TWI362568B - A method for performing full-chip manufacturing reliability checking and correction - Google Patents

Description

1362568 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之技術領域大體上係關於一種方法、程式產品及 裝置，其用於允許在設計製程之早期確定是否可利用一給 定製程來製造目標設計/布局，或確定目標設計/布局是否含 有在製造時使目標設計/布局不能滿足設計要求及/或導致 不合格良率的"故障點"或"疵點”。 【先前技術】 微影裝置（例如）可用於製造積體電路（ic)。在此情況下， 遮罩可含有對應於1C之個別層的電路圖案，且此圖案可成 像於塗覆有一輻射敏感材料層（光阻）之基板（矽晶圓）上之 一目標區（例如，包含一或多個晶粒）上。通常，單一晶圓含 有經由投影系統一次一個依次照射之鄰近目標區的整個網 路。在一種類型之微影投影裝置中，藉由將整個遮罩圖案 一次性曝光於目標區上而使每一目標區受到照射；此裝置 通常被稱作一晶圓步進器。在一替代性裝置中（通常將其稱 作步進掃描裝置），藉由在給定參考方向（’’掃描"方向）上漸 進地掃描投影束下之遮罩圖案而同步地掃描平行於或反平 行於此方向之基板台來照射每一目標部分。通常，由於投 影系統具有一放大因數Μ(通常M<1)，因此掃描基板台之速 度V為掃描遮罩台之速度的Μ倍因數。本文中所描述之關於 微影設備之更多資訊可發現於（例如）US 6,046,792中，該專 利以引用之方式倂入本文中之。 在使用一微影投影裝置之製造製程中，將一遮罩圖案成 104972-1000603.doc 1362568 像於至少部分由輻射敏感材料（光阻）層所覆蓋之基板上。在 此成像步騾之前，該基板可經歷各種程序諸如上底漆、 光阻塗覆及軟烘烤。在曝光後，基板可經受其它程序，諸 如後曝光供培（PEB)、顯影、硬供烤及成像特徵量測/檢測。 此列程序被用作圖案化一設備（例如，ic)之一個別層之基 礎。接著，此圖案化層可經歷各種製程，諸如，.蝕刻、離 ^植入（摻雜）、金屬化、氧化、化學機鵠研磨等，所有製程 皆用於完成一個別層。#需要若干層，則必須為每一新層 重複整個程序或其變體。最終，—列設備將呈現於基板（晶 圓）上。接著，藉由-諸如切割或鑛切之技術將此等設備彼 此分離，由此該等個別設備可安裝在一載體上、或連接至 引腳等。 為簡單起見，在下文中將投影系統稱作"透鏡"；铁而， 此術語應廣泛地解釋成涵蓋各種類型之投料統，（例如） 包括折射光學系統、反射光學以及反射折射混合系統。 該輻射系統亦可包括根據用於導向、成形或控制輻射投影 束之此等設計類型中之任何類型而運作的組件，且在下文 中將該等組件整體或各自稱為’，透鏡％另外，該微影裝置 可為-具有兩個或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上 遮罩台）之類型。在此等”多載物台"設備中，額外台可並行 使用’或可在-或多個臺上執行預備步驟而同時將一或多 個其它台用於曝光。（例如）美國專利第5,969,441號中描述 了雙標線片載物台微影裝置，該專利以引用之方式倂入本 文中。 I04972-1000603.doc 1362568 上文所涉及之光微影遮罩包含對應於待整合至一矽晶圓 上之電路組件之幾何圖案。利用CAD(電腦輔助設計）程式產 生用於產生此等遮罩之圖案，此製程經常被稱作£1)八（電子 a又什自動化）。多數CAD程式遵循一組預定的設計規則以產 生功能遮罩。此等規則由處理及設計限制加以設定。舉例 而5，設什規則定義電路設備（諸如閘極 '電容器等）之間或 互連線之間的空間容限，以確保電路設備或線不會以一不 良方式彼此相互作用。該設計規則限制通常被稱作"臨界尺 寸’’（CD)。一電路之臨界尺寸可定義為一線或孔的最小寬度〕 -或兩線之間或兩洞之間的最小空間。因此，該cd確定所設 計電路之整體大小及密度。 遮罩中之"輔助特徵"可用於改良投影於光阻上的影像並 最終改良所開發的設備。輔助特徵並非呈現光阻中所顯影 之圖案的特徵，而是提供於遮罩中以利用繞射效應從而使 顯影影像與所要之電路圖案更近似的特徵。辅助特徵通常 為”次解析率"或"深次解析率”，意謂其在至少一個尺寸中它 們小於在晶圓上實際分辨遮罩中的最小特徵。輔助特徵可） 八有疋義成臨界尺寸之分數的尺寸。換言之，因為遮罩圖 案k $用小於1之縮放比例（例如，1 /4或1 /5)來投影，所 以遮罩上之辅助特徵可具有一大於晶圓上之最小特徵之實 體尺寸。 *然’積體電路製造之目的之一係在借助於使用辅助特 ^而知· X改良之晶圓上經由遮罩如實地再生產原始電路設 冲另目的係產生一在所指定的設計容限内可容易製造 104972-1000603.doc Ϊ362568 的設計布局。此係重要的，從而當實際製造該設備時，該 製程導致·一南的良率。 雖然先前技術中已論述諸如光學規則檢查（0RC)之各種 規則檢查方法’但是此等已知技術難以及/或不適於與現在 的通常包括先進解析率增強技術（RET)之設計布局一起使 用。另外’已知規則檢查方法在設計製程早期不能確定是 否一給定設計易於製造（以產生一高良率），進而經常導致與 重新3又计製程相關之時間及金錢方面花費相當大的成本。 ) 因此，需要一種允許在設計製程早期確定一設計是否可 貫際投入製造從而最小化與重新設計製程相關之時間及成 本的方法。另外’需要一種適於與先進RET一起使用之製 造可靠度檢查及校正方法，且該方法可自動提供設計校正 以使所得設襟在所指定的設計容限内。 【發明内容】 鑒於前述内容，本發明之一目標係提供一種用於在設計 、)製程早期確定是否可利用一給定製程來實際製造目標設計/ 布局，或確定目標設計/布局是否含有在製造時使目標設計/ 布局不此滿足设計要求及/或導致不合格良率的"故障點”或 "疵點"。另外，本發明之另一目標係提供一製造可靠度檢 查及校正方法，其適用於與先進RET—起使用，且其可自 動提供設計校正，以使所得設備在所指定之設計容限内。 更具體言之，本發明係關於一種產生一供一成像處理圖 案用之遮罩的方法。該方法包括以下步驟：⑷獲得—具有 待成像於一基板上之複數個特徵之所要目標圖案；利用 l〇4972-l〇〇〇6〇3,d〇c -9- 該目標圖案及盥一令μ_ 製程相關之製程參數來^ 影像（例如，模擬光阻圖案）’·⑷定義至小一=擬-晶圓 (d)該目標圖荦中 夕個特徵類別； 杗中識別出對應於該至少 並記錄識別為對庫 ' 類別之特徵， 差值；及（e)產生-料〜之每—特徵的-誤 计概要，其指示識別為對；s丨 一特徵_之每—特徵之該 以於該至少 後，本發明之方法識別出誤差之 應用儲存於（例如）資料庫中之預定控正t措施及/或错由 而自動m μ 巾之預疋校正措施改變製程參數 °:、差之另外步驟。此資料庫可基於—含有 可以二問題區域之各種校正之以規則為基礎之系統，其 -、續方式應用直至找到—可接受之解決方法為止。 另卜，若識別出一用於一給定誤差之可接受的校正措施， 則-對應於問題及解決方法之設計規則可記錄 用於將來的校正/設計。 ， 犀並 β本發明之方法提供優於先前技術之重要優勢。最重要的 疋、、’本發明提供一種執行全晶片製造可靠度檢查及校正的 方法，該方法可在設計製程早期確定是否可在所指定之設 十谷限内貫際製造該目標設計。另外，本發明之方法可為 »又计提供自動校正以產生一可在所指定的設計容限内製造 的設計。 與本發明相關之另一優勢在於全晶片製造可靠度檢查及 校正方法適於與先進解析率增強技術一起使用。 本發明之另一優勢在於全晶片製造可靠度檢查及校正之 方法適用於使用多個遮罩及/或多個曝光（例如，DDL垂直及 104972-1000603.doc •10- 1362568 水平遮罩）及相同遮罩（例如，包括絡及相特徵之cpL遮罩） 中之多個資料層的製程。 本發明之另一優勢在於該方法在設計製程早期將關於目 標設計是否含有當進行製造製程時將使目標設計不能滿足 設計要求及/或導致一不合格良率之任何"故障點"或”疵點” 之反饋提供給設計者。因此，本發明最小化與重新設計製 程相關之時間及成本，以及消除與有瑕疵設計之原型的設 計定案（tape-out)及開發相關的成本。換言之，本發明允許 设汁者在測試晶之圓設計定案程序及開發（意即，處理）以前 確疋疋否一設計在根本上存在瑕疵（且因此為不可製造的 另外，在某些情形下，本發明之方法可自動修正設計及/ 或製程以解決設計中之"故障點"或"疵點"。 根據下文對本發明之例示性實施例之詳細描述，本發明 之額外優勢對於熟習此項技術者而言變得顯而易見。 雖然可在本文中特定參考本發明在IC製造中之使用，但 應瞭解，本發明具有許多其它可能應用。舉例而言，其可 用於製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖 案、液晶顯示面板、薄膜磁頭、等等。熟習此相技術者應 瞭解，在該等替代應用之情形中，認為本文中之術語”主遮 罩"、"晶圓"或"晶粒"之任何使用可分別由更通用之術語 "遮罩"、"基板"及”目標區"所替代。 藉由參考以下的詳細描述及隨附圖式，可更好地瞭解本 發明之自身以及其另外之目標及優勢。 【實施方式】 104972-1000603.doc 1362568 J為說明根據本發明之_第—實施例之 罪度檢查及校正之方法的例示性流程圖。製程中之第一步 =步驟1G)係識別目標遮罩圖案（意即，目標設計）及待用以 成像該圖案之照明系統及設定（意即，製程停件）。 p及圖賊明可經受本發明之檢查及校正方法的例示 =局圖案(意即，目標圖案更具體言之，圖示全晶 片:局，而圖2b表示分離成CPL遮罩中之絡及相區之_ =布局的-部分。如上所表明，本發明之方法適用於使用 夕個遮罩及/或多個曝光（例如，咖垂直及水平遮罩）以及 才目同遮罩（例如’包括鉻及相特徵之cpL遮罩）中之多個資料 層之製程。 一旦識別出目標圖案，製程中之下一步驟（步驟2〇)將在圭 產設定（意即，所要的製程）下模擬目標圖案之光阻圖案化輪 廓，該生產設定包括製造變化。可利用任一已知的模擬工 具（例如，ASML MaskTo〇W司所出售的 行此模擬。 下一步驟（步驟30)係比較模擬製程之結果與原始目標圖 案以確定原始目標圖案與所模擬之光阻圖案化輪廟之間的 差異。在本發明之較佳實施财，在所模擬的結果與目標 圖案之間執行全晶片比較。可藉由比較所模擬的光阻圖^ 之二維輪廓與.目標圖案之二維輪廓來執行此製程。（例如） 於2〇02年10月9日申請之美國專利申請案第10/266,922號中 描述了二維輪廓之此等比較，該申請案之内容以全文引用 之方式倂入本文中。或者，可比較圖案之預定區域/點（較佳 104972-1000603.doc 12 丄观568 • · * * • « 為所期望之臨界區域)來確定目標圖案與所模擬之光阻圖 案之間的差異。舉例而言，檢查標記可包括於目標設計中 <臨界特徵位置處，且接著僅在包括檢查標記之設計位置 處執行該比較。此等臨养區域可包括（例如）窄線_之⑶均 陡、凸角、凹角、線末端（Une_end)、等等。此方法使製 程僅聚焦於設計者預期在製造期間較為關鍵或易出問題之 彼等特徵/區域。然而，在本實施例令，較佳考慮設計布局 之所有區域中之特徵以便表示全晶片之設計布局。若將二 維輪廟用於比較製程，則設計者可指定關於用於比較製程 之輪廓的取樣點之間的距離以確保可表示全晶片設計布 局。 —旦完成比較且已定義所模擬結果與目標圖案之間的差 =，隨即製程中之下一步驟（步驟4〇)指定/歸類待考慮及/或 刀析之特徵並確定目標設計與所模擬結果中之特徵之間的 差’、（思即，誤差）。此需要定義待考慮之各種特徵類別，例 )，：線末端、CD均一性、凸角、凹角、等等。一旦定義此 等類別，即可在含有檢查標記之每一位置處提取所模擬結 果與目仏圖案之間的差異並將該差異指派至經預定類別中 之一者。在給定實例令，可將一給定檢查標記位置處之每 差異/誤差私派/定義為線末端誤差、均一性誤差、凸 角誤差或凹角誤差，並將其記錄入個別類別中。如上所表 明，較佳將檢查標記置放於布局内以獲得全晶片布局之一 表不或者，若基於二維輪廓來執行一比較，則設計者必 須指定待提取之比較點關於輪廓之位置，其類似於定義檢 104972-1000603.doc -13· 1362568 查標記。 一旦元成步驟40，則可獲知並記錄模擬結果與目標圖案 之間的貫際差異，且將該差異歸類至特徵類別之特定類型 中。應注意，上文所表明之特徵類別在本質上為例示性的， 而不疋限制性的。除了上文所闡述之類別以外，可利用額 外類別。此外，亦如上文所表明的，較佳所分析並記錄之 位置的數目可表示整個布局，當然，所考慮之位置的實際 數目可隨不同布局而變化，且主要視被認為是製造環境中 潛在問題之臨界區域的數目而定。 製程中之下一步驟（步驟5〇)係為每一特徵類別產生一直 方圖（或任何其它適合之統計格式）並繪製每一類別之所有 =錄特徵之誤差結果。每一直方圖說明在給定類別中包括 多，相應特徵，及與給定特徵類別中之每一特徵相關之成 像誤差的量值。因此’直方圖使設計者易於確定發生在每 -經定義特徵類財之誤差數目。此外，如以下將更詳細 解釋，直方圖使設計者相當快速地媒定是否可利用局部校 正來校正不符合規格之不可接受的誤差’或確定是否需要 一主要的重新設計。 繼續地，製程中之下一步驟（步驟6〇)係定義步驟 別中之每-者的可接受誤差容限，並識別= 各限外之每一類別中之所有特徵。如已知， 限定義可接受（意即，在設計極限内）之最終目標圖宰 且节等^起始設計階段，電路設計者通常定義誤差容限’ '今限根據不同布局而變化’以及在不同類型特 104972-1000603 d〇c -14- 1362568 徵之間的布局内變化。應注意，設計者所指定之誤差容限 最小應對應於並指定步驟40中所識別之誤差類別之可接受 誤差。如下文將更詳細解釋，亦可疊加在步驟5〇中所產生 之各種直方圖上之誤差容限以使設計者易於確定給定類別 中不屬於可接受誤差容限（且因此必須校正）之特徵的百分 比。 一旦確定了誤差容限，下一步驟（步驟7〇)便可確定是否每 一類別中之所有特徵均在相應特徵之指定誤差容限内。若 答案為肯定的，則製程進入步驟9〇且產生遮罩圖案。若答 案為否定的，則製程進入步驟80, #中可應用〇pc校正及/ 或其它校正措施，意即改變諸如（但*限於）：光學設定（例 如，na、Sigma)、遮罩類型（例如，透射.性、相）或光阻製 程之製程參數以儘量消除具有在所指定誤差容限外之相關 成像誤差之任一特徵。一旦做出此等校正，製程便返回先 前製程步獅以允許執行另一模擬，且接著進行該製程以 允許確定是否校正使所有特徵在所指定之誤差容限内。應 注意’當第二次或以任何其它隨後次數裏進㈣製程時， 無需重新歸類特徵_或重新定義誤差容限（意即 及步驟60)。 應注意’在一實施例中，法丨丨田益— 利用預定規則（例如，在呈現過 二線末端紐路之區域中延長特徵線)可自動執行先前校正 (步驟鄉此等規驗被確U其基於在 ^ 之特徵類別。事實上，可利用一《疋之製程中考慮 自動方4 I 電細或專用處理設備以一 自動方式來執订本發明之先前方法的大體上所有步驟，包 104972-1000603.doc 產生可匯總每-個別特徵類別之誤差的直方圖β 在給定實施例中校正措施資料庫包括兩個主要校正 ^第方法耙要應用及/或修正應用於遮罩設計之〇pc 特徵如上所表明’支待應用於遮罩設計以校正給定誤 差之OPC校正特徵之預^規則儲存於資料庫中，且若適用 %差_定發生（其可自直方圖確定），則將該預定規則用於 遮罩。又α十。第一方法需要修正正在被利用之給定製程參 數同樣，可將支配待於發生一給定誤差之後嘗試之可能 的製程變化的預定規則儲存於校正措施資料庫中。當然， =可為，求對OPC特徵與製程參數進行調整之規則。又， —確疋給疋誤差條件之解決方法，便可更新資料庫以 用。又冲規則之形式來記錄該校正，從而使其可應用於將來 的應用巾。再:欠請注意，本製程係、一迭代製程，其中每進 —、人調正便重新執行模擬及檢查製程以確定是否該調整 =正了所有剩餘誤差，重複該製程直至系統為所有未決之 气差確足可接受的解決方法為止。若在多次迭代（其可由 刼作者預先確定）之後，系統仍不能找出一可接受解決方 法，則很可能需要重新設計遮罩布局。 如上文所表明，為預先定義之特徵類別產生直方圖之本 發月的方法尤其可用於使設計者容易識別並篩出全晶片布 局之。又什疵點"（並可能校正此等疵點）。另外，直方圖提供 簡單方法來確定對於製程參數之調整是否可用於輕微 調整不符合規格的設計（意即，一具有在可接受誤差容限 範圍外之最小數目之特徵的設計）。直方圖亦可使設計者在 104972-1000603.doc -16 - 1362568 設計製程早期確定所提議之設計是否具有顯著的可製造性 問題（例如，在給定誤差類別中，大體上所有特徵皆不在可 接受誤差内），從而指示大體上需要對布局重新設計。換言 之，誤差之程度及數目太大，以致於不可能利用製程變化 及/或OPC校正措施來校正該等誤差。 圖3說明覆有相同圖案之模擬結果之圖2的目標圖案之一 例示性部分。如所見，目標圖案與模擬結果之間存在差異。 圖4說明基於模擬結果與目標圖案之間的差異而產生之例 示性直方圖。在給定的實例中，定義了五個特徵類別以進 行監控，即凸特徵、凹特徵、線末端特徵、間極寬度特徵 及臨界尺寸（意即，線寬）特徵。每一個別直方圖識別在考慮 中之個別特徵之數目（意即，利用檢查標記識別），以及與目 ,、1·目之誤差程度。更具體言之，若所監控之所有特徵 均具有零誤差，則每一直方圖將說明一位於該直方圖之中 心處的單-線（在圖4tx轴上❹’然而，通常情況並非如 此’如給定實例中之直方圖說明在每一類別中，相應特徵 具有不同程度之誤差。進—步應注意，直方圖中標記為42 的線t示可接受之誤差容限。具體言之，屬於此等兩線内 差S為自0"(意即，無誤差）偏移一可接受程 二#值在兩線之任—者之外的任—誤差表示-不可接受的 少、偏移。重新檢視圖4之直方圖，容易看到，所監控之大 2凸特徵及凹特徵具有不可接受之誤差變化，而線末端 阳·閘極特徵及CD特徵大多在所指定之誤差容限内，且 為可接又的。圖3強調了設計中之某些例示性問題區 104972-1000603.doc 17 1362568 域。 圖5說明與圖4中所示之布局及類別相同之布局及類別的 直方圖，且與圖4之直方圖的差異為圖5中三組直方圖之每 一者中均已應用一校正。在第一組（參數i及參數2)中，對特 徵做一線末端後拉調整。如對比圖4與圖5所展示，現在所 有線末端特徵均在預定之誤差容限内，且因此在實際製造 製程中，不會應引起任何印刷問題。在參數3中，應用一偏 .差杈正演算法，然而，其未使得線末端特徵得到良好校正， 因此，許多線末端特徵仍在誤差容限之外。應注意，參數j 1〜3表示參數集卜3。如以上所表明，可利用並調整不同參 數以執行各種OPC及遮罩圖案修正，從而校正誤差。每一 參數集將產生不同的MRC直方圖，某些參數變化可解決特 定誤差但會導致整體效能的降低。用於-類型誤差之給定 校正（諸如線末端拉回）亦可能導致產生一不同類型之誤 差，諸如CD均-性變得較差。藉由利用本發明之直方圖， 可快速且容易地鑑別出是否一給定誤差可能被校正或是否 要求一設計處理。 圖6亦說明與如圖4中所示之布局及類別相同之布局及類 ^直方圖’且與圖4之直方圖的差異為參數4及參數5中之 母一直方圖之特徵已應用凹角及凸角校正。如對比圖4與圖 展3丁參數4中所執行之校正使得凸特徵及凹特徵在印 刷中得到-顯著改良，而參數5中所執行之校正未產生此效 果f參數6中’應用另一偏差校正演算法。在全局校正不 此使母-特徵均在所指定之誤差容限内的情況下，設計者 J04972-1000603.doc -18- 或由系統自動執行)-局部校正，意即，僅校正容限 =特徵。自先前圖式可見，直方圖可容易地指示一給定 類別之任—特徵是否不符合所指^之誤差容限。 至圖9中所說明之直方圖指示在給定製程中之線末端 立、閘極特徵及臨界尺寸之印刷效能不會分別隨應用量 思即，能量）或散焦參數（def〇cus⑽賴⑺之變化 較大變化。如此等圖式中…者所示，所得直方圖在量 及㈣、之變化上保持相對未變。同樣，直方圖為設計者提 2一相對簡單方法來確定製程設定中之變化在特徵之影像 處理中是否可達成所要之校正。在其中製程變化不能提供 所要之校正的情況下，需要修正布局以滿足設計容限。 圖U及圖12說明何時需要_設計修 例。更具體言之，圖U之左下側說明一布局之一 式之右上側說明疊加於目標圖案上之模擬晶圓影像。在此 實例中’應用㈣措施及調整製程參數^以校正該等誤 差。然而，在圖”之右側中(其說明目標電路及模擬結果之 另一部幻’ OPC措施及製程#數變化不足以校正所有誤 差。舉例而f，參看圖式之右上側，在應用opc及製程參 數校正措施之後，橋接誤差仍存在。因此，需要—布局^ 正。圖！2中說明-可接受布局修正之實例。如圖12中所指 示，各種特徵之邊緣彼此進一步分離以消除橋接誤差。圖 12中亦說明模擬結果。如上文所表明’當需要此等布局修 正時，電路設計者通常執行此等布局修正。然*，亦可產 生一規則集以提供布局設計之自動校正/修正。 104972-1000603.doc •19· 1362568 如以^所表明，本發明之方法提供優於先前技術之重要 優勢最f要的疋’本發明提供—種用於執行全晶片製造 了罪性檢查之方法，該方法在設計製程早期確定目標設計 是否可在所指定之設計容限内實際加以製造。另外，本發 明之方法可提供設計之自動校正從而產生一可在所指定之 設計容限内加以製造之設計。 本發明之另-優勢在於全晶片製造可靠度檢查及校正之 方法適用於使用多個遮罩及/或多個曝光（例如，ddl垂直及 水平遮罩）以及相同遮罩（例如，包括鉻及相特徵之cpL遮罩） 中之多個資料層之製程β 本發明之另-優勢在於該方法在設計製程早期將關於目 標設計是否含有當進行製造製程時將使目標設計不能滿足 設計要求及/或導致一不合格良率之任何"故障點"或"庇點" 之反饋提供給設計者《因此，本發明最小化與重新設計製 程相關之時間及成本，以及消除與有瑕疵設計之原型的設 計定案（tape-〇ut)及開發相關的成本。換言之.，本發明允許 設計者在測試晶圓之設計定案程序及開發（意即，處理）之前 確定是否一設計在根本上存在瑕疵（且因此為不可製造的 另外，本發明之方法可提供自動修正設計及/或製程以解 決設計中之"故障點"或"疵點"，從而儘量消除/校正在誤差 容限極限外之特徵。 如上文所敍述，可利用電腦或專用處理器來自動執行本 發明之製程。此外，可預先確定支配待執行之校正的規則 (包括當進行局部校正時之規則），且接著可基於先前方法所 104972-1000603.doc -20- 產生之直方圖的 希望，則大體上 希望主動參與該 為可能的。 、-〇果而應用該荨規則。事實上，若設計者 整個製程皆可自動執行。當然，若設計者 衣程（例如，確定將應用之校正類型），此亦 θ示意眭描繪適於與在本發明之辅助下設計之遮罩一 起使用之微影投影裝置。該裝置包含： 一輻射系統Ex、IL ’其用於供應一輻射投影束ρΒ，在此特 定情況下，該輕射系統亦包含—輻射源La; -第一載物台（遮罩台）Μτ，其具備—用於固持一遮罩 MA(例如，_主遮罩）之遮罩固持器，且該第—載物台係連 接至-用於㈣於零件pL精確定位該遮罩之第—定位構 件'； -第二载物台（基板台）WT，其具備一用於固持一基板 W(例如，—塗覆有光阻之矽晶圓）之基板固持器，且該第二 载物台係連接至—用於相對於零件pL精確定位該基板之第 二定位構件； -投影系統（”投影透鏡”)PL(例如，一折射、反射或反射折 射的光學系統）’其用於將遮罩MA之一受輻射部分成像至 該基板W之一目標區C(例如，包含一或多個晶粒）上。 如本文所描繪之，該裝置為透射型的（意即，其具有一透 射性遮罩）。然而，通常其亦可為一反射型的（例如，其具有 一|反射性遮罩卜或者，該裝置可採用另一種圖案化構件來 作為-所使用遮罩之替代物；實例包括一可程式化鏡面陣 列或LCD矩陣》 104972-1000603.doc -21 - 1362568 源LA(例如，一汞燈或一準分子雷射器）產生一輻射束。 該射束（例如）直接或在穿過諸如射束放大器Ex之調整構件 後被饋入至一照明系統（照明器）IL。照明器IL可包含用於設 定該射束中之強度分佈的外部及/或内部徑向範圍（通常分 別稱作σ-外部及σ-内部）的調整構件AM。另外，該照明器通 常包含各種其它組件，諸如一積光器IN及一聚光器CO。以 此方式，照射在遮罩MA上之射束PB在其橫截面中具有一所 要的均一性及強度分佈。 請注意，關於圖10，源LA可位於微影投影裝置之外殼内 (舉例而言，此狀況通常發生於當源LA為汞燈之時），但是 源LA亦可遠離微影投影裝置，該源產生之輻射束被引入（例 如，借助於合適之導向鏡）至該裝置中；此後者之情形通常 發生在源LA為一準分子雷射器（例如，基於KrF、ArF或F2 雷射作用）時的情況下。本發明涵蓋此等兩種情形。 射束PB隨後遭遇固持在一遮罩台MT上之遮罩MA。射束 PB在已穿過遮罩MA後穿過投影透鏡PL，該透鏡將射束PB 聚焦至基板W之一目標區C上。借助於第二定位構件（及一 干涉量測構件IF)，可精確地移動基板台WT(例如）以便在射 束PB之路徑中定位不同的目標區C。類似地，第一定位構 件可用於（例如）在自一遮罩庫以機械方式取得遮罩MA後或 在掃描期間相對於射束之路徑精確地定位遮罩MA。一般 而言，載物台MT、WT之移動係借助於一長衝轾模組（粗定 位）及一短衝程模組（精定位）來實現，其在圖1中未明確描 繪。然而，在晶圓步進器（與步進掃描工具相反）之狀況下， 104972-1000603.doc -22- 1362568 遮罩台MT可僅連接至一短衝程致動器或被固定。 所描繪之工具可以兩種不同的模式使用： --步進模式中，遮罩台ΜΤ基本上保持固定，且一整個遮

罩影像一次性地（意即，一單一"快閃"）投影至—目標區C 上。接著’將基板台WT在认/或丫方向上移位使得可光束 PB照射一不同之目標部分C ; -掃描模式中，除-給定目標區c未在單―"快閃"中曝光 外’應用了基本上相同的情況。實情為，遮軍台可以一 速度V在一給定方向（所謂的”掃描方向"，例如，y方向）上移 動，以使射束PB在-遮罩影像上掃描；同時，基板台^ 同時以速度料相同或相反方向上移動，其中从為投影 透鏡PL之放大率（通常，如1/4或1/5)。以此方式，可曝光 相對較大之目標區C，而不會損害解析率。 另外’敕體可實施或輔助執行所揭示之概念。電腦系統 之軟體功能涉及程式化（包括可執行程式碼），其可用於實施 上文所描述之成像模式。可由通用電腦執行軟體程式碼。 在運作中’程式碼及可能之相關資料記錄均館存於一通用 電腦平臺内。然而，在其它時候’軟體可儲存於其它位置 及/或經傳送以載人適合之通用電腦系統中。因此，以上所 論述之實施例涉及由至少一機器可讀媒體所承载之一或多 個程式碼模組之形式之一或多個軟體產品。電腦系統之處 理:所執行之此程式碼使平臺大體上以本文所論述並說明 之實知例中所執行之方式來實施目錄及/或軟體下載功能。 104972-1000603.doc •23- 1362568 如本文所使用之，諸如電腦或機器"可讀媒體”之術語意 指參與為處理器提供指令以執行之任何媒體。此一媒體可 呈許多形式，包括（但不限於）非揮發性媒體、揮發性媒體及 傳輸媒體。非揮發性媒體包括（例如）光碟或磁碟，諸如作為 上文所論述之伺服器平臺之一而操作之任一電腦中之任一 儲存設備。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如此電腦平臺 之主記憶體。實體傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖， 其包括在一電腦系統内包含一匯流排之線。載波傳輸媒體 可呈電訊號或電磁訊號或聲波或光波（諸如射頻（RF)及紅 J 外（IR)資料通信期間產生之波）之形式。因此，電腦可讀媒 體之通常形式包括（例如）：軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、 磁帶、任何其它磁性媒體；CD-ROM、DVD、任何其它光 學媒體；通常較少使用媒體，諸如打孔卡片、紙帶、具有 孔圖案之任何其它實體媒體；RAM、PROM及EPROM、 FLASH-EPROM、任何其它記憶體晶片或匣；傳送資料或指 令之載波、傳送此載波之電纜或鏈路；或電腦可自其讀取 程式碼及/或資料之任何其它媒體。許多此等形式之電腦可D 讀媒體可參與將一或多個指令之一或多個序列承載至一處 理器以用於執行。 雖然已詳細描述並說明本發明，但是應清楚瞭解，上文 之描述及說明僅作為說明性的及作為實例，而並不限制本 發明，本發明之範疇僅受隨附之申請專利範圍所限制。 【圖式簡單說明】 圖1為一說明根據本發明之一第一實施例之全晶片製造 104972-1000603.doc -24- 1362568 可靠度檢查及校正之方法的例示性流程圖。 圖2a及圖2b說明可經受本發明之檢查及校正方法之例示 性布局圖案（意即，目標圖案）。 圖3說明覆有相同圖案之模擬結果之圖2之目標圖案的一 例示性部分。 圖4說明一基於模擬結果與目標圖案之間的差異而產生 之例示性直方圖。 圖5說明用於與圖4中所示之布局及類別相同之布局及類 別的直方圖，差異在於圖5之三組直方圖之每一者所表示的 特徵已應用了線末端校正。 圖6說明用於與圖4中所示之布局及類別相同之布局及類 別的直方圖，差異在於參數4及參數5之每一直方圖所表示 的特徵已應用了凹角及凸角校正，且參數6之直方圖所表示 的特徵已應用了一線末端校正。 圖7至圖9中說明指示在給定製程中之線末端特徵、閉極 特徵及臨界尺寸之印刷效能不會分別隨製程參數之變化而 發生較大變化的直方圖。 圖10示意性描繪一適於與一借助A鮮相 兴惟助於所揭示之概念而設計 之遮罩一起使用之例示性微影投影裝置。 圖11及圖12說明何時需Φ—右民啟 吁而要布局修正以校正一誤差的實 例。 【主要元件符號說明】 AM 調整構件 c 目標區 104972-1000603.doc -25· 1362568 CO 聚光器 Ex 輻射系統/射束放大器 IF 干涉量測構件 IL 輻射系統/照明系統（照明器） IN 積光器 LA 輻射源 MA 遮罩 MT 第一載物台（遮罩台） PB 輻射投影束 PL 投影系統（"投影透鏡") W 基板 WT 第二載物台（基板台） 104972-1000603.doc -26-

Claims (1)

1362568 十、申請專利範圍： 】-一種產生一用於一成像處理該方法包含 以下步驟： ⑷獲得-所要的目標圖案，其具有將成像於一基板上 之複數個特徵； ㈦利用該目制案及與—已定㈣程相關之製程參數 來模擬一晶圓影像，以產生已模擬之成像結果； (C)定義複數個特徵類別； ⑷在具有該等複數個特徵之該目標圖案中識別出特 徵，其對應於該等複數個特徵類別之至少一者，為該等 已識別特徵決定該等已模擬之成像結果與該等目標i案 之間的誤ϋ 並為經識別之每—特徵記錄_誤差值 對應該等複數個特徵類別之一者；及 、 =十對該等複數個特徵類別分別產生一統 才曰不經識別夕益 ^ /、 2. 3. 特徵類別之該誤差值，其對應該等複數個 頬別之-給定特徵類別。 如請求項^ 方法，其中該誤差值表示該目標圖案中之— 位置=置與該所模擬晶圓影像中之該相同特徵之該 心間的一差異。 如請求項1之方 特徵之每其中可將該目標設計中之料複數個 中。 考知類至該等複數個特徵類別中之至少一者 二=項1之方法，其進一步包含以下步驟： δ別對應於該等複數個特徵類別之至少—者之特徵 104972-1〇〇〇603 d〇c 1362568 的一誤差容限；及 ⑷確定朗為對應於該等㈣㈣絲狀至少一者 之任何特徵是否具有一超出該誤差容限之誤差值。 5’如凊求項4之方法’其進—步包含對於識別為具有一超出 該誤差容限之誤差值的任何特徵執行一校正措施之步 驟’該校正措施有效地料相應特徵之該誤差值減小至 該誤差容限以下。 ’該電腦程式產品 記錄於該記錄媒體 6. —種吊於控制一電腦之電腦程式產品 包含可被該電腦讀取之一記錄媒體、 上之構件，其用於導引該電腦產生對應於供-微影成像 製程使用之遮罩的文檔，產生該等文槽包含以下步驟： ⑷獲得-所要的目標圖案，其具有將成像於—基板上 之複數個特徵； (b) 利用該目標圖案及與—已^義製程相關之製程參數 來模擬-晶圓影像’以產生已模擬之成像結果； (c) 定義複數個特徵類別； ⑷在具有該等複數個特徵之該目標圖案中識別出特 徵，其對應於該等複數個特徵類別之至少一者，為該等 已識別特徵決定該等已模擬之成像結杲與該等目標圖案 之間的誤差，並為經識別之每一特徵記錄一誤差值，其 對應該等複數個特徵類別之一者；及 (e)針對該等複數個特徵類別分別產生一統計概要其 指示經識別之每一特徵的該誤差值，其對應該等複數個 特徵類別之一給定特徵類別。 104972-J000603.doc 8. 如請求項6之電腦程式產品 案中之一必 八甲忑茨差值表不該目標圖 特徵之一位置與該模擬晶圓影像中之該相 徵之該位置之間的—差異。 之该相同特 式產品’其"目標設計中之該等複 少一者中之母-者係歸類於該等複數個特徵類別之至 項6之電腦程式產品’其進一步包含如下步驟： 對應於該等複數個特徵類別之至少—者之特徵 的疾差容限；及 ⑷確定識別為對應於該等複數個特徵類別之至少一者 之任何特徵是否具有一超出該誤差容限之誤差值。 右一 ^項9之電腦程式產品，其進—步包含對於識別為具 卜。出該誤差纟限之誤差冑的任何特徵執行-校正措 Μ 1校正措施可有效地將該相應特徵之該誤差 值減小至該誤差容限以下。 u·種裝β置製造方法，其包含以下㈣： ⑷提供—至少部分被—輻射敏感材料層覆蓋之基板； (b)使用一成像系統來提供一輻射投影束； ()使用遮罩上之一圖案賦予一圖案於該投影束之橫 截面上； 〇已圖案化輻射束投影至該輻射敏感材料層之一 目標部分上， 步驟（c)中，該遮罩係藉由一包含如下步驟之方 法所形成： 104972-1000603.doc 獲得一所要的目標圖案，其具有將成像於一基板上之 複數個特徵； 利用該目標圖案及與一已定義製轾相關之製程參數來 杈擬一晶圓影像’以產生已模擬之成像結果； 定義複數個特徵類別； 在具有該等複數個特徵之該目標圖案中識別出特徵， 其對應於該等複數個特徵類別之至少__者，為該等已詔 别特徵決疋該等已模擬之成像結果與該等目標圖案之問

的誤差’ ϋ為經識別之每一特徵記錄一誤差值，其對肩 該等複數個特徵類別之一者；及 八 一針對該等複數個魏類別分別產生'料概要， 別之母—特徵的該誤差值，其對應該等複數個相 徵類別之一給定特徵類別。 104972-1000603.doc •4·