TWI351625B - System for coloring a partially colored design in - Google Patents

Description

1351625 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明針對用於積體電路之微影生產的光罩之製 造’及特別地，針對交替相移光罩(altemating phase shifting masks，altPSMs)之製造。 【先前技術】 做為玻璃上鉻(chrome on glass，COG)外之選擇用於 積體電路和其他組件之微影生產中，交替相移光罩已被用 以增加所投影關鍵(有效區[active area])圖型之解析度。如 此增加之解析度容許更小線寬(line widths)曝光於^阻上 及因此蝕刻入或沉積於晶圓基板上。此係藉以下達成：調 節(=anif lating)用於微影製程中能量束(energy beam)之 電場向量相，其能量束係例如可見或紫外光。於相移光 罩中’係藉s周整-光束行經光罩材料之長度來達到此相變 化。藉使光罩凹進(recessing)一適當深度，橫越過光罩較 薄部分之光與橫越過光罩較厚部分之光會是18〇。異相 (outofphase)，亦即它們的電場向量大小相等，但恰指向 相反方向，使得這些光束間任何交互作用(interacti〇n)將會 導致完全的抵消(cancellation)。 。、疋義光罩之部分為0。相區域及其他部分為180。相 區域的私序，-般稱做相上色⑽ase CGlaring)。形(shape) 之相區域的其絲何―對冑抑於相上色，只要它們是相 反相I即它們為180。異相。因此，指定一色類似決定任 何二凡特性咖卿），且二相對相或色亦可稱做1或〇， 或正(+)或負㈠。自動相上色之技術說明於Dm等人發明 4IBM05055TW.doc 5 1351625 之美國專利號5,883,813，及Liebmaim等人發明之美國專 利號6,609,245，其揭露内容特此納入作為參考。 交替相移光罩形泛用於邏輯電路設計之光罩中。目 洳’大部分邏輯設計由稱為隨機邏輯巨集(ran(i〇m i〇gic macros ’ RLMs)之合成功能方塊(Synthesized ftjncti〇nal blocks)的一大部分(fracti〇n)所組成。某些晶片，像是應用 特定積體電路(ASICs)，可整個從電路設計之一標準元庫 (standard cell library)合成。每一標準元庫中的設計或名冊 (books)可被使用百次或千次於一晶片設計中。每一配置 (placement)中，個別元或名冊之左、右、上和下很可能有 不同鄰居。某些設計方法亦容許名冊於配置時被倒置 (flipped)或鏡像(mirrored)，使得相反的相形被反向 (reversed)二這樣的名冊之結合實際上是無限制的。 因為當配置名冊為彼此相鄰時可能違反設計規則，大 部分標準元庫對於在元邊界(b〇undary)内的相形位置、以 及在相鄰元間之相形的共享，有相當保守之規則。相鄰元 間相形之交互作用可導致相上色衝突（c〇1〇ring conflicts)。此外，當一隨機邏輯巨集中元間有相形交互作 用時，因為相形之展開(unrolling)，一光罩設計中之交替 相移光罩產生會有資料量與執行時間之顧慮，因而平坦化 從個別元建立之陣列的階層(hierarchy)。實作中，幾乎所 有相形之指定皆結束在階層之頂級。 此問題之一解決方法是禁止相鄰元中相形間之交互 作用，此方法係藉實施一設計規則，其確保所有相形放置 於兀邊界的一距離内，此距離至少為系統之最小的相至相 (phase-to-phase)間隔規則之一半，亦即，相反之相形間的 距離可使得在姻微影製程t，不會發生有t(ddeteri〇us) 4IBM05055TW.doc 6 1351625 的相反的相光之交互作用。而此方法可能對某些標準元庫 有效丄對其他而言’相形間某些交互作用可能無法避免。 交替相移光罩設計的另外的困難發生在一全晶片 (腿chip)之階層式建構(c〇nstmcti〇n) ^靜態隨機存取記憶 體(SRA^)電路部份常以手動(by hand)來最佳化，包含插 入或改變相形。目前沒有方法來自動處理這種組件之邊界 上的相上色。 一 ^此技藝中，當晶片電路設計被組合而形成交替相移

J罩日，’相當需要一方法’用以自動指定與改 的話)相色。 L發明内容】 摞供術之問題與不足，因此本發明之-目的係 替相移光罩之—較佳方法，可解決設計佈局中 心月另T目的係提供針對交替相移光罩之元的一 口^*❹t確保几設計為相符合的⑽ase comPliant)。

件(相社色相入伽咖社色元 ^)。及自動杈正預上色(pre_c〇1〇red)元間任何衝突之方 計被/法，用以在晶片電路設 須的話)相色。成替相移先罩％，自動指定與改變(若必 本發明再—目的係提 上述’而不會導致—交替相移，疋相色，如 分的相衝突。#私先罩政计佈局之先前上色部 4IBM05055TW.doc

7 顯而::還有其他目的和優點’從說明書中可更加顯著且 是韻所的上述與其他目的(其對熟此技藝者 =ΐ:τ移光 ㈡π:及相反於第-相 近第-元之-邊緣移;少 -相二 ------ 形為一兀可上色。此方法接著 Ιΐ。^)第1之—邊緣，使“近第一盥第丄 ;ί 3移形，鄰近，並創造-元陣列，=元陣歹1: 車軸从規則可上色，同時 之邊緣後’相較佳被指j給=:。。於並列苐-與第二元 形，2法ϋ—步包Λ指定相給第—與第二元之相移 二之任何相之差異。若第一與第二 隔，且若這樣的相鄰相移^ 需之一預定最小間 -虛第二元JL 4^1师料互相反相，則此方法反向第 同相。若第中H移形的相，使得相鄰相移形為 4IBM05055TW.doc 1351625 著包含創造 鄰的相移形為ΐ相ί:相此:目二5?觸’且若這樣相 元射之-中的相移形向第-與第二 或，若第一盥筮*使侍相鄰相移形為同相； -預定最/ms—B Μ目_移形沒有彼此接觸，但小於 方法接著二^ 樣的相鄰相移形為互相反相，此 相，使得相鄰相移形為同相。^中的相移形的

移形被決定為間隔小於預定最小間 ί i f於創造第—與第二元之元陣列前，所有第 一凡陣列中的相移形被反向。 3可包含相移形，以投影—靜態隨機存取記憶體陣列 或一邏輯陣列之—影像，且元可形成-線性或-非線ϋ 列。

第一元可包含鄰近元之一邊緣、具第一相之一相移 形，以及鄰近元之一相反邊緣、具第二相之一相移形。 々方法可更包含提供一第三元，包含至少一相移形之一 第一相’以及包含相反於第一相之具—第二相的至少一相 移形為，相移形之至少之一鄰近第一元之一邊緣。此情形 中，方法接著包含沿第一或第二元之—邊緣並列第一元之 二邊緣’使得分別鄰近第三元和第一或第二元邊緣的相移 形彼此鄰近，以及反向第三元和第一或第二元其中之一的 相移升々之相’使得若第三元和第一或第二元中之相鄰相移 升^被決之為間隔小於預定最小間隔且為互相反相，相鄰相 4IBM05055TW.doc 9 1351625 :為同相。此方法接著創造第一、第二和第三元之一元 元中二反:預-舆第二 相反相，第：元^刻姻且為互 鄰相H村更包含合併(merging)第一與第二元中之相 來，包含決定第—與第二元哪個有較多相移 ΐ相被Ίί與第二对賊多树形者，其相移形 另一面向中’本發明提供一程式儲存裝置，可由一琴 ，取二有騎具體化具齡m ^ ^ 述方法步驟，供設計-交替相以= ^厂中又替相移光罩被財投影—積體電路設計之一影 *1豕 f ^方面，本發明提供一製成品（artide 〇f manufacture) ’其包含具電腦可讀取 可用媒體，供實行上射法步驟。 于㈣電知 【實施方式】 說明本發明較佳實施例時，文中將參照圖式之圖一至 十七，其中類似編號代表發明之類似特徵。 本發明容許於一階層式設計之正確可上色 中，選擇性地(optionally)做相設計與相傳輪bhase transmission)的指定(即預上色），舉例而言，在名冊 或小巨集等級(稱做-元(cell)) ’接著在個別元组合之 列，其組合成網，而網進一步結合成網和元組合之陣列。 4 旧 M05055TW.doc 10 1351625 於階層式设计之每一單元中，例如元、一陣列、一網、或 網及/或元組成之陣列中，相形(phase shapes)為二元可上 色(binary colorable)。以另一方式說明，當在一階層式單 元中做相或色之指定，相或色之指定會是正確地二元上 色，以滿足微影、可製造性和其他設計規則，總稱為上色 規則(coloringrules)。本發明之方法執行以元為基礎 (cell-based)或階層式單元為基礎(hierarchical unit_based)< 上色，並將元或其他階層式單元一起放入整個階層式設 計’使用標準佈線(wiring)與配置(placement)工具。此發明 於元或單元等級中使用相符合的出hase c〇mpliant)設計， 具有針對騎式可上色㈣定義柳單元間邊界條件之 月b力。根據本發明，於和其他單元組合期間，一階層式單 元中相之上色可改變(例如被反向(reversed)戋倒置 (flipped))，但一階層式單元之正確二元可上色性被保留， 其間化積體電路佈局之組合。

一較佳實施例於一標準後投片（tape〇m)最佳化工具 内，針對靜態隨機存取記憶體元，實施相同色.方案/、 (Mentical color scheme)，其係藉由形成於元間的二所 設(dummy)間隔所形成之間隔中之相連之相形的合併而亚 達成(以下進-步解釋）。若虛設間隔，驗 束^同色(例如-（Γ相形)之二不同網，藉反向^中: 網中的所有姉之相或色，可魏橫跨虛關隔之 (phase transition) ° 夂 圖-所繪之流程圖顯示實施較佳方法 係::交替相移光罩中，上色一部分上色的設計。= :用在-初啟亚未上色之交替相移光罩之上色相形； 來校正(correct)或確認(conflnn)預上色交替相移光罩= 4IBM05055TW.doc 11 之兀上色。當以手動開始最佳化設計單元210或標準元 212時。，兩者皆初始佈局214,其有標示出(designating)〇。 和180 目移區域之已上色相區域。預上色單元元(unit cells)接著被並列與連接，以形成元組成之網us，且相鄰 =之任何相色衝突藉由倒置(即反向卜或其他元之色來 杈正。校正相上色後，元組成之網被並列接觸另一相上色 =組成之網218 ;若網之接觸元間有任何的上色衝突，其 -網周^目^會完全反向。若元組成之網靠近但不接觸另 7間隔大於微影與製造系統中解析度所需之 隔dii1’「並*於相形間無傳輸光交互作用之一間 之網2之一的=，设」形，且藉由完全反向鄰近虛設形 何ΐ上色=，而解決任何衝突。接著，網或相鄰元中任 移區域=iiserents)被上色，以藉查詢〇。或18〇。相 °°二 之相色來維持色邊界條件222。 形。益认哪插心我仁未上色的父替相移光罩之相 .，局被建立“未上色相區域 22? ^二未色佈局接者被上色以維持邊界色條件 相移光t之方法步驟將於後述中藉由—交替 相移=^;二步說明，其中，交替 一晶片電路設計。 中使用之個別元所為之 準元庫。每—元有 a般來自電路没計之一標 對的頂與底邊緣24c、24 緣24a、24b，和相 22C、细，其中22a * 2如含f目移形⑼、22b、 如為〇相區域，穿過其間而傳 叫 BM05055TW.d〇e 1351625 輸的光不會產生相移，而22b與22c為180。相區域，* 過其間而傳輸的光會有一 180。相移。為例示簡單起見牙 0°相區域由一「0」標示’而180。由一「丨」標示。可 使用任何其他相移度數之組合，只要兩相間差異為 180° 。這樣的相移區域可藉任何習知技藝而創造於實際 光罩中，像是藉由在不同相移區域中，變化例如—石英光 罩之厚度至不同等級。一交替相移光罩上這些形之佈局決 定所投影之電路線和其他組件。當光傳輪過元2〇之相移 形，光束間的交互作用與相消的結果，在相反的相移 φ 和1之間創造出線。 元20與20a中，相移區域22a和22b相鄰並沿著元 邊界二文中說明之個別元一般具複數個具相反相之相移區 域於元中，像是元20中的22c、22d’但為例示簡單起見， 内部會被忽略，元僅顯示於邊界相移區域，如元2〇a。傳 統玻璃上鉻(COG)片段亦可用於交替相移光罩設計之内 部° 若來自相同庫名冊的元20和2〇a沿彼此並列，以形 成一第一網，如圖三，元20之相1和元2〇a之相〇間的 接觸會創造一衝突(相鄰邊緣間之間隔小於山）。除非補 救，此不同相之接觸會產生一線於元2〇之22b與元2〇a 之22a之二相移形間，而此處是不希望有線的。要校正邊 界處之一單元的街突，其中一單元(元2〇a)中的已上色形 或相，根據其環境中的邊界條件而被反向或倒置。 要讓此上色規則或功能完成，元可以一引數 (argument)或標示來識別，其指出於元中之相或色可被反 向，而不影響光罩要創造之電路部份，亦即，此元為可倒 置；或者以另一引數或標示，指出元或網中有些限制，使 4 旧 M05055TW.doc 13 1351625 相或色無法被反向，亦即，此元不可倒置。栌攄太旅明， 此可=可倒置引數提供其中之」i置色：本發明， 或色被反向。元2〇之细與元施之孤 的接觸麵，贴被_地設相⑽與 :7°2%之引數設定成指出元為不可倒置，元 Jit丨改變’軸歸地，元2G之械色會反向(假 =ψ ΪΓ疋成指^其為可倒置）。若兩者的引數皆設定

都不可倒置，則兩元之相皆不可反向，而必須 找其他解決方法。 類似地’若元20之22b與元2〇a之瓜的組合邊界 f形不5此接觸，但間隔小於-預定最小間隔山的-距 離，_則八中之一亦會被倒置以達同色。此示於圖五，其中 間隔d分隔相形22a與22b，且叫。預定最小間隔山 係不可解析(notresolvable)之間隔’且視影響相形之尺寸 與間隔的微料統、光罩可製造性、和設計規則而定。選 擇性地，元20之22b與元20a之22a的相形可合併在一 起。

可倒置/不可倒置上色規則或功能容許一階層式上色 方法’其中較低階設計元件，例如標準元庫，可一次上色， 並接著和其顏色一起儲存在一庫，供稍後納入(有或無倒 置)一較大的設計單元。 圖六顯示將另一元加至由元2〇與20a之組合所形成 之網。來自一標準元庫之另一名冊(名冊2)的元3〇被加到 元20a的右邊。因為元2〇a和30之相鄰邊界24b和34a 之間的間隔d，大於最小可解析間隔山，且小於最小無交 互作用間隔屯，則插入一、、虛設"形或線4〇，來實施元 4IBM05055TW.doc 14 1351625 =〇a之邊界相形22b和元3〇a之邊界相形32& μ的一 _s^ransiti〇n)，使得它們為互相反相，如圖六所示。 若元30之邊界相形32a預上色為相〇，會適用一色 反向M〇r-reversing)規則或功能，以反向名冊2元中 之色，以及一網中連接到它的任何其他名冊2之元。以此 方式，相形32a會有相或色丨，與元2〇a之相b 0相反。 』巴

因元如與30a之相形32b與32a各別地彼此接觸， 如圖/、所示’為一致地指定其他相色給一網中直接連接元 30的任何元’一色連接規則或功能會指定色〇給相鄰元 30a之邊界相形32a。若相鄰元3〇a與元3〇 於預定最何解制隔dl，此亦會發生。&剛、 若鄰近兀30之下一元間隔一距離di<d<d2,亦產生— 虛設線，频一步的上色規則或功能會指定與元30之相 鄰相形相反之色給下一元中的相鄰相形。此示於圖七，其 二，二插在元30之相形32b(色〇)及元30a之相g 一因元20a之邊界相形22b和元30之邊界相形32a，

及元30之邊界相形32b和元30a之邊界相形32a在交互 作用之距離4内，且被解析(即大於間隔山），藉由經過相 鄰、相反相形的光之交互作用與相消，一無功能或虛設線 會形成在光阻上，其中相鄰、相反相形形成於一完成光罩 上0 然較佳的疋虛設線造成一相變，使得相鄰相形永遠為 互相反相，但這並非必須。在鄰近虛設形之元或網之一的 相鄰邊界相形無法有相反之相時，鄰近虛設形的邊界相 可能為相同之相。 4BM05055TW.doc 15 1351625 别述上色規則可用於程式碼，以實作如文中說明的設 計一交替相移光罩之方法。 圖八描繪一晶片電路設計7〇，其中深色多角 polygonal)組件係、欲由交替相移光罩以微影技術創造。組 件50為一靜態隨機存取記憶體陣列之部分，而組件60 為連^至^•態隨機存取記憶體之一邏輯電路的部分。如圖 =所不i靜態隨機存取記憶體陣列5〇初始並非整合地創 造丄而是1 一較低階元52中所得片段組合而成，其接著 於系列成何連接(geometrical links)中複製，以創造一個 二或次陣列54，其本身與其他類似網一起複製而形 成靜態隨機存取記憶體陣列5〇。類似地，個別邏輯元 62=: 62b、62c 和 62d 組合成邏輯列(rows)64a、64b，其 ，著組合成具咼階電路部66a、、66c的一較高設計單 70 ’即邏輯電路6〇。個別元組合成元組成之網或列，以 及進-步成_，代表電路設計之階層。如絲技術，只 是加相形至圖八與九之料，要創造所需之交替相移光罩 是困難的。 然而，根據本發明，圖八之電路設計的交替相移光罩 由個別元創造’其接著結合成網或次陣列，網接著進一步 結合成最鱗列以投影電路。圖十赌_元仙和其 他兀152b、152c和I52d之組合，以形成一網154a。以 類似方式麵之網154b、154。和154d縣與網15如結 合，以形成交替相移光罩靜態隨機存取記憶體陣列15〇。 兀中相形之不同相或色由影線(hatching)之對角線之方向 顯示，自左上至右下延伸的線為一相，例如〇。或色〇或 ㈠，而自右上至左下延伸的線為相反之相，例如18〇。或 色1或(+)。每一組合之階層等級中，邊界相被比較，決 4IBM05055TW.doc 16 1351625 定是否有任何相鄰元或網之相應該被倒置或反向。 低被柿，*其他相形藉現有階層式元複製之 $複某些情形中’—特定設計或偏好情 形像疋非⑦而岔度電路中，相形最好是固定的，且 由任何進一步的晶片組合指令操縱(mampulated)，亦即‘Γ 它們應標示為不可倒置。 顯較#树鮮元德合以軸電路之邏 輯陣列部。在頂列中，個別元162a、祕、職、16=

已以對角線影線指定相形’其分別為創造個別邏輯部 i2a、62b、62c、中組件所需。要在個別元組合時決 ，適當_色指定’只有邊界元之初始㈣要被描緣，如 底下-列中之個別元之邊界的㈩和㈠標示所示。當 兀放置鄰近另-個，並組合成元列164&時，個別元之 形會依需要倒置，以避免佈局衝突，例如元162a和元咖 間的邊界衝突以及元162c和元I62d間的邊界衝突。列 164b中，相鄰元和162c、以及相鄰元16 間有邊界衝突。 _

如上述，要完成此，某些元的相指定可能需倒置， 個別兀中的所有相被反向，使得元中的相關相.指定被維 持’同時絕對相(absolutephase)被調整以達成邊界條件。 如圖十二所示，要解決列164a中之衝突，元相彤 ，倒置，使得元162b之左邊界對元162a之右邊界色7 呈現色㈠。元162b則亦於其右邊界呈現色(_；^以類似方 式，兀162c之相形需要倒置，使得它在其左邊界、鄰 元162b處呈現色(_)，以及在其右邊界、鄰近元l62d處。 現色(+)。要解決列164b中的衝突，圖十二顯示元162d 中之相形倒置，以對相鄰元162c呈現類似色，而接著 4IBM05055TW.doc 1351625 發70 162b中相形之倒置。類似地，在列164b之另一端， 元162a t的相形倒置以匹配元丨必。 圖十二顯不鄰近靜態隨機存取記憶體單元陣列15〇 之組合列_、祕_邊界。如圖十三獅，在列祕 之左邊界相和靜態隨機#取記憶體單元陣列⑼ 邊界相之間有衝突。 .圖十四顯示此衝突的解決，其中列164b之所有相來 + 以改憂左邊界為相或色(+)。圖十四亦顯示邏輯 列164a _已倒置、校正之個別元的相形色，如圖十二= 討論。 在低階設計單元(像是靜態隨機存取記憶體單元 和邏輯列)組合後，圖十五顯示元166a、166b、16&之相 形色的指定，以分別產生較高階電路部66a、66b、66 ，巧不），使得無相衝突存在。最後，圖十六描繪靜離 Ik機存取記憶體和邏輯電馳件之完成的相獅，其具^ 覆(overlap元166a、b和c，且所有衝突都解決了。、 >文中所說明方法可用於暗視野(dark-field)光罩設 計’其中元件形得、由光罩上透明區域所定義，也可用於一 明二野光罩設計中，其中元件之背景係由光 上透明區域所定義。 本發明之用以設計-交替相移光軍的方法，可由一電 S式或軟體實作，其中此電腦程式或軟體係含有上述程 ^驟和齡或是含有傳統程柄式，並儲存在—電子設 计自動化(electronic design aut〇mati〇n(EDA))工且或是盆 他傳統程式儲存裝置上。如圖十七所示，程式碼以及任何 所需之輸人資訊，可在電子設計自動化工具或電腦8〇中 儲存於一程式儲存裝置82上，像是一半導體晶片、一唯 4IBM05055TW.doc 18 1351625 媒體(像是一磁片或電腦硬碟），或光學媒 84，二上^^^⑽释電腦系統⑻有一微處理器 二心迷方式讀取和執行裝置82情儲存程式石馬。 替相ίΙίϊΐϊ例而設計相移區段之佈局後，接著，交 替相移先罩可由傳統、習知方法製造。 來確由錢鄉光罩之元的設計者使用， μ 為相符合的⑼^北⑺111151^1^，而使得庫元 組合使用。以此方式，設“ 梦於腊合—特定触實施例制地說明，铁而 很明顯的有許多替代選擇、修改和變^ :任以ίί:易見。因此預期所附申請專利範圍會包 實範嘴與精射。 、魏為在本發明之真 因此’已說明本發明，專利申請範圍如下述。 【圖式簡單說明】 本發明的特徵係具新穎性，本 所附申請翻關詳細提性將於 繪製。然而，對結構與運作方法而非照比例 卜、。=所_式之抽說明而有最佳了解，U乂 圖係一流程圖，例示—办兹4。# Ϊ 分上色設計之健方法墙目移光罩中，上色—部

斜平面圖’緣示來自電路設計之-才H 圖三係—平面圖，繪示 =相移形； 一網’其顯示相鄰邊界處的相衝突；、〜，以形成—第 4IBM05055TW.doc 19 丄乃1625 圖四係一平面圖，繪示圖三之衝突的解決，其係藉由 倒置其中一元之相； q 圖五係一平面圖，緣示圖二中元的結合，以形成— 一網，在元邊界之間具有間隔； 圖六係一平面圖，繪示圖四之元網(cell net)，被加上 另一網，且在二網間創造“虛設(dummy)線”； 圖七係一平面圖，繪示加在圖四之元網的另_ 1 在第一和第二網之間以及在第二網中創造虛設線；、，/、 ▲圖八係-平面圖’根據本發明而纟會示—晶 計，其係用來例示交替相移光罩之設計； 队 _圖九係一平面圖’1會示製作圖八之電路設計所需靜離、 思機存取記憶體陣列和邏輯電路之個別片段； ^ _ Ϊ十係一平面圖’纷示用來製作圖八電路設計之靜能 心機存取記憶體陣列的組合交替相移光罩元； 靜心 輯列，十：圖，繪示用來製作圖八電路設計之邏 ^ 始組合㈣相移光罩元，其元具衝突的相邊界^ 以於面圖，緣示某些被倒置之元的相，其用 又“-相移光罩邏輯列元之衝突邊界條件； 佈局和靜圖十二邏輯列之交替相移光罩 件； 心奴機存取記憶體元陣列結合的邊界條 元陣靜態隨機存取記憶體 圖十五係父:父替相移光罩； 邏輯，部之電路設計的較高階 θ系平面圖’為根據本發明製作之圖八的晶片 4 旧 M05055TW.doc 20 1351625 電路設計的已完歧_移鮮佈局；以及 射七係—示意圖’根據本發明繪示一電子設計自動 工具或含有程式碼於一程式儲存裝置的電腦，用 以在一交替相移光罩中，執行上色一部分上色設計之方

【主要元件符號說明】 20, 20a 元 24a，24b，24c，24d 邊緣 32a，32b 相形 40, 40a虛設形 22a，22b, 22c, 22d 相移形 30, 30a 元 34a，34b 邊界 54二維網或次陣列 62a，62b，62c，62d 邏輯元 66a，66b，66c高階電路部 80電腦 84微處理器 150交替相移光罩靜態隨機存取記憶體陣列

50靜態隨機存取記憶體陣列之部分 52元 60邏輯電路之部分 64a，64b邏輯列 70晶片電路設計 82程式儲存裝置 152a, 152b，152c，152d 元 154a，154b，154c, 154d 網 162a, 162b，162c, 162d 元 164a, 164b 列 166a, 166b, 166c 元 4IBM05055TW.doc 21

Claims (1)

1351625 * · 案號：94118639 100年6月22日修正-替換頁 十、申請專利範圍： 種 °又s十一父替相移光罩(alternating phase shifting mask)的 方法，該交替相移光罩供投影一積體電路設計之一影像，該方 . 法包含： ^ ^供上色(coloring)規則’供指定(assigning)相(phases)給一 父替相移光罩之相移形(phase shifting shapes); /提供一第一元(cell)，其包含至少可指定一第一相之一相 移形，以及包含相反於該第一相之可指定一第二相之至少一相 ，开乂 ’ °亥相移形之至少之一鄰近(adjacent to)該第一元之一邊緣 _ (edge) ’其巾該第-元中所有相移形係根獅上色規則為二元 (binary)可上色； &供一第二元，其包含至少可指定一第一相之一相移形， 以及包含相反於該第一相之可指定一第二相之至少一相移 形，該相移形之至少之一鄰近該第二元之一邊緣，其中該第二 元中所有相移形係根據該上色規則為二元可上色； 石5亥第二元之一邊緣並列(juxtaposing)該第一元之一邊 緣，使得分別鄰近該第一與第二元邊緣之該相移形彼此鄰近； 以及 φ λ 創造—元陣列(cell array)，包含該第一與第二元排列使得 該陣列根據該上色規則可上色，同時維持(preserving)該第一與 第二元之二元可上色性。 、 2. 如請求項1所述之方法，其中於並列該第一與第二元之邊 . 緣後，該相指定給該第一與第二元之相移形。 3. 如請求項1所述之方法，更包含： 指定相給該第一與第二元之相移形； 4IBM05055TW.doc 22 1351625 於/σ該弟一元之邊緣並歹彳兮楚—_ 與第= :決定該第— 之：= 相這㈣ (opposite phase)，則反向(reve 的相移形為互相反相 相移=之相，使得相鄰的相移形為^相厂弟二兀其中之一的 若該第一與第二元中相鄰 隔’但小於-間隔，藉此該間^預定最小間 light)之交互作用(interacti〇n) ^ 傳輸光(transmitted 移形間；以及 —虛設(dun血y)間隔於該相 創造具該第-與第二元之元陣列。 4. 如請求項3所述之方法，t中 相移形彼此接觸，且若這樣的相鄰的相為相鄰的 為同相；或，若該第-^移开 =目’使得該相㈣相移形 觸，但小於-預定最小間;^===移形沒有彼此接 反相，反向該第-與第二元射之3==彳目移形為互相 鄰的相移形為同相。 相移形之相，使得該相 5. 如請求項3所述之方法，其中該第—灿含 之-端7L(end cell)，該第-元陣列具有 : 個相移形’其中該第-與第二元中相鄰的形 第二元之元_前，_第1_/_^^向一與 4 旧 M05055TW.doc 23 3所述之方法’其中該第包含鄰近-邊緣、 nu。相移形，以及鄰近該元之-相反邊緣、具該第 7.如ί求:員!所述之方法，更包含： 含相’其包含至少—第—相之—相移形，以及包 至少，；近該的至少-相移形’該相移形之 緣，^第二元其中之一邊緣並列該第一元之一邊 ΐ近li 第三灿第—或第二元邊緣的相移形彼此 得若第二巧中之-的相移形之相，使 ϋ於_魏小間隔且為互相反相時，該相_相移形為同 創造具該第-、第二和第三元之一元陣列。 所述之方法’其中該第―、第二和第三元形成 9- ΐχ=。所述之方法’其中該第-、第二和第三元形成 4IBM05055TW.doc 24 1351625 案號：94118639 ⑽年Μ 22日修正.替換頁 一月求項3所ϋ之方法’更包含合併(merging)該第一奧 一凡中之相鄰的相移形。 “ ί包含決定該第一與第二元哪個 者，其該相移形之滅=第—_元愉多該相移形 Ϊ·相3所述之方法，其巾該第—與第二元其中之-包 t4積·峨罩供投影 形，個相移 :相5=及包含相反於該第-相之該二二、;m 相反於該第-相之該第二相移形以及具 之一鄰近該第二元之一邊緣； 相移形，该相移形之至少 〉'σ °亥第一元之一邊緣並列該第一 -近該與第二元雜之_移形輕，使得分別鄰 決定該第一與第二元令相鄰 ΐ定該第-與第二元中相鄰的相任何間隔； 右该第—與第二元t相鄰的相移之相之任何差異； 之-預定最雜，且細_‘=== 4IBM0505STW.doc 25 1351625 與第二元其中之一的相移形之相，使得相鄰的相移 若該第一與第二元中相鄰 隔，但小於-間隔，藉此該間隔相預^疋取小間 插入-虛設間隔於該相移形間；^s，，·、傳輸光之父互作用’ 列。為-交替相移光罩創造具該第—與第二元其中之一元陣 相鄰的 與第二柳“= 16.如請求項14所述之方法，其中該第—元包 二相移形’以及鄰近該元之—相反邊緣、具該第 5反j: j: f ? -元中之相移形避免 =於該預疋取小間隔且為互相反相，該第二元中之相移形被 元哪 所述之方法，更包含蚊該第-盘第 =有七夕相’形，以及雌該第一與第 者’其該相_之相被反向。移形 19. 種程式儲存裝置，可由一器械讀取，有形地_喻 4 旧 M05055TW.doc: 26 案號：94118639 100年6月22日修正-替換頁 Ji^r^body)具指令之-程式，該指令可由該器械執行以實行 ★田供設計一交替相移光罩之一佈局，該交替相移光罩 Ϊ用來投影—積體電路設計之—影像，該佈局具-第-元，該 二Ϊ包f至少可指定為—第一相之一相移形，以及包含相反 .目之可私疋一第二相之至少一相移形，該相移形之至 >'之-鄰近該第二元之-邊緣’該佈局更具一第二元包含至少 第-相之-相移形’以及包含相反於該第一相之可指 疋-第一相之至少—相移形，軸移形之至少之―鄰近該第一 元之一邊緣，該方法步驟包含： 贫^上色規則’供指定相給一交替相移光罩之相移形，該 第一，、第二疋中之相移形係根據該上色規則為二元可上色 (binary colorable)； 該元之一邊緣並列該第—元之一邊緣，使得分別鄰 近違第-與第二7〇邊緣之該相移形彼此鄰近；以及 巧-元陣列’該元陣列包含該第一與第二元排列使得該 陣列根據該上色賴可上色，同時特該第—與第二元之二元 可上色性。 如凊求g 19所述之程式储存裂置，其中該方法步驟更包 s於並列該第-與第二元之邊緣後，指定該相給該第—與第二 兀之相移形。 如晴求項19所述之程式儲縣置，其中該方法步驟更包 含： 指疋相給該第一與第二元之相移形. 於沿該第二元之邊賴_第—元之邊緣後，決定該第一 與第二元中相鄰的相移形間之任何間隔； 4 旧 M05055TW.doc 27 若該第-與第形間之相之任何差異； 之—預定最小間隔，且若這揭 移形小於系統解析度所需 反向該第一與第二元其中二沾目邠的相移形為互相反相，則 形為同相； 目矛夕开》之相，使得相鄰的相移 隔’但小於-間隔第的相移形大於該預定最小間 插入-虛設間隔於該相移形間無傳輸光之交互作用， 創造具該第-與第二元之元陣列。 第-元陣列之-端斤元有其中該第-元包含- 隔小於該預定最小間隔且為被決定為間 與第二元之元陣列前，所中於創造具該第- μ弟凡陣列中的相移形被反向。 ^如請求項21所述之程式 近—邊緣、具該第一相之一相敕# 1 ^中該弟一兀包含鄰 緣、具該第二相之-相移形相移形，以及鄰近該元之一相反邊 如請求項21所述之程式 移形避免被反向，且其中若★玄第:、:違—兀中之相 決定為間隔小於該預定最小間^^中相鄰的相移形被 相移形被反向。 ]^且為互相反相，該第二元中之 25.如請求項21所述之程式儲 併該第一與第二元中之相鄰的相^ 中4方法更包含合 4IBM05055TW.doc 28 案號：94118639 1〇〇年6月22日修正-替換頁 定該Hi21所述之程式儲存裝置，其中該方法更包含決 二?1 二:哪個有較多相移形，以及針對該第-與第二 中具較夕該相移形者，其該相移形之相被反向。 27. —種電腦可用媒體^〇呵加打_邯北16爪以丨如^)，且 =式碼手段實施於其+，供設計—交替相移光罩之一佈局， =替相移林被用來郷—積體電路設計之—影像，該佈局 八一第一元包含至少可指定一第一相之一相移形，以及包含相 反於該第一相之可指定一第二相之至少一相移形，該相移形之 至少之一鄰近該第一元之一邊緣，該佈局更具一第二元包含至 少可指定一第一相之一相移形，以及包含相反於該第一相之可 指定一第二相之至少一相移形，該相移形之至少之一鄰近該第 二元之一邊緣，包含： 電腦可讀取程式碼手段，用以提供上色規則，該上色規則 供指定相給一交替相移光罩之相移形，該第一與第二元中之相 移形係根據該上色規則為二元可上色(binary colorable); 電腦可讀取程式碼手段’供沿該第二元之一邊緣並列該第 一元之一邊緣，使得分別鄰近該第一與第二元邊緣之該相移形 彼此鄰近；以及 電腦可讀取程式碼手段，供創造一元陣列’該元陣列包含 該第一與第二元排列使得該陣列根據該上色規則可上色，同時 維持該第一與第二元之二元可上色性。 28. 如請求項27所述之電腦可用媒體’更包含電腦可讀取程 式碼手段(computer readable program code means) ’ 用以於並列 該第一與第二元之邊緣後，指定該相給具該第一與第二元之相 29 4IBM05055TW.doc 案號：94118639 移形。 1〇〇年6月22曰修正-替換頁 29.如請求項27所述之電腦可用媒體，更包人 相移I腦可讀取程式碼手段，供指找給具該i 一與第二元之 相移媽手段’供決定該第-與第二元中相鄰的 相移段’供決定該第-與第二元中相鄰的 電腦可讀取程式碼手段，若該第第 需之i定最小間隔，;若=== ，形為互相反相’供反向該第—與第二S其中之—的相移形 之相，使得相鄰的相移形為同相； 开可=程式碼手段，若該第-與第二財相鄰的相移 ‘心該預之最小間隔，但小於一間隔，藉此該間隔相形間無 =輸光之交互個’供插人—虛設(dummy)間隔於該相移形 間；以及 電腦可讀取程式碼手段，供創造具該第—與第二元之元陣 列。 30. 如請求項29所述之電腦可用媒體，其中該第一元包含鄰 近一邊緣、具該第一相之一相移形，以及鄰近該元之一相反邊 緣、具該第二相之一相移形。 31. 如請求項29所述之電腦可用媒體，其中該第一元中之相 移形避免被反向’且其中若該第一與第二元中相鄰的相移形被 決定為間隔小於該預定最小間隔且為互相反相，該第二元中之 4IBM05055TW.doc 30 ^51625 相移形被反向。 H請求項29所述之電腦可用媒11，更包t日^7。 式碼手段，供合併該第一與第二元中之相鄰的相移开/ 式^定可用媒體，更包含電腦可讀取程

腦可讀取程式碼手段，用以針c有較多相移形，以及電 相移形者，反向該相移形之相Γ弟—與第二元中之具較多議

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