TWI358531B - Fault detection and control methodologies for ion - Google Patents

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%年(0月凡曰修正替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致有關半導體裝置製造之領试 λ .(J 表L 7員域，尤有關離子 植入製程的錯誤偵測及控制方法、以及執 r , 1 丁連方法的系統0 【先别技術】 半導體工#内’有-股為了提高了諸如微處理器及記 憶體裝置等的積體電路裝置之品質、可靠性、及產出率的 持續驅動力。消費者對能夠更可靠地操作的較高品質電腦 及電子裝置之需求更增強了此種驅動力。這些需求已造成 諸如電晶體等的半導體裝置在製造上的持續&良/，以=設 有此種電晶體的積體電路裝置在製造上的持續改良。此 外，減少典型電晶體的組件製造時的缺陷，也會降低每一 電晶體的總成本以及設有此種電晶體的積體電^裝置之成 本0 一般而言，係使用其中包括微影步進機、蝕刻工具、 沈積工具、研磨工具、快速熱製程工具、及離子植入工具 等的各種製程工具對一批晶圓執行一組製程步驟。構成半 導體製程工具的基礎之技術在過去數年中已受到愈來愈多 的關注’因而造就了更大的精進。然而，雖然在該領域中 已有所進展’但是目前在市場上可購得的許多製程工具仍 然有某些缺點。這些工具尤其缺少先進的製程資料監視能 力，例如缺少以一種使用者易於使用的格式提供歷史性參 數資料的能力’以及缺少事件記錄、現行製程參數及所有 批次製程參數的即時圖形顯示、以及遠端（亦即，本地所 92690修正本 5

I35853I ?作(°月β日修正替換頁 在處及全世界）監視等。這些缺點可能造成諸如產出率、 精確度、穩定性及可重複性、製程溫度、以及機械工具參 數等關鍵性製程參數的非最佳控制。此種變化性會顯現為 批次内的不同、各批次間之不同 '以及各工具間之不同， 而這些不同可能傳播為產品品質及性能的偏差，而用於這 些工具的理想之監視及診斷系統將提供一種監視該變化性 之裝置，並提供了一種對關鍵性參數進行最佳化控制之裝 一镡改善半導體製程線的作業之技術包括將一遍及全 工廠的控制系統（factory wide c〇ntr〇1 sys1；em)用來自動 地控制各種製程工具的操作。各製造工具與一製造架構或 一=路的製程模組通訊。通常係將每一製造工具連接到設 備介面。該設備介面被連接到用來協助該製造工具與該製 造架構間之通訊的機器介面。該機器介面通常可以是先逸&

及微粒污染等的因素都可能影塑 影響到裝置的最終性能。係根 92690修正本 6 I35853J_ ?细。月竓曰修正替換頁 據性月b拉型而控制製程線_之各種工具，以便減少製程的 邊化。通常被控制的工具包括微影步進機、離子植入工具、 研磨工具、蝕刻工具、及沈積工具。製程前及（或）製程 後的度里資料被供應到該等工具的製程控制器。該等製程 控制器根據性能模型及度量資訊計算諸如製程時間等= 作配方參數’以便f試獲得儘量接近目標值的製程後結 果。以此種方式進行的減少變化將導致較高的產出率、較 低的成本、及較高的裝置性能等的結I，而戶斤有這些結果 等同於較高的利潤率》 ° 於製造龍電路裝置時，離子植人是―種非常複雜且 泛使用的製程。離子植入是一種將諸如輪等摻雜 沏材料植入基板等結構以便_ . " ^ ^ ^ , :心烕具有某一摻雜劑濃度及分 佈的極精確植入區之技術。亦可執行離子植入製程， 將摻雜劑材料植入一層材料 .〇 材枓因為植入區對最終積體電路 產品的性能可能會造成的衝擊 f溫電路 期的例如，如果要使最終產品按照預 j的方式刼作，則必須對為.了 控制該電晶體的臨界電曰曰體的源極/沒極區或 控制，。 ^而執㈣離子植人製程作精確的 八w干等遐裂造設施令， 諸如晶圓等基板執行離子植 一吊疋對'且或-办 數目可能會根據用來執行該製=二母-批中處理的羞 大部分批次型離子植入設備一子植入设備而改變 行離子植入製程。最關、、主_人可對13或17個晶圓 ㈣以事騎試確保正確地執行在 92690修正本 7 刊年。月仏日修正替換頁 種離子植入工具中執行的製程。此外，在某些情形中，如 果錯誤地執行了離子植入製程，則必須銷毀實施此種錯誤 製程的基板。亦即，縱使不是完全不可能，也是非常難以 使實施錯誤離子植入製程再實施一次該製程。 在控制離子植入製程的努力中，係在執行離子植入製 程之後取得度量資料，以便決定是否用了可接受的方式執 行了該製程。可自生產或測試晶圓取得此種度量資料。例 如，可將Termawave製造的TP420及（或）TP500型的 度量工具用來判定晶格的問題。再舉例另一例子，於測試 晶圓時，可將Prometrix的型號為RS55的度量工具用來 判定在執行離子植入製程後的植入區之摻雜劑濃度分佈。 在某些情形中，於測試晶圓時，可使用Cameca製造的二 次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry ;簡稱 SIMS)來取得度量資料。然而，此種程序可能耗用較長的 時間，例如對於薄膜電阻（sheet resistance)資料而言， 該程序在每一基板可能耗用大約10分鐘來執行此種度量 測試。此外，通常在完成了離子植入製程相當長的時間之 後，例如在完成了離子植入製程數小時或數天之後，才會 執行此種度量測試。因此，並未以一種符合需要的方式及 時地提供該度量資料。例如，當正在取得度量資料的期間， 可能正使用會產生不良品質的植入區之工具參數而在離子 植入工具中處理其它的基板。 如前文所述，離子植入製程是非常複雜的，且此種離 子植入製程的成功性能係取決於該製程的若干相關參數， 8 92690修正本 你卜月日修正替換頁 例如植入劑量、植入能階、氣體流量率、燈絲的電流及電 壓位準、離子射束電流、以及掃描次數等的相關參數。2 了得到所需的目標結果，現代的離子植入設備在執行離子 植入製程之前可先自動調整或調控離子射束，以便確保該 工具所執行的離子植入製程將產生可接受的結果。亦即，x 該離子植入工具嘗試調控或調整複數個這些相關的參數， 使這些參數的選擇組合將產生預期的結果。該調整製程是 較耗時的程序。通㈣在該離子植人工具㈣法拉第杯疋 (Faraday cup)上導引，離子植入射束，並改變一個或多個 ,具參數，而完成該内部調整。但是很不幸，當執行新的 離子植入配方及（或）由當藉由工具處理的基板數量被安 置而使目標條件或目標值改變時，該製程可能變得較不穩 定’因而可能將錯誤引入該離子植入製程。因此，所形成: 的植入區以及由此種植入區所構成的裝置可能在性能上 不到要求。 此外，通常是在離子植入工具將要執行新的植入配方 時’執行前文所述的調整製程。由於有可能要改變以獲致 目標植入區及製程的工具參數係具有極大的數目，因而縱 使目標植入區及製程是相同的，該調整製程也可能產生這 些參數的大量組合。因此’難以有效地監視此種離子植入 工具及製程。 目前需要-種能以及時的方式有效地監視並控制離子 植入工具及製程的系統及方法。本發明係有關可解決或至 少減少前文所述問題的全部或部分之方法及系統。 92690修正本 9 I35853L· 冗年{。月Μ日修正替換頁 【發明内容】 制方^發㈣大致有關科離子植人製㈣錯㈣測及控 以及執行該方法的_種系統。在_實㈣中，該 方法包括下列步驟：執行離名 整製鞋吝斗兮絲2 離子植入工具的調整製程，該調 該調敕制。 工具的至少-個工具參數；根據自 中4產生的該工具參數而選擇欲在該離子植入工且 擇=!子植入製程之錯誤偵測模型，·以及使用該所選 =:型來監視在該離子植入工具中執行的離子 實施财’該方法包括下列步驟：執行離子植 八的調整製程，該調整製程產生該離子植人工且的至 固Γ具參數；根據自該調整製織生的該工具參數而 產生欲在該離子植人工具中執行的離子植人製程之錯誤谓 =型；以及使用該所產生的錯誤仙彳模型來監視在該離 子植入工具中執行的離子植入製程。 在又一實施例中，該方法包括下列步驟：執行離子植 入工具的調整製程，該調整製程產生該離子植人工且的至 少一個工具參數；以及根據在該離子植人工具中執行的離 子植入製程所施加過的至少—個基板中形成之植入區的歷 史性度量資料’而決定自該調整製程產生的該I且 : 否可接受。 /、> 疋 執行離子植 入工具的至 組調整設定 在又一實施例中，該方法包括下列步驟： 入工具的調整製程，該調整製程產生該離子植 少一個工具參數；以及根據將該工具參數與一 92690修正本 10 135850—卜年f。 點模 月A日錶正警渙頁 型的比較，而決定自該調整製程產生 的該工具參數是 否可接受。 【實施方式】 下文中將說明本發明之實施例。為了顧及說明的清 晰’本說明書中將不說明實際實施例之所有特徵。然而， 我們當了解，於開發任何此類實際的實施例時，必須作出 許多與實施例相關的決定，以便達到開發者的特定目禪， 例如符合與系統相關的及與業務相關的限制條件，而這些 限制條件將隨著不同的實施例而變。此外，我們當了解， 此種開發工作可能是複雜且耗時的，但對已從本^明的揭 示事項獲益的擁有此項技藝的一般知識者而言，仍然將是 一種例行的工作。 … 現在將參照各附圖而說明本發明。應將本說明書中使 用古的=詞理解為且轉為具有與熟習相關技術者所二解的 、言一子判的思義致之意義。術語或詞語的特殊定義（亦 =與熟習此項技術者所理解的—般且慣㈣意義不同的定 意！著與本說明書中之術語或詞語有-致的用 新&厂5^或'"吾將有特殊意義（亦即與熟習此項技術者 :稍的意義不同之意義）_，將以一種直接且毫 中㈣地述及該特殊定義義之下-義的方式在說明書 _:二=發明係有關離子植入製程及工具的錯誤 f i及㈣之各㈣統及方法。熟習此項技術 多閱本申明案之後將可易於了解’本發明之方法適用於使 92690修正本 1358534____ '允年(。月仏日修正替換頁 用各種不同類型的離子植入工具的離子植入製程之實施， 且適用於諸如N型及P型摻雜劑材料等的各種不同的摻 雜劑材料之實施。此外，可將本發明用於形成其中包括（但 不限於）邏輯裝置及記憶體裝置等的各種裝置之環境。可 將本發明用於使多個或單一晶圓接受離子植入製程的離子 植入工具。 第1圖是可根據本發明的一態樣而採用的一例示離子 植入工具（10)之方塊圖。離子植入工具（10)在本質上 ^例示的，該離子植入工具（10)代表了各種在市場上可購 得的離子植入工具任何一種離子植入工具。例如，在一實 細例中，離子植入工具（1〇)是纟Varian公司製造的腕η VIISion8G離子植人工具。示意圖中示出工具（⑻包含 離子來源（12)，離子來源⑴）被用來產生由箭頭（13) 示出的離子，而離子（13)則被植入定位在工具（1〇)中 之複數個基板（14)。-基板固持具（16)將基板（⑷保 持在工具（10)内的適當位置。在某些例子中，基 具（16)可固持單一哎多個曰圓r ^ 次夕個a日® (亦即，循序或批次的配 置）然，熟習此項技術者當可了解，典型的離子植入工 件非常複雜的設備，包含了為了不模糊了本 發月而在第1 未示出的許多組件。美國專利第 6, 055, 460案示出了可根據本發明而使用的離子植入工呈 之-實施例。本發明於此係結合美國專利第6,〇55,彻案 的全文以財照。熟習相關技術者當可了解 示之工具⑴)在本質上是示意的。因此，只係以舉= 92690修正本 12 1358531- 修正替换頁 式提供基板（14)及離子來％ ri 、 τ S…、“ 于來源（12)的相對定位。此外， 工具（10)可包含在執行離子植势 的酤罢m , — 徂八衣私k用來移動基板（14) 的裝置。因此’不應將示意圖中示出的離子植人工且（ι〇) 二發明的限制。亦請注意，亦可將本 發月用於 只處理早—, 土板（14)的離子植入工具（ι〇)〇 可將控制器（18)在操作上轉合到離子植入工 ， 且該㈣器⑽可以是可執行指令的任何類型之裝置。 在某些貫施例中，控制哭「Ί以 , 制°。（18)可以是微處理器或電腦。 可將控制器（18)設於離子植入且 10 雕于植入工具（10)中，或控制器 …以疋獨立的農置’或者控制器（⑻亦可以是 k於控制在積體電路製造設備中執行的作業的—個或多個 面向的整體電腦系統之一部分。可將控制 行本說明書中述及的久 ^ r…可由多個運算資源執行控 制态（18 )所執行的該等功能。 第1圖中所示的基板（14)在本f上也將是代表性的， 而可將本發明用於將離子植入由諸如絕緣層上覆石夕 (SU1C〇n On Insulai〇r ;簡稱 s〇i)、结構及 族化 學π素材料等的各種不同的材料構成的基板（⑷之環境 Ζ。亦可將本發明用於將摻雜劑材料植人減形成的材料 層之環境中。此外，當植人諸如鱗⑺騎（As)等的Ν 型摻雜劑材料或諸如硼⑴或二氟化硼⑽等的p型 摻雜劑材料之各種不同類型的摻雜劑材料時，可採用本發 明。因此’不應將本發明視為受限於任何特定類型的推雜 ^材料之實施例’除非在最後的申請專利範圍中清楚地述 92690修正本 13 %%叻免日修王替换頁 及此種限制。 本發明之各部分及對應 記憶體内的資靱朽_ i 咩、-田矹明係以軟體或以電腦 方式來呈現===運算的演算法及符號表示法之 識者用來將其工作不法是對此項技藝具有一般知 般知識的其他人士之說明2地傳遞給對此項技藝具有一 兄明及表示法。在本文的用法中，曰 在-般性的用法中，術& m用法中’且 知為-系列有侔理並二' 如训1"’，）被認 *到所f結杲之步驟。料步驟是 量作物理操作的步驟。雖非必然，但料= 二ΓΓ可被儲存、傳送、結合、比較'及:他種 為:Γ::信號、電信號、或磁性信號。將這些信號稱 兩位兀、數值、元素、您祙 ^ _ 明經常是較便利的，主要ϋ ::; =或數字等’已證 、 1 一王要也疋為了普遍使用之故。 …、而我們虽謹記於心’所有這些術語及其他類似的 術語都與適當的物理量有關，而且只是適用於這也物理量 的便利性標記而已。除非有其他特別的陳述，或在說明中 係為顯而易見，否則諸如“處理，，、“運算，，、“計算”、“決 定或顯示等的術語都意指電腦系統或類似電子運^ 裝置之動作及處理，且此種電腦系統係將該電腦系統的暫 存器及記憶體内表現為物理量、電子量之資料操作並變換 成該電腦系統的記憶體、暫存器、或其他此種資訊儲存裝 置、傳輸裝置、或顯示裝置内同樣表現為物理量之其他資 料。 92690修正本 14 I35&^ 適用於此種製造系統的一例示資訊交換及製程控制架 構是諸如可使用由KLATencor，Inc.所提供的Catalyst 系統而實施之先進製程控制（APC )架構。該Cata 1 ysi;系 統使用與半導體設備及材料國際協會（Semiconductor Equipment and Materials International ;簡稱 SEMI) 電腦整合式製造（Computer Integrated Manufacturing; 簡稱CIM)架構相符的系統技術，且係基於該先進製程控 制（APC)架構。可公開地自總部設於Mountai η Vi ew的 SEMI 取得 CIM (SEMI E8卜0699 - Provisional Specification for CIM Framework Domain Architecture) 及 APC (SEMI E93-0999 - Provisional Specif ication for CIM Framework Advanced Process Control Component)規 格。 . 如本申請案的“先前技術”一節所示，通常在執行實 際的離子植入製程之前自動“調整”離子植入工具，或定 期調整離子植入工具。該自動調整製程之目的在於選擇實 際執行離子植入製程時將使用的各種不同的參數或設定 值，例如，射束電流、傾斜角、扭轉角、掃描次數、劑量、 及燈絲電流等的參數或設定值。在已知涉及的參數數目之 情形下，有極大數目的工具參數可能組合。此外，可將工 具參數的不同組合用來執行相同的所需離子植入配方。在 “調整”了離子植入工具之後，對定位在離子植入工具的各 基板執行離子植入製程。然而，在已知有大量的參數及這 些參數可能有的大範圍之值之情形下，執行有意義的錯誤 15 92690修正本 1358531_____ %年~月細修正替換頁 !測二能：固難的。例如，視執行自動調整製程之方式而 _ 17此日由於自調整製程產生的工具參數可能有許多不 同的值’ ^有時這些值之間有較大的差異，而發生過多之 2誤\目前需要—種可完成對離子植人製程的較嚴格的控 1之錯誤谓測方法，而不會有過度的錯誤偵測。 瓜而β，在完成離子植入製程並自離子植入工具中 取出基板之後許久，才判定該離子植入製程的成功或失 敗一可用諸如電氣測試及目視檢驗（有些測試在本質上是 破壞f生的測5式）等的各種測試來決定該離子植入製程的可 接受性。但是报不幸，此種評估程序可能耗用較長的時間， 且涉及稀有度量資源及人員的耗用。因此，來自這些程序 的結果回授不是所需的及時回授。此外，在接收到盘該離 顿入製程的可接受性有關的回授之前，該“經過調整的” ，子植入工具可能已處理了一些額外的基板。如果該測試 侍到的結論為從該離子植入製程所產生的植入區是不可接 受的，則通常要銷毀該等基板。亦即，無法形成基板之可 接受植入區之離子植入製程是非常浪費的，且對製造效率 及生產良率有木利的影響。 為了解決或減少前文所述之問題，本發明採用與離子 植入工具的作業有關之各種模型及控制常式。在一實施例 中’如第2圖所示’本發明使用來自離子植入調整製程 (20)及離子植入運作模型（22)的結果。在某些例子中， 運作模型（22)可使用一個或多個錯誤偵測模型（FDM) (24-1 ) -( 24-n)，或使用一可再生的錯誤偵測模型（25)。 92690修正本 16 I35851L___ 0月〜日修正曾-換頁 如前文所述，本發明可能涉及為了本說明書中述及之目的 而產生一個或多個多變量或單變量模型。可將熟習此項技 術者習知的各種技術用來產生本發明述及的該等模型。例 如，可使用 Triant Technologies, Inc.(位於 Nanaimo, British Columbia，Canada)出售的 ModelWare® 套裝軟 體來產生、修改、及更新本發明中述及的該等模型。可使 用一般習知的線性或非線性技術而以經驗方式開發本發明 中述及的該等模型。該模型可以是較簡單的方程式型模型 (例如線性、指數、或加權平均等的方程式型模型），或是 諸如類神經網路模型、主成分分析（Principal c〇fflp〇nent

Analysis;簡稱PCA)模型、或潛在結構投影（Pr〇jecti〇n to Latent Stmcture;簡稱PLS)模型等的較複雜的模型。 可根據所選擇的模型建立技術而改變該模型的特定實施方 式。 開始時，要求離子植入工具（1〇)執行離子植入製程， 以便根據諸如砷或硼等的某一摻雜劑材料以及摻雜劑濃度 及深度等的某一配方而形成植入區。離子植入工具（10) 根據該要求而執行調整製程（2〇)，以便如步驟所示 而產生各種工具參數的設定點及（或）追蹤資料之組合， 因而將形成具有所需摻雜劑分佈及濃度的摻雜區。在一實 施例中’係由常駐在離子植入工具（1〇)的軟體完成調整 製程（20)。自調整製程（2〇)產生的工具設定點參數可包 括射束電流、扭轉角、或前文中述及的任何其他的工具參 數。亦可使追縱資料與各種内部或外部感測器及（或）輸 92690修正本 17 %年卜月怂日修正替換頁 =所提供的各種參數相關，其中，該等感測器及/或輸入 &糸反映離子植入工具（1G)的各種面向及（或）將被執 打的離子植入製程所處的條件。例如，此種追縱資料可包 括f力/皿度、工具狀態資料、工具的維修歷史資料、加 速π電£抑制态電壓、抑制器電流、來源壓力、燈絲電 壓、燈絲電流、以及基板固持具的旋轉速度等的追縱資料。 在"周正製程（20 )期間，控制器（〗8 )可試行許多可 此的 >、參數組合’直到該控制器到達相信足以產生所需 々射束逾度致性的工具參數組合為止。亦即，控制器（18 ) 將嘗試調控或調整與該離子植人製程㈣聯的各工具參 數’以便確保離子射束較穩定且能產生所需的結果。有許 ^會影響到離子植人玉具（1())的性能之㈣卫具參數。 =些因素包括（但不限於）植入劑量、植入能階、射束電 流、傾斜角或扭轉角、電弧放電電流、電弧放電電壓、燈 絲電流、燈絲電Μ、氣體流量率、磁鐵電流（贴⑽ current)、引出電流（extracti〇n current)、引出電壓 (extraction voltage)、抑制電流、及抑制電壓等的因 素可自調整製程（2〇)產生這些參數的許多不同的組合。 舉一特定的例子而言，調整製程（2〇)可產生範圍為 8至12毫安的射束電流及23至27度的傾斜角之值。亦可 產生諸如引出電流等的其他工具參數之不同的範圍的值。 第2圖的方塊（21)中示出由調整製程（2〇 )產生的一個 或夕個工具參數之一組值。在一實施例中，係將自調整製 程（20)產生的該等工具參數（21)平均，而作出一組= 92690修正本 1358531________〜 •一丨 _ _·. > ^(〇n 工具參數。亦即，在調整製程（2〇)期間 ’-、傾斜角或扭轉角等特定變數之值可根 參數選擇的值而有十種不同的值。在完成了調 之後，可平均每—參數的各種值。 正衣長（20) 的可：:：施Ϊ樣中’可採用本發明來決定調整製程(2〇) 又丨生。第2圖所示之決定點（26 )示 =至該決定點的一輪入可以是方塊(27)所示業： 貝^—般而言，料業務規則可以是為了決定調整製程 的可接受性而考慮的各種不同之因素。例如，該等 :、务見則可考慮使用自該調整製程產生的該等工具來數蚌 將要耗用多長的時間來執行該離子植入製程。亦；：在一 二子=艮據使用調整製程（2°)所產生的該等參數時將 描次數，所得到的離子植入製程可能因要耗用太 ^時間而無法執行。可能被考慮的業務規則的另-例子 及離:植入工具（22)的一個或多個組件之累積使用時間 (或）狀況。例如，調整製程⑽可能產生用於各種 預细Γ數的設定點’基於該等設定點，諸如燈絲等組件為 插金較大的電流或一較高的電壓下執行其功能。根 =該燈絲的先前使用有關之資訊，例如根據先前的使用 自胡赴在離子植入工具（10)中之現有燈絲顯然無法使用 調整製程（20)產生的該等參數來執行該離子植入製程。 2自調整製程⑶）產生的工具設定點參數⑺）被認 =無法接受的，則如方塊（2⑷所示，拒絕調整製程（2〇) L果’且重新調.整離子植人工具⑴）。如果自調整製程 92690修正本 19 1358531,-—- %年卜月《日修正替換頁 (20)產生的工具設定點參數（21)是可法接受的，則如 方塊（26B)所示，可使用自調整製程（2〇)產生的工具設 定點參數（21)來執行該離子植入製程。此外，在某些實 施例中，如果工具設定點參數⑺）被認為是無法接受^ 則如將於下文中更完整說明的，可將離子植入模型 用來決定或選擇該離子植入製程的錯誤侦測模型。 可利用各種技術來決定調整製程（2〇)所產生的該等 工具設定點參數（21)之可接受性。在—實_中，可將 方塊（2〇中之該等設定點參數用來產生一信心水準，例 如產生單一的信任值或或範圍值，用以反映自該調整製程 產生的各參數（21)(經過平均的或以其他方式處理過的參 數）在產生可接受的植入區或縮短製程時間#的評估標準 上產生可接受的結果之信心。 τ 例如’為了達到-信心水準，將自該調整製程產生的 該等工具設定點參數（21)與基準資料比較，其中該基準 資料是根據歷史性晶圓度量資料而咸信可產生具有所^濃 度及（或）#雜劑分佈的植入區之一組的一個或多個工^ 參數。可根據對經過離子植入工具（1〇)處理過的一個^ 多個生產或測試基板所執行之各種度量及（或）電氣測試 而決定該基準資料。例如，在已經於離子植入工具（1 〇) 中處理過基板之後’可記錄該離子植入製程期間^實際採 用的工具設定點參數、及（或）與該離子植入製程有關的 追蹤資料，並以基板或批次編號為準使該等工具設定點參 數及（或）追蹤資料與接受該離子植入製程的該等$板^ 92690修正本 20 I35853l· 外年(<?月β日修正替換頁 關聯。然後執行-個或多個度量或電氣測試（某 能具有破壞性），以便決定在離子植入工具（1〇);產生^ 植入區之可接受性。可以在執行了該離子植入製程之後許 久’才執行這些測試。例如，此種電氣測試可以是在裝置 ”形成了-個或多個金屬層之後執行的標準晶圓電氣' 试（Wafer Electrical Testing;簡稱讲灯）之一邛八 可將該基準資料（亦即，該組歷史性度量資心關 聯的工具參數）儲存在控制器（18)可存取的資料庫中關 亦可使信心水準與該歷史性資料相關聯。當將自調整製程 (20)產生的該等工具設定點參數（21)提供給控制器⑴王 時’可對該組歷史性度量資料及相關聯的工具參數進行存 取。可使用各種習知的比對技術，將自調整製程⑵）產 生的該等工具設定點參數（21)與該歷史性資料组中之一 1 或多個資料項比對。如果相關聯的度量資料決定來自該 貝料庫的相符的資料項係產生可接受的植入區，則可使用 自調整製程（20)產生的該等設定點參數（ 離子植入製程。自調整製程⑼）產生仏具參數（= 與該歷史性資料組比對的結果可以是一信心水準或一簡單 的通過/不通過（GO/NO GO)指令。 經過-段時間之|，該程序應該會產纟針對在過去已 土生可接受植入區（例如，呈現所需的摻雜劑濃度及摻雜 =分佈的植入區）之各工具設定點參數（或各工呈設定點 ，數的組合）的一值或值的一範圍（亦即基準資料）。例如， 該程序可能導致只要諸如射束電流等的—個或多個來數保 92690修正本 21 135853 月^曰修正替換頁 !在；範圍内即可產生可接受的植入區之結 3冊了在有任何數目的參數或這些參數的 下應用該分析，亦即為多 7…之w π產攻一η隹 支數刀析在替代實施例中，並 且史數心I:，而是可將調整製程（2°)所產生的工 一 〃歷史性度量資料相關聯的調整袁數直接比 較，以便決定該等工具表數（ 正/數直接比 的結果。 /數⑺）疋否有可能產生可接受 ^子植人工具（1G)的工具設定點參數與在工具 处理的基板的度量資料之間建立 可將控制器⑻用來控制該離子植入製程。例如可將 控制器Π8)用來確保只執行根據度量資料具有產生可接 ^直入區的高機率自調整製程（2〇)產生的參數組合（例 =具設定點參數（21)的組合）。例如，根據度量資料， .當诸如射束電流、電弧放電電屋、氣體流量率等 2參數超過設定值時’將產生具有無法接受的品質之離 +植人區H㈣器（⑻在此種情形時將使離子植 入工具（10)不會使用這些參數來執行離子植入製程。舉 =一個例子，對度量資料及工具參數的分析可產生一相關 因而只要-個或多個工具參數（或該等工具參數的組 3)保持在預先選擇的範圍内，則有可能產生可接受的植 在自調整製程（20)產生的一個或多個參數可能 洛在一隶大值之下’或在-最小值之上，或在一範圍值之 内，或在-範圍值之外的情形中，採用本發明。亦可將該 方法用來為自調整製程（20)產生的卫具參數（21)之一/ 92690修正本 22 丄咖53.1 特定組合建立叫言心水I (或範圍）。 在本發明的第一態樣中’可將自調整製程 的參數（21)盥基準眘袓士龢IV ^ 產生 子措入^ 決定是否應執行該離 二ί 在將提供一個極簡單的例子來解說本發明 該基準資料可能反映當射束電流在10至12毫 女的乾H㈣係執行可接受的植人區。 預測的平均射走雷法卢，主^%(20) 中是7毫安Λ 疋3毫安，而在另-情形 ^且在又一情形中是Θ毫安。將這此猶偽 束電流的基準資料比較時 、。二值/、射 中，第t 提供的該簡單例子 又 （笔女）將有最低的信心水準，第一 π ” y毫幻將有一中間的信心水準，且第 立此種作心皮里〜 種習知的技術來建 的標準差而將不同的信心水準指定給各變數。因^:= 將為自設定模型產生的夫勃奢 不應 的參數建立信心水準之方式視為一鍤 除非在最後的申請專利範圍中明確地述及此種限制 可將用來判定在基板中形成的植入區或離及;^ 口：:何面向之任何類型的度量工具用 度置資料。例如，此種度量工 /歷文ί生 的，、粟声妓Λ4 八里測或協助判定植入區 區分佈、植入區所佔用的表面積、植人 料。植入的材料、或離子遷移性等的度量資 ρ ，例中’該度量工具可以是前文所述的

Prometi^ix 工具。 、日j 在另一態樣中’本發明可建立諸如業務規則等的各種 92690修正本 23 1358511 %年^月％曰修正替換頁 要求，以便決定自調整製程（2〇)產生的工具設定點袁數 ⑵）之可接受性。這些要求可以不與工具⑴）產生可 接又的植入區之成力直接相關。例如，在給定之該離子植 入製程之較長持續時間之情形下，可建立植人玉具⑴） 必須在-最大的掃描次數之内執行該離子植入製程的一業 務規則。例如，如果調整製程（2〇)產生所需要之掃描次 數係超過最大容許次數的工具設定點參數（21)，則控㈣ (18)可拒絕該調整製程所產生的參數（21)，並指示必須 再度執行調整製程。在該態樣’可將本發明用來提高製造 效率且仍然產生具有可接受的品質之植入區。 在本發明的另一態樣中，可將離子植入運作模型（ 用來選擇帛2圖所示的若干預先產生的錯誤偵測模型 (FDM Μ 24 1卜（24-η )其中-號碼的錯誤^貞測模型。為 了易於參照’可用代號（24)個別地及整體地標示錯誤偵 測模型（隨）。對特定錯誤偵測模型的選擇係基於自調整 衣私（2G)產生的參數（21)與每—錯誤偵測模型（24) 中之對應的參數間之比較。可將錯誤谓測模型（⑷儲存 在離子植入運作模型（22)巾，或可由離子植入運作模型 (22)所存取該錯誤價測模型（24)，亦即，可將此種模型 (24)儲存在-資料庫中。在本發明的該態樣中，係將最

近似或最匹配自調聲制9 ΛA 门正衣矛主（20)產生的參數（21)之錯誤 工 價測桓型（24)選擇為錯誤偵測模型（24)，用以監 請周整製程⑽產生的工具參數⑺)而在離子植入吏 具（10)中執行的離子植入製程。所選擇的該錯誤读測 92690修正本 24

I35853X 年卜月仏曰修正替換頁 ==將具有該等工具參數⑵)的部分或全部的值 現在將提供另-個簡化的例子來解說本發明的—能 ^假設調整製程⑵）指示離子植入工具⑴）㈣束 電〜應是9. 5亳安。當然，如前文所述，來自調整製程（ 的輪出可以是該等參數的範圍值或一平均值。 ⑻然後可根據射束電流的9·5毫安之該值而= 擇琅近似或匹配於射戾雷户的兮 ^ 型㈤m 束電4該所不值之-個錯誤谓測模 1 (24)。例如，錯誤谓測模型及 的射束電流值範圍可能分別是6至8毫安、1()至12毫安、 及14至18毫安。根據調整製程（2〇)所選擇的9 值St運作模型(22)可選擇錯誤二 製程選料9Γ毫安的該射錯//測模型係為具有與該調整 .5毫文的射束電流最接近的值之錯誤彳貞測 間化的例子中’只檢查了單-的變數。實際上， 數^ 測模型（觸）（24)之選擇可能涉及多變 且參所述，隨後當使用自調整製程⑶）產生的工 誤積測模型，行離子植入工具（1〇)時，將所選擇的錯 杳鈇，。、例如24-2)用來監視該離子植入工具（1〇)。 =的I根據諸如射束電流、傾斜角或扭轉角、及燈絲電 ^ 工具參數之組合而分離錯誤偵測模型（24-1)- 適合:自：:二内:二:的各種f知統計技術來決定最 氣矛王（20)產生的工具參數（21)之模型（24)。 92690修正本 25 丄 -- 丄 -- 9(年f。月(¾日修正替換頁 ί 情形中’錯誤㈣模型⑽）（24]) -(24-n)亦 °匕3離子植人製程中所用的卫具參數以外之其 二：24'1)…“)亦可包含與工具⑴)的狀 的處理‘的數:如(I最後對工具（10)執行維修程序後 时歡的數目（或時數的範圍）。 在此種方式下，可對離子植入工具（ ==:r測能力。藉由根據自該調整製= 的夢程㈣:擇錯誤制模型（24)，即可實現較嚴格 中植1，可根據更能反映於在離子植入工具(1。) 模型（觸）來將實際採用的工具參數之錯誤侦測 =數的容許變化量減至最小之錯誤Π 而貝現較嚴格的製程控制。 當正在執行離子植繁 程之後，可收隼盘义或在元成該離子植入製 u各工具參數的值或值範圍有關之追蹤次 科。然後可將所得到 ^貝 =(例如…二:二=^^ =束電流或拉轉角等一參數之 =如 :型(24-2)中之該參數…或範圍值r=r 二;：：識別出一錯誤狀況。在某些情形，，。：在所 的::誤::模型中之該參數的值超 里于才丸不出該錯誤。 時’可將在該離子二里可採取各種行動。開始 /、尹處理的基板標示為_組可疑 92690修正本 26 卜月日修正替換頁 2:二所：::’並未根據所選擇的錯誤偵測模型（例如 )所預測的值進行的離子植 群。在另一每"，山 植入衣耘所處理的-基板組 為廢畢。^ u I可將被處理過的料基板立即標示 =°:首Γ 一實施例中，錯誤的識別可導致停止使用 I到維修人員檢驗該特定的離子植入工具（⑻ 定的離子ί另一個例子’錯誤的識別可將應儘速維修該特 、 植入工具之訊息通知維修部門。 可2ΪΓ月的另一態樣中，該系統可採用-種可以取代 =存在一資料庫的該等複數個錯誤谓測模型（削） 外„之方之方式或在該等複數個錯誤偵測模型之 卜曰，之方式再生的一般性的可再生之錯誤㈣模型 在此種匱形中’離子植入運作模型（22 )可針對自 調整製程⑽產生的該等工具參數（21)產生唯一的錯 誤：=型（25)。亦即，離子植入運作模型（22)可用來 創仏或產生一根據自調整製程⑽產生的該組工且參數 (21)而修改的特定錯誤侦測模型。如前文所述，使用該 技術時’可因使用了根據即將在離子植入工具⑴）中執 行的該等工具參數而特別修改的再生錯誤偵測模型，而改 善離子植入工具（1 〇)的錯誤偵測方法。 第3圖示出可根據本發明而採用的替代性方法。在該 實施例中，可將複數個植人調整設定點模型（spM)(3〇 (1-n))用來作為決定調整劁招 、 心门正衣扣（2〇 )的可接受性的程序之 一部分。為了易於參照，可用说缺γ ο Λ， 」用代號（30)個別地及（或） 整體地標示設定點模型（SPM)。名兮杳+ /，山 、 、rM;在該貫施例中，如方塊（21) 926卯修正本 27 I35853J_1 日修正替換頁 所不’可將工具設定點參數及（或）追蹤資料提供給一植 入調整設定點模型（32 )。植入調整設定點模型（32 )又可 式將（來自調整製程（20)的）工具設定點資料（21) 與一組先前建立的設定點模型（SPMM30-1，30-2， 30-3, 30-η )中之一個或多個設定點模型比對。可根 據歷史性度量資料及（或）基於歷史性性能資料的信心水 準而建立該等設定點模型（SPM) ( 30 )。例如，在一例子中， 自5周整製程（20 )產生的該等工具設定點資料（21)可能 與任一设定點模型（3〇 )不符。該狀況可指示一異常狀況， 其令’縱使該m點模型（SPM)⑶）可能根據大量的 歷史性資料’但是調整製程（2G)係正在建議不符合該等 模型中之任何模型的工具參數（21)。因調整製程（2〇)的 結果大幅偏離預先建立的規範此種狀況可能，導致自調整 製程（20)產生的工具參數⑵）被拒絕。在另—例子中， 將被製造的產品可能是諸如高性能的微處理器等的高性能 的積體電料置。在讀财，歷线⑽可能指示該組 設定點模型（SPM) (3Q)中只有兩個或三個設定點模型合 產生可接受的結果。在此種情形中，如果自調整製程⑵） 產^的工具設定點資料⑵）不符合該等兩個或三個設定 點椟型（SPM)( 30)中之一設定點模型，則可拒絕該調整 製程⑽。簡單而言，在該實施例中，可將設定點模型 用來作為決定調整製程（20)的可接受性時之至少一個因 素。當然’如# 3圖所示’亦可在衫程序中 務規則（27)，如前文所述者。如果根據考慮設定點模型 92690修正本 28 沁年月尾日修正替換頁 (SPM) ( 30)而提供的 可執行該離子植入製程，且輸入：知結果是可接受的，則 偵測模型（FDM)。、且可用前文所述之方式選擇錯誤 在一實施例中，本方& 工具的調整製程，該調整驟：執行離子植入 一個工具參數；根據自該調整製程產生的的至少 擇欲在該離子植入工具中劲— ，〇 -、參數而選 模型；以及使用所€擇的订、離子植入製程之錯誤偵測 —執:::=r貞測模型來-視在該離子 人工二 =下列步驟··執行離子植 少一個工具參數；根據自 工具的至 2欲在該離子植入工具令執行的離子植入製程 =工2:用所產生的該錯_則模型來監視:該離 植入工具中執行的一離子植入製程。 在又一實施例中，該方法包含下列步驟 ::具的調整製程，該調整製程產生該離子植入工 ^植及㈣㈣離子植入工具中執行的離 歷史性：曰心工過之至少一個基板中形成之各植入區的 歷史！·生度！資料’而決定自該調整製程產生的該工且 是否可接受。 …级 在又一實施例中，該方法包含下列步驟：執行離子植 入工具的調整製程，該調整製程產生該離子植入工具的至 少一個工具參數；以及根據將該工具參數與一組調整設定 92690修正本 29 丄二)丄 阶仏月凡曰修正替換頁 •—麵 _ =核型的比較’而決定自該調整製程產生的該工具參數是 企可接受。

:文所揭示的該等特定實施例只是舉例，這是因為熟 二、技術者在參閱本發明的揭示事項之後可易於以不同 、巨等效之方式修改並實施本發明。例如，BS

=順序來執行前文所述的製程步驟。此外，除;在C =專，中另有述及之外，本說明書中示出的= 1又之'，·田即將不具有任何限制性。因此，顯然可改變或 兔S文所述的該等特定實施例，且所有此類變形將被視 將、的範圍及精神内。因此’最後的申請專利範圍 、U及本發明所尋求的保護。 【圖式簡單說明】 右參肊則文中之說明並配合各附圖，將可了解本發 ’而在這些附圖中，相同的代號標示類 ^ 附圖有： 塊圖第1圖是根據本發明的一實施例的例示系統之簡化方 第2圖疋根據本發明的各種例示方法之簡化方塊圖； 以及 化方2圖疋根據本發明的另一態樣的其他例示方法之簡 3本發明易於作出各種修改及替代形式，但是該 圖式中係以舉例方+ +山 式出本發明的一些特定實施例，且已 月辑中說明了這些特定實施例。然而，我們當了解， 92690修正本 30 丄 私％月^日修正替換頁 施例的說明之用意並非將本發明限 h荨特疋形式，相反地，本發 的申請專利節圍所兴—A +知明將涵盍最後&的本發明的精神及範_之所有修 又、#效物、及替代。 1 【主要元件符號說明】 10 13 162022 離子植入工具 12 離子來源 離子 14 基板 基板固持具 18 控制器 離子植入調整製程 離子植入運作模型 24,24-1 - 24-n錯誤偵測模型 21 工具設定點參數 25 27 32 可再生之錯誤偵測模型 業務規則 30, 30(l-n) 植入調整設定點模型 設定點模型 92690修正本 31

Claims (1)

1358531 第93132488號專利申請案 f rFt •丨卜 ί 1⑻年月4曰修正替換苜' 十、申請專利範園·· -~1 Ϊ· 一種用於離子植入製程的方法，包括： 執行離子植入工具的調整製程’該調整製程產 生該離子植入工具的至少一個工具參數；裝私產 根據至少一個業務規則而決定自該調整製程產 生的該至少一個工具參數是否可接受； 根據自該調整製程產生的該至少一個工具參數 數個先前存在的錯誤價測模型中選擇欲在該 型；^工具中執行的離子植入製程之錯誤摘測模 2. 3. 4. 5. 使用該所選擇的錯誤偵測模型來監視在該離子 植入工具中執行的離子植入製程。 如申請專利範圍第i項 ^ 植入工具中執行該調整製程。/、，係在該離子 第1項之方法’其，，當要在該離 整製程。 新的離子植人配方時，執行該調 :::專利範圍第！項之方法，其中，該 · 於該離子植入工具的複數個工具參數 如申請專利範圍第i項 …数 調整製涯產+ μ 方其令’係根據自該 :整襄釭產生的該至少—個 谓測模型之其中一錯誤 二數，、硬數個錯杂 數之間的比較，而自該等、之對應的工具參 出該所選擇的錯誤偵測模型。 土 如申請專利範圍第1項 方法，其中，係由植入劑 92690修正版 32 6. 100年10月4曰修正替換頁 =$植入此匕、射束電流、扭轉角、電弧放電電流、 二放電電壓、燈絲電流、燈絲電塵、氣體流量率、 2流1出電流、引出電壓、抑制電流、以及 數。|书壓的至少其中一者構成該至少一個工具參 如，請專利範圍第1項之方法，復包括： 於該離子植入製程期間監I至少一個 數；以及 ^ :該被監視的至少一個工具參數並未在 8. =錯誤㈣模型所建立的縣選擇的容許界限之 内4，宣告錯誤狀況。 一種用於離子植入製程的方法，包括： 生子植入工具的調整製程，該調整製程產 絲子植人卫具的至少-個工具參數； 生的=至^ —個#務規則而決定自該調整製程產 生的該至乂一個工具參數是否可接受； 根據自該§周整_ t 、 而產生欲在該至少一個工具參數 之錯誤偵測模型；以及’、中執仃的離子植入製程 9. 植入：：：：產生的錯誤偵測模型來監視在該離子 植入工_中執行的離子植入製程。 :令請專利範圍第8項之方法，其 植入工具中執行該調整製程。.絲子 10.如ΐ請專利範圍第8項之方法，Μ， 子植入工且Φ抽变'在該離 八 的離子植入配方時，執行該調 92690修正版 33 第93132488號專利申請案 -100年J0月4日修正替換頁 整製程。 11.如申請專利範圍第8項 在太“ 法其中，該調整製程 ”產生用於該離子植入工具的複數個工且夂數。 12·:申請專利範圍第8項之方法，其中，係由植入劑 :、植入能階、射束電流、扭轉角、電弧放電電流、 弧=電電壓、燈絲電流、燈絲電屡、氣體流量率、 ，電流、引出電流、引出電壓、抑制電流、以及 p |電壓的至少其中一者構成該至少一個工具參 數0 〆、> 13.如申請專利範圍帛8項之方法，復包括： 於該離子植入製程期間監視至少一個工且夹 數；以及 '、少 當該被監視的至少―個卫具參數並未在該所產 ^錯誤偵測模型所建立的預先選擇的容許界限之 内叫’宣告錯誤狀況。 4· 一種用於離子植入製程的方法，包括： 執行離子植人I具的調整製程，該調 生該離子植人工具的至少—個工具參數；以及 根據在該離子植人卫具中執行的離子植入製程 過的至少一個基板中形成之植入區的歷史性 二,貝料以及復根據至少一個業務規則，而決定自 :周1製知產生的該至少—個工具參數是否可接 ^請專利範圍帛14項之方法，復包括：如果決 ^個工具參數是可接受的，則使用自該調 92690修正版 34 1358531 第93132488號專利申請案 iOO年10月4日修正替換頁 整製程產生的該至少一 離子植入製程。 個工具參數執行該工具中 之 ΐ6·;:Π利範圍第1…方法，復包括：如果決 =二〃個卫具參數是無法接受的，則執行該離 子植入工具的另一調整製程。 17. =請專·圍第14項之方法，其中，決定該至 =個工具參數是否可接受之該步驟係根據與該至 v —個工具參數相關聯的信心水準值。

18. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，決定該至少 ::工具參數是否可接受之該步驟係根據自該調整 矛產生的該至少一個工具參數與該歷史性度量資 料相關聯的對應的工具參數之間的比較。 19. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該度量資 料c括摻雜劑濃度、摻雜區深度、以及摻雜劑濃度 分佈的至少其中一者。 20. =申請專利範圍第14項之方法，其巾，係由植入劑

量植入亂阳、射束電流、扭轉角、電弧放電電流、 電弧放電電壓、燈絲電流、燈絲電壓、氣體流量率、 磁鐵電流、弓|出電流、引出電壓、抑制電流、以及 抑制電屢的至少其中一者構成該至少一個工具參 數。 21.如申請專利範圍第14項之方法，其中，係在該離子 植入工具中執行該調整製程。 2 2.如申吻專利範圍第14項之方法，其中，當要在該離 子植入工具中執行新的離子植入配方時，執行該調 35 92690修正版 1358531 第93132488號專利申請案 WO年10月4曰修正替換頁 整製程。 23,如申請專利範圍第14項之方 並 係產生用;/、♦，該調整製程 “ Ιΐΐ! 子植入工具的複數個工具來數。 4.如申喷專利範圍第14項之方法復包括 該至少一個工且炎數是 Λ ’、疋 製程彦味二 文的，則根據自該調整 ==少一個工具參數而選擇要在該離子 植 八令執行的離子植入製程之錯誤偵測模形。 25·如申請專利範圍第24項之方法权:、、 錯㈣測模型來監視在該離子植入工具t執 订的離子植入製程。 26.=!專：範圍第14項之方法，復包括：如果決定 具參數是可接受的，則根據自該調整 Πί!少一個工具參數而產生要在該離子 27 行的離子植人製程之錯則貞測模型。 27. 如U利範圍第26項之方法復包括：使用 產生的錯誤偵測模型來監視在該離子植入工具：執 行的離子植入製程。 28. —種用於離子植入製程的方法，包括： 夺球^订離子植入工具的調整製程，該調整製程產 生該離子植入工具的至少一個工具參數；以 模型：據將該至少一個工具參數與二組調整設定點 =的比較以及復根據至少一個業務規則，而決定 =调整製程產生的該至少一個工具參數是否可接 29. 如申請相範圍第28項之方法，復包括：如果決 926卯修正版 36 定令女2?,丨、 ， Li°〇年10月4日修正替換] 整ϋ具參數是可接受的，則使用自該調 離二製Γ至少一個工具參數執行該工具中之 3〇.如申請專利範圍第28項之方法， 定該至少一個工具參數是無法接受 子植入工具的另一調整製程。 復包括：如果決 的’則執行該離 儿如_請專利範圍第28項之方法，其中 調整製程產生的該至少一個夾鉍a$ 、疋目 π这至V個參數疋否可接受之該步 驟匕括·決定該至少一徊工呈灸叙S _ 夕個具參數疋否與該組調整 S又疋點模型的所選擇群纟中 k评矸、且τ之 5周整逄定點模型匹 TO? Ο 32·如申請專利範圍第28項之方法，其中，決定自該 調整製程產±的該至少一個參數是否可接受之該步 驟包括：決定該至少一個工具參數是否與該組設定 點模型中之任何該等模型都不匹配。 33·如申請專利範圍第28項之方法，其中，決定該至 少-個工具參數是否可接受之該步料根據與來自 與該至少一個工具參數匹配的該組設定點模型的設 定點模型相關聯之信心水準值。 34·如申請專利範圍第28項之方法，其令，決定該至 少一個工具參數是否可接受之該步驟復包括·將自 該調整製程產生的該至少一個工具參數與在該離子 植入工具中執行的離子植入製程所施加的至少一個 基板中形成的植入區的對應工具參數之關聯歷史性 度量資料比較。 92690修正版 37 135咖丄 第93132488號專利申請案 100年10月4日修正替換百 35·如申請專利範圍第 巴平1〇月 包括摻雜…： 方法，其中，該度量資料 佈的至少：者摻雜區深度、以及摻雜劑濃度分 361申第28項之方法，其中，係由植人劑 電弧放電電壓、轉角、電孤放電電流、 抑制電壓的至之：電壓、抑制電流、以及 數。 ，、中之一構成該至少一個工具參 3=中請專利範圍第28項之方法，其中，係在 植入工具中執行該調整製程。 ’、人 38. 2請專利範圍第28項之方法，其中，當要在該離 整製程。 丁很八配方時，執仃該調 39·:::專利範圍第28項之方法 4fi j用於該離子植入工具的複數個工具參數“ 恨如申請專利範圍第28項之方法 定該至少一個工且夫^ 是匕栝.如果決 整製程產生㈣Γ少個Λ Λ’隸據自該調 模型。^中執仃的離子植入製程之錯誤偵測 41 如申請專利範圍第4〇項之方法，德句 選擇的錯誤偵測模型來監視在該離子植入二吏且用該： 行的離子植入製程。 值八工具令執 仏如申請專利範圍第28項之方法，復包括：如果決 92690修正版 38 1358531 _ 第93132488號專利申請案 100年10月4日修正替換頁 定該至少一個工具參數是可接受的，則根據自該調 整製程產生的該至少一個工具參數而產生要在該離 子植入工具中執行的離子植入製程之錯誤偵測模 型。 43.如申請專利範圍第42項之方法，復包括：使用該 所產生的錯誤偵測模型來監視在該離子植入工具中 執行的離子植入製程。 39 92690修正版 1358531_ %年月A日修正替換頁 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（2)圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 20 離子植入調整製程 21 工具設定點參數 22 離子植入運作模型 24,24-1 - 24-n錯誤偵測模型 25 可再生之錯誤偵測模型 27 業務規則 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 92690修正本