TWI386505B - 濺鍍載台 - Google Patents

濺鍍載台 Download PDF

Info

Publication number
TWI386505B
TWI386505B TW96141455A TW96141455A TWI386505B TW I386505 B TWI386505 B TW I386505B TW 96141455 A TW96141455 A TW 96141455A TW 96141455 A TW96141455 A TW 96141455A TW I386505 B TWI386505 B TW I386505B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
frame
carrier
sputtering
protrusion
positioning portion
Prior art date
Application number
TW96141455A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200920864A (en
Inventor
Sei Ping Louh
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority to TW96141455A priority Critical patent/TWI386505B/zh
Publication of TW200920864A publication Critical patent/TW200920864A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI386505B publication Critical patent/TWI386505B/zh

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

濺鍍載台
本發明涉及一種濺鍍載台,尤其係一種可自動翻轉實現雙面鍍膜之濺鍍載台。
濺鍍係藉由離子碰撞而獲得薄膜之一種工藝,主要分為兩類:陰極濺鍍(參見Advanced Semiconductor Devices and Microsystems,2000.ASDAM 2000.The Third International Euro Conference on Oct.16-18 2000,page(s):151-155)和射頻濺鍍。
陰極濺鍍一般用於濺鍍導體如鋁(Al)、銀(Ag)或半導體如矽(Si)。射頻濺鍍一般用於濺鍍非導體如ZnS-SiO2 、GesbTe。由於濺鍍可同時達成較佳之沈積效率、精確之成份控制、以及較低之製造成本,因此於工業上被廣泛應用。
濺鍍一般係於濺鍍機中完成,濺鍍機一般包括反應室、濺鍍陰極、基座與載具。濺鍍陰極設置於反應室內,且具有濺鍍靶。基座置於反應室內並相對於濺鍍靶,用於承載被鍍物。載具用於將被鍍物送入反應室內。濺鍍係於反應室中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面產生電漿,再利用磁場或電場等加速方式,使得電漿中之離子對濺鍍靶進行轟擊,以造成濺鍍靶表面之靶材原子濺出飛向被鍍物,並於被鍍物表面形成一層薄膜。
目前之濺鍍製程中,欲對被鍍物雙面鍍膜時,多以手動翻轉被鍍物進行換面,此種做法不僅浪費時間而且破壞濺鍍機反應室之真空環境。
有鑒於此,有必要提供一種可自動翻轉實現雙面鍍膜之濺鍍載台。
一種濺鍍載台,用於承載被鍍物以進行濺鍍製程,其包括本體和承載體,該本體為由第一邊框、第二邊框、第三邊框和第四邊框組成之中空框體,該第一邊框和第三邊框相對設置且分別設置有長形凹槽,該第二邊框和第四邊框相對設置且分別設置有線圈,該承載體為由第五邊框、第六邊框、第七邊框和第八邊框組成之中空框體,該第五邊框與第七邊框相對設置且分別向遠離承載體之方向形成突塊,該突塊活動地設置於該凹槽內,該突塊靠近該第六邊框或第八邊框,該第六邊框或者第八邊框上設有磁鐵。
與先前技術相比,本發明實施例之濺鍍載台利用通電之線圈產生磁場,使得承載體翻轉以達到翻轉被鍍物、實現自動換面之目的,進而實現雙面鍍膜。
下面將結合附圖對本發明作進一步詳細說明。
如圖1所示,其為本發明實施例提供之濺鍍載台10。該濺鍍載台10包括本體12、承載體14和固定件16。固定件16將被鍍物20固定於承載體14上以進行濺鍍製程。
請參閱圖2,本體12為由第一邊框121、第二邊框122、第三邊框123和第四邊框124圍成之中空框體。其中,第一邊框121與第三邊框123相對設置,第二邊框122與第四邊框124相對設置。
第一邊框121、第三邊框123朝向本體12內部之一面凹陷分別形成凹槽125。
第二邊框122、第四邊框124朝向本體12內部之一面上分別設有定位槽126,定位槽126可設置於第二邊框122、第四邊框124之中心處,也可設置於偏離中心位置處。
第二邊框122和第四邊框124由鐵鎳合金或者鐵鈷合金製成,第二邊框122上設有第一線圈127,第四邊框124上設有第二線圈128。當第一線圈127、第二線圈128有電流流過時,第一線圈127、第二線圈128周圍產生磁場,磁場之方向可由安培定則判斷得出,大拇指所指之方向為第一線圈127、第二線圈128內部之磁感線方向,四指所指之方向是電流環繞方向。
承載體14為由第五邊框141、第六邊框142、第七邊框143和第八邊框144圍成之中空框體,承載體14之面積小於本體12以使其活動地設置本體12中且可於本體12內運動。其中,第五邊框141與第七邊框143相對設置,第六邊框142與第八邊框144相對設置。
第七邊框141與第八邊框143分別向相反且遠離承載體14之方向突出形成圓柱形突塊145,突塊145偏離承載體14之幾何中心,即突塊145靠近第八邊框144且與第六邊框142之距離相等,以使承載體14於重力作用下可翻轉。突塊145滑動地設置於凹槽125中。為使承載體14於本體12內翻轉,第二邊框122與第四邊框124之間之距離大於等於兩倍之突塊145與第六邊框142之間距。
當然,突塊145也可靠近第六邊框142。
第六邊框142與第八邊框144分別向相反且遠離承載體14之方向突起形成第一定位部1422和第二定位部1442,第二定位部1442上設有磁鐵1444,可是N極或者S極朝向承載體14之外部。第一定位部1442、第二定位部1442之一可卡入定位槽126以使承載體14定位。
承載體14之相對兩個角上設有第一螺紋孔146。
當然,也可於一個、三個或者四個角上設置第一螺紋孔146。
固定件16包括螺絲162和固定板164,固定板164上設有第二螺紋孔1642,螺絲162旋入第一螺紋孔146和第二螺紋孔1642將被鍍物20固定於承載體14上以進行濺鍍製程。
濺鍍過程中,首先被鍍物20固定於靠近第二邊框122處,即第一定位部1422卡合於第二邊框122上之定位槽126中,對被鍍物20之第一面進行濺鍍。第一面完成濺鍍後,對第四邊框124上之第二線圈128通電,使第二線圈128產生之磁場對磁鐵1444產生吸引力,由於承載體14通過突塊145可於本體12內滑動,因而承載體14於磁力之作用下向第四邊框124運動,第二定位部1442卡入第四邊框124上之定位槽126使承載體14定位。然後,停止對第二線圈128通電,磁場消失,承載體14於重力作用下翻轉,此時,對第二邊框122上之第一線圈127通電,第一線圈127之周圍產生磁場,承載體14於磁場、磁鐵1444之作用下,使與第一面相對之一面向上。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方式,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
濺鍍載台...10
本體...12
承載體...14
固定件...16
被鍍物...20
第一邊框...121
第二邊框...122
第三邊框...123
第四邊框...124
凹槽...125
定位槽...126
第一線圈...127
第二線圈...128
第五邊框...141
第六邊框...142
第七邊框...143
第八邊框...144
突塊...145
第一螺紋孔...146
螺絲...162
固定板...164
第一定位部...1422
定位部...1442
磁鐵...1444
第二螺紋孔...1642
圖1係本發明實施例濺鍍載台組合示意圖。
圖2係本發明實施例濺鍍載台分離示意圖。
濺鍍載台...10
本體...12
承載體...14
固定件...16
被鍍物...20
第一線圈...127
第二線圈...128

Claims (6)

  1. 一種濺鍍載台,用於承載被鍍物以進行濺鍍製程,其包括本體和承載體,其改進在於:該本體為由第一邊框、第二邊框、第三邊框和第四邊框組成之中空框體,該第一邊框和第三邊框相對設置且分別設置有長形凹槽,該第二邊框和第四邊框相對設置且分別設置有線圈,該承載體為由第五邊框、第六邊框、第七邊框和第八邊框組成之中空框體,該該第五邊框與第七邊框相對設置且分別向遠離承載體之方向形成突塊,該突塊活動地設置於該凹槽內,該突塊靠近該第六邊框或第八邊框,該第六邊框或者第八邊框上設有磁鐵。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍載台,其中:該第二邊框和第四邊框分別設置有定位槽,該第六邊框和第八邊框分別向遠離該承載體之方向突起形成第一定位部和第二定位部,該磁鐵設置於第一定位部或第二定位部上,該第一定位部或第二定位部可卡入定位槽中。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍載台,其中:該突塊靠近第八邊框,該第二邊框與第四邊框框之間距大於等於兩倍之突塊與該第六邊框之間距。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍載台,其中:該突塊靠近第六邊框,該第二邊框與第四邊框之間距大於等於兩倍之突塊與該第八邊框之間距。
  5. 如申請專利範圍第1至4項任一項所述之濺鍍載台,其中:進一步包括固定件,該固定件包括螺絲和固定板,該承載體至少一角設置第一螺紋孔,該固定板具有第二螺紋孔,該螺絲旋入第一螺紋孔、第二螺紋孔以將一被鍍物固定於該承載體上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之濺鍍載台,其中:該第二邊框和第四邊框由鐵鎳合金或者鐵鈷合金製成。
TW96141455A 2007-11-02 2007-11-02 濺鍍載台 TWI386505B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96141455A TWI386505B (zh) 2007-11-02 2007-11-02 濺鍍載台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96141455A TWI386505B (zh) 2007-11-02 2007-11-02 濺鍍載台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200920864A TW200920864A (en) 2009-05-16
TWI386505B true TWI386505B (zh) 2013-02-21

Family

ID=44727608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96141455A TWI386505B (zh) 2007-11-02 2007-11-02 濺鍍載台

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI386505B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200600603A (en) * 2004-06-23 2006-01-01 Au Optronics Corp Sputtering apparatus and carrier thereof
JP2006225748A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Ulvac Japan Ltd 基板へのスパッタ薄膜の形成方法および搬送キャリア

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200600603A (en) * 2004-06-23 2006-01-01 Au Optronics Corp Sputtering apparatus and carrier thereof
JP2006225748A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Ulvac Japan Ltd 基板へのスパッタ薄膜の形成方法および搬送キャリア

Also Published As

Publication number Publication date
TW200920864A (en) 2009-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1314795B1 (en) Sputtering target producing few particles
CN109338293A (zh) 在基板处理腔室中使用的准直器
US20110220494A1 (en) Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication
JP5775175B2 (ja) スパッタリング装置およびシールド
CN104487607B (zh) 溅射设备和磁体单元
TWI464285B (zh) 成膜方法及成膜裝置
US20030178301A1 (en) Planar magnetron targets having target material affixed to non-planar backing plates
TW201321539A (zh) 圓柱磁控濺射陰極
JP5527894B2 (ja) スパッタ装置
TWI386505B (zh) 濺鍍載台
JP5014696B2 (ja) 薄膜形成方法、銅配線膜形成方法
JP2016011445A (ja) スパッタリング方法
CN101451231B (zh) 磁控溅镀阴极机构
US8052852B2 (en) Magnetron sputtering cathode mechanism
JP2002220660A (ja) スパッタリング装置
JP7147341B2 (ja) 膜付き物品の製造方法、及び保持具
US11692262B2 (en) EM source for enhanced plasma control
TW201514329A (zh) 磁控濺鍍槍裝置
KR100483585B1 (ko) 할로우 캐소드 마그네트론 타겟 및 할로우 캐소드마그네트론 스퍼터링 장치
TW201518530A (zh) 用於反應腔的遮罩結構
CN101418434B (zh) 溅镀载台
TWI391514B (zh) 磁控濺鍍機
JP2002004044A (ja) スパッタリング装置
WO2017088212A1 (zh) 磁控溅射镀膜装置及其靶装置
CN210341047U (zh) 一种用于防止非靶材料溅射的装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees