TWI344179B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI344179B
TWI344179B TW96138060A TW96138060A TWI344179B TW I344179 B TWI344179 B TW I344179B TW 96138060 A TW96138060 A TW 96138060A TW 96138060 A TW96138060 A TW 96138060A TW I344179 B TWI344179 B TW I344179B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
electrode
discharge
plasma
cavity
Prior art date
Application number
TW96138060A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200917358A (en
Original Assignee
Atomic Energy Council
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atomic Energy Council filed Critical Atomic Energy Council
Priority to TW96138060A priority Critical patent/TW200917358A/zh
Publication of TW200917358A publication Critical patent/TW200917358A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI344179B publication Critical patent/TWI344179B/zh

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

13.44179 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ,纟發明係有關於-種雙模式卫作之電聚反應器裝 置’尤指運用-腔體内之—特定氣體放電產生不同放 電模式的電隸清潔物件表面之用,其操作簡單且可 連續以電漿清潔物件者。 【先前技術】 • #統物件之清潔方式須耗費大量化學清潔溶劑, 以及後續需使用大量清水沖洗及洪乾,此清潔程序不 僅會產生揮發性有機氣體造成空污問題,且浪費水資 ; 源、及耗時。以台灣而言,環保署最近擬修改法規,開 .徵默空污費,對此將在國内造成清潔製程更新之壓 力。另國際趨勢亦朝綠色製程之綠色產品方向前進, 相關法規亦在擬定或實施中。 鲁 A氣電漿清潔處理技術乃是利用氣體高麼放電方 式產生具有高動能的自由電子,經由此類電子與其他 氣體分子、原子碰撞轉移能量而形成自由活化基與激 心心77子等,再與物件表面之有機污染物發生反應如 氧化作用,將這些有機污染物轉變成無害或低污染物 質’達到清潔物·件表面之目的$為在此放電過程,, 主要外界能量均施加在電子上,原氣體分子能量並無 大f田麦❺即平均電子溫度遠大於氣體溫度,故稱為 非熱電漿。此技術具有省能與高效率之優點,且可大 1344179 幅減少化學品使用量。
一般高壓放電電漿反應器的結構設計與其應用之 標的物有密切關聯。目前應用於清潔物件表面上之電 漿反應器的主要有採RF放電及介電質屏壁放電二 種。採RF放電主要以一金屬振盪腔體放電為主,因 大氣中起始放電不易,常須以它法輔助,另須有調譜 裝置以負載匹配減少反射’其系統較複雜及成本較 高。介電質屏壁放電起源自1857年德國Siemens製造 臭氧’且延用至今並無巨大變化,此法之反應器則有 一或二個介電質絕緣材質於放電金屬電極間作隔離, 避免紐路,另此法使用一般交流高壓電源即可,故可 降低電源設置成本,因而應用層面較廣且普及。
乃叔中華民國專利公報公告第541614號之「電漿 π潔裝置」’此專利内容係為一種電漿清潔裝置,係於 支樓架内配合溝槽供放置數條平板狀的待清潔物於腔 體内配合電源供應||及電極外側之磁鐵所提供之磁 待?物提供—種電漿之清潔;崎徵在於該 :木内橫設有-傳動桿可與腔體的動力源連接並受 條待::使之在支撐架内可以上下作動同時將至少二 稼架影響且使清料=成為一種不會受支 便β為效果更為均勻的電漿清潔裝置者> 構複:然上二習用之電聚清潔裝置可清潔基板,但架 次需裝置數個基板,《清潔時間亦較長, (S >
6 1344179 每次清潔之基板數量有限’更換基板亦耗時,而電將 清潔裝置於更換職巾若不_電源即造成耗電,二 :::要浪費再次開啟之時間。故一般習用者係I法 符合使用者於實際使用時之所需。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於,提供—操作簡單 模式工作之電漿反應H裝置,只須將欲清潔之物件放
^於錢喷射處,依不同清潔物件可選擇不同施 率,即可達到清潔之功效,除可連續清潔物件外,亦 達到省電及降低成本之功效。 為達上述之目的,本發明係一種雙模式工作 漿反應器裝置’其包含一具兩個或多個氣體輸入埠之 氣體旋流空腔、-設置於該氣體璇流空腔内之第一電 極、-設置於該氣體漩流空腔内並與該第一電極相對 應之第二電極、一設於該第一電極與該第二電極間之 絕緣間隔層、一設於該氣體璇流空腔外之氣體輸入緩 衝空腔及一設於該第一電極外側之磁場產生裝置,另 有-與該第-電極及該第二電極電性輕接之高壓電源 裝置’用以提供氣體放電產生非熱電漿所需之高壓電 源,而本發明所產生之非熱電漿係由言亥第二電極之中 空圓柱通道喷射而出,且所欲清潔之物件只須放置於 電漿喷射出口處,即可以用電漿清潔。 、 1344179 【實施方式】 - 請參閱『第1及第2圖』所示,係分別為本發明 ’ 使用狀態之側視剖面示意圖及本發明使用狀態之俯視 剖面不意圖。如圖所示··本發明之雙模式卫作之電浆 反應器裝置1係包含一氣體漩流空腔2 i、一第一電 =1 2、-第二電極i 3、一絕緣間隔層丄4、一磁 %產生裝置1 5及一氣體輸入緩衝空腔丄6,另有一 ·_源裝置i 2 2與該第一電極丄2及該第二電極 1 3電性耦接,用以提供氣體放電產生非熱電漿所需 之高壓電源。 : 山該第一電極1 2係設於該氣體漩流空腔丄:内之 :、端該第一電極]2之中心係設有一中空圓柱氣流 圪C1 3 1其形狀為單端開口 一帽形。該第二電極1 3係與該第—電極1 2相對應,設置於該氣體旋流空 ^ 1 1内之另一端其形狀為一雙端開口之帽形。而該 電極1 2之内側係覆蓋有一第一絕緣層丄2工, /、X第電極1 2之外側係設有一磁場產生裝置1 5且5亥第一電極丄2係連接該高壓電源裝置1 2 2。 5亥第二電極1 3之中心係設有一中空圓柱通道i 1 °亥中空通道1 3 1係貫通第一電極1 2與第二 $極1 3之同心氣流通道。該第二電極i 3靠近該第 ▲電極1 2之一側係覆蓋有一第二絕緣層丄3 2 ,且 5玄第二電極1 3係接地電極。 1344179 。玄第電極1 2與第二電極1 3間係設有該絕緣 間隔4 ’並與絕緣間隔層121及絕緣間隔層m 構成氣體璇流空間η。該絕緣間隔層工4係設置有兩 個或多個圓形對稱之細小氣體輸入埠丄丄丄貫穿到氣 體旋流空腔11。該第一電極丄2與第二電極丄3係由 -金屬導電材質所製成,該金屬材質可為不導磁之銅 合金,且該電極之厚度可視實際運作考量之,厚度可 為3〜5mm。該第一絕緣層1 2 1與該第二絕緣層丄3 2之材質可為鐵弗龍(PTFE)、聚芳醚酮(ΡΕΕκ)、 聚乙烯(PE)、陶瓷、玻璃、石英等,厚度可為〇5〜3_。 而該高壓電源裝置i 2 2係為一高壓高頻 (>lkHz)交流電源裝置。 當使用本發明時,一工作氣體係先進入該氣體輸 入缓衝空腔1 6後,經由絕緣間隔層i 4該兩個或多 個細小之氣體輸入埠1 1 1 ’加快流速進入該氣體旋 流空腔1 1中。s玄氣體旋流空腔1 1係設有兩個或多 個氣體輸入埠1 1 1,該氣體輸入埠1 1 1係採圓對 稱設置,以近切線角度鑽孔穿透該絕緣間隔層1 4, 其口徑極細’約在1mm左右’當該工作氣體從該氣體 輸入埠1 1 1通入時,係於該絕緣間隔層1 4、該第 一絕緣層1 2 1與該第二絕緣層1 3 2所構成之氣體 璇流空腔1 1内之放電空間形成高速漩流,以加長該 工作氣體在該放電空間内的流動路徑,增加碰撞;欠數
9 1344179 產生更多活性自由基。中,上 土八中,邊工作氣體係可為氧氣、 氮軋、空氣、氦窮、畜盏 产 乱風乳、四氟化碳等乾燥氣體,亦 可視欲清潔物件之污染性質而添加水氣調整混合之。 §亥絕緣間隔層1 4之材質可為鐵弗龍(PTFE)、聚乙 = (PE)等’且該絕緣間隔層14之厚度可視實際高 壓運作及放電間隙距離考量之,該絕緣間隔層“之 厚度可為G.5〜3_,而在該第—電極丄2側邊之該第 一絕緣層12β該第二電極13側邊之第二絕緣層 1 3 2間所形成之實際放電間隙距離係可為G3〜icm。 當工作氣體在進入該氣體輸入緩衝空腔16後, 係藉由該氣體輸人蟑Η 1加速進人該氣體旋流空腔 1 1内形成尚速漩流,此時該高壓電源裝置丄2 2係 ^出高壓電源至該第—電極1 2,㈣轉該氣體璇 流空腔1 1内之氣體因高壓放電游離而產生電浆,且 4磁%產生裝置i 5係因位在該氣體漩流空腔i 1之 T央而產生一對稱軸向磁力線,可協助導引控制游離 軋體喷射之方向且增加喷射速度,故該電漿係由該第 二電極1 3間之該中空圓柱通道工3工喷射而出,其 乳流運動方向如圖1所示。當高壓放電產生電漿之 時,於低電流情形下,主要於兩平板間之氣體漩流空 腔1 1產生放電,主要為絲光(streamer)放電,故 稱此工作模式為絲光放電;但若再提升放電功率時隨 工作電流之升高’此時將轉為火花(SPARK)放電,其 1344179 放電主要產生於兩電極間之中空圓柱通道ΐ3ι,故 稱此工作模式為火花放電。料空11柱通道i 3 i之 管壁係為電絕緣材質,可為鐵弗龍(ptfe) ㈣(PEEK)、聚乙缔㈤)冑絕緣材質,其通道 内之直徑可為(MM.Sem,而該中空圓柱通道i 3丄之
出口亦可逐漸縮小成—喷嘴狀,以提昇氣體於出口端 之流速’其喷嘴π之直經可為G3〜Q8em。本發明之欲 清潔物件2只須放置於該中空圓柱通道i 3 i下方 即可以電t達到清潔之功效1磁場產生裝置15可 為-水久磁鐵,或一可由電流控制磁場大小之通電線 圈磁鐵。該氣體輸人緩衝空料6之作用除提供一氣 體輸入緩衝空間外’更作為聯結該第-電極i 2、該 第二電極1 3及該磁場產生裝置i 5之絕緣固定裝 置,其材質可為鐵㈣(PTFE) $聚芳賴(peek) 等可機械加工製作之絕緣材料。
第3圖,係本發明實例測試結果示意圖,亦為本 發明雙m之電漿反應器裝置的實例職結果, 在大軋壓下,以空氟為工作氣體,於低電流情形下, 為絲光放電於兩平板電極間,主要為臭氧產生;但當 電流升高時,轉為火花放電主要在於中央通道兩電極 間’臭氧沒有了,反而生成高濃度的氮氧化物。 古岭發明可在一大氣塵下工#,且㈣配合輸送 平台的程序控制,並可依照不同清潔物件的污染特性
需求,rK 之物3由調整施加功率,改變放電模式,對欲清潔 少值件進行清潔。又因採先進電漿清潔方式,大幅減 統化學清潔溶劑之使用,為一綠色技術。 综上所述,本發明之雙模式工作之電漿反應器可 A改善習用之種種缺點’操作簡單,並只須將欲清 置於電”射處,即可達到清潔之功效, 可連續清潔物件,達到省電及降低成本之功效,進 使本發明之產生能更進步、更實用、更符合使用者 所々’確已符合發明專利申請之要件,爱依法 專利申請。 、♦准X上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已’ \不能以此限定本發明實施之範圍;⑨,凡依本發明 申》月專利紅圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變 化與修飾’皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 1J44179 【圖式簡單說明】 第1圖’係本發明使用狀態之側視剖面示意圖。 第2圖’係本發明使用狀態之俯視剖面示意圖。 第3圖,係本發明實例測試結果示意圖。 【主要元件符號說明】 電漿清潔裝置1 氣體漩流空腔1 1 氣體輸入埠1 1 1 第一電極1 2 第一絕緣層121 高壓電源裝置122 第二電極1 3 中空圓柱通道131 第二絕緣層1 3 2 絕緣間隔層1 4 磁場產生裝置15 氣體輸入緩衝空腔16 欲清潔之物件2

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍: 1種雙模式工作之電漿反應器裝置,其至少包括 有: 一高壓電源骏置; 一氣體輸入緩衝空腔; ^ 氣體漩流空腔,該氣體漩流空腔係設置於 該氣體輸人緩衝空㈣,該氣體錢空腔係包含 兩個或多個氣體輸入埠; 乜咖第電極,該第一電極係設置於該氣體漩 Ί二腔内,並與该高壓電源裝置電性耦接,且於 其表面覆蓋一第一絕緣層; 士一第二電極’該第二電極係設置於該氣體漩 #工腔内,並與該第一電極相對應,且係接地電 極,而該第二電極之中心係設置有一中空圓柱通 道,又於第二電極表面覆蓋一第二絕緣層; 一絕緣間隔層,該絕緣間隔層係設置於該第 一電極與該第二電極之間;以及 一磁場產生裝置,該磁場產生裝置係設置於 該第一電極之外側。 •依申明專利範圍第1項所述之雙模式工作之電漿 反應器裝置’其中,當高壓放電產生電漿之時, 於低工作電流情形下,主要為產生絲光放電於兩 平板間之氣體璇流空腔,此時為絲光放電工作模 2 ;但若再提升放電功率產生電漿時,隨工作電 Μ之升问,此時將轉為火花放電,其放電主要產 生於兩電極間之中空圓柱通道,此時為火花放電 工作模式。 •依申請專利範圍第i項所述之電漿裝置,其中, 該氣體漩流空腔之兩個或多個氣體輸入埠係雀圓 對稱ηχ置,以近切線角度鑽孔穿透該絕緣間隔 層其口徑系勺在1 mm左右;而一工作氣體係從該 兩個或夕個氣體輸入埠通入,於該絕緣間隔層與 ==、一電極所構成之一放電空間内形成高速 旋流,以加長該工作氣體在該放電空間内的放電 路徑,增加碰撞次數產生更多活性自由基。 •依申請專利範圍第2項所述之電漿裝置,其中, ,工作氣體係可為氧氣、I氣、空氣、氦氣、氬 氡或四氟化碳等乾燥氣體,也可視欲清潔物件之 污染性質而添加水氣調整混合之。 依,请專利範圍第i項所述之電漿裝置,其中, =第電極與該第二電極係由一金屬導電材質所 製成,而遠金屬材質可為不導磁之銅合金,且該 電極之厚度可視實際運作考量之,厚度可為 3〜5mm。 1344179 加工製作之絕緣材料。 11·依申請專利範圍第1項所述之電漿裝置,其 中,該高壓電源裝置係為一高壓高頻(>1 kHz)交 流電源裝置。
TW96138060A 2007-10-11 2007-10-11 Atmospheric plasma reactor apparatus with a dual-working mode TW200917358A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96138060A TW200917358A (en) 2007-10-11 2007-10-11 Atmospheric plasma reactor apparatus with a dual-working mode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96138060A TW200917358A (en) 2007-10-11 2007-10-11 Atmospheric plasma reactor apparatus with a dual-working mode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200917358A TW200917358A (en) 2009-04-16
TWI344179B true TWI344179B (zh) 2011-06-21

Family

ID=44726374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96138060A TW200917358A (en) 2007-10-11 2007-10-11 Atmospheric plasma reactor apparatus with a dual-working mode

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW200917358A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI511624B (zh) * 2011-09-08 2015-12-01 Toshiba Mitsubishi Elec Inc 電漿產生裝置、cvd裝置以及電漿處理粒子生成裝置
TWI511623B (zh) * 2011-09-09 2015-12-01 Toshiba Mitsubishi Elec Inc 電漿產生裝置及cvd裝置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI449080B (zh) * 2012-07-25 2014-08-11 Au Optronics Corp 電漿反應機台

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI511624B (zh) * 2011-09-08 2015-12-01 Toshiba Mitsubishi Elec Inc 電漿產生裝置、cvd裝置以及電漿處理粒子生成裝置
US10297423B2 (en) 2011-09-08 2019-05-21 Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation Plasma generation apparatus, CVD apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus
TWI511623B (zh) * 2011-09-09 2015-12-01 Toshiba Mitsubishi Elec Inc 電漿產生裝置及cvd裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200917358A (en) 2009-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101129100B (zh) 大气压等离子体喷射装置
JP5891341B2 (ja) プラズマ生成装置及び方法
CN102149247B (zh) 多级电离产生低能量高密度等离子体的装置及方法
CN101466194A (zh) 预电离大气压低温等离子体射流发生器
CN102625557A (zh) 大气压裸电极冷等离子体射流发生装置
CN102065626B (zh) 大气压低温等离子体电刷发生装置及其阵列组合
CN108834298A (zh) 一种通过辅助放电控制射频射流长度的装置与方法
CN100358198C (zh) 一种用于实现大气压下空气中均匀辉光放电的方法
CN202288940U (zh) 一种大气压低温等离子体射流灭菌装置
CN104936371B (zh) 一种空心电极介质阻挡结构
ITPD20130310A1 (it) Metodo per la generazione di un getto o jet di plasma atmosferico e dispositivo minitorcia al plasma atmosferico
CN103945627A (zh) 一种手持式大面积低温等离子体发生装置
TWI344179B (zh)
CN106488639B (zh) 大尺度脉冲冷等离子体射流产生装置
CN201986252U (zh) 大气压低温等离子体电刷发生装置及其阵列组合
CN105101603B (zh) 一种介质阻挡放电等离子体射流装置
CN103997842A (zh) 提高大气压等离子体射流阵列空间均匀性的方法
Walsh et al. Atmospheric dielectric-barrier discharges scalable from 1 mm to 1 m
CN104540313B (zh) 大气压中空基底电极等离子体射流发生装置
CN203610023U (zh) 一种具有旋转电极的大气压辉光放电等离子反应器
TW200822980A (en) Atmosphere plasma cleaning and treating device
CN109587921A (zh) 一种耦合高能电子的等离子体射流发生装置
CN102820204A (zh) 一种射频、介质阻挡常压辉光等离子体扫描去胶系统
CN109065433A (zh) 一种常压脉冲辅助平板射频辉光放电的装置与方法
Li et al. Radio‐Frequency, Atmospheric‐Pressure Glow Discharges: Producing Methods, Characteristics and Applications in Bio‐Medical Fields

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees