TWI332683B - Systems and methods for wafer cleaning - Google Patents

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Description

1332683 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 特別是有關於晶圓清 本發明係有關於半導體製造 潔糸統與方法。 【先前技術】 …第1A圖顯示傳統之使用於化學機械研磨製 程後之晶圓清潔程序的刷體組示意圖。參見第1A圖，其 •係顯示-組刷體咖及12〇b之簡化的立體圖，：係； 別用以刷洗-晶圓13〇的頂面及底面。通常，㈣W 在被刷體12如及120b清潔時，係以_特定方向轉動， :而刷體12〇&及120b的表面則分別與晶圓130的頂面及 -底面接觸。刷體12如及12Gb係分财設於刷轴跡及 l〇〇b。刷體120a及120b通常由聚乙婦醇（p〇iyvi㈣ alc〇h〇l，PVA)構成，並在使用期間，其體積會膨脹。一 般而言，在其使用期間，刷體12〇a及12〇b的位置是固 _定的。當刷體膨脹時，刷體12〇&及12〇b施加在晶圓 表面之壓力會隨之增加。參見第1B圖及第1C圖，刷體 120a及120b之刷軸i〇〇a及1〇〇b之間的距離為d。在第 1C圖中，當刷體120a及12〇b的體積膨脹時，會有較大 的壓力施加於晶圓13〇上。再者，當施加在晶圓上的壓 力增加時，也會較容易產生微粒污染。 【發明内容】 本發明之一目的為提供一種晶圓清潔系統與方法。 0503-A3163 lTWF/AIicewu 4 1332683 * 為達成上述目的，本發明提供一種晶圓清洗系統， * 其包括第一刷、第二刷、刷驅動馬達、及控制器。該第 二刷，其係與該第一刷平行配置。該刷驅動馬達，其轉 動該第一刷及該第二刷。該控制器，其依據該刷驅動馬 達之驅動電流，將該第一刷及該第二刷中至少一者從一 第一位置移到一第二位置。 本發明亦提供一種工作件處理方法。該方法首先使 用位於一第一位置之轉動的第一及第二刷體，清潔一工 * 作件。並接收用以在該第一位置驅動該第一及第二刷體 之一驅動電流之測量值。並提供一預設規則，用以界定 該驅動電流及該第一及第二刷體之間距離的關係。依據 ; 該驅動電流之該測量值及該預定規則，決定該第一及第 • 二刷體之一第二位置，以補償該第一及第二刷體之磨 耗。將該第一及第二刷體從該第一位置移動到該第二位 置。再使用位於該第二位置之轉動的該第一及第二刷 體，清潔該工作件 • 本發明亦提供一種用以操作一用以清潔晶圓的刷體 組之方法，其中該刷體組包含一第一刷及一第二刷，其 係在清潔晶圓時轉動。該方法首先提供一預設規則，用 以界定驅動電流及該第一及第二刷體之間距離的關係。 並接收用以在該第一位置驅動該第一及第二刷體之一驅 動電流之測量值。再依據該驅動電流之該測量值及該預 定規則，決定該第一及第二刷體之一第二位置。 0503-A3163 lTWF/Alicewu 1332683 * 【實施方式】 - 為了讓本發明之目的、特徵、及優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例，並配合所附圖示第2圖至第4圖， 做詳細之說明。本發明說明書提供不同的實施例來說明 本發明不同實施方式的技術特徵。其中，實施例中的各 元件之配置係為說明之用，並非用以限制本發明。且實 施例中圖式標號之部分重複，係為了簡化說明，並非意 指不同實施例之間的關聯性。 φ 第2圖顯示依據本發明實施例之製造系統的示意 圖。製造系統200係為一半導體製造系統，其對半導體 晶圓執行化學研磨製程以及其後的晶圓清潔製程。 .· 製造系統200包含製程工作站20、電腦整合製造系 - 統（computer integrated manufacturing system, CIM ) 23、 以及錯誤測控制系統（fault detection control system， FDC ) 25。電腦整合製造系統23及錯誤偵測控制系統25 分別和資料庫24和26連結。 • 製程工作站20執行一化學研磨製程及一研磨後清潔 製程其包含一化學研磨製程機台210和一清潔機台230。 其中，化學研磨製程機台210包含製程平台211〜 213。製程平台211〜213係用於不同的化學研磨製程階 段，其分別使用不同種類的研磨液及不同的製程程式。 例如第一化學研磨製程階段在製程平台211執行，其中 大量的物質（例如：銅）被移除。在此可以使用一渦電 流檢測（eddy current testing )機制來決定在該第一化學 0503-A31631 TWF/Alicewu 6 1332683 • 研磨製程階段之執行停止點。第二化學研磨製程階段在 • 製程平台212執行，其使用的研磨下壓力較該第一化學 研磨製程階段為小，並進一步研磨晶圓表面。在第二化 學研磨製程階段中，可以使用一掃瞄（i-scan )機制來決 定在該第二化學研磨製程階段之執行停止點。第三化學 研磨製程階段在製程平台213執行，其執行一最後的研 磨程序。在第三化學研磨製程階段中，可以使用一研磨 時間機制來決定其研磨處理的結束時間。 • 清潔機台230包含一超音波清潔裝置23卜刷洗清潔 裝置232及233、及一乾燥裝置234。超音波清潔裝置231 係使用超音波，對經過化學研磨製程處理後的一晶圓執 ·' 行一清潔程序。刷洗清潔裝置232及233係分別使甩刷 體組來進行晶圓清潔的程序。刷洗清潔裝置232及233 的結構和運作方式在下文中有清楚敘述。乾燥裝置234 係使用異丙基醇（isopropyl alcohol，IPA )來移除經由超 音波清潔裝置231、刷洗清潔裝置232及233處理過之晶 ®圓上的水分和濕氣。 第3A圖顯示依據本發明實施例之刷體組的立體示 意圖。刷體組包含刷體32a及32b，其係分別用以刷洗一 晶圓30的頂面及底面。通常，晶圓30在被刷體32a及 32b清潔時，係以一特定方向轉動，而刷體32a及32b的 表面則分別與晶圓30的頂面及底面接觸。刷體32a及32b 係分別裝設於刷軸31 a及31 b。刷體32a及32b通常由聚 乙稀醇（polyvinyl alcohol，PVA )構成，並在使用期間， 0503-A31631 TWF/Alicewu 7 1332683 其體積會膨脹。刷體32a丨32b的轉動係以—驅動 驅動之。當刷洗清潔裝置232及233處理複數晶圓時: 測量得到該驅動電流之測量值，並儲存 測量值傳送到電腦整合製造系統23，並以記錄241的= 式’儲存在資料庫24巾。錯誤偵測控制系、统25定期透 過電腦整合製造系統23，從資料庫24令揭取紀錄241。
-預=規則261係儲存於資料庫26 _，界定該驅動電流 及該第-刷與該第二刷之外緣之間距離之關係。錯誤偵 ?控制系，2 5接收用以處理複數晶圓之該驅動電^之測 量值’計算接收之該測量值的平均值，並依據該平均值 及預疋規則261控制該刷體之位置。 〜第3B圖顧示依據本發明實施例之刷洗清潔裝置的 示意圖。如第3B圖所示’刷體32&及3孔最先分別設置 立呈〇91a及〇91b (其以虛線表示）。繼之，利用一機 械丁臂（圖未顯示）.，將晶圓3〇垂直置入刷體32&及B 。之間。繼之，刷體323及32b分別被移動到位置外兄及 =5b (其以實線表示）。通常，刷體32a及S2b分別被 私動0.)才左右，而從位置391&及39ib移動到位置 及395\在位置395a及395b，刷體32a及32b分別接 觸到B曰圓3〇的表面30&及3〇b。用於驅動刷體32a及32b :驅：電5的大小，係和刷體32a及32b施於晶圓30表 面之垂直刀力（亦即，施加於晶圓30之表面30a及30b) 成正比〇 ’ 如第3B圖所示，刷體32a為順時針轉動，而刷體32b 0503-A31631 TWF/AUcewu 8 1332683 為逆時針轉動。複數噴嘴（例如喷嘴351、352、353、及 • 354)將液體喷在刷體32a及32b、及晶圓30上。該液體. 可以為界面活性劑及/或去離子水。刷體32a及32b在晶 圓30之表面30a及30b之刷洗，加上噴嘴35卜352、353、 及3 54的沖洗，可以將粒子從表面30a及30b移除。尤 其是，由刷體32a及32b從表面30a及30b刷下來的粒 子，可以被沖洗液體所沖走。而且，晶圓30之表面30a 及30b上的粒子也可以被沖洗液體所沖走。且由於晶圓 Φ 3 0係垂直固定，所以可以使上述沖洗效杲更佳。· 第4圖顯示依據本發明實施例晶圓清洗方法的流程~ 圖。該方法可以實施於第2圖所示的系統中。參照第4 p : 圖，在步驟S41中，提供一預設規則，用以界定該驅動^ : 電流及該第一及第二刷體之間距離的關係。該預設規則β 可以错由貫驗決定之’或者也可以箱由先七處理晶圓的？ 歷史紀錄決定之。 在步驟S42中，使用位於一第一位置之轉動的第一 • 及第二刷體，清潔一工作件。
接收用以在該第一位置驅動該第一及第二刷體之一 驅動電流之測量值（步驟S43 )。該測量值係可以由刷洗 清潔裝置232及233記錄之，並傳送到電腦整合製造系 統23儲存之。電腦整合製造系統23將從複數次的清潔 製成處理過程中，收集到的測量值資料，記錄在資料庫 中。儲存之該等測量值記錄資料，被定期擷取，並用以 進行刷體的調整。一般而言，一清洗用刷體（例如一 PVA 0503-A3163 lTWF/Alicewu 9 1332683 ' 刷體），在其被完全磨耗之前大約可以處理400〜500片 • 晶圓。刷體的質地和尺寸，會隨著其使用壽命而改變， 導致其施加於工作件上的壓力也會隨之改變。在此，資 料的擷取和刷體的調整，可以在該刷體剛開始使用的前 期，以較低的頻率進行，當刷體用舊時，可以較頻繁地 進行資料的擷取和刷體的調整。在步驟S44中，從電腦 整合製造系統23擷取該等測量值記錄資料，並周以進行 刷體的調整。在步驟S45中，依據該驅動電流之該測量 鲁 值及該預定規則’決定該弟一及弟·一刷體之一弟—位 置，以補償該第一及第二刷體之磨耗。在步驟S46中， 將該第一及第二刷體從該第一位置移動到該第二位置。 ' 在步驟S47中，使用位於該第二位置之轉動的該第一及 : 第二刷體，清潔該工作件。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可做些許更動與潤飾，因此本發明 • 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 0503-A31631 TWF/AUcewu 10 1332683 【圖式簡單說明】 • 為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易 懂，本文特舉實施例，並配合所附圖示，進行詳細說明 如下： 第1A〜1C圖顯示傳統之使用於化學機械研磨製程 後之晶圓 >可潔程序的刷體組不意圖。 第2圖顯示依據本發明實施例之製造系統的示意圖。 第3A圖顯示依據本發明實施例之刷體組的立體示 _ 意圖。 第3B圖顯示依據本發明實施例之刷洗清潔裝置的 示意圖。 ; 第4圖顯示依據本發明實施例晶圓清洗方法的流程 ·. 圖。 【主要元件符號說明】 刷體〜120a及120b ; 晶圓〜130 ; • 刷軸〜100a及100b ; 製造系統〜2〇0; 製程工作站〜20 ; 電腦整合製造系統〜23 ; 錯誤偵測控制系統〜25 ; 資料庫〜24和26 ; 資料記錄〜241 ; 預定規則261 ; 化學研磨製程機台〜210 ; 清潔機台〜230 ; 0503-A31631 TWF/Alicewu 11 1332683 製程平台〜211〜213 ; • 超音波清潔裝置〜231 ; 刷洗清潔裝置〜232及233 ; 乾燥裝置〜234 ; 刷體〜32a及32b ; 晶圓〜3 0， 刷軸〜31a及31b ; 位置〜391a及391b ; • 位置〜395a及395b ; 噴嘴〜351、352、353、及 354。 0503-A31631 TWF/Alicewu 12

Claims (1)

1332683 第9510219〗號申請專利範圍修正本 修正日期：卯.5芩 十、申請專利範圍： 1. 一種晶圓清洗系統，其包括： ' 一第一刷； - 一第二刷，其係與該第一刷平行配置； 一刷驅動馬這，其轉動該第一刷及該第二刷；以及 一控制器，其依據該刷驅動馬達之驅動電流及該第 一刷與該第二刷之外緣之間距離，將該第一刷及該第二 刷中至少一者從一第一位置移到一第二位置。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清洗系統，其中 該第一刷及該第二刷分別包含一由海綿狀物質構成之刷 體。 • 3.如申請專利範圍第2項所述之晶圓滑洗系統，其中 該第一刷及該第二刷包含一甴聚乙舜醇（polyvinyl alcohol，PVA)構成之刷體。 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清洗系統，進一 步包含一第一刷定位器用以移動該第一刷，以及用以移 動該第二刷之第二刷定位器。 5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓清洗系統，其中 該控制器接收用以處理複數晶圓之該驅動電流之測量 值，計算接收之該測量值的平均值，並依據該平均值及 一預定規則控制該第一刷定位器及該第二刷定位器。 6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清洗系統，其中 該預定規則界定對應於在處理晶圓時，施於該第一刷及 該第二刷一預定壓力的一標準驅動電流。 0503-A31631 TWF3/alicevvu ]3 1332683 第95102191號申請專利範圍修正本 修正曰期：98.5.4· 7. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓清洗系統，其中 該預定規則界定該驅動電流及該第一刷與該第二刷之外 緣之間距離之關係。 8. 一種工作件處理方法，其包括： 使用位於一第一位置之轉動的第一及第二刷體，清 潔一工作件； 接收用以在該第一位置驅動該第一及第二刷體之一 驅動電流之測量值； 提供一預設規則，用以界定該驅動電流及該第一及 第二刷體之外緣之間距離的關係； 依據該驅動電流之該測置值及該預定規則5決定該 第一及第二刷體之一第二位置‘以補償該第一及第二刷 體之磨耗； 將該第一及第二刷體從該第一位置移動到該第二位 置；以及 使用位於該第二位置之轉動的該第一及第二刷體， 清潔該工作件。 9. 如申請專利範圍第8項所述之工作件處理方法，進 一步接收用以處理複數晶圓之該驅動電流之測量值，計 算接收之該測量值的平均值，並依據該平均值及一預定 規則控制該第一刷定位器及該第二刷定位器。 1 〇.如申請專利範圍第8項所述之工作件處理方 法，進一步界定對應於在處理晶圓時，施於該第一刷及 該第二刷一預定壓力的一標準驅動電流。 0503-A31631 TWF3/aiicewu 14 1332683 第9510219]號申請專利範圍修正本 修正曰期：98.5.4· ]1.如申請專利範圍第8項所述之工作件處理方 法，進一步對該工作件施行一超音波清潔程序。 、 12.如申請專利範圍第8項所述之工作件處理方 法，進一步對該工作件施行一化學研磨製程。 13. 如申請專利範圍第8項所述之工作件處理方 法，進一步對該工作件施行一乾燥程序。 14. 一種用以操作一用以清潔晶圓的刷體組之方 法，其中該刷體組包含一第一刷及一第二刷，其係在清 潔晶圓時轉動，該方法包括： 提供一預設規則，用以界定驅動電流及該第一及第 二刷體之外緣之間距離的關係； : 接收周以在該第一位置驅動該第一及第二刷體之一 驅動電流之測量值；以及 依據該驅動電流之該測量值及該預定規則，決定該 第一及第二刷體之一第二位置。 15. 如申請專利範圍第14項所述之用以操作一用以 清 >繁晶圓的刷體組之方法，進'一步接收用以處理複數晶 圓之該驅動電流之測量值，計算接故之該測量值的平均 值，並依據該平均值及一預定規則控制該第一刷定位器 及該第二刷定位器。 16. 如申請專利範圍第14項所述之用以操作一用以 清潔晶圓的刷體組之方法，進一步界定對應於在處理晶 圓時，施於該第一刷及該第二刷一預定壓力的一標準驅 動電流。 0503-A31631 TWF3/alicewu 15
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US7927779B2 (en) * 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
US7993808B2 (en) * 2005-09-30 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TARC material for immersion watermark reduction
TWM362051U (en) * 2009-02-26 2009-08-01 Tung An Dev Ltd Structure for cleaning
JP5535687B2 (ja) * 2010-03-01 2014-07-02 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
TWD161994S (zh) * 2011-06-08 2014-08-01 伊利諾工具工程公司 海綿刷的刷心之部分（一）
CN102522357A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 清华大学 用于晶圆的刷洗装置
KR102573572B1 (ko) * 2017-12-20 2023-09-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
CN109576925A (zh) * 2019-01-17 2019-04-05 河南光远新材料股份有限公司 一种电子级玻璃纤维布表面清洁装置
CN111554569A (zh) * 2020-05-21 2020-08-18 华海清科股份有限公司 一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法
CN114589182B (zh) * 2022-01-30 2023-02-28 江苏亚电科技有限公司 一种晶圆水平清洗装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4382308A (en) * 1981-02-18 1983-05-10 Chemcut Corporation Scrubbing torque monitoring and control system
EP1189260B1 (en) * 2000-09-08 2007-03-07 Qimonda Dresden GmbH & Co. oHG Wafer cleaning apparatus
US6986185B2 (en) * 2001-10-30 2006-01-17 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for determining scrubber brush pressure

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TW200703494A (en) 2007-01-16

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