⑴ 1347 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明係一種多元晶片型積層電容器之製造方 去尤扣種製程簡單、成本低、產品良率高之 電容器製造方法者。 、曰 【先前技術】 按由於半導體技術的演進，使得半導體構裝以 產。σ在市％需求提高下，不斷發展出更精密、更 的電子元件。以目前的半導體技術而言，比如 裝的技術、積層純的設計及被動元件的設計等’曰均 在半導體產業中，佔有不可或缺的地找 2陣列封裝結構為例，晶片係配置㈣= ί =晶片與封裝基板電性連接，而封褒基板係為 “圖:化電路層’以及多層絕緣層積集而成，其中 圖案化电㈣可經由微影㈣的方式 而 ’而絕緣層配罟协知撕_ 心我而成 為了尸至…“ 化電路層之間。此外， 為了侍到更佳的電氣特性，封裝基板之 有電容、電感以及電阻等被動元件 ：：： 板之内部線路’而電性連接於晶w其二=: 在被動元件之設計上， η,,, , 上，再傳至被動二之熱能會傳至封裝基板 攸切凡件上。為了使被釦 ㈣7°件即使在高溫 5 1331347 因此必須設計具 而微小型積層電 主要係由多層介 介電層係由高介 的環境下’也不會影響其電氣特性 有耐高溫以及ifj穩定性的被動元件 谷·器即是其中一例。 一般習知之微小型積層電容器 電層與多層金屬層堆疊而成，盆 /丨电增你田鬲介 :…材質，如：鋇鈦酸鹽所組成，而金屬層係由 7銀、健合金之導電材質所組成，以層金屬層 ;成夕個@陰極父替之内電極"价rna electrode)，而内電極與介電層係構成一電容纟士構， 其兩側還配置有-對終端電極，分別電性連接陽、陰 極之内電極，形㈣極及陰極，㈣等陽極及陰極: 面可形成-表面金屬層，如：鎳，以防止氧化。 習見之微小型積層電容器雖可因由乡層介電廣 與多層金屬層堆疊構成，而體積可微小型化，辦加運 用範圍。但是，其製程複雜’成本高，短路率；多， 製造過程及組裝困難。再者，美國第US6249424號 專利亦揭露有單片電容器7，請參閱第ι圖所υ 不’係顯示該專利之圖示，該電容器係由陽極i靜 極6中間隔離一隔離層3所構成，其中陽才虽q 有介電氧化膜（Al2〇3)2,導電性碳夥層5及銀膠層 6所構成之陰極2與陽極！之間則有導電高分子層 4,而隔·離層3隔絕陰極2與陽極！構成链晶片電i m而’電容器欲增加其電容值係以並聯連接方 1331347 式使數個電容器堆疊並& 加，得到數個電容值相加後之電容值相 圖所示），並將玱〜， 的電容值（如第2 卫將堆瑩後之鋁晶片 23，且從陽極j盥 态7進行封裝 μ ^ 興陰極鳊分別引出導腳21，來&士 整之電容器，但a 形成兀 —疋堆&電谷器需以治且1 7械颅奴 晶片電容器7 (如第3 1 八17擠屋鋁 以产且17 ^ 所710 m複雜（增加 口 /、17 £者及上銀膠1()等程序 率报客，日;成本向，短路 丰4夕且谷易於封裝時產生埶 又如美國帛US642122…利、成電容損壞’ 0421227號專利亦揭示電容不同之堆 登方式，請參閱第4 4b、4 剎夕闰_々 4b 4c圓所不，其顯示該專 田不之夕種不同堆疊方式’然而，不論何種堆疊 方式，亦如上述美國第US6249424號專利，益 服電容器容易損壞、製程複雜、成本高、短路；很多 之缺=。因此，如何能開發設計出一種多元晶片型積 層電容器’將是相關業界亟待努力之課題。 【發明内容】 發明人有鑑於前述先前技術之缺點，乃依其從事 各種電容器之製造經驗和技術累積，針對上述缺失乘 心研究各種解決的方法，在經過不斷的研究、實驗與 改良後’終於開發設計出本發明之一種全新多元晶片 型積層電容器之製造方法的發明，以期能摒除先前技 術所產生之缺失。 因此本發明即旨在提供一種多元晶片型積層電 7 U31347 容器之製造方法，依本發明之此種電容器 釦中’能簡化製程，大幅降低成本，組裝容易：提高 產品良率’以改善習見之電容器的缺失，此為本發明 之主要目的。 又 、為便責審查委員能對本發明之目的、形狀、構 4裝置特徵及其功效，做更進一# 疋 /之5忍硪與瞭解，茲 举貫施例配合圖式，詳細說明如下： 【實施方式】 、、本發明之此種「多元晶片型積層電容器之製造方 法j ’乃如第5至11圖所示，必需先予陳明者，為了說 明t的清楚起見，第5至11圖均係實物放大了數十倍 之多。本發明之電容器i係依以下步驟製成： > (A)首先，將不同的金屬薄片基板u、12沖壓 f複數個分離並以延伸部13止於基板而形成相連之 陽極片 111、112、113…及陰極片 121、122、123...， 如此，陽極片111、112、113與金屬薄片基板1;1間乃 j 一延伸部13連接，陰極片121、122、123與金屬 4片基板12間亦以一陰極片之延伸片工3連接並於— 夕細孔性之隔離薄板14上沖壓出陰、陽極片11 i、1工2 ' 1…、121 ' 122、123…對應而較陰、陽極片小之 開孔141，作為陰、陽極片111、112、113...、121、 122、123...之間的隔離層142 (如第5圖所示）； (B )接著’若有必要，依檢驗的結果，對陽極 1331347 片111、112、113…與陰極片121、122、123...進行整 修（修除毛邊）（如第6圖所示）；再將陽極片n丨、U2 、113...、陰極片121 ' 122、123…及隔離層142依照 順序相互堆疊及壓合，而形成陽、陰極片〗丨ii 12 、113···、121、122、123...之間夾置著隔離層142的 積層結構15 (如第7圖所示）； (C) 之後’若有必要’可視隔離層ι42材料之 性質，施以碳化之製程（如第8圖所示）；再將該積層 、’、。構15反/貝於電解質溶液槽16中，以吸收電解質（如 第9圖所示）； (D) 如果所浸潰的為高分子電解質溶液，則在 高溫下，予以熱聚合，使陽極片lu、112、113與 陰極片121、122、123...之間之隔離層142所吸附的電 解質溶液，成為導電性高分子聚合物固態電解質層（ 如第10圖所示）； θ (Ε)最後，將此積層結構15進行裁切，使形成 陽極片 1U、112、113...、陰極片 121、122、123 與 隔離層142所組成之積層電容器結構17，並於裁切時 保留一與陽極片m、112、113相連接之陽極導片13 ，以及一與陰極片121、122、123…相連接之陰極導 片13，作為外部電氣連接使用之外部電極，嗣再於該 積層電容器結構17上封裝一作為保護外層之覆蓋層 171 ’即獲得單元晶片型積層電容^ (如第山圖與 9 Ϊ331347 第lib圖所示）。 復請參閱第lib與11c圖所示，上述積層電容器i 引出之陽極導片13、陰極導片13可視實際使用之需求 ’將該等陽極導片13、陰極導片13彎折至與覆蓋層m 表面貼合，以便於表面黏著（SMT )方式之連結。 上述隔離層142亦可用塗佈可溶性之導電性高分 子溶液等方式’使其吸附導電性高分子單量體等固態 電解質。而本發明之積層電容器，其陽極片lu、112 、113·..與陰極片121、122、123…之間的隔離層 ，較佳的係為具有碳素纖維（簡稱碳纖）之不織布或 紙所構成者。 請參閱第12圖所示，本發明積層電容器之積層結 構亦可將複數片陽極片1U、112、113 、複數片^ 極片121、122、123…及複數片隔離層142依照覆蓋層 (cover) 162、碳纖帶（carb〇n fiber tape ) 152、隔 離層1/2、陰極片、隔離層、陽極片、隔離層、陰極 片隔離層......陰極片、隔離層、纖維帶、覆蓋層之 順序相互堆疊及壓合，並引出與陽極片1 “112、 3...相連接之陽極導片13，以及一與陰極片Η卜122 、、：123…相連接之陰極導片13 ,作為外部電極，即形 成多元晶片型積層電容器1。 。。此處，需陳明的是，構成一個晶片型積層電容器 之早兀者，為陽極片、隔離層、以及陰極片，其中， :極片較佳的為鋁箱； 布纖維、碳化紙、碳纖與合成纖：：可以為紙、不織 維等；陰極片之材料則可、被1纖與紙質纖 亦即’金屬基片及一層或多 /::金屬溶（ 材質可與被覆層相同或不同，被復广屬基片之 潰、電鍍或其他被覆方法形成喷減、浸 導電性聚合物固態電解質之單體T為液態電解質，或 土：：明中，請參閱第 13a、13b、13c、13d_ 面：發月之積層電容m可視使用之需 ，引出三個電極導片（二個陽極導片13a、一個陰極 yub或^固陽極導片13a、二個陰極導片i3b)(如 13a圖所示），或於其四側面分別引出四個電極導片 (二個陽極導片13a、二個陰極導片13b)(如第13b 3所示）’或於其二相鄰之側面分別引出陽極導片工3 a 、陰極導片13b (如第i3c圖所示）；或於任一側面引 出陽極導片13a、陰極導片13b (如第13d圖所示）。 凊參閱第14圖所示，本發明之另一實施例中，陽 極片 111、112、113...、陰極片 m、122、123··.及隔 離層142之相互堆疊及壓合方式，可以前後堆疊、壓 合方式進行’使作為陰極之導片13b及作為陽極之導 片13a分別位於積層結構15之前、後端，再將該積層 結構15浸潰於電解質溶液槽16中，以吸收電解質；然 後’在高溫下，予以熱聚合，使陽極片m um '、陰極片12卜122、123...之間之隔離層142所吸附的 電解貝，谷液，成為導電性高分子聚合物固態電解質層 ’·最後’將此積層結構15進行裁切，使形成陽極片iu 112 113...、陰極片121、122、123…與隔離層Η] 所.、且成之積層電容器結構！ 7，並於裁切時保留一與陽 極片in、112、113.·.相連接之陽極導片13，以及一 :、陰極片121、122、123...相連接之陰極導片13，作 ^部電氣連接使用（外部電極），嗣再於該積層電 2器結構17上封裝一作為保護外層之絕緣塑膠層（覆 蓋層）162，並將作為電極之陰極導片13、陽極導片 13、考曲貼合於絕緣塑膠層（覆蓋層）162表面上，即 形成多元晶片型積層電容器1。
綜合上所述，本發明之多元晶片型積層電容器之 製造方法，確實具有前所未有之功能與結構，其既未 ^於任何刊物，且市面上亦未見有任何類似的產品， 是以，其具有新穎性應無疑慮。另外，本發明所具有 之獨特特徵以及功能遠非習用所可比擬，所以其確實 比習用更具有其進步性，而符合我國專利法有關發明 專利之申請要件之規定，.乃依法提起專利申請。X 以上所述，僅為本發明最佳具體實施例，惟本發 明之構造特徵並不侷限於此，任何熟悉該項技藝者在. 本發明領域内，可輕易思及之變化或修飾，皆^涵蓋 12 1331347 在以下本案之專利範圍。 13 1331347 【圖式簡單說明】 第1至4圖為習用電容器之剖面示意圖。 第5至11圖為本發明電容器之製造過程示意 圖。 第12至14圖為本發明電容器其他實施例之示 意圖。 【主要元件符號說明】 II、 12 :金屬薄片 III、 112、113···:陽極片 121、122、123···:陰極片 13 :陽極片延伸部 13 :陰極片延伸部 14 :隔離薄板 141 :開孔 142 :隔離層 15 :積層結構 16 :電解質溶液槽 17 :積層電容器結構 152 :纖維帶 162 :覆蓋層 14