TWI381384B

TWI381384B - 提高快閃記憶體資料存取速度的方法

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Publication number: TWI381384B
Application number: TW97108494A
Authority: TW
Inventors: Hongbo Wan
Original assignee: Netac Technology Co Ltd
Priority date: 2008-03-11
Filing date: 2008-03-11
Publication date: 2013-01-01
Also published as: TW200939231A

Description

提高快閃記憶體資料存取速度的方法

本發明涉及一種半導體存儲領域，特別涉及一種提高快閃記憶體資料存取速度的方法。

隨著半導體存儲技術的發展，以快閃記憶體作為資料存儲的存儲裝置如快閃記憶體盤已較為普及，而此類存儲裝置的主要成本是快閃記憶體晶片。而生產快閃記憶體晶片的廠家越來越多，各廠家生產的快閃記憶體晶片的類型和所使用的技術也可能存在較大差異，旨在提高快閃記憶體晶片資料讀寫速度的技術也是不斷更新，如外部交叉讀寫技術(interleave)、內部交叉讀寫技術、多階讀寫技術(two plane)等。

如前所述，快閃記憶體本身存在多種提高資料讀寫速度的技術，但不同生產廠家所生產的快閃記憶體的類型以及所採用的資料讀寫技術不相同，相互之間存在不相容或不支援的情況，如支援東芝(Toshiba)快閃記憶體的資料讀寫技術就不支援三星(Samsung)的，支援鎂光(Micron)快閃記憶體的資料讀寫技術就不支援現代(Hyundai)的。基於以上原因，當某一存儲裝置中包括兩種以上不同廠家生產的快閃記憶體晶片或多塊快閃記憶體晶片時，將無法通過各自支援的資料存取技術提高該存儲裝置的資料存取速度。

本發明提供一種提高快閃記憶體資料存取速度的方法，包括：根據快閃記憶體的快閃記憶體特性設置配置參數的步驟；根據配置參數綁定物理區塊的步驟；對綁定物理區塊進行資料操作的步驟。

優選地，上述快閃記憶體特性包括但不限於：支持的外部片數、支持的片內晶粒數、支持的晶粒內階數、階綁定頁增量和/或晶粒綁定頁增量。

優選地，上述根據快閃記憶體的快閃記憶體特性設置配置參數的步驟包括：獲取快閃記憶體的快閃記憶體特性的步驟；根據快閃記憶體特性設置配置參數的步驟。

優選地，上述獲取快閃記憶體的快閃記憶體特性的步驟包括：讀取快閃記憶體編號；判斷快閃記憶體包括的片數，若包括多片則認為快閃記憶體支持多路外部交叉讀寫模式，否則認為快閃記憶體不支援多路外部交叉讀寫技術；判斷快閃記憶體的物理片內是否有多路交叉讀寫技術，若有則認為快閃記憶體支持多路內部交叉讀寫模式，否則認為快閃記憶體不支援多路內部交叉讀寫技術；判斷快閃記憶體的晶粒內是否有多個階，若有則認為快閃記憶體支持有多階；否則認為快閃記憶體不支持多階；將上述判斷結果作為快閃記憶體特性，重複上述步驟直到獲取所有快閃記憶體的快閃記憶體特性；將所有快閃記憶體的快閃記憶體特性寫入快閃記憶體特性記錄表。

優選地，上述根據快閃記憶體特性設置配置參數的步驟包括：接收寫入配置參數的命令；執行寫入配置參數的命令，將快閃記憶體特性寫入內部資訊記錄表；寫入用於控制資料存取的資訊，對快閃記憶體格式化。

優選地，上述對經綁定後的快閃記憶體寫入資料包括：讀取配置參數；接收寫入資料的命令，執行寫資料操作；判斷是否為最後一個外部交叉讀寫操作，若否則根據綁定對照關係，使用外部交叉讀寫技術進行寫資料操作；判斷是否為最後一個內部交叉讀寫操作，如否則根據綁定對照關係，使用內部交叉讀寫技術進行寫資料操作；判斷寫資料操作是否執行到最後一個階，如否，則綁定對照關係，使用多階讀寫技術進行寫資料操作。

本發明提供的提高快閃記憶體資料存取速度的方法能將多片、多種類型、各種廠商的快閃記憶體統一起來,形成統一的通用管理模組進行配置管理，按照配置進行頁和塊的靈活邏輯綁定，最大限度地提高讀寫速度、提高存儲裝置主控的資料處理能力。

本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。

如本領域技術人員所知，快閃記憶體即快閃記憶體晶片由一個或多個晶粒(die)封裝而成，每個晶粒中包括一個或多個階(plane)，每個階包括若干個存儲塊(Block)，每個存儲塊由多個頁(Page)構成，每頁包含多個磁區。快閃記憶體存儲資料的特性是以頁為單位寫入資料，以塊為單位擦除數據；在寫入資料時，按頁的磁區順序寫入。在快閃記憶體中按順序給存儲塊分配位址，分配了位址的存儲塊稱為物理區塊，而在使用過程中具有劃分塊的虛構位址稱為邏輯位址，邏輯位址與物理位址之間通過位址映射表建立映射關係。

本發明提出的實施例包括一如第一圖所示的存儲裝置，該存儲裝置100至少包括控制資料存取的控制模組10、用於存儲配置參數的配置模組30和存儲模組40，控制模組10包括快閃記憶體處理模組50、寄存器序列模組60以及運行於控制模組10中的固化軟體20。快閃記憶體處理模組50分別與寄存器序列模組60、固化軟體20和存儲模組40，控制對存儲模組40的讀寫操作和存儲管理。固化軟體20讀取配置模組30中的配置參數，供快閃記憶體處理模組50使用。其中存儲模組40包括一塊或多塊用於存儲資料的快閃記憶體，該一塊或多塊快閃記憶體可以是同一廠家生產的同型號晶片，也可是不同廠家生產的不同類型晶片。

不同的快閃記憶體具有不同的快閃記憶體特性，通過配置參數來描述快閃記憶體特性。配置參數包括但不限於快閃記憶體的編號(ID)、快閃記憶體名稱型號、快閃記憶體廠商、每個區塊中頁的數量、每個頁中磁區的數量、支援的外部片數、支援的片內晶粒數、支援晶粒內階數、讀命令參數、寫命令參數、讀狀態命令、擦除命令、晶粒間頁增量和/或階間頁增量等。這些配置參數在生產存儲裝置時設置於存儲裝置中，通過查閱各快閃記憶體的datasheet，就可以根據每種快閃記憶體的特性參數去建立快閃記憶體特性記錄表。快閃記憶體特性記錄表如表1所示，根據其中快閃記憶體的編號可以獲知存儲模組40包括多少塊快閃記憶體。例如表1中的“123423450000”編號，該編號包括“1234”、“2345”和“0000”三個值，說明該存儲模組40包括兩快閃記憶體，即第一快閃記憶體401和第二快閃記憶體402，其中第一快閃記憶體401對應值“1234”，其生產廠家為三星，第二快閃記憶體402對應值“2345”，其生產廠家為東芝；所述存儲模組40支援兩路外部交叉讀寫技術和兩路內部交叉讀寫技術，其支援的片內晶粒數為4，支持的晶粒內階數為2，其階綁定頁增量為100，晶粒綁定頁增量為1000。

第二圖示出本實施例獲取快閃記憶體特性的流程如下：步驟S101，選取一型號的快閃記憶體，查詢其功能說明書；步驟S102，通過讀取快閃記憶體編號得到快閃記憶體的特性，包括何種flash，支援何種技術，有幾個快閃記憶體組成等；步驟S103，判斷該快閃記憶體包括的片數，若包括多片則進行步驟S104，否則進行步驟S105；步驟S104，認為該快閃記憶體支持有多路外部交叉讀寫模式；步驟S105，認為該快閃記憶體僅支援1路外部交叉讀寫技術，不支援多路外部交叉讀寫技術；步驟S106，判斷該快閃記憶體的每個物理片內是否有多路交叉讀寫技術，如果有則進行步驟S107，否則進行步驟S108；步驟S107，認為該快閃記憶體支持多路內部交叉讀寫模式；步驟S108，認為該快閃記憶體僅支援1路內部交叉讀寫技術，不支援多路內部交叉讀寫技術；步驟S109，判斷該快閃記憶體的每個晶粒內是否有多個階，如果有則進行步驟S110，否則進行步驟S111；步驟S110，認為該快閃記憶體支持有多階；步驟S111，認為該快閃記憶體僅支持1階，不支持多階；步驟S112，將上述判斷結果作為一組快閃記憶體特性；步驟S113，將快閃記憶體特性寫入快閃記憶體特性記錄表；步驟S114，判斷是否還有新的快閃記憶體；若有，返回步驟S101，否則進行步驟S115；步驟S115，完成快閃記憶體特性記錄表。

依次採用上述流程取得各快閃記憶體的快閃記憶體特性，並分別填入快閃記憶體特性記錄表，則完成快閃記憶體特性的獲取。

本實施例建立快閃記憶體特性記錄表記錄快閃記憶體特性，把各種不同的快閃記憶體綁定成特定的邏輯區塊和邏輯頁。在生產存儲裝置時，生產工具軟體將快閃記憶體特性記錄表通過USB－SCSI命令寫到快閃記憶體裏特定的塊中，本實施例的固化軟體20讀取快閃記憶體特性記錄表，並根據其中的快閃記憶體特性參數對快閃記憶體做分類，形成通用處理部件統一各種快閃記憶體的讀寫操作。通用處理部件接收各種不同快閃記憶體的快閃記憶體特性，採取不同的讀寫方法來對不同的快閃記憶體機制進行邏輯寫入頁和邏輯擦除塊。通用處理部件在生產存儲裝置時通過讀取快閃記憶體的編號，作為索引在快閃記憶體特性記錄表裏查詢出相應的記錄，然後把記錄通過usb命令寫到內部資訊記錄表；在存儲裝置使用過程的上電初始化後，通用處理部件通過在內部資訊記錄表裏讀取記錄資訊進行相應的讀寫操作。上述內部資訊記錄表(IIR：Inner Information Record)是用戶自定義的，快閃記憶體只提供存儲空間，至於裏面放什麼內容、使用哪些空間和不使用哪些空間都由用戶指定。本實施例使用內部資訊記錄表記錄自定義的資訊記錄，包括移動存儲設備的廠商資訊，快閃記憶體模組的配置資訊等等。本實施例的內部資訊記錄表保存在快閃記憶體某一個特定塊中，不會被用於讀寫資料。

結合第三圖說明設置配置參數的過程：步驟S201，存儲裝置100上電，置於設置狀態；存儲裝置100接收主機系統工具軟體發出的寫入配置參數的命令；步驟S202，固化軟體20判斷是否收到USB－SCSI寫入配置參數命令；步驟S203，通過工具軟體將如表1中的快閃記憶體特性寫入內部資訊記錄表(IIR：Inner Information Record)中，作為IIR表的一部分存儲於快閃記憶體的資訊塊中，即記錄IIR表的資訊塊，該資訊塊是隱藏塊，專門用於存儲諸如IIR表之類的專用資訊；步驟S204，通過工具軟體寫入其他用於控制資料存取的資訊，並對快閃記憶體模組40中的快閃記憶體進行格式化。

步驟S205，完成快閃記憶體特性設置。所述配置參數設置完成後，在存儲裝置存取資料時，由固化軟體20讀取。

以下結合具體方案對以上實施例作進一步的說明。

第四圖示出所述存儲模組40包括兩快閃記憶體即第一快閃記憶體401和第二快閃記憶體402的綁定，所述第一快閃記憶體401由晶粒A和晶粒B、第二快閃記憶體402由晶粒A’和晶粒B’分別封裝而成，所述第一快閃記憶體401的晶粒A和晶粒B中包括物理區塊0至物理區塊2047，所述第二快閃記憶體402的晶粒A’和晶粒B’中包括物理區塊0’至物理區塊2047’，第一快閃記憶體401和第二快閃記憶體402通過位址映射關係建立基本對照表。

現對第一快閃記憶體401和第二快閃記憶體402中的物理區塊實行綁定，綁定實際上是為物理區塊計算分配物理位址的過程，其具體綁定過程包括：步驟S301，固化軟體20讀取配置模組40中的快閃記憶體特性，如快閃記憶體的塊數、每塊快閃記憶體的晶粒數等；步驟S302，從第一快閃記憶體401和第二快閃記憶體402中的各晶粒中分別順序取未經綁定的至少一物理區塊，如取第一快閃記憶體401晶粒A的物理區塊0和晶粒B的物理區塊1024、第二快閃記憶體402晶粒A’的物理區塊0’和晶粒B’的物理區塊1024’等4個物理區塊；步驟S303，將所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊，即將上述4個物理區塊綁定成為一設定區塊0，其中設定區塊0頁內的磁區數為4個物理區塊磁區數之和；步驟S304，判斷是否完成所有物理區塊的綁定，若否，則返回步驟S302，直至完成所有物理區塊的綁定；如第一快閃記憶體401的物理區塊1和物理區塊1025、第二快閃記憶體402的物理區塊1’和物理區塊1025’綁定成為設定區塊1，依此類推，……，直至第一快閃記憶體401的物理區塊1023和物理區塊2047、第二快閃記憶體402的物理區塊1023’和物理區塊2047’綁定成為設定區塊1023；步驟S305，為上述設定區塊分配物理位址，建立綁定對照關係；步驟S306，將設定區塊的物理位址作為配置參數的一部分寫入到配置模組30中。

在上述步驟中，若該快閃記憶體的晶粒數為1,則執行階內物理區塊綁定操作的步驟包括：步驟S401，從晶粒的各階如階A和階B中分別取未經綁定的至少一個物理區塊，如取階A的物理區塊0和階B的物理區塊1024；步驟S402，將所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊，形成一設定區塊；即將上述物理區塊0和物理區塊1024綁定成為設定區塊0"，其中設定區塊0"的頁數為上述2個物理區塊頁數之和，其頁的磁區數也為2個物理區塊磁區數之和；步驟S403，判斷是否完成各階中所有物理區塊的綁定，若否，則返回步驟S501；直至完成所有物理區塊的綁定；如階A的物理區塊1和階B的物理區塊1025綁定成為設定區塊1"，依此類推，……，直至階A的物理區塊1023和階B的物理區塊2047綁定成為設定區塊1023"；步驟S404，為上述設定區塊分配物理位址，建立綁定對照關係；步驟S405，將設定區塊的物理位址作為配置參數的一部分寫入到配置模組30中。

上述綁定對照關係是指設定區塊與邏輯位址的對應關係，可使用綁定對照表記錄該綁定對照關係。有關設定區塊與邏輯位址的映射關係與前述晶粒之間的物理區塊綁定相同，在此不再贅述。

對於階和晶粒分別定義相對的綁定頁增量，也就是階綁定頁增量dtPlane和晶粒綁定頁增量dtDie，通過讀取快閃記憶體的功能說明書可以得到這兩個值，就可以知道如何綁定片內，而片內主要有2路片內交叉讀寫和晶粒內2階模式。

以下舉出2路內部交叉讀寫技術的一個綁定後的物理區塊的示意，該晶粒有1024個塊，每個塊有128個頁：

上述綁定後的第0個block的第7頁第5個磁區的實際物理頁位址就是：7＋1024*128＝131079(每個塊128個頁)，實際頁內磁區位址：5%4＝1；由此可得，實際上是按照頁位址為131079和磁區位址1去訪問快閃記憶體的。

又舉一片外綁定後的物理區塊示意，該物理區塊的位址是一樣的，但是片選信號和用於判斷快閃記憶體是否準備好的信號線信號不同：

上述綁定後的第0個block的第7頁第5個磁區的實際物理頁位址就是：7，實際頁內磁區位址：5%4＝1；實際上訪問flash是訪問第2片的第7頁的第1個磁區。由於物理上的一頁是4個磁區,如果大於4個磁區就到訪問第2片，所以0－3在第1片flash頁，而4－7在第2片flash頁裏。

上述為設定區塊分配物理位址的步驟也可以設置在步驟S303之後，即在每完成所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊後分配物理位址，再進行對其他物理區塊的綁定操作。

上述經綁定後的設定區塊通過位址映射關係建立設定區塊物理位址與邏輯位址相對應的綁定對照表，即上述設定區塊0至設定區塊1023與映射的邏輯位址一一對應，如設定區塊0對應邏輯區塊0、設定區塊1對應邏輯區塊1、……、直至設定區塊1023對應邏輯區塊1023。綁定對照表的組織結構可以與現有技術使用的對照表相同，但綁定對照表中記錄的對照關係是一個邏輯位址對照多個被綁定的物理區塊的綁定對照關係。

本實施例在寫資料操作過程中，採用綁定對照表定址進行寫操作，即在需要寫入新資料時，以設定區塊的邏輯位址為單位，通過綁定對照表定址向設定區塊中寫入資料，結合外部交叉讀寫等技術可以進一步提高寫入資料的速度。

第五圖示出了所述存儲模組40包括一塊快閃記憶體即第一快閃記憶體401的綁定，所述第一快閃記憶體401由晶粒A和晶粒B封裝而成，其中晶粒A包含物理區塊0至物理區塊1023，晶粒B包含物理區塊1024至物理區塊2047。第一快閃記憶體401通過位址映射關係建立基本對照表，上述物理區塊0至物理區塊2047與映射的邏輯位址一一對應。

第六圖示出一個綁定後的塊內資料組織形式，每個設定區塊內頁大小保持不變，頁內磁區數成倍增加。

上述第一快閃記憶體401在未經綁定時其寫入資料的命令為：發送寫命令(80h)＋發送寫入位址(未經綁定邏輯區塊0的頁0位址)＋發送寫入資料(2048 bytes)＋發送編程命令(11h)＋等待寫完(wait rb)。因此第一快閃記憶體401未經綁定時只能向晶粒A的物理區塊或晶粒B的物理區塊以頁為單位依次寫入資料，且只有當上次資料寫完時，才能繼續寫入下一頁的資料，因此資料寫入速度相對較慢。

而經綁定後的第一快閃記憶體401在使用多階讀寫技術寫入資料時，其寫入資料命令為：發送寫命令(80h)＋發送寫入位址(邏輯區塊0’的頁0’位址)＋發送寫入資料(2048 bytes)＋發送編程命令(11h)＋等待寫完(wait rb)＋發送寫命令(81h)＋發送寫入位址(邏輯區塊1’的頁0’位址)＋發送寫資料(2048 bytes)＋發送編程命令(10h)＋等待寫完(wait rb)。由於邏輯區塊0’對應的物理位址為設定區塊0’，而設定區塊0’是由晶粒A的物理區塊0和晶粒B的物理區塊1024組成，設定區塊1’是由晶粒A的物理區塊1和晶粒B的物理區塊1025組成,因此所述第一快閃記憶體401在綁定後使用多階讀寫技術寫入資料過程中，是向第一快閃記憶體401晶粒A的物理區塊0和晶粒B的物理區塊1024以及晶粒A的物理區塊1和物理區塊1025以頁為單位同時寫入資料，寫入資料的過程是在晶粒A和晶粒B中同時進行，由於發送寫命令(80h)的等待寫完(wait rb)的時間非常短，基本可以忽略不計，因此與未經綁定寫入資料相比，其編程時間可以節省一倍，即使用一次等待寫完(wait rb)的時間完成寫2個頁的資料。

第七圖示出了使用經綁定後的快閃記憶體的資料寫入流程，包括步驟：步驟S601，上電初始化後，固化軟體20讀取配置模組30預先設置的配置參數，如設定區塊的相關參數；步驟S602，接收主機系統資料寫入的命令，執行向存儲模組40中寫資料操作，該寫資料操作中包括寫入資料的邏輯位址；步驟S603，判斷是否為最後一個外部交叉讀寫操作，如否，執行步驟S604；否則，結束本次數據寫操作；步驟S604，根據綁定對照表中設定區塊與邏輯位址的對應關係，使用外部交叉讀寫技術進行寫資料操作；步驟S605，結束本次寫資料操作；步驟S606，判斷是否為最後一個內部交叉讀寫操作，如否，執行步驟S607；否則，返回步驟S603；步驟S607，根據綁定對照表中設定區塊與邏輯位址的對應關係，使用內部交叉讀寫技術進行寫質料操作；步驟S608，判斷寫資料操作是否執行到最後一個階，如否，執行步驟S609；否則，返回步驟S606；步驟S609，根據綁定對照表中設定區塊與邏輯位址的對應關係，使用多階讀寫技術進行寫資料操作。

以上所述僅為本發明的優選實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。

100．．．存儲裝置

10．．．控制模組

20．．．固化軟體

30．．．配置模組

40．．．存儲模組

401．．．第一快閃記憶體

402．．．第二快閃記憶體

50．．．快閃記憶體處理模組

60．．．寄存器序列模組

A、A’．．．晶粒

B、B’．．．晶粒

物理區塊0~物理區塊．．．2047

物理區塊0’~物理區塊．．．2047’

設定區塊0~設定區塊．．．1023

設定區塊0’~設定區塊．．．1023’

邏輯區塊0~邏輯區塊．．．1023

邏輯區塊0’~邏輯區塊．．．1023

步驟．．．S101~S115

步驟．．．S201~S205

步驟．．．S601~S609

第一圖是本發明實施例存儲裝置結構組成及原理示意圖；第二圖是本發明實施例獲取快閃記憶體特性的流程示意圖；第三圖是本發明實施例設置快閃記憶體特性的流程圖；第四圖是本發明實施例將多塊快閃記憶體中的物理區塊形成設定區塊的示意圖；第五圖是本發明實施例將多個晶粒中的物理區塊形成設定區塊的示意圖；第六圖本發明實施例綁定後的塊內資料組織形式示意圖；第七圖本發明實施例形成設定區塊後寫資料操作流程圖。

S101~S115

Claims

一種提高快閃記憶體資料存取速度的方法，包括：根據快閃記憶體的快閃記憶體特性設置配置參數的步驟；根據配置參數綁定物理區塊的步驟；對綁定物理區塊進行資料操作的步驟；其中，所述快閃記憶體特性包括但不限於：支持的外部片數、支持的片內晶粒數、支持的晶粒內階數、階綁定頁增量和/或晶粒綁定頁增量；其中，對所述經綁定後的快閃記憶體寫入資料，包括：讀取所述配置參數；接收寫入資料的命令，執行寫資料操作；判斷是否為最後一個外部交叉讀寫操作，若否則根據所述綁定對照關係，使用外部交叉讀寫技術進行寫資料操作；判斷是否為最後一個內部交叉讀寫操作，如否則根據所述綁定對照關係，使用內部交叉讀寫技術進行寫資料操作；判斷寫資料操作是否執行到最後一個階，如否，則所述綁定對照關係，使用多階讀寫技術進行寫資料操作。
如請求項第1項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，所述根據快閃記憶體的快閃記憶體特性設置配置參數的步驟包括：獲取快閃記憶體的快閃記憶體特性的步驟；根據所述快閃記憶體特性設置配置參數的步驟。
如請求項第2項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，所述獲取快閃記憶體的快閃記憶體特性的步驟包括：讀取快閃記憶體編號；判斷所述快閃記憶體包括的片數，若包括多片則認為所述快閃記憶體支持多路外部交叉讀寫技術，否則認為所述快閃記憶體不支援多路外部交叉讀寫技術；判斷所述快閃記憶體的物理片內是否有多路交叉讀寫技術，若有則認為快閃記憶體支持多路內部交叉讀寫模式，否則認為快閃記憶體不支援多路內部交叉讀寫技術；判斷所述快閃記憶體的晶粒內是否有多個階，若有則認為所述快閃記憶體支持有多階；否則認為所述快閃記憶體不支持多階；將上述判斷結果作為快閃記憶體特性，重複上述步驟直到獲取所有快閃記憶體的快閃記憶體特性；將所有快閃記憶體的快閃記憶體特性寫入快閃記憶體特性記錄表。
如請求項第2項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，所述根據所述快閃記憶體特性設置配置參數的步驟包括：接收寫入配置參數的命令；執行寫入配置參數的命令，將快閃記憶體特性寫入內部資訊記錄表；寫入用於控制資料存取的資訊，對快閃記憶體格式化。
如請求項第1至4之任一項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，根據所述快閃記憶體的階綁定頁增量和晶粒綁定頁增量實現綁定片內。
如請求項第1至4之任一項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，所述根據配置參數綁定物理區塊的步驟包括：讀取快閃記憶體的快閃記憶體特性；從第一快閃記憶體和第二快閃記憶體中的晶粒中分別順序取未經綁定的至少一物理區塊；將所述多個物理區塊綁定成一個物理區塊；重複上述步驟直至完成所有物理區塊的綁定；為所述設定區塊分配物理位址，建立綁定對照關係；將設定區塊的物理位址作為配置參數。
如請求項第6項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，根據所述快閃記憶體的階綁定頁增量和晶粒綁定頁增量實現綁定片內。
如請求項第6項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，在每完成所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊後，分配物理位址並建立綁定對照關係，再進行對其他物理區塊的綁定操作。
如請求項第1至4之任一項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，若所述快閃記憶體的晶粒數為1，則所述根據配置參數綁定物理區塊的步驟包括：讀取快閃記憶體的快閃記憶體特性；從晶粒的各片中分別取未經綁定的至少一物理區塊；將所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊，形成一設定區塊；重複上述步驟直至完成所有物理區塊的綁定；為所述設定區塊分配物理位址，建立綁定對照關係；將設定區塊的物理位址作為配置參數。
如請求項第9項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，根據所述快閃記憶體的階綁定頁增量實現綁定片內。
如請求項第9項所述的提高快閃記憶體資料存取速度的方法，其中，在每完成所取的多個物理區塊綁定成一個物理區塊後，分配物理位址並建立綁定對照關係，再進行對其他物理區塊的綁定操作。