TWI362822B - Interpolative varactor voltage controlled oscillator with constant modulation sensitivity - Google Patents

Interpolative varactor voltage controlled oscillator with constant modulation sensitivity Download PDF

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TWI362822B
TWI362822B TW094105843A TW94105843A TWI362822B TW I362822 B TWI362822 B TW I362822B TW 094105843 A TW094105843 A TW 094105843A TW 94105843 A TW94105843 A TW 94105843A TW I362822 B TWI362822 B TW I362822B
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Description

1362822 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明概言之係關於可調諧振盪器電路。更具體而令， 本發明係關於-種在-寬調諧範圍内具有相對但定調變靈 敏度之可調諧電壓控制振盪器（vco)電路。 【先前技術】 振盪器可用作各種電子應用中之穩定頻率源。舉例說 日月’在通訊系、統中，振盪器通常用來提供—穩定的頻率基 準信號，以將資訊信號轉譯成一所期望之頻帶。在傳統^ 通道通訊系統中，可使用採用多個振盈器之電路結構來提 供一可選擇的頻率源。通常，此方法係用於高速度轉換應 用對於季乂不重要之應用而t，一種更經濟之方法係需要 使用一可調諧振盪器電路，可調諧振盪器電路包括；;可鎖 相至一頻率基準信號之電壓控制振盪器。 在傳統VCO設計中，變容器（可變電容器）可用於頻率可 φ ㈣性。在典型vco設計中，由一受控㈣來決定變容器 電容’而變容器電容又會決定vco輸出頻率。通常，係以 VCO之頻率調諧範圍為中心對變容器施以偏壓。—典型變 容器之頻率調諧特性具有兩個區域：a)在某些電壓下具有 陡的電容與電壓關係曲線斜率，及b)在其它電壓下電容飽 ' 。玄曲線中陡的電容與電壓關係曲線區域可產生增大的 輪出相位雜訊。例如，在受控電壓輸入端處小的雜訊電壓 :會導致一相對大的電容改變，因此會因該陡曲線區域之 同靈敏度而造成—明顯的非期望vc〇相位雜訊。該電容與 99842.d〇i 1362822 電壓關係曲線之飽和區域可產生一有限的頻率調諧範圍， 以使超出一特定電壓臨限值之電壓對總電容之改變極小之 影響，因此對VCO輸出頻率具有極小之影響。例如，於一 典型設計中，VCO之頻率調諧範圍係約2伏特（〇·4伏特至2 3 伏特）’但高於1.6伏特之任一電壓將僅能使電容產生極小之 改變，因此使VCO輸出頻率產生極小之改變。 因此，人們期望具有不僅具有一寬的頻率調諧範圍而且 具有減小的輸出相位雜訊之vco設計。 ® 【發明内容】 於本發明之一態樣中，一可調諧振盪器具有一調諧電壓 輸入端。該可調諧振盪器包括：一電感器；及隨該電感器 佈置之第一及第二變容器對，以因應一施加至該調譜電壓 輸入端之調諳電壓而產生一具有一頻率之信號，該等變容 器對中每一對皆具有一可獨Α於另一變容器對而受到控制 之偏壓輸入端。 • 於本發明之另-態樣中’一可調諧振盪器具有一調諧範 圍”亥可调谐振蘯器包括：一電感器；及隨該電感器佈置 之第帛二變容器冑，以因應一調言皆電壓而產生一具有 -頻率之信號，其中對該第一變容器對施以偏壓之方式使 其電容在該調諸範圍之一第一部分内基本上隨調譜電麼線 性變化，且對該第二變容器對施以偏壓之方式使其電容在 該凋咱範圍之一第二部分内基本上隨調諧電壓線性變化。 本發明之再—態樣中’—鎖相迴路包括：-可調譜振 八/、有一電感器、及隨該電感器佈置以因應一調諧 99842.doc 1362822 电壓而產生一具有一頻率之信號之第一及第二變容器對， 該等變容器對中每一變容器對皆具有一可獨立於另一變容 器對而受到控制之偏壓輸入端；一除法器，其構造用於按 比例換算來自可調諧振盪器之信號頻率；一相位偵測器， 其構造用於產生一代表經換算信號頻率與一基準頻率之間 之相位差之誤差信號；及一迴路過遽器，其構造用於據波 該誤差信號，經濾波之誤差信號包括該調諧電壓。 應瞭解，依據下文中以例解說明方式顯示及闡述本發明 各種實施例之詳細說明，熟習此項技術者將易知本發明之 其它實施例。應瞭解，本發明能夠具有其它的、不同之實 施例，且能夠在各其它方面對其數個細節予以修改，此皆 不脫離本發明之精神及範圍。因&，該等圖式及詳細說明 應視為舉例說明性質而非限定性質。 【實施方式】 下文結合附圖所闡述的詳細說明旨在說明本發明的各種 實施例，而非代表本發明僅可實施為此等實施例。本揭示 内容中所述的每一實施 <列皆僅供作為本發明之一實例或例 解，且未必應視為較佳於或優於其它實施例。本「實施方 式」中包括具體細節，其目的係使讀者透徹理解本發明。 然而，熟習此項技術者易知，無需此等具體細節亦可實施 本發明。在某些示例中’以方塊圖形式顯示眾所習知之結 構及裝置，以避免遮掩本發明之概念。所用縮寫詞及其它 描述性術語可能僅係出於方便及清晰之目的，而非意欲限 定本發明範圍。此外’出於本揭示内容之目的，術語「麵 99842.doc 1362822 合」意指「連接至」’且此連接既可係一直接連接亦可根據 上下文而係一間接連接，例如經由介入裝置或中間裝置戍 其它構件進行的間接連接。 圖1係一 VCO 10之vco調諧電路100之示意圖。該¥(：〇調 諧電路100使VCO 10能夠具有一寬的頻率調諧範圍且不會 顯著地增加輸出相位雜訊。於一實施例中，VCO調譜電路 100包括：兩個變容器對110、120，兩個電阻器〗3〇、丨35, ^ 兩個電容器14〇、145及一電感器150。一調諧電壓可經由兩 個電阻器130、135施加至兩個變容器對110 (VC1、VC2)及 120 (VC3、VC4)。電阻器130、135可用於形成一高阻抗輸 入，以使VCO 10不會減載調諧電壓》熟習此項技術者應瞭 解’可使用任一高阻抗路徑來代替電阻器13〇、丨35。兩個 電容器140、145 (其係DC阻擋電容器）可用來防止來自調諧 電壓源之電流注入VCO 1〇内。熟習此項技術者應瞭解，可 使用任一DC阻擋路徑來代替電容器14〇、145。此外，於一 _ 實施例中，每一變容器對110、120皆可包括一偏壓（Vcml、
Vcm2)。可選擇該偏壓來調節變容器對丨丨〇、12〇之電容與電 壓關係特性。 於一貫施例中’每一變容器（VC1、VC2、VC3、VC4)皆 由一其汲極連接其源極之金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)而構建。每—變容器對11〇、㈣可包括兩個在該 汲極-源極連接處串聯連接2M〇SFET。可藉由施加一電壓 至共用汲極-源極連接來對每一變容器對I〗〇、丨2〇施以偏 C °調々電塵可經由相應輸入電阻器〗1 35施加至各 99S42.doc 1362822 MOSFET之閘極。由於VCO頻率與電感及變容器電容之乘 積之平方根成反比，且由於電感器150之電感係固定，因而 當該等變容器（VC1、VC2、VC3、VC4)之電容因所施加調 諧電壓而改變時，該VCO頻率將相應地改變。
圖2顯示兩個曲線圖：曲線圖23係一傳統vc〇變容器電容 與調諧電壓之關係曲線圖，曲線圖2b係根據圖！所示實施例 該vco變容器電容與調諧電壓之關係曲線圖。於圖2之曲線 圖2a中，在較低調諧電壓處，電容與調諧電壓大致成線性 比例。然而，在調諧電壓大於約丨6伏特時，隨著電壓增加， 電容飽和，從而降低VC0 1〇之可調諧性。相比之下，如圖 2之曲線圖2b所示，於VC0調諧電路1〇〇内構建兩個變容器 對110、120會產生一在一更寬調諧電壓範圍内保持大致線 性之VCO變容器電容與調諧電壓關係曲線。由此，如圖2之 曲線圖2b之特性所示’變容器電容將在一更寬調諧電壓範 圍内與變化的VCO調諧電壓成比地變化。 圖3顯示兩個曲線圖，其分別表示該等兩個組成VC0變容 器對110、120各自之電容與調譜電壓關係曲線。旧之曲線 圖3a對應於彻變容器對㈣，而圖3之曲線_對⑽ VCO變容器對120。在圖3之曲線圖33中，變容器對ιι〇之變 容器電容與約0.4至1.4伏特之較低調諧電壓範圍成線性比 例。與曲線圖3 a中所顯示结μ = 丁吓”貝不線性特性相互補，圖3之曲線圖3b 顯不h②電谷與約i i至2·4伏特之較高調错電壓範圍成 線性比例。藉由於VC0調譜電路副（圖0未顯示）中構建兩 個變容器對11〇、120,可將其較低調諸電壓處與較高調諧 99842.doc 1362822 電壓處之組成線性特性相組合，從而得到一與一 〇 4至24 伏特之更寬㈣電塵範圍成線性比例之f容特性，如圖2 中曲線圖2b所示。B習此項技術者應瞭解，所述調請電磨 值僅供用於_之目的’亦可❹其它㈣電1值，此並 不背離本發明之精神。 圖4顯示四個曲線圖：曲線圖⑽—傳統vc〇之調變靈敏
度〜曲㈣曲線圖仆及乜係㈣圖】所示實施例兩個組成 VCO變容器對之兩個相似之調變靈敏度〜曲線圖；曲線圖 姆-根據圖！所示實施例兩個組成vc〇變容器對之疊加 :調變靈敏度κν曲線圖。調變靈敏度Kv可定義為變容器電 容之增量變化/㈣㈣之增量變化（即，圖2之曲線圖城 2b中所示曲線之瞬時斜率）。 :圖4之曲線圖4a中’-傳統VCq調諸電路之調變靈敏度 Kv之峰值相對高，此會造成對非期望輸入雜訊之敏感度增 加，從而導致輸出相位雜訊增加。此外，如其在約Μ伏^ 處迅速下降所表明’其可用調諧範圍被限制至所期望調譜 電壓範圍之一部分。相比之下，圖4之曲線圖牝顯示該等兩 個變容器對11〇、120在整個調諧電絲圍（〇4至24伏特）内 具有-接近以的調變靈敏度Κν。該接近Μ之調變靈敏 度Κν特性會產生_更寬之調諸電絲圍。此外，由於該值 定調變靈敏度KV值相對小於曲線圖4a，所以，對輪入㈣ 降低’從而使輪出相位雜訊降低。熟習此項技術 者應瞭解’調變靈敏度^之該等特定特性（例如，作不限 於·下降值及職電塵範圍）係僅出於例解說明目的而作為 99842.doc 1362822 一實例給出。 儘管圖1僅顯示兩個變容器對，但亦可在該vco調諧電路 100内構建多個分別具有不同且互補之偏壓值之級聯變容 器對，此並不違背本發明之精神◊多個級聯變容器對可用 來使調諧電壓範圍增加至超出僅使用.兩個變容器對時之調 諧電壓範圍。藉由於VCO調諧電路100内構建多個級聯變容 益對，處於不同調諧電壓範圍之每一變容器對之組成線性 φ 特性可得到一與比構建兩個變容器對時更寬的調諧電壓範 圍成線性比例之電容特性。此外，可構建多個級聯變容器 對來使VCO對輸人雜訊之敏感度保持最低，藉此使輸出相 位雜訊最小化。 S 5係VCO 10之示意圖，其顯示調諧電路及與 VCO 10之輸入電流電路51〇及輸出放大電路58〇相關聯的其 它電路。該輪入電流電路510為vco 10之vco調譜電路100 供應電流。於一實施例中，肖輸入電流電路510包括一怪定 • 電流源520及一對用於將電流注入vco調諧電路100之交叉 耦合電晶體530 ' 535。㉟習此項技術者應瞭解，亦可使用 例如（但不僅限於）電壓源等來替代該輪入電流電路，此並不 違背本發明之精神。 圖5所示輸出放大電路58〇用於放大—低位準卿波形， 以產生-欲由該vc〇輸出之vc〇輸出波形。於一實施例 中"玄輸出放大電路58〇包括一差動—單端型放大器。熟習 此項技術者應瞭解，在本發明之精神範圍内，亦可使用其 它類型放大器。 99842.doc 1362822 至此所述之VCO 10可用於任一需要一可調諸振盪器之 應用中。出於清晰及完整之目的，下文將結合一鎖相迴路 來討論此一應用。圖6係一使用VC0 10之鎖相迴路600之方 塊圖。於一實施例中，該鎖相迴路6〇〇包括vc〇 10 ' —相 位偵測器610、一迴路渡波器620及一除法器630。鎖相迴路 600使用迴饋將VC0 10鎖定至一基準頻率Fin (其通常係由 一高穩定性晶體振盪器產生）。通常，VC0 1 〇之輸出係連接 至一耦合器’該耦合器將該VC0輸出波形之一部分指引至 迴饋迴路，該迴饋迴路連接至相位偵測器61〇之一輸入端。 该VC0輸出波形之剩餘部分應用於一外部負載並由該外部 負載消耗》 通常，該VCO輸出波形之頻率係該基準頻率Fin之整數 倍。來自VC0 10之輸出波形中被指引至迴饋迴路之部分可 在施加至相位偵測器610之前提供至除法器630。除法器630
根據基準頻率及vco 10之所期望運作頻率來按比例換算 VCO輸出波形之頻率，以產生一頻率已按比例換算的 輸出波形。於一實施例中，除法器630可使用一可程式規劃 之頻率換异因數N來構建，該可程式規劃之頻率換算因數N 係所期望vco輸出頻率對基準頻率Fin之比率。例如，若基 =頻率L係_ MHz且VC0 10以2〇〇 MHz運作，則應使^ —除2除法器630。相位偵測器61〇藉由將具有基準頻率 之基準波形與頻率經換算之vc〇輸出波形進行比較來記錄" :、：位差。相位γ貞測器61〇產生一具有一 Dc分量之相位偵 測器輸出信號’該Dc分量與基準波形與頻率經換算之vc〇 99842.doc 1362822 輸出波形之間之相位差成比例。於一實施例令，迴路遽波 器620濾除該相位偵測器輸出信號中其它非期望之雜訊分 量。隨後，可將DC分量（可稱作「誤差信號」）施加至vc〇1〇 之調諧輸入端，以將該VC0輸出波形之頻率調節至所期望 之基準頻率Fin之整數倍。 上文對該等所揭示實施例之說明旨在使任一熟習此項技 術者s旎夠製作或使用本發明。熟習此項技術者將易於得 出對此等實施例之各種修改，且本文所界定之一般原理亦 可應用於其它實施例，此並不背離本發明之精神或範圍。 因此，本發明並非意欲限定為本文所示實施例，而是欲賦 予其與本文所揭示之原理及新穎特徵相一致之最寬廣範 疇。 【圖式簡單說明】 附圖以舉例方式而非限定方式圖解說明本發明之各種態 樣，其中： 圖1係一 VCO調諧電路之示意圖。 圖2顯示兩個曲線圖：第一，一傳統vc〇變容器電容與調 諧電壓之關係曲線圖；及第二，一根據圖丨所示調諧電路之 VCO變容器電容與調諧電壓之關係曲線圖。 圖3顯示兩個曲線圖，每一曲線圖皆表示根據圖丨所示調 諧電路的兩個組成VCO變容器對各自的電容與調諧電壓關 係曲線。 圖4顯示四個曲線圖：第一，一傳統vc〇之調變靈敏度 之曲線圖；第二’根據圖1所示調諧電路的兩個組成VC〇變 99842.doc •13- 丄观822 、器對之兩個相似的調變靈敏度Κν曲線圖；及第三，根據 圖1戶斤― Ι7Κ調諧電路的兩個組成VCO變容器對之疊加之調變 靈敏度曲線圖。 圖5係一本發明VCO之示意圖，其顯示vco調諧電路及與 vco之輪入電流電路及輸出放大器相關聯之其它電路。 圖6传、_、 運作於一鎖相迴路内之VCO之方塊圖。 【主要元件符號說明】
10 1〇〇 110 120 13〇 135 14〇 電壓控制振盪器（VCO) VCO調諧電路 變容器對 變容器對 輸入電阻器 輸入電阻器 電容器 145 電容器
15〇 51〇 52〇 53〇 535 58〇 6〇〇 61〇 620 63〇 電感器 輸入電流電路 恆定電流源 交又耦合電晶體 交又耦合電晶體 輸出放大電路 鎖相迴路電路 相位偵测器 迴路濾波器 除法器 99842.doc

Claims (1)

1362822 \ψψΰ!^\ 、申請專利範圍： 第094105843號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年1月） 1' 一種具有一調諧電壓輸入端之可調諧振盪器，其包括： 一電感器； 隨該電感器布置之第一及第二變容器對，其用於因應 施加至該調諧電壓輸入端之一調諧電壓而產生具有一頻 率之一信號，該等變容器對中之每一變容器對皆具有可 獨立於另-變容器對而受到控制的一偏壓輸入端；及 其中該等變容器對中之每一變容器對皆包括兩個申聯 耦合之變容器’每—串聯耦合之變容器皆具有耦合至該 ㈣電㈣人端之—第-節點絲合至其相應偏壓輸入 端之一第二節點。 2·根據請求項1之可調譜振盈器，其中該等變容器中之每一 變容器皆包括具右—， 、 ?、一汲極，及一連接至該汲極 Μ之金屬氧化物半導體場效電晶體（mosfe 其中該變容器夕兮re m 第包括該閉極且該變容器之該 第一卽點包括該汲極與源極連接。 3.根據請求項1之可調諧振堡器，其進-步包括··-第一電 ==於該調諧電屋輸入端與該等變容器對之每 節】:::::等::器中之-第-變容器之該第-端與該等變容器：：，其輕合於該調帽輸入 -第二變容:二電容器對中之該等變容器中之 D之該第一節點之間。 4.，據請求们之可㈣振其進 容器，其相合於該電感器之一第—節點：括.一第-電 即點與該等變容器對 99842-1010I03.doc 5. 之每—變&哭 第-節點：二對令之該等變容器令之-第-變容器之該 -第二節點二2二電容器’其耗合於該電感器之 容器中一室"變谷器對之每一變容器對中之該等變 ^ 變容器之該第一節點之間。 根據請求項Π 及該等m =諧振盪器，其進一步包括至該電感器 6. 7. /等第一及第二 根據請求項5夕 輸入電流源。 合至一 調譜振盈器’其中該輸入電流源包括輕 # @ j 、父又耦合電晶體之一恆定電流源。 輸入端叙之可㈣振堡器’其進—步包括具有一差動 广於該電感器兩端之一差動—單端型放大器。 有—調諧範圍之可調諧振盪器，其包括： 一電感器；及 2電感器布置之第一及第二變容器對，其用於因應 電壓以產生具有一頻率之一信號，其中對該第一 各器對施以偏壓使其電容在該調諧範圍之—第一部分 内實質上隨該調諧電壓線性變化，且對該第二變容器對 施以偏壓使其電容在該調諧範圍之一第二部分内實質上 隨該調譜電壓線性變化’其中該等變容器對中之每一變 容器對皆包括兩個串聯耦合之變容器，每一串聯耦A之 變谷器具有經組態以接收該調諧電壓之一第一節點及一 第二節點，該等變容器對中之每一變容器對皆在其相應 的變容器之該第二節點處被施以偏壓，其中在每一變容 器對之該第二節點處之該偏壓係獨立於另一變容器對而 受到控制》 99842-l〇l〇l〇3.d, 1362822 月求項8之可調諧振盪器，其中 變容器皆包括且古l 寸雙谷益中之母一 。括具有-閘極、一汲極，及一連 之源極之—M〇sppT b甘心 逆接至該汲極 MOSFET，且其中該變容器之該 該閘極且該變衮聚夕兮笛— 卽點包括 接。 盗之該第二節點包括該汲極與源極連 1〇·根據請求項8之可調諧振盪器，苴進_牛勺 :二，器對之每一變容器對中之該等變容器 變谷器之該第一節點經組態經 阻器接收該裀吨恭矿 乂田适第一電 調#電壓，且該等變容器對之 中之該等轡交堪丄 π 雙對 變各盗中之一第二變容器之該第一 以經由該坌-命„ 即點經組態 一電阻器接收該調諸電壓。 ΙΠϋ之可調諸振堡器’其進-步包括:-第-電 之每一變容is電感器之一第一節點與該等變容器對 對中之該等變 第-節點之間.及笛 變容器之該 一楚― 第二電容器，其耦合於該電感器之 一即點與該等變容器對〜 容器中之—第一総〜 f變谷器對中之該等變 把攄… 器之該第—節點之間。 12. 根據δ，求項8之可調 一變容器對被偏〃匕施加電力時，該第 變容器重… 特，且當施加電力時，該第- 隻奋15對破偏壓於約2伏特。 13. 根據請求項8之可調譜振盈 諧範圍之該第一邱八及 、中田施加電力時，該調 φ , 〇 77係約〇.4伏特至約1.4伏特，且杏祐& 電力時，該調諧範圍之哕第且田施加 特。 以第分係約1.1伏特至約2,4伏 99842-1010iQ3.doc .-種鎖相迴路，其包括： 置之°調咱振盪器，其具有-電感器；及隨該電感器布 及第一變谷器對’其因應一調諧電壓而產生具 有一頻率之—ΟΛ. 佶琥，該等變容器對中之每一變容器對皆 :有可獨立於另-變容器對而受到控制之—偏壓輸入 端其中該等變容器對中之每一變容器對包括兩個串聯 耦口之變容器’每一串聯耦合之變容器皆具有耦合至該 調譜電壓輸入端之一第一節點及耗合至其相應偏壓輸入 端之一第二節點； 一除法器，其經組態以按比例縮放來自該可調諧振盪 器之該信號頻率； 一相位偵測器，其經組態以產生可代表該已按比例縮 放之彳5號頻率與一參考頻率之間之一相位差之一誤差信 號；及 一迴路濾波器’其經組態以濾波該誤差信號，該經濾 波之誤差信號包括該調諧電壓。 99842-1010103.doc 1362822 ϋ|· $•日修正替換頁第094105843號專利申請案 中文圖式替換頁(1〇〇年9月）
凾 99842-1000923.doc -4-
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