TWI343997B - Multi-ion potential system and fabrication thereof - Google Patents

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TWI343997B TW096120537A TW96120537A TWI343997B TW I343997 B TWI343997 B TW I343997B TW 096120537 A TW096120537 A TW 096120537A TW 96120537 A TW96120537 A TW 96120537A TW I343997 B TWI343997 B TW I343997B
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Jung Chuan Chou
Nien Hsuan Chou
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Univ Chung Yuan Christian
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)9細明15日修正替換頁 . 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 , 本發明涉及-種感測系統及其製作方法,尤其是一種電 • 位式多重感測系統及其製作方法。 【先前技術】 目前電化學❹彳ϋ應祕醫學及環境領域越來越受到重 視,如人體參數檢測分析與環境量測評估系統,電化學感測器 係將化學点轉換成電能,電化學感測元件操作的三種傳導機 • 制,包含電流式、電位式與阻抗式。 • 更由於近年來製程、環境品質與生醫臨床檢測領域之需 求’結合具有不同離子選擇特性之感測器以整合構成多重離子 感測器為許多學術研究與商業化應用之趨勢,而過去常於實驗 至中使用精推且複雜之分析儀器,如傳統之多重離子檢測系統 係以傳統之離子檢測電極量測參數數值?具有體積較大、易碎 與製作技術成本昂貴等缺點,故,目前發展以簡易之檢測平台 架構取代’以使感測器製作成本降低與提升感測器應用之普及 ‘ 化0 再者’網版印刷被稱為萬能印刷。它能在各種承印材料 上進行印刷,如對各種塑膠、紡織品、金屬、玻璃、陶瓷等材 料。總之,任何有形狀的物體不論形狀大小、厚薄,不論軟質、 1343997 灼細明15日修正替換頁 硬質’也不論曲面、平面都可進行網版印刷。所以,從世 紀70年代起網版印刷在全球範圍内得以發展。而近年來更有 • 許多學者研究將網版印刷應用於生醫科技或電化學感測技術 上例如[R. Koncki and M. Masdni, Screen-printed ruthenium dioxide electrodes for pH measurements, Analytica Chimica Acta 351(1997)143-149] 〇 【發明内容】 鑒於上述之發明背景中,為了符合產業上某些利益之需 求,本發明提供一種電位式多重感測系統及其製作方法可用以 解決上述傳統之感測系統未能達成之標的。 本發明之一目的係提供一種電位式多重感測模組製作方 法,其包含下列步驟:提供一基板;以網版印刷法形成一導電 層於基板上,其中導電層包含在基板上複數區獨立之導電區, 每一個導電區包含一接點區、一傳導區與一電極區,其中電極 區與接點區係連接於該傳導區之兩側;以射頻麟法沈積一二 氧化錫層於導電層上’其中二氧化錫層包含複數個獨立之二氧 化錫區,每一個二氧化錫區分別位於電極區上;形成一絕緣保 護層於每一個導電區之傳導區上;以及形成一篩選層於二氧化 錫層上,其中篩選層包含複數個獨立之篩選區,每—個篩選區 分別位於二氧化錫區上。 本發明亦同時揭露了上述之電位式多重制模組,其包 8 1343997 59抑明is日修正替換買 3上述之基板、導電層、絕緣保護層、二氧化錫層與筛選層。 述之導電層包含在基板上複數區獨立之導電區,每—個導電 , ㊣包含上述之接點區、傳導區與電極區,而絕緣保護層係形成 於每-料之料區上,二氧化闕包含複數個獨立之二 氧化錫區,每一個二氧化錫區分別位於電極區上,且筛選層包 3複數個獨立之|帛賴’每-個篩舰分職為二氧化錫區 上。 时 再藉由將上述之電位式多重感測模組與一參考電極置入 . —待測溶液,以形成本發明揭露揭露之電位式多重感測系統, 其包含上述之電位式多重感測模組、參考電極、複數個放大電 路、-多重訊號量測裝置與-電腦。其中上述之電位式多重感 測模組與參考電極係放置於—制溶液巾,域由電位式多重 感測模組與待測溶液產生氧化還原反應以輸出一訊號,此一訊 號再經由複數做大電路放大後傳輸至多魏錄測裝置與 電腦,藉以對此訊號運算分析。 上述之電位式多重感測模組具有元件特性佳、操作穩定 |·生佳、製作成本低廉、無複雜之電路結構以坪呈可藉由軟體之 設計大幅提昇此電位式多重感測模組之應用領域,例如可應用 於醫學臨床檢冊 '水質監卿估、食品檢測及生醫感測元件開 發等產業應用。 【實施方式】 9 1343997 挖年〇明IS曰修正替換頁 輯探討财㈣—種餘#_測系統及 、製作方法。為了能徹底地瞭解本發明,將在下列的描述中提 出詳盡的步驟及其組成。雜地,本發_施行並未限定於電 t式多重感測系統及其製作方法之技藝者所熟習的特殊細 即。另-方面’眾所周知的組成或步驟並未鄕於細節中,以 避免造成本發料必要之關。本發_較佳實施例會詳細描 述如下’然而除了這些詳細描述之外,本發明還可以廣泛地施 行在其他的實_ t ’且本發明的細不受限定,其以之後的 專利範圍為準。 參考第-A圖至第-C _示,其係為本發明之電位式 多重感賴組100之製作示意圖及結構示意圖。首先,以網版 印刷法形成-導電層於-基板102上,如第一 A圖所示,其 中導電層包含在基板上複數區獨立之導電區11〇,每一個導電 區110包含一接點區112、一傳導區114與一電極區1丨6,其 中電極區116與接點區112係連接於傳導區114之兩側。上述 導電層之材質係可包含碳以達成導電之目的,而因為網版印刷 法能在各種承印材料上進行印刷,故上述基板1〇2之材質係可 包含玻璃、金屬、紡織品、塑膠、陶瓷等各種材質,例如聚丙 烯(Polypropylene,PP)、聚碳酸脂(Po丨ycarb〇nate,pc )、反類 樹脂(Fluoroethylene Resin)、酚樹脂(Phen〇l Resin)、不飽和 聚酯樹脂(Unsaturated Polyester Resin,UPE )、環氧樹脂(Epoxy 39細月IS日修正替換頁 .)夕月曰树月曰(Silicone Resins )、聚氨基甲酸脂 (Polyurethane ’ PU )、聚乙稀對苯二甲酸醋(卜㈣响此 Terephttialate,PET )、聚氣乙稀(p〇lyvinyl 也丨〇Hde 卩吻蕭, PVC) 等等耐熱性材質皆可當作上述之基板102。上述之基板 1〇2與導電層之間係可藉由一第一導電膠黏劑 104黏合,此一 第-導電膠黏劑104係可為碳膠或銀膠以加強導電之效果。 如第- B圖所示’再以氣相沉積技術沈積—二氧化錫層 於導電層上’其中二氧化鬚包含複數侧立之二氧化锡區 120,每一個二氧化錫區12〇分別位於上述之電極區ία上, 且此一二氧化錫層之較佳厚度係為2〇〇nm。再者,上述之氣相 沉積技術係可為物理氣相沉積技術(physica丨Vap〇r Dcp〇siti〇n, PVD) 或化學氣相沉積技術(Chemical Vap〇r Dep〇siti〇n, CVD )而物理氣相沉積技術包含蒸鍍(Evaporation Dep〇Sltl〇n )、離子鍍(Ion Plating )、濺鍍(Sputtering Deposition),其中上述濺鍍法所包含之射頻濺鍍(RFSpimer) 法係為本發明之一較佳實施範例。同樣地,上述之化學氣相沉 積技術包含低壓化學氣相沉積法(L〇w pressure chemical Vapor Deposition,LPCVD )、有機金屬化學氣相沉積法 (Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD )、電衆增 強式化學氣相 >儿積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD )、光照射式化學氣相沉積法(photo 1343997 «年09月15曰修正替換頁 CVD) 〇 如第一 c圖所示’形成1緣保護層no於每-個導電 •區U〇之該傳導區114上’其令絕緣保護層⑽與每-個導電 區0之謂導區114係可糟由—第二導電膠黏劑脳黏合, 此一第二導電膠黏劑]06係可為碳膠或銀膠以加強導電之效 果,且上述之絕緣保護層B0係可為環氧化物(Ε_、石夕氧 烧⑽c〇ne)、氧化石夕⑽ca)或氮化石夕(siiic〇n刪⑹, 热知相關領域者皆可輕易推知其他具有絕緣特性之保護材質。 接著,再形成-_層於二氧化錫層上,其帽選層包 含複數個駐之㈣區122,每—轉舰⑵ 化錫區⑶上勢地每—個輸㈣可由不_ 材質所構成,以過_欲_之離子,例如上述任一筛選區 122係可為鉀離子選擇_,而另—_區m係可為納離子 t擇薄膜以達到檢測不同物質之目的。 再參考第-A圖至第—c圖所示,本發明相時揭露了 上述之電位式多重感測模組卿,其包含上述之基板ι〇2、導 電層、絕緣保護層130、二氧化錫層麟選層。上述之導電層 包含在基板1〇2上複數區獨立之導電區11〇,每一個導電區包 含上述之接點區112、傳導區114與電極區ιΐ6,而絕緣保護 層1—30係形成於每一個導電區之傳導區m上,二氧化錫層包 s複數個獨立之二氧化錫區12(),每—個二氧化錫區⑽分別 12 1343997 39初明15日修正替換頁 '' —. ,於電極區116上,且賴層包含複數侧立之篩選區ID, 每一個篩選區122分別位為二氧化錫區12〇上。 >考第__ϋ所示’其係為本發明之電位式多重感測系統 ' 之操作不意圖,此—電位式多重感測祕包含上述之電位式多 重感測模組100與-參考電極150,其中參考電極15〇係維持 在一參考電位,並且電位式多重感測模組觸與參考電極⑼ 係放置於一待測溶液160中。上述之參考電極⑼之材質係可 包含銀與氣化銀。 ” . 根據上述,因騎選區122皆可以獨之材質所構 成,例如押離子選擇薄膜、納離子選擇薄膜等等,故當電位式 多重感測模組100與參考電極150係放置於待測溶液16〇中 時’電位式多_測模组100即可針對待測溶液⑽之不同成 分做筛選檢驗’亦即鉀離子即可通過上述之鉀離子選擇薄膜以 ”上述之—氧倾區丨2G反應,或是讎子係可通過上述之納 離子選擇薄膜以與上述之二氧化錫區120反應,其中當電位式 乡重感測模組_與待測溶液副產生氧化_反應時,電位 式多重感測模組100與參考電極ls〇之參考電位即具有電位差 以產生電位訊號,電位式多重感戦組廳即將此訊號由上述 之接點區112輸出。 其中上述之電位式多重感測模組】⑻之電極區116與待 測溶液160產生之氧化還原反應係如下所示: 13 -—j
MxOy + 2yH+ + 2ye· <——^ xM + yH2〇 其中M為金屬元素,H+為氫離子,〇為氧元素’ f為電 子’ x與y係為比例常數,在上述之實施例中,Mx〇y係可為 • —氧化锡。 另外,上述之電位式多重感測模組100之電極區116之 電位係隨著待測溶液160之酸鹼值成線性的變化: hE。- RTln 10/F pH _ RT/F lnaH2〇 其中E。係為參考電位,且aH2〇係指溶液中水的活動。然 而上述之方程式在稀釋的溶液系統中可被簡化成
E=E°-RTlnlO/F pH 其中 RTlnlO/F pH 在 25°C 時係為 〇.〇59Volt。 根據上述即可輕易推知電位式多重感測模組1〇〇與待測 溶液160產生氧化還原反應後,電位式多重感測模組與參 考電極15〇之參考電位即具有電位差以產生電流訊號。另,根 據實驗,當酸驗值範圍在pH2〜pH12之間時,電位式多重感 測模組100的電位感測範圍約為5〇mV/pH—6〇mV/pH之間, 而較佳平均值簡59mv/PH,如第三圖料四_示。其中 上述電位感測範圍之計算係如下所示: (最南輸出電壓—最低輸出電壓)/(最高酸驗值 一最低 14 1343997 的細月15曰修正替換頁 酸驗值) 如第二圖所示’上述之電位式多重感測系統更包含複數 個放大電路(LT1167) 170、一多重訊號量測裝置(Hp3478A) Π2與-電腦174 ’其中每-個放大電路17〇分別電性輕合於 上述之接雜112,歧大上述之喊,衫重訊號量測 裝置172分職每-個放大電路17G電_合,並且分別量測 每-個放大電路170所輸出之訊號以產生複數個量測值,其中 每一個量測值係相對應於每一個放大電路17〇所輸出之訊 號,最後在經由電腦174來分析運算此一訊號,以得知待測溶 液160之成分。上述之放大電路17〇之一較佳電路結構係如第 . 二圖所示,此敝大電路17〇係、為熟知相關技術者皆可輕易推 知故’具有相同放大效果之電路皆可等效替換放大電路, 於本說明書中不加以贅述。 上述之多重訊號量測裝置172係可藉由現成商品化之電 子元件整合為具有錢道之峨讀㈣路,讀出之訊號係藉由 依電ί1元件特性為依據所設定之訊貞取介面,將此電位式多 重感測模組100所量測得知訊號傳輸至電腦174,而電腦174 具備了已規劃之虛擬儀表軟體工具,故電位式多重感測模組 1〇〇之訊號校正與結果分析皆可由電腦174進行控制。 再者,為了使上述之電位式多重感測模組1〇〇具有可拋 棄與方便攜帶之優點’上述之每一個放大電路17〇係藉由一可 15 1343997 )9初9月is曰修正替換頁 拆式連結裝置176分別電性耦合於接點區112,例如放大電路 170係可藉由通用串列匯流排(Universal Serial Bus, USB)或 安全數碼卡(Secure Digital Card,SD Card)、CF 卡(Compact Flash Card )、SM 卡(Smart Media Card )、Mini 卡(Mini Card )、 多媒體記憶卡(Multimedia Card, MMC)及其插槽以電性耦合 至接點區112,以達到傳輸訊號之目的,並可兼具可拋棄與方 便攜帶之優點’例如安全數碼卡係可與放大電路170相連結, 女全數碼卡之插槽係與電位式多重感測模組1〇〇之接點區112 相連結,而熟知相關領域者皆可輕易推知其他具有等效功能之 傳輸介面。另外,上述之可拆式連結裝置176之複數個導電接 腳係可為金手指。 傳統之銀/氣化銀電極之内部需包含電解溶液才可作為上 述之參考電極150,韓發明更提出—種@態式參考電極 明以避免上述銀/氣化銀電極之内部需包含電解溶液之困 難’並可藉此將此態式參考電極⑽微型化。如第五圖所 示,此-固態式參考電極180 &含一銀層182、一氣化銀層 184 -南分子聚合物186與-絕緣保護層188,而此一固態 式參考電極之剖面結構係如第六圖所示。其中上述之賴 182係連結—接出線路19G,氣化銀層184係形成於銀層18曰2 外緣’高分子聚合* 186係形成於氣化銀層184外緣,以及絕 緣保護層m係形成於銀層182與接出線路】9〇之連結處。其 1343997 _9月15日修正替換頁. 中上述之高分子聚合物186包含:含羰基之聚氣乙烯(p〇ly (Vinyl Chloride) carboxylated,PVC-COOH)、癸二酸二辛酯(Bis (2-ethylhexyl) sebacate,DOS)、氣化鉀粉末(KCl powder)與四氫 氟喃(TetrahydroofUran,THF)上述之高分子聚合物186之較佳 重量比例為: 含幾基之聚氣乙稀:癸二酸二辛酯:氣化鉀粉末=%% · 66% : 1%。 其中上述之含羰基之聚氣乙烯之較佳重量係為66毫克, 該癸二酸二辛酯之較佳重量係為132毫克,該氣化鉀粉末之較 佳重量係為2毫克,該四氫氟喃之容積係為〇 375毫升。 本發明更揭露上述固態式參考電極〗8〇之製作方法,其包 含下列步驟:首先,提供上述之銀層182,銀層係連結一 接出線路190。再將銀層182通電以形成上述之氯化銀層184 於銀層182外緣,並形成高分子聚合物186於氯化銀層184外 緣。再形成上述之絕緣保護層於銀層182與接出線路19〇 之連結處。 其中上述之咼分子聚合物186之形成包含下列步驟:攪 拌含碳基之聚氣乙稀、癸二酸二辛§|與氣化鉀粉末 :加入四氫 氟喃溶劑至幾基之聚氣乙婦、癸二酸二辛§旨與氣化卸粉末;以 及以超音波振t器混合四氫敗喃、之聚氣乙烤、癸二酸二 辛酯與氣化卸粉末。 17 1343997 扮年0明15曰修正替換頁 發明更提出-種電位式多重_之校正方法 二倾、、:首先、,將上述之電位式多域測池_置於一第一 終並且量測電位式多重感測模組 輸出電壓值W中第—校正溶液具有一第一離:第 乡输職請置於—液中,並 第―校正减具有—第二離子漠度值χ2。 之钭即爾—士次·χ 其包含下列步驟:首先,將第—輸咖值^代入 Υ’並將第-離子濃賴Χί代人χ,以轉m ^+以。再將第二輸出電顧Y2代入γ,並將第二離子漠 :=2代入X ’以取得一第二方程式Υ2…Β · X”隨即 错由聯立第-方程式與第二方程式,即可求得之解, =當係為電位式多重感測細〇之輸峨 值Β係為二兀一次方程式之斜率。 完成上触正步驟後,即可藉由將電位式多重_模組 置入一待測溶液中以量測電位式多重感測模組100之一輪 出電壓值,並將此-輸出電壓值代人上述二元 : 二元—次枝紅X,射X即轉·液之t 子》辰度值’Y係為該電位式多重感測模組刚之該輸出電壓值。 因為上述之每一個筛選區122係可由不同的材質所構 1343997_ 灼年〇9月is日修正替換頁 成,故每一個篩選區122皆有其感測曲線,亦即為每一個篩選 區122皆有與之相應的二元一次方程式。根據實驗,當上述之 離子濃度H軒濃纽與帛二料濃度值包含氫離子濃 : 度值(亦即為酸鹼值)時,酸鹼值之感測曲線如第四圖所示。 當上述之待測溶液、第一校正溶液與第二校正溶液包含 氣化鉀(KC1)溶液時’篩選層之材質包含鉀離子選擇薄膜, 且上述之離子濃度值、第-離子濃度值與第二軒濃度值包含 卸離子濃度值,其中卸離子濃度值之感測曲線如第七圖所示。 同樣地’當上述之待測溶液、第一校正溶液與第二校正 溶液包含氣化納(NaC1)溶液時,筛選層之材質包含納離子選 擇薄膜,且上述之離子濃度值、第一離子濃度值與第二離子濃 度值包含_子濃度值,其中鋪子濃度值之_曲線如第八 圖所示。顯然地,依照上面實施例中的描述,本發明可能有許 夕的修正與差異。因此需要在其附加的權利要求項之範圍内加 以理解’除了上述詳細的描述外’本發明還可以廣泛地在其他 的實施例中施行。上述僅為本發明之較佳實施例而已,並非用 嫌定本發明之申請補顧;凡其它未_本剌所揭示之 精神下所完成的等效改變或修飾,均應包含在τ述申請專利範 圍内。 【圖式簡單說明】 第一 Α圖、第一 Β圖與第一 c圖係為一電位式多重感測 19 1343997 39和9月15日修正替換頁: 模組之製作示意圖與結構示意圖; 第二圖係為一電位式多重感測系統之結構示意圖;以及 . 第三圖與第四圖係為一電位式多重感測模組之實驗數據 :· 曲線圖; 第五圖與第六圖係為一固態式參考電極之結構示意圖; 以及 第七圖與第八圖係為一電位式多重感測模組之實驗數據 曲線圖。 【主要元件符號說明】 100電位式多重感測模組 102基板 104第一導電膠黏劑 106第二導電膠黏劑 110導電區 112接點區 114傳導區 116電極區 120二氧化錫區 122篩選區 20 1343997 39年0明15日修正替換頁, 130絕緣保護層 150參考電極 160待測溶液 ·; 170放大電路 * 172多重訊號量測裝置 174電腦 176可拆式連結裝置 180固態式參考電極 182銀層 . 184氣化銀層 , 186高分子聚合物 188絕緣保護層 190接出線路 21

Claims (1)

1343997 39#09月IS日修正替換頁, 十、申請專利範圍: 1· 一種電位式多重感測系統,該電位式多重感測系統包含: 一固態式參考電極,該固態式參考電極維持在一參考電 - 位,其中該固態式參考電極包含: . 一銀層,該銀層係連結一接出線路; 一氣化銀層,該氣化銀層係形成於該銀層外緣; 一高分子聚合物,該高分子聚合物係形成於該氣化銀 層外緣’其中該高分子聚合物包含:含羰基之聚氣乙稀 (Poly (Vinyl Chloride) carboxylated,PVC-COOH)、癸二酸二 - 辛酯(Bis (2_ethy丨hexy1) sebacate,DOS)、氣化鉀粉末(KC1 , Powder)與四氫氟喃(TetrahydroofUran,THF);及 一絕緣保護層,該絕緣保護層係形成於該銀層與該接 出線路之連結處; 一電位式多重感測模組,該電位式多重感測模組包含: 一基板; 一導電層,該導電層包含在該基板上複數區獨立之導 電區,每一個導電區包含一接點區、一傳導區與一電極區; 该絕緣保護層,該絕緣保護層係形成於每一個導電區 之該傳導區上; 一二氧化錫層,該二氧化錫層包含複數個獨立之二氧 化錫區,每一個二氧化錫區分別位於該電極區上;及 22 1343997 年〇9月15曰修正替換頁 -篩選層,選層包含複數_立之篩選區,每一 個篩選區分別位於該二氧化錫區上; .· —量測液’該固態式參考電極與每-個篩選區係位於該量 . 測液中;以及 複數個放大電路,每-個放大電路分別電性耗合於該接點 區。 2. 根據中請專利範圍第丨項之電位式多重感測系統,其中上述之 高分子聚合物之重量比例為: 3幾基之聚亂乙埽:癸二酸二辛酯:氣化鉀粉末=幻% : 66% : 1% 〇 3. 根據申請專利範圍第2項之電位式多重感測系統,其中上述之 3 Ik基之I氣乙稀之重量係為%毫克,該癸二酸二辛醋之重量 係為132毫克,該氣化钾粉末之重量係為2毫克,該四氫氟喃 之容積係為0·375毫升。 4. 根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 電極區與該接點區係連接於該傳導區之兩侧。 5·根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,更包含一多 23 1J43997 重訊號量峨置,該乡重嫌量赚£分顺每-個放大電路 電性轉合’並且分別量測每一個放大電路所輸出之訊號以產生 複數個量測值’其中每-個量測值係相對應於每—個放大電路 ' 所輪出之訊號。 *- 6·根據申請專利範圍第5項之電位^域測祕,更包含一電 恥’该電腦與該多重訊號量測裝置電性辆合以運算該多重訊號 量蜊裝置輸出之訊號。 ° ; 7.根據申請專利範圍第!項之電位式多重感測系統,其中上述之 母—個放大電路係藉由一可拆式連結裝置分別電性輕合於該接 8·根據Φ請補顧第7項之魏Μ重制祕, 可拆式連職置包含下列之一:通用串列匯流排、安全= 之 CF卡、SM卡、Mini卡或多媒體記憶卡。 ’’、、、 根據申料利細第7項之電位式多賊齡統, =桃结裝置包含複數個導電接卿,該複數個導電接二 24 1343997 39和9月15日修正替換頁 10.根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 導電層係藉由-第-導電膠黏劑黏合於該基板。 11‘根據申請專利賴帛W項之電位式多重感測系統,其中上述 . 之第一導電膠黏劑包含下列群組之一 ·,碳膠與銀膠。 12.根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 絕緣保護層係藉由-第二導電膠黏劑黏合於每一個導電區之該 傳導區。 ’ 13·根據申請專利範圍第12項之電位式多重感測系統,其中上述 之第二導電膠黏劑包含下列群組之一:碳膠與銀膠。 14. 根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 基板係由下列之-所構成:聚輯、聚碳酸脂、_樹脂、盼 樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、矽脂樹脂、聚氨基甲酸脂、 聚乙婦對苯二尹酸醋與聚氣乙稀。 15. 根據申請專利範圍帛丨項之電位式多重感測系統,其中上述之 導電層之材質包含碳。 25 1343997 39年〇9月I5日修正替換頁 16·根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 絕緣保護層包含下列之一或其組合:環氧化物、矽氧烷、氧化 碎與氮化石夕。 瓠 n_根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 每一個篩選區係由不同的材質所構成。 I8.根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 篩選區之材質包含鉀離子選擇薄膜。 ,19·根據申請專利範圍第1項之電位式多重感測系統,其中上述之 篩選區之材質包含鈉離子選擇薄膜。 -種固態式參考電極製作方法,該固態式參考動亟製作方法勺 含下列步驟: ^ 提供一銀層,該銀層係連結一接出線路; 將該銀層通電以形成一氣化銀層於該銀層外緣; 形成一高分子聚合物於該氣化銀層外緣;以及 形成一絕緣保護層於該銀層與該接出線路之連結處。 21.根據申請專利範圍第20項之固態式參考電極製作方、去其中 26 1343997 韧明15日修正替換頁 上述之高分子聚合物之形成包含下列步驟: 攪拌含絲之聚氣乙稀、癸二酸二辛g旨與氣化卸粉末; 加入四虱氟喃,谷劑至δ亥幾基之聚氣乙烯、該癸二酸二辛酉旨 : 與該氣化鉀粉末;以及 醵 以超Θ波振盡器混合S亥四虱氟喃、該魏基之聚氣乙烯、該 癸二酸二辛酯與該氯化鉀粉末。 22. 根據申請專利範圍第21項之固態式參考電極製作方法,其中 上述之高分子聚合物之重量比例為: < 含羰基之聚氣乙烯:癸二酸二辛酯:氣化鉀粉末=33% : • 66% : 1%。 23. 根據申請專利範圍第21項之固態式參考電極製作方法,其中 上述之含羰基之聚氣乙烯之重量係為66毫克,該癸二酸二^酯 之重量係為132毫克,該氣化鉀粉末之重量係Α ζ宅見,該四 氫氟喃之容積係為0.375毫升。 27
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109642863A (zh) * 2016-08-31 2019-04-16 京瓷株式会社 传感器元件及传感器装置

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