TWI382877B - 處理多個基板的裝置 - Google Patents
處理多個基板的裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI382877B TWI382877B TW098141928A TW98141928A TWI382877B TW I382877 B TWI382877 B TW I382877B TW 098141928 A TW098141928 A TW 098141928A TW 98141928 A TW98141928 A TW 98141928A TW I382877 B TWI382877 B TW I382877B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- material gas
- substrate
- gas
- spraying
- gas spraying
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 138
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 281
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 83
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 73
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 58
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000414 obstructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明是有關於一種用於處理半導體裝置的基板處理裝置，且特別是有關於一種可以同時處理多個基板的多基板處理裝置。
半導體裝置是透過不同的製程以製作出來的，例如，沉積一薄膜在一基板上的製程，以及蝕刻在基板上之薄膜的製程。這些製程是利用基板處理裝置來實現。以化學氣相沉積(CVD)或原子層沈積法(atomic layer deposition,ALD)舉例而言，基板處理裝置設置有一處理室，一基板支撐件裝設於該處理室且可以旋轉及上、下移動，以及配置於基板支撐件上的一噴灑頭(shower head)用於噴灑一製程氣體。
此外，也提出了一多基板處理裝置用於負載以及處理多個同時進入其處理室的基板以改善生產率。此多基板處理裝置的基板支撐件(support)具有多個基板座部(seats)以使多個基板可以沿著基板支撐件的中央排列及放置。
然而，既然基板配置於基板支撐件上且自該基板支撐件的一旋轉中心脫離，因為例如一抽氣通道而使製程氣體無法均勻地提供至基板上。詳細而言，當用於從處理室抽出製程氣體的抽氣通道位於基板支撐件之外，因為抽氣通道中的抽吸力的作用，自該噴灑頭噴灑出的製程氣體大部分流向該基板支撐件之外。如此，沉積於每一基板上的薄膜會自基板支撐件的旋轉中心朝向邊緣逐漸變薄。換言之，薄膜並非是以固定的厚度沉積於每一基板上。考量前述原因，為了使薄膜可以以固定的厚度沉積在每一基板上，噴灑頭的建構是必須的。
在此同時，雖然噴灑頭的建構是基於薄膜可以均勻地沉積在每一基板上的需求，但因為製程條件的改變，薄膜也還是有可能會非均勻地沉積在每一個基板上。在此情況下，噴灑頭便需要重新建構及更換。直至目前，整個噴灑頭已經替換過。如此，將不利於噴灑頭的製作成本、重建效率等。
基於上述，本發明致力於解決相關技術的問題，而本發明的一目的為提供一多基板處理裝置以使能夠在每一基板上沉積固定厚度的一薄膜以及改良其結構以幫助重建一噴灑頭。
為了達到上述之目的，依據本發明的一觀點，提供一多基板處理裝置，其包括一處理室，且處理室內具有一處理空間、一基板支撐件裝設於此處理室的處理空間並具有多個座部，且基板沿著座部的上表面的邊緣置放、以及一噴灑頭，具有放射狀地設置於基板支撐件上且朝向基板噴灑原料氣體的多個原料氣體噴灑單元。每一原料氣體噴灑單元具有多個噴嘴，且利用這些噴嘴噴灑原料氣體，原料氣體的一噴灑量自基板支撐件的中心朝向邊緣漸增。
基於本發明的一較佳實施例，於一基板上可以沉積固定的厚度的薄膜，以及可以依據製程條件的改變而容易地重新建構噴灑頭。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之多基板處理裝置的示意圖。圖2為沿著圖1之II-II線的剖面示意圖。圖3為沿著圖1之III-III線的剖面示意圖。
請同時參考圖1至圖3，本實施例之多基板處理裝置100包括一處理室10、一基板支撐件20以及一噴灑頭50。
處理室10具有一底部11以及一側壁12。底部11呈圓盤狀，而側壁12自底部11的邊緣以垂直於底部11的方向向上延伸，因此其具有一封閉表面的形狀。所述側壁12具有一基板傳遞通道(未繪示)，且一基板W可從此進或出。如下述，將噴灑頭50裝設於處理室10的上部(upper portion)，即能於處理室10內定義出一處理空間16。在此處理空間16中，可利用一原料氣體於基板W上沉積一薄膜。為了密封處理空間16，如O型環(O-ring)(未繪示)的一密封元件配置於噴灑頭50的一下表面以及該側壁12的一上表面之間。所述處理室10中設置有用以排出殘餘的氣體及粒子的一排氣工具。一環狀(annular)排氣管(exhaust duct)(未繪示)裝設於基板支撐件20及處理室10之側壁12的一內表面中，其中基板支撐件20將於下詳述。此排氣管可藉由一排氣口與一排氣泵(未繪示)連接，以從處理室10中強制排出不需要的氣體。
裝設於處理空間16的內部之基板支撐件20用來旋轉地支撐基板W，並包括一承載件(susceptor)21以及一軸桿(shaft)23。
所述承載件21呈圓盤狀，且可旋轉地裝設於處理室10內。承載件21其上設置有向內凹陷以支承基板W的多個座部22，其中本實施例以六個座部為例說明。如圖3所示，座部22沿著基板支撐件20的上表面的邊緣配置，並以一預定角度的間距彼此相隔開。一加熱器(未繪示)可嵌設於承載件21中以加熱該基板W。在軸桿23的相對兩末端之間，其中一末端連接承載件21的下表面，而其另一末端穿過處理室10並且連接於一轉動器(未繪示)如馬達。如此，當軸桿23旋轉，承載件21以軸桿的中心軸A為旋轉中心旋轉。此外，軸桿23可與一升降工具連接以組成一馬達以及一滾珠螺桿(未繪示)的一組合。因此，當軸桿23往上或往下移動時，承載件21也會隨之而往上或往下移動。
以下將以圖1、圖3、圖4及圖5詳述本發明之一實施例之噴灑頭50。圖4為本發明一實施例之噴灑頭的立體示意圖，而圖5為沿著圖4之V-V線的剖面示意圖。
噴灑頭50用於提供一氣體到位於基板支撐件20上的每一基板W，且其可拆卸地裝配在處理室10的上部。當噴灑頭50裝配至處理室10，噴灑頭50的下表面與基板支撐件20的上表面相對。由噴灑頭50提供於基板支撐件20的氣體可概括地分成兩種類型：一原料氣體以及一蝕刻氣體。噴灑頭50具有多個原料氣體噴灑單元51以及多個清洗氣體噴灑單元(purge gas spray units)52以提供這些氣體。如圖3示，原料氣體噴灑單元51以及清洗氣體噴灑單元52放射狀地環繞噴灑頭50的中心設置(或是基板支撐件20的中心)。
所述原料氣體噴灑單元51提供基板支撐件20至少兩種不同的原料氣體。在本實施例中，以七個原料氣體噴灑單元為例說明。如圖3示，這七個原料氣體噴灑單元51互相靠近地配置以形成三個群組，例如以兩個、三個、兩個的配置方式組為一個群組以形成三個原料氣體噴灑區(gas spray block) PB1、PB2以及PB3。這些原料氣體噴灑單元所形成的群組將會於下文詳述。
提供不同的原料氣體給原料氣體噴灑區PB1、PB2以及PB3。在此，原料氣體包括所有用於處理基板的氣體，除了清洗氣體之外。例如，原料氣體可能是：源氣體(source gas)包括含有矽(silicon,Si)的氣體如矽烷(silane,SiH4
)以及含有金屬的氣體如三甲基鋁(TMA)；反應氣體(reaction gas)包括氧(oxygen,O2
)；以及蝕刻氣體(etching gas)包括四氟化碳(fluorocarbon,CF4
)。
所述清洗氣體噴灑單元52用於清洗基板支撐件20上未反應(unreacted)的原料氣體及已反應(reacted)的副產品等，以防止原料氣體於基板支撐件20上混合，以及提供基板支撐件20不反應的(non-reactive)清洗氣體如氬氣(afgon,Ar)。詳細而言，清洗氣體噴灑單元52是為防止由第一、第二以及第三原料氣體噴灑區所噴灑之不同的原料氣體會在基板支撐件20上互相混合。這三個清洗氣體噴灑單元52個別配置於原料氣體噴灑區PB1、PB2以及PB3之間。
原料氣體噴灑單元51以及清洗氣體噴灑單元52已詳述如上，但其結構及連接關係並非彼此完全不同。換言之，原料氣體噴灑單元51的結構可與清洗氣體噴灑單元52的結構相同或不同。然而，這些氣體噴灑單元依據氣體的種類而相對應地取了不同的名稱。舉例而言，本實施例之十個氣體噴灑單元具有完全相同的結構。在這些氣體噴灑單元之中，其中七個氣體噴灑單元採用原料氣體因此命名為原料氣體噴灑單元51，而其他三個氣體噴灑單元採用清洗氣體因此命名為清洗氣體噴灑單元52。本發明的其中一個技術特徵為氣體噴灑單元具有相同的結構，且氣體噴灑單元所引入的氣體可以依據不同的處理過程而加以調整。更詳細而言，在此處理過程中只需要兩種原料氣體，且原料氣體引入兩個氣體噴灑單元中，而清洗氣體引入其他的氣體噴灑單元中。此外，一飽合時間(saturating time)會依據原料氣體而有所不同。如此，當使用的原料氣體需要一較長的飽合時間，將原料氣體引用入兩個或更多的氣體噴灑單元中。相比之下，當使用的原料氣體需要一較短的飽合時間，僅將原料氣體引用入一個氣體噴灑單元中。同樣地，當所使用的原料氣體難以淨化時，需要裝設多個清洗氣體噴灑單元來增加一淨化時間。換言之，噴灑頭的結構及操作方式可不相同以符合不同的處理情況。為此目的，本實施例之噴灑頭50包括8個至12個氣體噴灑單元。詳細而言，當氣體噴灑單元的數量少於8個，會因為氣體噴灑單元的數量不足而無法滿足所有的處理條件。相比之下，當氣體噴灑單元的數量多於12個，比所需的數量還多，如此將會增加製作成本。基於此理由，氣體噴灑單元的數量從8個至12個是較為恰當的。
如上所述，原料氣體噴灑單元51的結構與清洗氣體噴灑單元52的結構不同。噴灑頭50及氣體噴灑單元的結構將會詳細介紹如下。
噴灑頭50包括一蓋板p1以及多個噴灑板p2。
所述蓋板p1近似圓盤，且可拆卸地裝設於處理室10的上部。此外，蓋板p1具有貫通其上表面及下表面之間的多個氣體流入通道i。氣體流入通道i的數量比氣體噴灑單元的數量多，將會於之後說明。至少一氣體流入通道i配置在氣體噴灑單元所裝設的區域上。每一氣體流入通道與氣體供應器如一氣體槽(未繪示)連接，並且將氣體提供給氣體噴灑單元。
多個噴灑板p2放射狀地沿著蓋板p1的邊緣設置。在本實施例中，所裝設的氣體噴灑單元的總數量為十個(七個原料氣體噴灑單元以及三個清洗氣體噴灑單元)，同樣地，也裝設總數量為10的噴灑板p2。每一噴灑板p2為近似扇形的平板，且與蓋板p1相隔一預設的距離。此外，每一個噴灑板p2具有一側壁從其邊緣向上延伸。噴灑板p2的側壁s與蓋板p1接觸，並且以，例如螺絲(screws)(未繪示)，來固定住。如此，噴灑板p2連接於蓋板p1。蓋板p1以及噴灑板p2彼此互相連接以組成一氣體噴灑單元。一氣體擴散空間r位於蓋板p1以及每一噴灑板p2之間。
為了讓通過蓋板p1的氣體流入通道i流入氣體擴散空間r的氣體可朝向基板支撐件20噴灑，每一個噴灑板p2具有多個氣體噴灑孔，例如，可在上表面以及下表面之間移動的噴嘴o。這些噴嘴o遍佈每一扇形噴灑板p2的整體區域，因此狀似蓮蓬頭。噴嘴自基板支撐件20的中心朝向邊緣逐漸增加所噴灑的氣體量。為此目的，噴嘴o的設置可選自為自基板支撐件20的中心朝向其邊緣彼此之間的間距縮小，或是增加其尺寸，以及增加其使用數量。在本實施例中，如圖3，當噴嘴o自噴灑頭50的中心(對應於基板支撐件20的中心)朝向噴灑頭50的邊緣，每一噴嘴o的尺寸漸大。因此，朝向基板支撐件20的邊緣氣體的噴灑量多於朝向基板支撐件20的中心的噴灑量。
同時，在本實施例中，多個擴散板p3裝設於蓋板p1以及每一噴灑板p2之間以使氣體可以在氣體擴散空間內均勻地擴散並從噴嘴o中噴灑出來。這些擴散板p3為扇形板，如同噴灑板p2，並且例如使用螺絲以固定至個別噴灑板p2的側壁。當每一擴散板p3裝設於其中，可將氣體擴散空間r垂直地分隔成一上擴散空間r1以及一下擴散空間r2。如同噴灑板p2，每一個擴散板p3具有遍佈於整體區域的多個通孔(through-hole) t。
自氣體流入通道i吸入的氣體初期在上擴散空間r1中擴散，而之後從形成在擴散板p3中的通孔t噴灑入下擴散空間r2。氣體在下擴散空間r2中再次擴散並且經由噴灑板p2的噴嘴o噴灑於基板支撐件20上。
此外，在本實施例中，噴灑頭50更包括一中央清洗氣體噴灑單元53。提供一清洗氣體的目的在於防止不同的原料氣體穿過噴灑頭50後會在基板W上彼此混合。然而，即使清洗氣體噴灑單元52配置在這些原料氣體噴灑單元51之間，原料氣體在基板支撐件20的中間還是有可能會彼此混合。因此，用於防止原料氣體在基板支撐件20的中心混合的工具是必需的。基於此理由，用於提供清洗氣體給基板支撐件20的中心的中央清洗氣體噴灑單元53裝設於噴灑頭50的中心。因為中央清洗氣體噴灑單元53提供的清洗氣體，可以防止原料氣體在基板支撐件20的中心混合。此中央清洗氣體噴灑單元53與包括清洗氣體噴灑單元52的另一氣體噴灑單元有相同的構造，放射狀地環繞噴灑頭50的中心設置。詳細而言，中央清洗氣體噴灑單元53與其他氣體噴灑單元的不同僅在於中央清洗氣體噴灑單元53為環形(circular shape)，而其他氣體噴灑單元近似於扇形。然而，中央清洗氣體噴灑單元53與其他氣體噴灑單元相同都是由蓋板p1，噴灑板p2以及擴散板p3構成，而相同的構造於此便不再贅述。
在此同時，請參考圖3以及圖4，噴灑頭50是以氣體噴灑單元群聚形成氣體噴灑區的方式被建構。詳細而言，如圖3，七個原料氣體噴灑單元51緊密地配置且群聚於三個噴灑區中，例如，三個，兩個以及兩個群聚配置以形成三個原料氣體噴灑區PB1、PB2以及PB3。歸屬於同一原料氣體噴灑區的原料氣體噴灑單元提供相同的原料氣體。舉例而言，第一原料氣體噴灑區PB1提供源氣體，第二原料氣體噴灑區PB2提供反應氣體，而第三原料氣體噴灑區PB3提供蝕刻氣體。如此，噴灑相同氣體的原料氣體噴灑單元彼此鄰近配置以成群，如此可調整噴灑頭50所噴灑的至少一原料氣體的區域。此三個清洗氣體噴灑單元52分別配置於原料氣體噴灑區之間。在本實施例中，僅以三個原料氣體噴灑區為例說明。然而，當清洗氣體的噴灑區域變得較大，清洗氣體噴灑單元可群聚於清洗氣體噴灑區內。
此外，在本實施例中，如圖1，每一原料氣體噴灑單元51的下表面以及基板支撐件的上表面之間的間距d1小於每一清洗氣體噴灑單元52的下表面以及基板支撐件的上表面之間的間距d2。換言之，清洗氣體噴灑單元52的位置高於原料氣體噴灑單元51，如此有利於原料氣體之清洗。
在此同時，隔板(partition) b裝設於氣體噴灑單元之間或噴灑不同氣體的氣體噴灑區之間，以及氣體噴灑單元及噴灑不同氣體的氣體噴灑區之間。在本實施例中，隔板b裝設於原料氣體噴灑區PB1、PB2、PB3以及清洗氣體噴灑單元52之間。環狀的隔板b圍繞中央清洗氣體噴灑單元53，如此以與其它的氣體噴灑單元分隔。在此實施例中，每一個隔板b具有突出形狀，以及隔板b的一下表面與基板支撐件20的一上表面之間的間距小於氣體噴灑單元的下表面與基板支撐件20的上表面之間的間距。如此，藉由隔板的設置，那些氣體噴灑單元或是氣體噴灑區所提供的氣體並不會彼此互相混合。
在具有如上所述的噴灑頭50的多基板處理裝置100中，當持續提供源氣體、反應氣體、蝕刻氣體以及清洗氣體時，可旋轉基板支撐件20。因此，連續地提供源氣體、反應氣體、蝕刻氣體以及清洗氣體至放置在基板支撐件20上的基板W，以使薄膜沉積於每一基板W上。在此製程步驟中，不同的氣體透過上擴散空間r1以及下擴散空間r2而完全地擴散，且之後透過具有多個噴嘴o的噴灑頭的噴灑板p2噴灑。此時，相較於基板支撐件的中心，更多的氣體朝向基板支撐件的邊緣噴灑。因此，可以防止薄膜沉積在每一基板上的厚度會如同習知技術自基板支撐件的中心朝向基板支撐件的邊緣減少，且薄膜將以固定的厚度沉積於整個基板上。此外，可提供給氣體噴灑單元不同種類的氣體，所以多基板處理裝置可以因應不同的製程條件而使用。
在上述的實施例中，已經說明及舉例中央清洗氣體噴灑單元53的裝設是用於防止原料氣體在基板支撐件20的中心混合。圖6為本發明另一實施例之噴灑頭的立體示意圖。
如圖6示，另一實施例之噴灑頭50A具有一突出物(protrusion) 58，自噴灑頭50A的一下表面的中心向下凸出。一基板支撐件20A具有對應突出物58的一凹陷(recess) 59，如此突出物58可以對應嵌入基板支撐件20A的中心。噴灑頭50A的突出物58的一外表面以及基板支撐件20A的凹陷59之間保持一細微的間距，所以當基板支撐件20A相對嵌入凹陷59的突出物58旋轉，基板支撐件20A並不會對噴灑頭50A造成影響。在此情形下，噴灑頭50A的突出物58實際地抑制原料氣體在基板支撐件20A的中心混合。此外，在其他實施例中，也可以是使噴灑頭具有凹陷，而基板支撐件具有突出物。如此，仍可達到相同的預期效果。
直至目前為止，原料氣體噴灑單元噴灑氣體的區域以及清洗氣體噴灑單元噴灑氣體的區域，例如，氣體噴灑區域，彼此間一致的特徵已經敘述過了，但並非實質上地受限於此種構造。因此，可不同地形成氣體噴灑區。此外，一緩衝單元可裝設於清洗氣體噴灑單元之間以及原料氣體噴灑單元之間。噴灑頭的類型如圖7及圖8所示。
圖7為本發明又一實施例之噴灑頭的立體示意圖。圖8為圖7之噴灑頭的仰視圖。
依據圖7及圖8所示的噴灑頭50B，相同的元件符號代表其有與前述實施例及圖2至圖5的噴灑頭50一致的構造以及操作效果。因此，在本實施例中，只對於相較於之前的實施例不同的元件及其不同處詳加說明。
如同前述的實施例，當所有氣體噴灑單元有某程度的尺寸時，氣體噴灑區域的尺寸是可以有多樣的修改。如此，氣體噴灑單元的其中幾個或是全部可能有不相同的尺寸。
請參考圖7以及圖8，氣體噴灑單元的尺寸，例如，氣體的噴灑區域，彼此不相同。詳細地說，原料氣體噴灑單元51'具有較大的尺寸，三個清洗氣體噴灑單元52、52及52'的其中之一具有第二大的尺寸，以及緩衝單元59(將於後說明)具有最小的尺寸。
此外，緩衝單元59配置於個別原料氣體噴灑單元51'的相對兩側，因此每一緩衝單元59間隔於原料氣體噴灑單元51以及清洗氣體噴灑單元52之間。每一緩衝單元59具有與原料氣體噴灑單元51以及清洗氣體噴灑單元52相似的構造。換言之，每一緩衝單元59包括噴灑板以及擴散板，且多個緩衝單元59共同設置於蓋板下。然而，不同於原料氣體噴灑單元以及清洗氣體噴灑單元，緩衝單元並未排出氣體。
在此同時，不同於前述實施例，原料氣體噴灑單元可以是由多個噴灑部組成，如圖9。圖9為本發明再一實施例之原料氣體噴灑單元的平面視圖。為了敘述方便，僅將一原料氣體噴灑單元以實線表示，而其他的以點-實線來表示。請同時參考圖9及圖5，本實施例之一原料氣體噴灑單元51C包括耦合於一蓋板p1的一噴灑板p2'，以及如上所述之位於蓋板以及噴灑板之間的一擴散板p3。然而，在本實施例中，噴灑板p2'分隔成多個彼此互相分離的噴灑部，且特別包括一主噴灑部p21以及兩個附屬噴灑部p22。主噴灑部p21為扇形，且其中心朝向噴灑頭的中心配置。主噴灑部p21由具有相同尺寸的多個噴嘴o建構而成，且這些噴嘴o均勻地散佈於主噴灑部p21。附屬噴灑部p22配置於個別之主噴灑部p21的相對兩側。每一附屬噴灑部p22為扇形，且其中心朝向噴灑頭的中心配置。每一附屬噴灑部p22具有多個噴嘴o，僅分布於每一附屬噴灑部p22的外邊緣。
當原料氣體噴灑單元的架構如上所述，原料氣體流經蓋板的氣體流入通道後首先擴散於一上擴散空間r1，且之後經由形成於擴散板p3中的多個通孔t噴灑至一下擴散空間r2。氣體在下擴散空間r2再度擴散並且經由主噴灑部p21以及附屬噴灑部p22噴灑至一基板支撐件上。既然噴嘴形成於每一附屬噴灑部p22的外邊緣，更多的原料氣體朝向基板支撐件的一邊緣噴灑，因此一薄膜均勻地沉積於基板。此外，在本實施例中，當依據製程情況而替換附屬噴灑部p22(例如使用具有噴嘴配置方式的附屬噴灑部)，可以適當地調整原料氣體的一噴灑量。因此，容易重建以及更換噴灑頭，且可以減少更換成本。此外，在本實施例中，只有描述一個原料氣體噴灑單元是由互相分離的主噴灑部以及附屬噴灑部所構成。但此構造也可以應用於其他的原料氣體噴灑單元以及清洗氣體噴灑單元。
圖10為本發明更一實施例之原料氣體噴灑單元的平面視圖。請參考圖10，一原料氣體噴灑單元51D具有用於噴灑原料氣體且尺寸相同的多個噴嘴o。自基板支撐件的中心朝向基板支撐件的邊緣，噴嘴的數量漸增。因此，如同前述實施例，基板支撐件之邊緣的原料氣體噴灑量是增加的，所以薄膜可以固定的厚度沉積於基板上。與本實施例相似，當噴嘴之間的間距自基板支撐件的中心朝向基板支撐件的邊緣漸減，亦可得到相同的功效。
圖11為本發明更一實施例之噴灑頭的平面視圖。圖12使用圖11之噴灑頭排出殘餘在基板上之原料氣體的剖面示意圖。
請同時參考圖11以及圖12，本實施例之一噴灑頭更包括至少一排氣單元54。此排氣單元54用於將殘餘在基板上的原料氣體與清洗氣體一同排出，且配置於清洗氣體噴灑單元52的一側。或者，排氣單元54也可以是配置於清洗氣體噴灑單元52的相對兩側。在本實施例中，排氣單元54裝設於個別清洗氣體噴灑單元52的相對兩側，如圖11示。每一排氣單元54具有一排氣口54a，其形狀為通孔，且排氣口54a吸入氣體。每一排氣單元54連接至與泵(pump)連接的一抽氣管線(intake line)(未繪示)。如圖12，不反應的原料氣體殘留於基板上且由清洗氣體噴灑單元52所噴灑的清洗氣體淨化，而後被吸入排氣單元的排氣口54a並與清洗氣體一同排出。
依據本實施例，殘餘在基板上的不反應的原料氣體在清洗氣體噴灑單元下被淨化，且立即地經由位於清洗氣體噴灑單元52的相對兩側的排氣單元54排出。據此，不反應的原料氣體可以更有效率地被淨化以及排出，所以可以更有效地防止不同的原料氣體在基板上彼此混合。
在此同時，當使用難以被淨化的原料氣體時，多個清洗氣體噴灑單元可以密集地設置，且可共同形成一清洗氣體噴灑區。如此，排氣單元可以裝設於清洗氣體噴灑區的一側或相對兩側。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100A．．．多基板處理裝置
10．．．處理室
11．．．底部
12．．．側壁
16．．．處理空間
20、20A．．．基板支撐件
21．．．承載件
22．．．座部
23．．．軸桿
50、50A、50B．．．噴灑頭
51、51'、51C、51D．．．原料氣體噴灑單元
52、52'．．．清洗氣體噴灑單元
53．．．中央清洗氣體噴灑單元
58．．．突出物
59．．．緩衝單元
PB1、PB2、PB3．．．原料氣體噴灑區
o．．．噴嘴
p1．．．蓋板
p2．．．噴灑板
p3．．．擴散板
b．．．隔板
r1．．．上擴散空間
r2．．．下擴散空間
W．．．基板
A．．．中心軸
i．．．氣體流入通道
t．．．通孔
s．．．側壁
圖1為本發明一實施例之多基板處理裝置的示意圖。
圖2為沿著圖1之II-II線的剖面示意圖。
圖3為沿著圖1之III-III線的剖面示意圖。
圖4為本發明一實施例之噴灑頭的立體示意圖。
圖5為沿著圖4之V-V線的剖面示意圖。
圖6為本發明另一實施例之噴灑頭的立體示意圖。
圖7為本發明又一實施例之噴灑頭的立體示意圖。
圖8為圖7之噴灑頭的仰視圖。
圖9為本發明再一實施例之原料氣體噴灑單元的平面視圖。
圖10為本發明更一實施例之原料氣體噴灑單元的平面視圖。
圖11為本發明更一實施例之噴灑頭的平面視圖。
圖12使用圖11之噴灑頭排出殘餘在基板上之原料氣體之製程的剖面示意圖。
100．．．多基板處理裝置
10．．．處理室
11．．．底部
12．．．側壁
16．．．處理空間
20．．．基板支撐件
21．．．承載件
22．．．座部
23．．．軸桿
50．．．噴灑頭
51．．．原料氣體噴灑單元
52．．．清洗氣體噴灑單元
53．．．中央清洗氣體噴灑單元
p1．．．蓋板
b．．．隔板
W．．．基板
A．．．中心軸
Claims (6)
- 一種多基板處理裝置，包括：一處理室，具有一處理空間；一基板支撐件，裝設於該處理室的該處理空間中，並具有多個座部，且多個基板沿著該些座部之一上表面的一邊緣設置；以及一噴灑頭，具有多個原料氣體噴灑單元，該些原料氣體噴灑單元是呈放射狀排列於該基板支撐件上並且朝向該些基板噴灑多種原料氣體；其中每一原料氣體噴灑單元包括多個噴灑部，且每一噴灑部具有多個彼此分離的噴嘴，且通過該些噴嘴噴灑該些原料氣體，以使該些原料氣體的一噴灑量自該基板支撐件的中心朝向一邊緣漸增。
- 如申請專利範圍第1項所述之多基板處理裝置，其中該原料氣體噴灑單元包括呈一扇形且其中心朝向該噴灑頭的該中心的一主噴灑部，以及呈該扇形且其中心朝向該噴灑頭的該中心的一附屬噴灑部。
- 如申請專利範圍第2項所述之多基板處理裝置，其中該附屬噴灑部的該些噴嘴僅配置於該附屬噴灑部的一外邊緣上。
- 一種多基板處理裝置，包括：一處理室，具有一處理空間； 一基板支撐件，裝設於該處理室的該處理空間中，並具有多個座部，且多個基板沿著該些座部之一上表面的一邊緣設置；以及一噴灑頭，具有多個原料氣體噴灑單元，該些原料氣體噴灑單元是呈放射狀排列於該基板支撐件上並且朝向該些基板噴灑多種原料氣體；其中每一原料氣體噴灑單元包括多個噴嘴，且通過該些噴嘴噴灑該些原料氣體，以使該些原料氣體的一噴灑量自該基板支撐件的中心朝向一邊緣漸增；其中該噴灑頭包括一蓋板以及多個扇形的噴灑板，且該蓋板與噴灑板彼此互相連接以組成該原料氣體噴灑單元。
- 如申請專利範圍第4項所述之多基板處理裝置，其中該些噴嘴的設置方式選自於自該基板支撐件的該中心朝向該邊緣間距漸減、尺寸漸增以及數量漸增的其中一種。
- 如申請專利範圍第4項所述之多基板處理裝置，其中：該些原料氣體噴灑單元包括噴灑一第一原料氣體的一原料氣體噴灑單元以及噴灑不同於該第一原料氣體的一第二原料氣體的一原料氣體噴灑單元；以及該噴灑頭更包括一清洗氣體噴灑單元，配置於噴灑該第一原料氣體的該原料氣體噴灑單元以及噴灑該第二原料氣體的該原料氣體噴灑單元之間，並朝該基板支撐件噴灑 一清洗氣體。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080125368A KR101165615B1 (ko) | 2008-12-10 | 2008-12-10 | 복수기판 처리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201029748A TW201029748A (en) | 2010-08-16 |
| TWI382877B true TWI382877B (zh) | 2013-01-21 |
Family
ID=42243165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098141928A TWI382877B (zh) | 2008-12-10 | 2009-12-08 | 處理多個基板的裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101165615B1 (zh) |
| TW (1) | TWI382877B (zh) |
| WO (1) | WO2010067974A2 (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108879B1 (ko) | 2009-08-31 | 2012-01-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치 |
| KR101625078B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-05-27 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치 |
| KR101589255B1 (ko) * | 2010-07-14 | 2016-01-27 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 |
| KR101804127B1 (ko) * | 2011-01-28 | 2018-01-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 방법 |
| CN103074602A (zh) * | 2012-01-21 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | 化学气相沉积设备的反应腔室 |
| TW201437421A (zh) * | 2013-02-20 | 2014-10-01 | Applied Materials Inc | 用於旋轉料架原子層沉積之裝置以及方法 |
| US9464353B2 (en) * | 2013-11-21 | 2016-10-11 | Wonik Ips Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR102058057B1 (ko) * | 2015-02-17 | 2020-01-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 웨이퍼 처리장치 및 방법 |
| KR102420015B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
| KR102462931B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-11-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 유닛 및 기판 처리 장치 |
| KR102293135B1 (ko) * | 2016-06-01 | 2021-08-26 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리장치 |
| KR102072575B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2020-02-03 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102205349B1 (ko) * | 2020-01-28 | 2021-01-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
| FI130861B1 (fi) * | 2020-10-12 | 2024-04-26 | Beneq Oy | Atomikerroskasvatuslaitteisto ja menetelmä |
| CN113725061A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-11-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆处理装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532949B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2005-12-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마 어시스티브 배치 타입 원자층증착 장치 |
| KR20060025337A (ko) * | 2004-09-16 | 2006-03-21 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 |
| KR20080078310A (ko) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722848B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2007-05-30 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착장치 |
-
2008
- 2008-12-10 KR KR1020080125368A patent/KR101165615B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-11-26 WO PCT/KR2009/007004 patent/WO2010067974A2/ko active Application Filing
- 2009-12-08 TW TW098141928A patent/TWI382877B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532949B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2005-12-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마 어시스티브 배치 타입 원자층증착 장치 |
| KR20060025337A (ko) * | 2004-09-16 | 2006-03-21 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 |
| KR20080078310A (ko) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201029748A (en) | 2010-08-16 |
| KR101165615B1 (ko) | 2012-07-17 |
| KR20100066874A (ko) | 2010-06-18 |
| WO2010067974A2 (ko) | 2010-06-17 |
| WO2010067974A3 (ko) | 2010-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI382877B (zh) | 處理多個基板的裝置 | |
| JP5458179B2 (ja) | ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置 | |
| KR101132262B1 (ko) | 가스 분사 조립체 및 이를 이용한 박막증착장치 | |
| TWI505358B (zh) | 成膜裝置 | |
| CN101445918B (zh) | 一种原子层沉积装置 | |
| US7648578B1 (en) | Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US20070218702A1 (en) | Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor | |
| JP2008508744A5 (zh) | ||
| WO2013070438A1 (en) | Precursor distribution features for improved deposition uniformity | |
| KR101334643B1 (ko) | 박막증착장치 | |
| KR101185376B1 (ko) | 가스 분사 조립체 및 이를 이용한 박막증착장치 | |
| KR20100002886A (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| KR101804128B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20070088184A (ko) | 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비 | |
| KR20160024637A (ko) | 증착 장치 | |
| KR100967882B1 (ko) | 박막증착장치 | |
| KR100998850B1 (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| KR20100077695A (ko) | 원자층 증착장치 | |
| JP2020510307A (ja) | 流動性ｃｖｄのためのディフューザー設計 | |
| KR20060100961A (ko) | 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비 | |
| KR20130035039A (ko) | 가스분사장치, 및 이를 포함하는 기판 처리장치 | |
| KR101812651B1 (ko) | 기판 셔틀 장치 및 이를 포함하는 기상 증착 장치 | |
| TW202113143A (zh) | 用於改進底部淨化氣流均勻性的擋板實作 | |
| KR100972112B1 (ko) | 배치 방식 반도체 제조 장치 | |
| KR101993669B1 (ko) | 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치 |