TWI379480B - Protecting circuit - Google Patents

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TWI379480B TW97101137A TW97101137A TWI379480B TW I379480 B TWI379480 B TW I379480B TW 97101137 A TW97101137 A TW 97101137A TW 97101137 A TW97101137 A TW 97101137A TW I379480 B TWI379480 B TW I379480B
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Chien Chih Chen
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Chi Mei Comm Systems Inc
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1379480 「101年Q9f 07日粒涵 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 _]树明涉及-種供護電略,尤其涉及一種佈設於電子產 品之電路板上之觸水斷電保護電路。 【先前技術】 [_ H子產⑼«設有—電路板,其上佈設有複數 措由預設電路電性連接之功能模組、給所述電子產品之 電路板提供-電源以啟動所述電路板上之各功能额, 藉由知作電子產品上之各操作按紐、開關或手柄等以驅 動其相對應之各功能模組,從而實現該電子產品預設之 各種功能β [0003] 由於電子產品自身結構設計之缺陷或其組裝精度等因素 之影響,電子產品很難達到絕對防水之要求。用戶於使 用電子產品之過程中,可能不小心將電子產品掉入水中 或由於使用不慎將水滲入到電子產品内之電路板上。如 果該等電子產品於開機狀態或使用過程中,有水滲入到 電子產品内之電路板上時,可能會使電子產品之電路板 上之各功能模組之間形成錯誤之電性連接,導致電路板 發生短路甚至起火、爆炸等事故。 【發明内容】 [0004] 有鑒於此,有必要提供一種可於有水滲入到電子產品内 之電路板上時,對電路板上之功能模組提供斷電保護之 保護電路。 [0005] 一種保護電路,用於保護一功能模組,所述保護電路包 括一場效應電晶體、一電阻及二導電觸墊,所述場效應 09710113卢·早编號Α0101 第4頁/共I6頁 1013342979-0 I379480 1101年09月07日修正替换f 電晶體之漏極D與電源輸入端之正電極電性連接,所述功 能模組串聯連接於場效應電晶體之源極3與電源輸入端之 負電極之間,所述電阻之一端與場效應電晶體之柵極G電 性連接,其另一端與場效應·電晶體之漏極〇及電源輸入端 之正電極電性連接;所述二導電觸墊相對間隔之佈設於 電路板上,一導電觸墊與場效應電晶體之柵極6電連接, 另一導電觸墊與電源輸入端之負電極電連接,該二導電 觸墊由一米字型片材及一與該米字型片材相互配對之外 圓内凹米字型之片材組合而成。 [0006] —種保護電路,用於保護一功能模組,其改良在於:所 述保護電路包括一場效應電晶體、一電阻及二導電觸塾 ’所述場效應電晶體之漏極D與電源輪入端之正電極電性 連接,所述功能模組串聯連接於場效應電晶體之源極S與 電源輸入端之負電極之間;所述電阻之一端與場效應電 晶體之柵極G電性連接,其另一端與場效應電晶體之漏择 D及電源輸入端之正電極電性連接;所述二導電觸整相對 間隔之佈設於電路板上’ 一'導電觸塾與場效應電晶體之 柵極(5¾連接,另一導電觸塾與電源輸入端之負電極電連 接,電觸墊由一呈矩形狀且二側對應間隔設有缺口之片 材及一與所述片材相配對之呈矩形狀内空並相對間隔凹 設缺口之片材組合而成。 [0007] 與習知技術相比,所述保護電路钸設於電子產品内之電 路板上對應之易滲水位置處’當有水滲入、覆蓋或滴入 到電路板上之所述二導電觸墊之間時,藉由該保護電路 之場效應電晶體之導通及截止特性,對電/路板上之功能 09710113#單編號 A〇101 第5頁/共16頁 1013342979-0 1379480 1101年.09月07日核正替換 柄組之電源進行切斷,以實現對所述功能模組之保護。 【實施方式】 [0008] [0009] [0010] 晴參閱圖1及圖2 ’所述具保護電路2〇之電路板1〇裝設於 一電子產品内’該電路板10上佈設有一電源輸入端11、 複數個功能模組12及至少一保護電路2〇。該等功能模組 12用於實現該電子產品之各預設功能,其與保護電路20 藉由佈設於電路板10上之預設電路15電性連接。所述保 護電路20佈設於該電子產品之電路板1〇上對應之易滲水 位置處’例如接逬電子產品殼體接缝之位置。 所述電源輸入端11包括一正電極及一負電極,其藉由與 裝設於所述電子產品内之電池或外接式電源電性連接, 以給所述電路提供一工作電壓Vcc。所述保護電路2〇二端 分別與所述電源輸入端11之正電極及負電極電性連接, 以構成一連通回路。 所述保護電路20包括一場效庳電晶體21、一可變電阻ri 及二導電觸墊25。於本實施例中,該場效應電晶體2 j為 一金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) °所述場效應電晶體21具一拇極g、一漏極d及 一源極S。所述場效應電晶體21之柵極g與源極s間可藉由 控制柵極G、源極S間之電壓大小而控制柵極g、源極§間 之導通及截止’其中,柵極G與源極s間導通之門限電壓 為VGS(th)。於本實施例中’所述場效應電晶體21之漏極D 與所述電源輸入端11之正電極電性連接。所述功能模組 12串聯連接於場效應電晶體21之源極S與電源輸入端丨j之 1013342979-0 0_U3f 單编號 A〇101 101年09月07日梭正替換頁 負私極之@所述可變電阻R1—端與場效應電晶體Μ之 漏極D接腳及電源輪入端11之正電極電性連接,其另一端 與場效應電晶體21之柵極G電性連接。所述可變電阻以之 大]選取取決於整個電路板10之負載及實際運行之需要 所述一導電觸塾25呈矩形條狀,其由金屬等導電材料 製成,其相制隔之佈設於電路板1G上易滲水位置處。 一導電觸塾25與場效應電晶體21之栅極G電連接,另-導 電觸塾25與電源輪人端11之負電極電連接。 [0011] 使用時,電源輪入端11給電路提供一工作電壓Vcc,所述 工作電壓Vcc藉由Ri向場效應 電晶體21之柵極G提供一電 壓VGS ’同時,所述工作電壓Vcc—併向場效應電晶體21 之漏極D提供一電壓vGS«當沒有水覆蓋或滴入所述二導 電觸塾2 5之間時,電路中之二導電觸墊25相互間隔,處 於斷開狀態。此時,所述場效應電晶體21之柵極G、源極 S接點之間之電壓大於場效應電晶體21之柵極g、源極 s接點之間之門限電壓\^th),從而使得所述場效應電晶 體21之栅極G、源極S之間導通。此時,電源輸入端11、 可變電阻R1、場效應電晶體21之柵極G、源極S及功能模 組12連接形成一通路,使功能模組12正常運行。 [0012] 請一併參閱圖3,當有水從電子產品外面滲入,而覆簟或 滴入到電路板10上之所述二導電觸墊25之間時,由於水 為一弱導體,此時,於整個電路中,所述二導電觸墊25 與水就相當於一串聯於場效應電晶體21之柵極G與電源輸 入端11之負電極之間之一電阻Rpad。此時’由於Rpad之 分壓作用,所述場效應電晶體21之栅極G、源極S之間之 1013342979-0 第7頁/共16頁 1379480 101年09月07日梭正替換頁 電壓Vcs小於場效應電晶體21之柵極G、源極S之間之門限 電壓VGS(th),從而使得所述場效應電晶體21處於截止狀 態,即場效應電晶體21之柵極G、源極S之間處於斷路狀 態。此時,功能模组12所處之支路處於短路狀態,以保 護所述電路板10上佈設之功能模組12。藉由於製造時調 節R1之阻值,可以確保於二導電觸墊25之間進水時構成 之Rpad阻值與R1保持適當之比例,令Rpad既可以分去足 夠之電壓,讓場效應電晶體21可以及時截止,而又不會 因阻值過大而構成實際上之斷路,從而失去分壓作用。 [0013] 請參閱圖4,所示為本發明所述保護電路20之二導電觸墊 35之另一實施方式之正面示意圖。所述導電觸塾35由一 米字型片材351及一與所述米字型片材351相互配對之外 圓内凹米字型之片材352組合而成。 [0014] 請參閱圖5,所示為本發明所述保護電路20之二導電觸墊 45之又一實施方式之正面示意圖。所述導電觸墊45由一 大致呈矩形且二側均對應間隔之設有缺口之片材451及一 與所片材451相互配對之大致呈矩形之外方内相對間隔凹 設缺口之片材452組合而成。上述導電觸墊35、45二種結 構,可以增加水進入電路板時與導電觸墊35、45之接觸 面積,使得即使少量水進入電子產品時,該導電觸墊35 、45亦可及時導通,從而增加了該保護電路20之靈敏性 [0015] 可以理解,所述保護電路20並不限於本實施例中所述之 佈設方式,其佈設位置及數量可根據整個電路板10之實 際需要而確定。 09710113+單编號 A0101 第8頁/共16頁 1013342979-0 [0016] 1101年09月07曰修正_頁1 可以理解,本發明所述保護電路20佈設於電子產品内之 屯路板10上對應之易滲水位置處,當有水滲入、覆蓋或 滴入到電路板ίο上之所述二導電觸墊25之間時,藉由利 用該保護電路20之場效應電晶體21之導通及截止特性, 對電路板10上之功能模組12之電源進行切斷,以實現對 所述功能模組12之保護。 [〇〇17]综上所述,本發明符合發明專利要件,爰依法提出專利 申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,本發 明之範圍並不以上述實施例為限,舉凡熟悉本案技藝之 人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵 蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 t〇〇18]圖1為本發明保護電路之較佳實施例裝設於電路板上之電 路佈設示意圖; [0019]圖2為圖1所示電路板正常工作情況下之電路示意圖; [〇〇20]圖3為圖1所示電路板有水滲入時之電路示意圖; [0021] 圖4為本發明保護電路之導電觸墊之另一實施方式之示意 圆, [0022] 圖5為本發明保護電路之導電觸墊之又一實施方式之示意 圖。 【主要元件符號說明】 [0023] 電路板:10 [0024] 電源輸入端:11 09710113产單編號 Α〇101 第9頁/共16頁 1013342979-0 1379480 101年.09月07日核正替換頁 [0025] 功能模組:12 [0026] 預設電路:15 [0027] 保護電路:20 [0028] 場效應電晶體:21 [0029] 導電觸墊:25, 35, 45 [0030] 片材:351,352, 451,452 09710113^A〇101 第10頁/共16頁 1013342979-0

Claims (1)

1379480
七、申請專利範圍: 1 . 一種保護電路,用於保護一功能模纽,其改良在於:所述 保護電路包括一場效應電晶體、一電阻及二導電觸墊,所 述場效應電晶體之漏極D與電源輸入端之正電極電性連接 ,所述功能模組串^連接於場效應電晶體之源極s與電源 輸入端之負電極之間;所述電阻之—端與場效應電晶體之 栅極G電性連接,其另一端與場效應電晶體之漏極D及電源 輸入端之正電極電性連接;所述二導電觸墊相對間隔之佈 設於電路板上,一導電觸墊與場效應電晶體之柵極G電連 接,另一導電觸墊與電源輸入端之負電極電連接,該二導 電觸墊由一米字型片材及一與該米字型片材相互配對之外 圓内凹米字型之片材組合而成。 2.如申請專利範圍第1項所述之保護電路,其中所述保護電 路佈設於電路板上易滲水位置處。 3 .如申請專利範圍第2項所述之保護電路,其中所述場效應 電晶體為金屬氧化物半導體場效應電晶體,所述二導電觸 墊由金屬導電材料製成。 4 . 一種保護電路,用於保護一功能模組’其改良在於:所述 保護電路包括一場效應電晶體、一電阻及二導電觸墊,所 述場效應電晶體之漏極D與電源輸入端之正電極電性連接 ,所述功能模組串聯連接於場效應電晶體之源極S與電源 輸入端之負電極之間;所述電阻之一端與場效應電晶體之 柵極G電性連接,其另一端與場效應電晶體之漏極d及電源 輸入端之正電極電性連接;所述二導電觸墊相對間隔之佈 設於電路板上,一導電觸墊與場效應電晶體之柵極G電連 _113产單編號細1 第11頁/共16頁 1013342979-0 1379480 101年09月0+7日梭正替换頁 接,另一導電觸墊與電源輸入端之負電極電連接,電觸墊 由一呈矩形狀且二側對應間隔設有缺口之片材及一與所述 片材相配對之呈矩形狀内空並相對間隔凹設缺口之片材組 合而成。 5 .如申請專利範圍第4項所述之‘護電路,其中所述保護電 路佈設於電路板上易渗水位置處。 6 .如申請專利範圍第5項所述之保護電路,其中所述場效應 電晶體為金屬氧化物半導體場效應電晶體,所述二導電觸 墊由金屬導電材料製成。 0_11^單编號 A0101 第12頁/共16頁 1013342979-0
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