1353293 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用於模具之加熱及冷卻結構，特 別是指一種藉由均勻分布的支樓柱撑持模仁，且使模仁與 支撐柱直接接觸冷卻空間的冷卻流體，達到均勻加熱、加 強模具強度，以及迅速冷卻的加熱與冷卻結構。 【先前技術】 按，塑膠成型的方法分成射出成型、吹塑成型、熱壓 成型、壓縮成型、抽出成型...等等，其中，射出成型所能 產出的塑膠成品在形狀上，從單純的杯子到複雜的汽車儀 表板，而大小則從0. 01公克的鐘錶小齒輪到超過20公斤 的浴缸等大型成品都能夠製造，具有結構複雜、尺寸精確 以及品質安定的優點，是各種塑膠成型方法中，最重要、 業是最普遍的使用技術；而其常用的材料大致為聚乙烯 (PE )、聚丙烯（PP)、聚氣乙烯（PVC)、聚苯乙烯（PS) 以及丙烯腈（ABS )等。 上述之射出成型、壓縮成型、熱壓成型等製程，都是 加熱塑膠製融熔狀態而充填至模穴，並使塑膠包覆模具特 定結構後冷卻凝固，用以複製模具結構，一般模具的溫度 都小於塑膠玻璃轉換溫度，使融熔之塑膠於接觸模穴表面 時即產生一層凝固層，凝固層與成品厚度之比值隨著成品 厚度的減少而增加，當凝固層所佔的比例過高時，將使得 融熔塑膠充填困難，造成短射，結構複雜複製不完全及殘 1353293 留應力等問題。 而射出成型機除了射出單元（壓出機）、電控及油壓系 統外，在熔膠冷卻成型時，主要是以鎖模單元（亦稱夾模 單元）為主要成型裝置；鎖模單元是由可相閉合鎖固或開 啟的第一夾模座及第二夾模座（亦稱頭板及尾板）所構成， 在第一夾模座及第二央模座上分別設置俗稱公、母模的模 塊後，令第一夾模座及第二夾模座相互閉合鎖固（合模） 後，即可進行射出充填及冷卻成型的程序。 Z) 在前述射出成型的過程中，由於熔膠注入公、母模塊 的模穴時，高溫熔膠與冷卻的模穴腔壁接觸會形成一層薄 的凝固層，而且靠近壁面上的熔膠溫度亦會因此而降低， 使得溶膠的流動速度在中心位置為最大，靠近腔壁的流速 則幾近於零。這種熔膠在公、母模塊的模穴内流速不一致 - 的情形，如果在結構比較複雜的公、母模塊内，就會形成 亂流，使塑膠件成品上容易出現水波紋以及結合線，再加 上部份模穴内的空氣因來不及排出所形成的氣泡，使得成 0 品上的外觀瑕疵更顯嚴重。 而為因應現代產品輕薄短小的需求趨勢，以塑膠製造 之產品設計要求越來越薄，甚至因應特殊需求必須設計出 微小結構，如背光板、光纖聯接器等；若以傳統射出成型 製程進行製造，將因凝固層及塑膠流動性原因而無法順利 完成，因此，近年來逐漸發展且提出一套快速加熱模穴溫 • 度的方法，並有部分發明是為了縮短製程循環時間合併發 展出快速冷卻之方法，大致可將目前發明之加熱方法分為 蒸汽式、電阻式以及高週波式，以下僅列出電阻式及高週 1353293 波式進行簡略說明。 請參考本國第M317917號新型專利，其所揭示之一種 模具的加熱及冷卻裝置，係當第一及第二夾模座相互鎖 固，使第一及第二夾模座形成閉合狀態，且熔膠射入第一 及第二模塊之間的模穴空間時，透過電源線所提供之電源 令加熱器瞬間產生高熱，可經過第二模塊的傳導而對模穴 空間内的熔膠加熱，使進入第一及第二模塊之模穴空間中 的熔膠流速能夠盡量一致，以避免產生亂流，並藉此以消 3 除成品上的水波紋、氣泡以及結合線等外觀瑕疵。 然而，此法雖可較快速提昇模溫，但由於加熱器所產 生的熱量卻會向四面擴散至整個模板，待熱量傳至與炫膠 表面接觸時，已造成大量的熱源損失而使加熱效率降低， 且熱量係接近加熱器的處會較高，遠離加熱器處會較低， 使得熱量的分布不均勻，仍是會造成熔膠的流速不一致。 請再參考本國第1279304號發明專利，.係揭示一種以 高週波感應電流快速加熱模仁表面的方法與裝置，於接近 0 模具加熱面布置線圈導孔，以線圈環繞加熱面，通以高週 波電流於線圈上，由於電流方向變化將在環形封閉線圈所 包圍之金屬塊處產生磁滯損與渦流損，使金屬表面溫度急 遽上升，達到快速加熱模具表面溫度之效果，並於模具加 熱面及線圈導孔附近埋設冷卻孔，通入冷卻氣體或是冷卻 液體，藉以帶走模具及線圈產生之額外熱量或將模具加以 冷卻，調整冷卻孔佈置位置與冷卻氣體或液體溫度與流 速，加以控制模具的溫度。 而由於係利用而週波方式加熱，因此線圈之間的距離 1353293 必須加以控制，若是為了要均勻地加熱而將線圈之間的距 離設置的太接近，其間的電流所產生的磁場會相互影響而 導致加熱效果降低，而若是將線圈之間的距離布置的太 遠，會造成加熱的不均勻，導致熔膠的流速不一致。 再者，由於地心引力及模具本身的應力作用，模具的 中心部位會產生些許的彎曲形變，因此在射出成型時，會 造成不良率增加的問題。 所以，如何以高週波的方式對模具（模仁）均勻地加 〇 .熱，並能加以迅速冷卻，以降低加熱與冷卻時間，同時能 增加模具強度，是目前針對模具均勻加熱及冷卻結構方 面，一個刻不容緩的課題。 【發明内容】 ' 有鑑於此，本發明之第一目的在於利用支撐柱的結構 撐持模仁，加強模具的強度，以避免模仁產生彎曲形變， 導致射出成品的不良率增加。 © 本發明的第二目的在於以線圈繞設支撐柱，以同時對 模仁及支撐柱加熱，使支撐柱的熱量傳導至模仁，以提升 加熱效率。 本發明的第三目的，係在於以模仁底部與隔熱層界定 出冷卻空間，使冷卻流體通過冷卻空間時，同時帶走模仁 及支#柱的熱量，以達到冷卻的效果。 本發明的第四目的，係在於模仁與支撐柱接觸，在冷 卻流體通入冷卻空間時，模仁的熱量可經由支撐柱及冷卻 1353293 流體而帶走，以提高冷卻效率。 本發明的第五目的，係在於利用支撐柱的結構撐持模 仁，可藉以縮減模仁的厚度，縮小整體厚度，進而增加冷 ..卻及加熱效率。 為達上述之目的，本發明係提供一種用於模具之加熱 及冷卻結構，該模具包括一模座及一模仁，該模座具有一 模槽，用以放置該模仁，且該模仁具有一模穴，該加熱及 冷卻結構係設置在該模座及該模仁之間，包含：一設置在 D 該模槽四周及底面的隔熱層，係用以隔絕該模座與該模仁 之間的熱傳導；至少一支撐柱，設置在該模仁與該隔熱層 之間，用以支撐該模仁；以及一圍繞該支撐柱的線圈，具 有一電流輸入口及一電流輸入口；其中，該模仁之底部及 該隔熱層界定出一冷卻空間，用以通入一冷卻流體，該支 - 撐柱及該線圈係設置在該冷卻空間内。 較佳者，該線圈係為由絕緣材料所包覆的一中空銅管 所組成，並具有一流體管路，用以通入該冷卻流體。 Θ 較佳者，該至少一支撐柱係為多個支撐柱，均勻地分 布在該模仁與該隔熱層之間的冷卻空間内，且該線圈係以 該等支撐柱的軸向方向，在不同水平面繞設在每一支撐柱 上。 較佳者，該至少一支撐柱係為單一支撐柱，係設置在 該隔熱層的中央部位，且該線圈係環繞該支撐柱且水平地 在同一水平面鋪設在該隔熱層上。 較佳者，在每一該支撐柱及該相對應的線圈外，更套 設有一磁粉層套筒，該磁粉層套筒具有若干孔洞，以供該 1353293 相對應的線圈穿經及供水流流通。 藉此，當將一高週波電流加戴至該線圈，以產生磁場 ，而將線圈設置在冷卻空間内，且有支撐柱的設置，不但 避免模仁可能產生彎曲形變以及加強模具的強度，而避免 產生射出大量不良品以降低不良率，更可以藉由支撐柱與 模仁直接接觸且材質相同，在進行加熱與冷卻時，可藉由 支撐柱的存在與特性，迅速地將模仁的熱量提升或帶走， 以提高加熱及冷卻的效率。 D 以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優 點，其内容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術 内容並據以實施，且根據本說明書所揭露之内容、申請專 利範圍及圖示，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明 相關之目的及優點。 【貫施方式】 茲配合圖式將本發明較佳實施例詳細說明如下。 在此先進行說明以高週波方式產生熱能的原理，請參 考圖1，係表示以高週波加熱之電磁感應示意圖；一線圈R 繞設在一導體C上，並於線圈R上加載一高週波電源S， 在特定電流方向上產生外來磁場Μ變化影響下，導體C本 身將會產生一個反抗磁通變化的感應電動勢，以抵消外來 磁場變化.，此電動勢不但與時變磁通有關，而且與物體及 產生磁通變化兩者間相互移動速度成正比，可以下列方程 式表不· 1353293 dt dx 其中，e :感應電動勢（伏特，Volt)，# :線圈匝數 (匝，Turn)’厂磁通（韋伯，wb)，y:速度（米/秒’ m/s) ’ 此一電動勢造成電流（即渦電流E)，流經導體内部所產生 的功率，依焦耳定律可以寫成尺= ，其中，怂為容積功率 密度（Volumetric Power Density，W/m3)，p為材料電阻 係數（Resistivity，ωιπ)，J為電流密度（Current Density， A/m2)。 線圈R與導體C之間為非接觸型的電磁感應作用，由 於導體C經由磁化、去磁、再磁化之分子往復運動，所造 成的磁滯損失（Hysteresis Loss)，使得加工件產生熱能 而達到溫度上升現象。在磁滯曲線中所包圍的面積越大， 表示矯磁力He及剩磁Br之值越大，則磁滯損當然就越高， 對於磁滯損的經驗公式，其中，λ :加工件的 磁滯損，A :磁滯係數，/ :·頻率（Hz)，圪：最大磁通密 度（T)，X :材料係數，t/ :加工件體積（m3)。 高週波電源提供不同頻率交流電流通過線圈R後，因 電磁感應作用產生感應電動勢，此電動勢將在加工件上產 生渦電流E，並在加工件各斷面層呈非均句，且非等量流 動，加工件將因電阻而產生熱能，此項渦流損與上述的磁 滯損一樣，在被加熱物上最終是以「熱」的形態表現出來； 渦電流損失為乃=A(5max ./_>)2，其中，p,:單位重量下的渦電 流損失（W/kg )，:最大磁通密度（T)，/ :工作頻率（Hz) ’ A :渦流損比例常數，ί :加熱物件厚度（m)。 1353293 請同時參考圖2及圖3，係分別表示本發明一第一實 施例的分解結構圖及剖面示意圖；本實施例的模具2包括 一模座21及一模仁22，模座21具有一模槽211，係用以 放置模仁22，而模仁22的尺寸較大，且具有一模穴221。 而本實施例之加熱及冷卻結構1，係設置在模座21與 模仁22之間，包含一隔熱層11、若干支撐柱12以及一線 圈13。 隔熱層11係設置在模座21的模槽211上，意即隔熱 〇 層11鋪設在模槽211的四周及底面，以隔絕模座21與模 仁22之間熱量的傳導，使熱量能集中在模仁22上；而隔 熱層係可使用一般高強度纖維複合材料所製成，以達保溫 斷熱的效果。 支撐柱12係與模仁22的材質相同且為一體成型，而 ' 具有較佳的導熱效果。支撐柱12係均勻地分布在隔熱層 11上，由於模仁22的尺寸較大時，若僅以少數支撐柱12 作支撐，或者是僅支撐模仁22周圍，或者是僅支撐中央部 # 位者，模仁22之底部有可能會產生彎曲形變，因此以多個 支撐柱12均勻地分布在隔熱層11上，可用以支撐尺寸較 大的模仁22，以加強模具2的強度，’避免模仁22產生彎 曲形變，進而降低射出成品的不良率。 再者，請參考圖4,係表示本發明一第二實施例的分 解結構圖，本實施例的加熱及冷卻結構lb係與上述第一實 施例的加熱及冷卻結構1大致相同，其差異在於支撐柱12 係與模仁22為各自單獨元件，在進行加熱與冷卻時，支撙 柱12係與模仁22緊密接觸，以達到提高對模仁的加熱與 1353293 冷卻效率。 請同時參考圖5,係表示本發明線圈繞設在支撐柱上 的放大示意圖。線圈13係以支撐柱12的軸向方向繞設在 .每一支撐柱12上，意即在不同水平面上繞設，且具有一電 流輸入口 131及一電流輸出口 132 (當然電流輸入口與電 流輸入口的位置可以互換，仍能達到相同的加熱功能）；當 電流輸入口 131及電流輸出口 132經由外部導線外接至一 南週波電源（圖未不）’於線圈13加載南週波電流時’即 亦高週波方式同時對模仁22及支撐柱12加熱，而由於支 撐柱12係用以支撐模仁22，因此支撐柱12與模仁22係 相互接觸，也因而可以將支撐柱12的熱能傳遞到模仁22， 以提高加熱效率。 由於支撐柱12係用以撐持模仁22，且支撐柱12係均 ' 勻地分布在隔熱層11上，而各個支撐柱12之間即具有一 預定間隔空間，當支撐柱12撐持住模仁22時，意即當模 仁22接觸支撐住12時，隔熱層11與模仁22底部之間， φ 即界定出一冷卻空間14。 在冷卻空間14通入冷卻流體（如氣體或液體）F，直 '接接觸模仁22以便將模仁22的熱量帶走，同時冷卻流體 F亦與支撐柱12直接接觸而帶走支撐柱12的熱量，而模 仁22係與支撐柱12接觸，因此模仁22亦可藉由支撐柱 12將部分熱量帶走，以達到迅速冷卻模仁的效果。 為了加強迅速冷卻的效率，線圈13係由絕緣材料134 包覆著中空銅管135所組成，而中空銅管135的中心處具 有一流體管路133 ;由於線圈13通以高週波電流時，因其 1353293 若是製造商使用較小尺寸的模仁22者，即可以僅使用 單一個柱徑較大的支撐柱12a，其材質係與模仁22相同， 且設置在隔熱層11上的中央部位，以撐持住模仁22，增 . 加模具2的強度，避免模仁22產生彎曲形變，進而降低生 產射出成品的不良率。 而線圈13a係環繞支撐柱12a且水平地鋪設在隔熱層 11上，意即在同一水平面上繞設；當電流輸入口 131及電 流輸出口 132經由外部導線外接至一高週波電源（圖未 Ό 示），於線圈13a加載高週波電流時，即亦高週波方式同時 對模仁22及支撐柱12a加熱，而由於支撐柱12a係用以支 撐模仁22，因此支撐柱12a與模仁22係相互接觸，也因 而可以將支撐柱12a的熱能傳遞到模仁22，以提高加熱效 率。 - 由於支撐柱12a係用以撐持模仁22，加強模具2的強 度，且設置在.隔熱層11上之中央部位，當支撐柱12a撐持 住模仁22時，意即當模仁22接觸支撐住12a時，隔熱層 Q 11與模仁22底部之間，即界定出冷卻空間14。 因此，本發明藉由上述的結構，將線圈13a設置在冷 卻空間14内，且有支撐柱12a的設置，不但避免較小尺寸 的模仁22可能產生彎曲形變，而產生射出大量不良品，更 可以藉由支撐柱12a係與模仁22直接接觸且材質相同，在 進行加熱與冷卻時，更能藉由支撐柱12a的存在與特性， 迅速地將模仁22的熱量提升或帶走，以提高加熱及冷卻的 效率。 另，請再參考圖7，係表示本發明在支撐柱及線圈的 13 i S] 1353293 外圍套上一磁粉層套筒的部份剖視圖；由於藉由均勻化線 圈13所產生的磁場，可以對支撐柱12能均勻地加熱，因
此在第一實施例加熱及冷卻結構丨的支撐柱12及飧圈U 外再套設-磁粉層套筒15，且磁粉層套筒15呈有 洞151，可使線圈13穿過以及讓水流流通 加熱與冷卻的效率。 運到徒升 Ό “上所述’乃僅記载本發明為呈現解決問 發實:方式或實施例而已，並非用來限定本 :，或依本發明專利範圍所做 圍文義相 發明專利範圍所涵蓋。 I化與修飾，皆為本 [S3 14 1353293 E 滿電流 F 冷卻流體 Μ 磁場 R 線圈