TWI359999B - Polarized light-emitting device - Google Patents

Description

1359999 一 九、發明說明： * 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種偏極化發光元件，特別是一種可應用於液 晶顯示器背光模組之偏極化發光元件。 【先前技術】 月光模組(back light unit)為液晶顯示器(liquid crystal display， φ LCD)的關鍵零紕件之一，由於液晶面板(LCD panel)本身不具發光 的月b力而要一月光模組以提供足夠的亮度與分佈均勻的光源。 目前液晶顯示器已廣泛應用於監視器、筆記型電腦、數位相機及 才又衫機等具成長潛力之電子產品，因而帶動背光模組及其相關零 組件的需求持續成長。 請參考第1圖’第1圖為習知液晶顯示器構件示意圖。習知 液晶顯示器構件包含一液晶面板2、一下偏光片4、一上偏光片6 _以及-背光模組8，其中液晶面板2係包含抓基板、配向膜、 液晶層、彩色慮光片等元件，為液晶顯示器的主要構成元件；液 ，顯示器之操作顧係利用液晶材料之光電特性，藉由外加一電 場改變液晶排列方向以顯示出明暗不同，並搭配上、下偏光片及 ，色絲h示晝面。目綠晶顯示_背光模組多以冷陰極 -管(CCFL)或發光二極體__emitting⑽，以下簡稱啊 要的背光光源，其中又以LED具備低驅動電壓、壽命長、發光效 率南、無水銀及高色彩再現性料點，因而具有取代冷陰極管的 1359999 潛力。然而LED所產生的光線，在入射至液晶面板前會因為傳播 、 介質折射率的不同，而會受到臨界角的限制’也就是說，當光線 的入射角度大於臨界角時，該光線將會在光學膜片表面全反射而 無法折射穿透光學膜片而提供液晶面板足夠的光源；此外，光線 經過層層的光學膜片及液晶面板，光線會被吸收因而減少光線利 用率，同時，來自背光模組的光源必須經由下、上偏光片來達成 偏極化的效果，在此過程中有半數以上的光線被偏光片所吸收。 • 由於大部份的光線已於上述過程中損耗，所以提昇光源利用率以 提供足夠的亮度已成為背光模組設計上一重要課題。 【發明内容】 因此，本發明之一目的在於提供一種偏極化發光元件，可直 接提供尚輝度之偏振光，簡化習知液晶顯示器的結構。 >為達上述目的，本發明提供一種偏極化發光元件，其包含一 光源、-第-光學薄膜以及一第二光學薄膜設於該光源之出射 面。該第-光學薄臈之厚度為山，且該第一光學薄膜包含複數個 寬度為a,之第—幾何單元，其中該等第—幾何單元絲—第一方 向重覆排列’且G2糾/a<2 ;另外該第二光學_之厚度為 2j該第二光學薄膜包含複數個寬度為七之第二幾何單元，其 中該等第一幾何單元亦沿該第一方向重覆排列，且0.2 $恤^ 2。 本發明之偏極化發光元件不僅能直接提供具有特定偏振特性 1359999 之偏振光，當使用本發明之偏極化發光元件於背光模組時，其光 線的出射率及光源利用率均較習知背光模組為佳，為良好 模組元件。 【實施方式】 為使貴審查委員與熟習該項技藝者能更進一步了解本發 明，下文特列舉數個較佳實關，並配合所附圖示、元件符號等， 仔細說明本發明的構成内容及所欲達成之功效。

第2圖係本發明第—實施例之一偏極化發光树10的示意 圖。偏極化發光元件10包含一光源U '複數層第一光學薄膜Μ 以及複數層第二光學薄膜16依序交錯堆疊於光源之出射面。 ^光，_ I8的厚度為dl，其具有複數㈣—幾何單元19，^ 一，何單元19依序排列形成具織狀截面的結構，其個別的· 及高度分別為ai及hl ;另外，第二光學薄膜16的厚度為山，料 第二肋單元17,第二幾何單元17亦依序排列形成具截 齒狀截面騎構，其個寬度及高度分戦a2A h2。 著χΐΓ'" ’第—幾何單元19料二細單元17單元分別沿 列，形^第一方向）、Υ方向或Ζ方向(第二方向)重覆或交疊排 光、原第2圖中具有鑛齒狀戴面的二次元週期性結構。此外， 別與該些光㈣膜的交界面不限於圖中所示_齒狀截面， I成水平截面、波浪狀是其他形式_面，該些週期性結構 1359999 一 的尺寸在奈米(nanometer)等級時，會具有偏極化的效果β -·· 此外’本發明之第一幾何單元19與第二幾何單元17不限於 第2圖所繪示相同大小、緊密接鄰排列的鋸齒狀截面的結構，其 實施方式可如第3a圖所示，鑛齒狀戴面結構呈現有疏密排列的區 間’或如第3b圖所示，形成不同大小的鋸齒狀截面結構。

於本實施例中’光源12可以是一 LED元件’其包含有一 η A 型半導體層121、一主動層批1^%61*)122、一卩型半導體層123 以及一出光層(win(jow layer)124依序堆疊而成，以提供不同波長 之光線’而具有二次元週期性結構的第一光學薄膜18及第二光學 薄膜16的折射率分別為〜及!!2，其中，第一光學薄膜18可以採 用矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)及其組合或其他折射率大於2的 介電材料，而第二光學薄膜層16則是包含氧化矽(si〇2)、氧化鎂 (MgO)、氧化鋁(ai2〇3)、氮化矽(si3N4)及其組合或其他折射率不等 鲁於第一光學薄膜18的介電材料’同時第一光學薄膜18與第二光 學薄膜16的折射率差值愈大愈好。此外，在選擇第一光學薄膜18 與第二光學薄膜16材料時，須考量於應用頻率波段材料本身的光 吸收係數’較佳者為選擇於應用頻率波段光吸收係數愈小為佳。 - 再者，第一實施例中由第一光學薄膜18與第二光學薄臈16 所共同構成的週期性結構除了圖示中的鋸齒狀截面外，其他例如 具有球面、矩形、六角形、波浪狀等其他不同形式的立體結構亦 8 χ359999 .明。具體來說’以第2 _示由第一光學薄膜Μ 第-先學_ 16 _錄__，由料—幾何單元Η 何單it η綱尺寸，目此第—幾何單元的寬度&恰等於第 -歲何單元的寬度…第-幾何單元的寬❹辦於第二幾何單 疋的寬度h2，且在偏極化發光元件1G的製作過程中，〜、七的大 小將設定為光源12所產生之光線的波長入乘上該些光學薄^堆疊 後所求得的歸-化頻率(n_alizedfrequency)f的積即第一實 •例的ai=a2=Af，至於£值的計算將另行在後面的圖示中說明。另 外’在製作偏極化發光元件1〇時’第一光學薄膜以的厚度山、 第二光學薄膜16的厚度d2、第-幾何元件19的高度卜以及第二 幾何元件17的高度hz，將設定為第一幾何單元19寬度〜或第二 幾何單το 17寬度a2的倍數，例如d产iah <i2=ja2, hl=ka2, h2=la2，其 中i、j、k、1為常數，其數值將視實施時的製程或是產品需求而變 動。 • 第4圖為第一實施例中當光源12產生的光線入射到交互堆疊 的第一光學薄膜18與第二光學薄膜16時，光線波向量與入射光 歸一化頻率的關係圖，其中，光源12的光線包含電場方向與光線 應用方向(Z方向）垂直之TE偏振光(transverse electric mode)以及磁 场方向與光線應用方向垂直之TM偏振光(transverse magnetic • m〇de) °第4圖係利用平面波展開法(plane-wave expansion method) ’將第一光學薄膜與第二光學薄膜之介電常數、電場與磁 场的傅立葉展開級數代入Maxwell’s equation，並計算其沿First 1359999

Brillouin zone邊緣的波向量k值所對應之歸一化頻率請係圖， 第4圖係以TE偏振光為例。由圖中頻率的曲線分佈可以看出入射 光入射交互堆疊的第一光學薄膜18與第二光學薄膜16的偏振光 具有一光子能隙（photonic band gap) ’該光子能隙為一頻率區間， 當此頻率關的人射光由外部人射至該些光學薄麟，由於在該 些光學薄膜中’電場方向與光線應用方向(z方向)垂直之TE偏振 光沒有與其制的傳播觀㈣卿㈣mGde)，目此該TE偏振光 會被完全地反射回去;而磁場方向與光線應用方向垂直之顶偏振 光於此頻率區間有相對應之傳播模態，因此該顶偏振光會完全 穿透，此-S子能騎對__率關即為·光學薄膜應用 於偏極，件的頻率區間。在此要另外說明的是，該些光學薄膜 的波向量與人射光歸—化頻率_係圖會因組成該些光學薄膜的 第-光學薄膜18與第二光學薄臈16的厚度、折射率及幾何單元 之寬度、高度而異’ ^光子能_搬數量不限於第4圖所示的 二個頻段^選用不同折射率的材料製作該些光學薄膜時，光子 月t·隙的數里及頻率區間大小將依材料種類而變動且光子能隙之

Hi間^^將會ί響該些光學薄膜在偏極化發光元件應用上 ♦ 3 β絲顧具雜大之鮮區啊财學薄膜厚 度、折射率及幾何單元高度的選擇上具有較大的彈性 示意==:學_定偏振特性的偏振光的 Π的出射面，|白*、膜18與第—光學薄膜16係位於光源 源12(圖未示)的光線包含電場方向與光線應 £ 1359999 用方向(z方向)垂直之TE偏振光以及磁場方向與光線應用方向垂 ··直之ΤΜ偏振光。本發明所述之該些光學薄膜搭配主動產生光線 的光源12後，即可直接提供具有特定偏振特性的偏振光，供其他 光學元件使用。第6圖和第7圖則是以量化的方式表示第5圖第 光學薄膜18及第二光學薄膜16筛選呢偏振光與ΤΜ偏振光的 結果，其中，X轴為第一光學薄膜18及第二光學薄膜16堆疊的層 數，每層結構包含一組本發明之第一光學薄膜18與第二光學薄膜 φ b，y軸則分別是ΤΕ偏振光及™偏振光穿透的比率。 複參第4圖，在第一實施例中，當選用折射率化^:的第一 光學薄膜18以及折射率η2=1·5的第二光學薄膜16交互堆疊於光 源12的出射面，可得到一光子能隙’其頻率區間約介於0.415到 0.435之間。再由第6、7圖可知，當層數大於4之後τε偏振光的 穿透率隨辆些光學薄麟數的增加而骑下降，最後，ΤΕ偏振 光的正向穿透率趨近於〇.〇〇6左右；而層數大於8之後ΤΜ偏振光 ，過該些光學薄膜後，其正向穿透率趨近於G.82左右，經計算後 传知’於光學薄膜層數大於8層以上時ΤΜ偏振光的穿透率約為 ΤΕ偏振光的②〜17()倍，於本實_巾最健為_。因此，藉 由ΤΜ偏振光與1£偏振光經過多層交互堆疊的第一光學薄膜π 及第一光予桃16麟的穿透率差異再次說明了本發明之偏振 • 光兀件具有篩選特定偏振光的特性。 除了第一實施例所揭露在光源12的表面直接堆疊多層第一光 11 1359999 一學薄膜18及第二光學薄膜16的實施方式外，考量光源u可能對 “水汽或減具有高敏感度，可在光賴第—光學_及第二光學 薄膜間再行加贿護材料，雖絕水汽或魏進人統，延長: 發明之偏極化發光元件的壽命。請參考第8圖，其為依據本發明 之第二實施例所繪示之-偏極化發光元件26的示意圖與前述第 -實施例相同之it件將沿用相同_件符號，本實施例與第一實 施例的差異在於：光源12與第一光學薄膜18間另設置一封裝結 籲構29以及設於偏極化發光元件％相對於光源^出射面之另一反 射層28。設於光源12與該钱學薄關之封裝結構29可選用樹 脂、氧化石夕或其他可隔絕水汽及氧氣的材料，包圍在光源12的外 侧，以保護光源12，且封裝結構29材料之折射率與該第一光學薄 膜18之折射率_差值小於〗；此外封裝結構29與第—光學薄膜 18的交界面不限於财所示的麵狀截面，村配合該些光學薄 膜作出水平截面或是其他形式的截面。另外，在選擇封裝結構四 的材料f料同時考量材料本麵折射率，較佳的選擇為封裝 結構29材料之折射率與該光源材料間之折射率間的差值小於卜 至於設於祕錄統件26紛晰射層％，财·銀㈣、 鋁(A1)、金(AU)等金屬或其他反射效果良好的材質製作，其目的在 於使=第-光學薄膜18或第二光學薄㈣反射的te偏振光在反 射後能重新打亂為ΤΜ偏振光與ΤΕ偏振糾混合光源，再次經過 第-光學薄膜18與第二光學薄膜16的筛選，以增加光源η的光 \/δ "ill m :¾ 〇 (5 ) 12 1359999 p _ τΕ偏振光經過折射率_⑴的第—光學薄㈣ 和折射率η2=1·5的第二光學薄膜16時，該些光學薄膜的厚戶談 ^何單元的尺寸與光子能隙的關係圖，其中χ軸為_ ’ 2軸為h/a且圖中每一圓點代表肛偏振光具有對應的光 :、，其中dl、d2分別為第—光學_ 18與第二光學薄膜Μ 的厚度，h為第-幾何單元19的高度hi與第二幾何單元17的高 度h2之和(即㈣㈣，而第—光學薄㈣所包含之第一幾何單 凡16與第二絲細16所包含之第二幾何單元η具有相同的寬 ^ P ai—a2_a。由第9圖可知’在特定的結構條件下，ΤΕ偏振 光會有對應的光子絲’因此無法穿賴絲㈣膜，而此結構 條件下TM偏振光不具對應的光子能隙，因此可輕易穿透該些光 子4膜，進而達成分離TM與TE偏振光的目的。另外，第10圖 為第9圖之一實施例’其繪示當h=0.25a時，山/a與d2/a之關係圖。 其中’ h為第一幾何單元19的高度、與第二幾何單元17的高度 h2 之和（即 hshi+hz)。 根據第9圖、第1〇圖的結果’在製作偏極化發光元件1〇時， 如要達成上述分離偏振光的目的，第一光學薄膜18的厚度山與第 4何單元17寬度ai間較佳的比例約在0 2-2之間，即0.2SdA $2，第二光學薄膜16的厚度d2與第二幾何單元17的寬度a2間 較佳的比例亦是在〇.2·2之間，即〇.2id2/a2$2 ; h與a間較佳的 比例亦在0.2〜2間，即〇.2^h/a$2。 13 1359999 由於本發明所述之偏振光元件具有可直接提供TM偏振光的 功能’經適度的封裝並連結其他光學元件或電路系統後，在應用 上可作為液晶顯示器或其他顯示元件的背光模組。以紅藍綠三色 的背光模組為例，根據計算後的結果，以可發出的波長λ=47〇ηιη 的藍光LED來說，第一光學薄膜' 第二光學薄膜、第一幾何單元、 第一歲何單元的結構參數設定在8^2=20011111，d^Onm、 d2=76nm、與h^h^MOnm，可製作出藍色光源的偏極化發光元 件；若將第-光學薄膜、第二光學薄膜、第一幾何單元、第二幾 何單元的規格設定在a1=a2=225nm、dflOlnm、d2=86nm、與 h产h2=158nm ’則可用於波長又=53〇nm的綠光LED，製作出綠色 光源的偏極化發光元件；倘若第一光學薄膜、第二光學薄膜、第 歲何單元、第一幾何單元的規格設定在3^2=26811111, dfninm, d2=102nm，與h严h2=188nm，則可用於波長λ=630ηιη的紅光 LED，製作出紅色光源的偏極化發光元件。該些紅色光源、綠色 光源以及藍色光源的偏極化發光元件的組合可應用於背光模組， 請參考第11 ®，其繪抑本發明之偏極化發光元倾合為背光模 組之一液晶顯示器的結構示意圖。液晶顯示器3〇包含一背光模組 32、一液晶面板34以及一上偏光片36 ’其中液晶面板34係位於 該背光模組32的出光面，上偏光片36則是設在液晶面板％相對 於背光模組32的另-側。液晶面板34及上偏光片％的細部結構 已為公眾所知悉，在此不再贅述。液晶顯示器32的背光模組％ 係包含複數個紅色(R)偏極化發光元#38、複數個綠色(G)偏極化 發光元件40及複數個藍色⑻偏極化發光元件42等不同顏色偏極 1359999 一 化發光元件，且每四個偏極化發光元件(G、R、G、B)構成一個單 ·' 位，彼此相鄰排列成馬賽克(mosaic)式的背光光源陣列，用以提供 特定波長的偏振光。由於該些偏極化發光元件各自具備該些光學 薄膜，除了可直接提供TM偏振光的優點外，該些光學薄膜因具 有鋸齒狀的截面，可使入射至該些光學薄膜的光線不受臨界角的 限制’提尚光線自該些光學薄膜出射的比例提昇光源利用率。相 較於習知液晶液晶顯示器，本發明之液晶顯示器3〇使用本發明之 φ 該些偏極化元件作為背光模組32的偏振光來源時，因該些偏極化 元件可直接提供液晶面板34所需的偏振光，故本發明之液晶顯示 器30可省略習知液晶顯示器所必備之下偏光片及增亮膜，即能提 供尚輝度、高色彩再現性的影像顯示效果。此外，本發明所揭露 之實施例係以紅藍綠三色之背光光源陣列為例，其他組合之 背光光源陣列亦適用於本發明，例如：紅色、藍色、綠色及白 色（white，W)E9色組合之背光光源陣列（RGBWpattern)，且 背光光源陣列的排列方式亦不侷限於前述實施列所示以每四 個偏極化發光元件(G、R、G、B)或(R、G、B、W)構成一個單位， 使用者將可視產品需要而更動其排列組合，例如，在另一實 施例中亦可由三個或其它數量之偏極化發光元件構成一個單位， 且亦不限於以馬賽克式之方式排列。 、’;r、上所述，本發明所提供之偏極化發光元件，可配合不同波 長的光線’設計出不同的該些光學薄膜，以直接提供特定偏振特 性及高輝度的偏振光’供其他的需要偏振光的產品，如投影機、 1359999 液晶顯示器等電子產品使用，偏振光的種類不限於該些實施例所 示的TM偏振光，改變第一光學薄膜、第二光學薄膜、第一幾何 單元、第二幾何單元材料或結構參數將可決定通過的偏振光種 類，例如，電場方向與光線應用方向垂直之TE偏振光，以符合各 種光電產品所需。另外，產生光線的光源並不限於上述實施例中 的led元件，其他可主動發光的裝置或機構，如有機發光二極體 (OLED)、雷射二極體（LD)亦可適用於本發明。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範 圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖為習知液晶顯示器構件示意圖。 第2圖係麟本發明之—第—健實關麟示之—偏極化發光 元件的示意圖。 第3圖係本發明之第-幾何單稍第二聽單元形式的實施 態樣。 第4圖為第-實施例中雜波向量狀射靖—化解的關係圖。 第5圖即為應_些絲_篩選特定偏振特性的偏振光的示意 圖。 =圖和第7圖為料化的方式呈_些光學薄關ME偏振光 與偏振光的結果。 第8圖係瓣鞭十物_狄1魏發光元件 的示意圖。 第9圖繪林㈣找糾學_厚度、辦錢何單元尺寸與光 子能隙間的關係圖。 第10圖係繪示第9圖之一實施例’當h=〇25a時，d 關係圖0 合為背光模組之一液 第11圖雜减本發明之祕化發光元件組 晶顯示器的結構示意圖。

【主要元件符號說明】 2 液晶面板 4 下偏光片 6 上偏光片 8 背光模組 10 偏極化發光元件 12 光源 121 η型半導體層 122 主動層 123 Ρ型半導體層 124 出光層 16 第二光學薄膜 17 第二幾何單元 18 第一光學薄膜 19 苐一幾何單元 26 偏極化發光元件 28 反射層 29 封裝結構 30 液晶顯示器 32 背光模組 34 液晶面板 36 上偏光片 38 紅色偏極化發光元件 40 綠色偏極化發光元件 42 藍色偏極化發光元件

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Claims (1)

1359999 十、申請專利範圍： ί仰年仏月？日修正本 100年12月8日修正替換頁 1. 一種提供偏振光之偏極化發光元件，其包含有： -光源’具有-波長，且該波長為47〇nm ; -第-光學義設於該光源之出射面，該第—光學賴之厚度為 山’且轉第-光學薄膜包含複數個寬度為〜且高度為^之第一 幾何單TL ’其中該等第一幾何單元係沿一第一方向重覆排列； 以及 籲-第二光學薄膜覆蓋該第—光學薄膜，該第二絲㈣之厚度為 d2 ’且該第二光學薄膜包含複數個寬度為a2且高度為h2之第二 成何單元’其中該等第二幾何單元係沿該第一方向重覆排列且 a尸a2=200 nm ’ d丨=9〇nm，d2=76nm，hi=h2=14〇 nm。 2. 如申請專利範圍第i項所述之偏極化發光元件，另包含n層該 第一光學薄膜與m層該第二光學薄膜，依序交疊於該光源上，其 中η、m為大於或等於4之整數。 3. 如申請專利範圍第2項所述之偏極化發光元件，其中η值為4。 4. 如申請專利範圍第2項所述之偏極化發光元件，其中m值為4。 5.如申凊專利範圍第2項所述之偏極化發光元件，其中η或m之 最佳值為8。 1359999 6·如申請專利範圍S 2項所述之偏極化發光元件 最佳值為15。 . 7·如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，其中該第一光 學薄獏之折射率不等於該第二光學薄膜之折射率。 8. 如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件’其中該第一光 學薄膜之折射率為3.5且該第二光學薄膜之折射率為1.5。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之偏極化發光元件，其中該第一光學 薄膜之折射率為4.01且該第二光學薄膜之折射率為1：5。 1〇.如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，其中該第一光 學薄膜或該第二光學薄膜之折射率大於2。 U_如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，其中該等第一 幾何單元或該等第二幾何單元另沿_第二方向交4排列且該第二 方向垂直於該第一方向。 12·如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，其中該等第一 幾何單元具有鋸齒狀戴面的結構。 13·如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，其中該等第二 > 幾何單元具有鋸齒狀戴面的結構。. 19 1359999

Η.如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，另包含一封聿 結構位於該光源與該第一光學薄臈間。 15, 如申請專利範圍第14項所述之偏極化發光元件，其中該封裝 結構之折射率與該第一光學薄膜之折射率間的差值小於1。 16. 如申請專利範圍第14項所述之偏極化發光元件，其中該封裝 結構之折射率與該光源之折射率間的差值小於1。 Π.如申請專利範圍第14項所述之偏極化發光元件.，其中該封裝 結構的材料包含樹脂或氧化矽。 18·如申請專利範圍帛1項所述之偏極化發光元件，其中該第-光 學薄膜包切、錯、_化鎵或其組合。 =·如申請專概圍第〗項所述之偏極化發光元件，其巾該第二光 學薄臈包含氧化矽、氧化鎂、氧化鋁.、氮化矽或其組合。 20·如申請專利範圍第1項所述之偏極化發光元件，另包含一反射 層設於相對於該光源之出射面之另一側。

21 ’如申晴專利範圍第20項所述之偏極化發光元件，其中該反射層 包含銀、鋁或金。 20 1359999

22. —種液晶顯示器，包含： 一液晶面板； 一上偏光片設於該液晶面板之一側；以及 一背光模組設於該液晶面板之另一側，該背光模組包含： 複數個偏極化發光元件，且各該偏極化發光元件包含： 一光源，具有一波長，且該波長為470nm ; 一第一光學薄膜設於該光源層之出射面，該第一光學薄膜之 厚度為山，且該第一光學薄膜包含複數個寬度為〜且高度 鲁 為4之第一幾何單元，其中該等第一幾何單元係沿一第一 方向重覆排列；以及 -第二光學薄膜覆蓋該第-光學細，該第二絲薄膜之厚 度為d2，且該第二光學薄膜包含複數個寬度為七且高度^ 匕之第二幾何單元，其中該等第二幾何單元係沿該第二方 向重覆排列且 ai=a2=200 mn，山=90邮，d2=76nm，h产h2=M〇 不器，其中該光源可為 23·如申晴專利範圍第22項所述之液晶顯 紅色、綠色、藍色或自色之光源。 不器，其中該背光模組 ^一背光光源陣列。 24.如申請專利範圍帛22項所述之液晶顯示 中光源之組合以紅色、綠色、綠色及藍色為 21 1359999 . . ~~~ 100年12月8日修正替換頁 ·· 25.如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示器，其中該背光模組 - 中光源之組合以紅色、綠色、藍色及白色為一背光光源陣列。 • Η一、圖式：

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