函數(PSF,Point Spread Function)與波長軸維度之點擴散函數的整合函數。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之反射式膜厚量測方法，其中該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)係為將一擴散函數PSF(λ,h)與一單波長反射率波長函數h(λ)相乘而得。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之反射式膜厚量測方法，其中該擴散函數PSF(λ,h)係為以該寬頻光源之波長範圍內之各個波長對一特定物高範圍內之各個物高經過該顯微影像系統後所得到之空間軸點之該擴散函數PSF(λ,h)。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之反射式膜厚量測方法，其中該單波長反射率波長函數h(λ)係為經由讀取一單波長光源經過該顯微影像系統而得之反射率波長函數h(λ)。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之反射式膜厚量測方法，其中該將該原始光譜影像I(λ,h)與一二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行反迴旋積(Deconvolution)運算 後，得到一還原光譜影像I’(λ,h)之步驟包含：將該原始光譜影像I(λ,h)轉換為一頻域影像I(f,k)；將該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)轉換為一二維頻域整合函數PSF2(f,k)；將該頻域影像I(f,k)除以該二維頻域整合函數PSF2(f,k)，以得到一還原頻域影像I’(f,k)；以及將該還原頻域影像I’(f,k)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之反射式膜厚量測方法，其中該將該原始光譜影像I(λ,h)轉換為一頻域影像I(f,k)之步驟係為將該原始光譜影像I(λ,h)進行傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)而得到該頻域影像I(f,k)。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之反射式膜厚量測方法，其中該將該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)轉換為一二維頻域整合函數PSF2(f,k)之步驟係為將該二維擴散整合函數PSF2(λ,h)進行傅式轉換(Fourier Transform)或快速傅式轉換(Fast Fourier Transform)而得到該二維頻域整合函數PSF2(f,k)。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之反射式膜厚量測方法，其中該將該還原頻域影像I’(f,k)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)之步驟係為將該還原頻域影像 I’(f,k)以反傅式轉換(Inverse Fourier Transform)或快速反傅式轉換(Inverse Fast Fourier Transform)反轉換為該還原光譜影像I’(λ,h)。
  25. 如申請專利範圍第16項所述之反射式膜厚量測方法，在該將該理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到該薄膜之一厚度步驟後更包含：自該還原光譜影像I’(λ,h)擷取對應每一個該等物高的複數個該理想反射率波長函數S(λ)；將該等理想反射率波長函數S(λ)與一反射率波長厚度通式進行曲線擬合(Curve Fitting)，以得到複數個該厚度；以及將該等厚度平均後得到一平均厚度，做為該薄膜之該厚度。
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